JPH07245292A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH07245292A JPH07245292A JP6033645A JP3364594A JPH07245292A JP H07245292 A JPH07245292 A JP H07245292A JP 6033645 A JP6033645 A JP 6033645A JP 3364594 A JP3364594 A JP 3364594A JP H07245292 A JPH07245292 A JP H07245292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- tungsten
- focus ring
- ring
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 35
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/915—Differential etching apparatus including focus ring surrounding a wafer for plasma apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体表面のエッチングレートの均一性の
向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条件の変
更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面のエッ
チングレートの高い均一性が得られるようになるプラズ
マエッチング装置を提供することにある。 【構成】 真空処理容器1内に半導体ウェーハ10をセ
ットしてプロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極
6との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、
該ウェーハ10のエッチング処理を行うプラズマエッチ
ング装置において、下部電極2上の被処理体支持部3の
周囲に設置されるフォーカスリング4を、この表面の外
周側部位にタングステン部材12が露出する状態に設け
られている複合構造としたことを特徴とする。
向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条件の変
更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面のエッ
チングレートの高い均一性が得られるようになるプラズ
マエッチング装置を提供することにある。 【構成】 真空処理容器1内に半導体ウェーハ10をセ
ットしてプロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極
6との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、
該ウェーハ10のエッチング処理を行うプラズマエッチ
ング装置において、下部電極2上の被処理体支持部3の
周囲に設置されるフォーカスリング4を、この表面の外
周側部位にタングステン部材12が露出する状態に設け
られている複合構造としたことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体ウェーハ等
の被処理体をプラズマによりエッチング処理するのプラ
ズマエッチング装置に関する。
の被処理体をプラズマによりエッチング処理するのプラ
ズマエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、被処理体として例えば半導体ウェ
ーハ(以下単にウェーハと略記する)のプラズマエッチ
ング装置は、真空処理容器(プロセスチャンバー)内の
サセプタ兼用の下部電極上にウェーハを位置決めセット
してプロセスガス(エッチング処理ガス)を導入し、そ
の下部電極と上方に配する上部電極との間に高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、ウェーハ表面上の膜を
エッチング処理する。
ーハ(以下単にウェーハと略記する)のプラズマエッチ
ング装置は、真空処理容器(プロセスチャンバー)内の
サセプタ兼用の下部電極上にウェーハを位置決めセット
してプロセスガス(エッチング処理ガス)を導入し、そ
の下部電極と上方に配する上部電極との間に高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、ウェーハ表面上の膜を
エッチング処理する。
【0003】この場合、下部電極上のウェーハ支持面の
周囲にフォーカスリング(電界補償リング)を設置して
プラズマの拡散を防止し、プロセスガスの反応性イオン
を効果的にウェーハに入射せしめるようなしている。
周囲にフォーカスリング(電界補償リング)を設置して
プラズマの拡散を防止し、プロセスガスの反応性イオン
を効果的にウェーハに入射せしめるようなしている。
【0004】そのフォーカスリングは、耐腐食性(プロ
セスガスに強い耐薬品性)や耐プラズマ性や耐熱性等と
共に導電性を有することが必要であるので、従来では全
体がアモルファスカーボンにより一体成形したものが用
いられていた。
セスガスに強い耐薬品性)や耐プラズマ性や耐熱性等と
共に導電性を有することが必要であるので、従来では全
体がアモルファスカーボンにより一体成形したものが用
いられていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そうし
たプラズマエッチング装置では、プロセス条件によって
は、エッチングレートの均一性が保てない問題があっ
た。その要因としては、例えば、プラズマエッチングの
処理中にも処理容器内の排気を続けるので、下部電極上
からその周囲を迂回して下方に引かれる気流の流れが起
き、これでウェーハの周辺には新鮮なプロセスガスが多
く導かれ、中央付近には気流がよどむなど新鮮なプロセ
スガスの到達が少ないなどから、ウェーハの周辺部では
エッチングレートが速く、中央部では遅い。特にプロセ
ス条件としてウェーハ表面温度が高くなると、この傾向
が強くなってウェーハの周辺部のエッチングレートが非
常に速く、ウェーハ表面全域のエッチングの均一性が得
られない。このためにウェーハ周辺部ではオーバーエッ
チングによりサイドエッチングが生じてパターン細りを
招いていた。
たプラズマエッチング装置では、プロセス条件によって
は、エッチングレートの均一性が保てない問題があっ
た。その要因としては、例えば、プラズマエッチングの
処理中にも処理容器内の排気を続けるので、下部電極上
からその周囲を迂回して下方に引かれる気流の流れが起
き、これでウェーハの周辺には新鮮なプロセスガスが多
く導かれ、中央付近には気流がよどむなど新鮮なプロセ
スガスの到達が少ないなどから、ウェーハの周辺部では
エッチングレートが速く、中央部では遅い。特にプロセ
ス条件としてウェーハ表面温度が高くなると、この傾向
が強くなってウェーハの周辺部のエッチングレートが非
常に速く、ウェーハ表面全域のエッチングの均一性が得
られない。このためにウェーハ周辺部ではオーバーエッ
チングによりサイドエッチングが生じてパターン細りを
招いていた。
【0006】そこで、ウェーハ表面上のタングステンシ
リサイド(WSi)膜或いはタングステン(W)膜のエ
ッチング処理を行う場合、従来のアモルファスカーボン
の一体型フォーカスリングに代え、全体をタングステン
(W)により一体成形したフォーカスリングを試作設置
したところ、ウェーハ周辺部のエッチングの抑制に効果
が得られた。
リサイド(WSi)膜或いはタングステン(W)膜のエ
ッチング処理を行う場合、従来のアモルファスカーボン
の一体型フォーカスリングに代え、全体をタングステン
(W)により一体成形したフォーカスリングを試作設置
したところ、ウェーハ周辺部のエッチングの抑制に効果
が得られた。
【0007】この理由としては、WSi膜やW膜のエッ
チング用プロセスガスとしてハロゲン系ガスを導入する
ことから、このハロゲンガスとフォーカスリングのタン
グステン(W)とが化学反応して例えばハロゲン化合物
が発生し、これがウェーハ周辺部のエッチングを抑制す
る働きをなし、これでウェーハの周辺部と中央部とのエ
ッチングレートの差を縮めるのに役立つものと考えられ
る。
チング用プロセスガスとしてハロゲン系ガスを導入する
ことから、このハロゲンガスとフォーカスリングのタン
グステン(W)とが化学反応して例えばハロゲン化合物
が発生し、これがウェーハ周辺部のエッチングを抑制す
る働きをなし、これでウェーハの周辺部と中央部とのエ
ッチングレートの差を縮めるのに役立つものと考えられ
る。
【0008】しかしながら、前述のタングステン(W)
により一体成形したフォーカスリングでは、ある特定の
プロセス条件においてのみ有効であったが、プロセス条
件を変更すると、例えばプロセス温度を高めると、ウェ
ーハ中央部のエッチングレートが速まるのに対し、ウェ
ーハ周辺部のエッチングレートは速まらず抑制されてし
まい、即ち、タングステン(W)のフォーカスリングが
ウェーハ周辺近傍までに広く存在してプロセスガスのハ
ロゲンと化学反応して例えばハロゲン化合物を多量に発
生し、これがウェーハ周辺部のエッチングを過度に抑制
してしまって、ウェーハ表面全域のエッチングレートの
均一性を悪化させる問題があった。
により一体成形したフォーカスリングでは、ある特定の
プロセス条件においてのみ有効であったが、プロセス条
件を変更すると、例えばプロセス温度を高めると、ウェ
ーハ中央部のエッチングレートが速まるのに対し、ウェ
ーハ周辺部のエッチングレートは速まらず抑制されてし
まい、即ち、タングステン(W)のフォーカスリングが
ウェーハ周辺近傍までに広く存在してプロセスガスのハ
ロゲンと化学反応して例えばハロゲン化合物を多量に発
生し、これがウェーハ周辺部のエッチングを過度に抑制
してしまって、ウェーハ表面全域のエッチングレートの
均一性を悪化させる問題があった。
【0009】本発明は前記事情に鑑みなされ、その目的
とするところは、被処理体表面のエッチングレートの均
一性の向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条
件の変更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面
のエッチングレートの高い均一性が得られるようになる
プラズマエッチング装置を提供することにある。
とするところは、被処理体表面のエッチングレートの均
一性の向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条
件の変更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面
のエッチングレートの高い均一性が得られるようになる
プラズマエッチング装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段と作用】本発明は、前記目
的を達成するために、真空処理容器内に被処理体をセッ
トしてプロセスガスを導入し、下部電極と上部電極との
間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該被処
理体のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置に
おいて、下部電極上の被処理体支持部の周囲に設置され
るフォーカスリングを、この表面の外周側部位にタング
ステン系部材が露出する状態に設けられている複合構造
としたことを特徴とする。
的を達成するために、真空処理容器内に被処理体をセッ
トしてプロセスガスを導入し、下部電極と上部電極との
間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該被処
理体のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置に
おいて、下部電極上の被処理体支持部の周囲に設置され
るフォーカスリングを、この表面の外周側部位にタング
ステン系部材が露出する状態に設けられている複合構造
としたことを特徴とする。
【0011】こうした構成のプラズマエッチング装置で
あれば、フォーカスリングが複合構造で、この表面の外
周側部位にタングステン系部材が露出しているので、半
導体ウェーハ等の被処理体表面のタングステンシリサイ
ド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン系
膜のエッチング処理を行う場合、プロセスガスのハロゲ
ン系と該フォーカスリングのタングステン(W)とが化
学反応してハロゲン化合物が発生し、これで被処理体周
辺部のエッチングを抑制する働きをなす。しかも、その
フォーカスリングのタングステン(W)系部材が該フォ
ーカスリングの外周側部位、即ち被処理体周辺から適当
に離間した部位に適当範囲(面積)で露出しているの
で、プロセスガスのハロゲンとの化学反応によるハロゲ
ン化合物の発生量及びこれによる被処理体周辺部のエッ
チング抑制が過度にならず、被処理体表面全域のエッチ
ングレートの均一性が向上するようになる。
あれば、フォーカスリングが複合構造で、この表面の外
周側部位にタングステン系部材が露出しているので、半
導体ウェーハ等の被処理体表面のタングステンシリサイ
ド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン系
膜のエッチング処理を行う場合、プロセスガスのハロゲ
ン系と該フォーカスリングのタングステン(W)とが化
学反応してハロゲン化合物が発生し、これで被処理体周
辺部のエッチングを抑制する働きをなす。しかも、その
フォーカスリングのタングステン(W)系部材が該フォ
ーカスリングの外周側部位、即ち被処理体周辺から適当
に離間した部位に適当範囲(面積)で露出しているの
で、プロセスガスのハロゲンとの化学反応によるハロゲ
ン化合物の発生量及びこれによる被処理体周辺部のエッ
チング抑制が過度にならず、被処理体表面全域のエッチ
ングレートの均一性が向上するようになる。
【0012】また、前述の複合構造のフォーカスリング
を用いることで、プロセス条件(例えば温度等)を変更
する場合、そのフォーカスリングの表面にタングステン
系部材が露出する範囲、即ち被処理体周辺からの離間と
範囲(面積)を該プロセス条件に応じて設定すれば、プ
ロセスガスのハロゲンと化学反応によるハロゲン化合物
の発生による被処理体周辺部のエッチング抑制度合いを
調整し得て、被処理体表面全域のエッチングレートの高
い均一性を確保し得るようになる。
を用いることで、プロセス条件(例えば温度等)を変更
する場合、そのフォーカスリングの表面にタングステン
系部材が露出する範囲、即ち被処理体周辺からの離間と
範囲(面積)を該プロセス条件に応じて設定すれば、プ
ロセスガスのハロゲンと化学反応によるハロゲン化合物
の発生による被処理体周辺部のエッチング抑制度合いを
調整し得て、被処理体表面全域のエッチングレートの高
い均一性を確保し得るようになる。
【0013】なお、前述のフォーカスリングは、好まし
くは、リング状のカーボン系部材の外周側にリング状の
タングステン系部材を設けた複合構造とする。また、前
述のフォーカスリングは、リング状のカーボン系部材の
表面外周部分にタングステン系部材を重設した複合構造
でも良い。更には、前述のフォーカスリングは、リング
状のタングステン系部材の表面内周部分にカーボン系部
材を重設した複合構造でも良い。
くは、リング状のカーボン系部材の外周側にリング状の
タングステン系部材を設けた複合構造とする。また、前
述のフォーカスリングは、リング状のカーボン系部材の
表面外周部分にタングステン系部材を重設した複合構造
でも良い。更には、前述のフォーカスリングは、リング
状のタングステン系部材の表面内周部分にカーボン系部
材を重設した複合構造でも良い。
【0014】
【実施例】以下、本発明のプラズマエッチング装置の実
施例を示す。まず、図1乃至図3は本装置の一実施例を
示すもので、図1はプラズマエッチング装置全体の概略
構成図で、図2はフォーカスリングの平面図、図3は同
じくフォーカスリングの一部拡大断面図を示している。
施例を示す。まず、図1乃至図3は本装置の一実施例を
示すもので、図1はプラズマエッチング装置全体の概略
構成図で、図2はフォーカスリングの平面図、図3は同
じくフォーカスリングの一部拡大断面図を示している。
【0015】図1において、プラズマエッチング装置の
概略構成を簡単に述べると、図中符号1は処理室を構成
する例えばアルミニューム製等の中空箱状の真空処理容
器(プロセスチャンバー)を示しており、この処理容器
1内に被処理体を載置保持する支持台(サセプタ)を兼
ねた下部電極2が設置されている。
概略構成を簡単に述べると、図中符号1は処理室を構成
する例えばアルミニューム製等の中空箱状の真空処理容
器(プロセスチャンバー)を示しており、この処理容器
1内に被処理体を載置保持する支持台(サセプタ)を兼
ねた下部電極2が設置されている。
【0016】この下部電極2は、導電性材料例えばアル
ミニューム等よりなり、上面中央部が凸状に一段高くさ
れた円柱体状で、この中央凸状部の上面が被処理体支持
部3とされ、ここに被処理体として例えば半導体ウェー
ハ(以下単にウェーハと略記する)10を静電チャック
手段等により載置保持する。その被処理体支持部3の面
積はウェーハ10と略同径大である。こうした下部電極
2上の中央の被処理体支持部3の周囲に後述するフォー
カスリング4が設置されている。
ミニューム等よりなり、上面中央部が凸状に一段高くさ
れた円柱体状で、この中央凸状部の上面が被処理体支持
部3とされ、ここに被処理体として例えば半導体ウェー
ハ(以下単にウェーハと略記する)10を静電チャック
手段等により載置保持する。その被処理体支持部3の面
積はウェーハ10と略同径大である。こうした下部電極
2上の中央の被処理体支持部3の周囲に後述するフォー
カスリング4が設置されている。
【0017】なお、前記下部電極2内部には、図示省略
したが、プロセス温度、即ちウェーハ10の温度をコン
トロールするための冷却手段や温度調整用ヒータが組付
けられちる。また、この下部電極2は、ノイズカット用
フィルタやマッチング用コンデンサを介して例えば13.5
6 MHzのプラズマ発生用の高周波電源5に接続されて
いる。
したが、プロセス温度、即ちウェーハ10の温度をコン
トロールするための冷却手段や温度調整用ヒータが組付
けられちる。また、この下部電極2は、ノイズカット用
フィルタやマッチング用コンデンサを介して例えば13.5
6 MHzのプラズマ発生用の高周波電源5に接続されて
いる。
【0018】また、前記真空処理容器1内上部には上部
電極6が設けられている。この上部電極6は、処理ガス
導入経路を兼用するもので、例えばアルミニューム等で
成形された中空円盤状をなし、前記下部電極2と上下で
約15〜20mm程度間隔を存して対向するように支持されて
いると共に接地(アース)7に接続されている。
電極6が設けられている。この上部電極6は、処理ガス
導入経路を兼用するもので、例えばアルミニューム等で
成形された中空円盤状をなし、前記下部電極2と上下で
約15〜20mm程度間隔を存して対向するように支持されて
いると共に接地(アース)7に接続されている。
【0019】この上部電極6に処理ガス導入経路とし
て、バルブ8a付き処理ガス導入管8が外部から接続さ
れ、これを介して供給されるエッチング用プロセスガ
ス、例えば塩素系ガスが、上部電極6内からこの底板部
に形成された多数の小孔6aより下方処理空間に吹き出
される構成である。
て、バルブ8a付き処理ガス導入管8が外部から接続さ
れ、これを介して供給されるエッチング用プロセスガ
ス、例えば塩素系ガスが、上部電極6内からこの底板部
に形成された多数の小孔6aより下方処理空間に吹き出
される構成である。
【0020】一方、前記真空処理容器1の下部周側壁に
は真空排気経路としてのバルブ9a付き排気管45が接
続されており、処理容器1内の雰囲気ガスを図示しない
排気ポンプにより常時排気し得る構成である。
は真空排気経路としてのバルブ9a付き排気管45が接
続されており、処理容器1内の雰囲気ガスを図示しない
排気ポンプにより常時排気し得る構成である。
【0021】つまり、このプラズマエッチング装置は、
所定の圧力例えば1×10-4〜数Torr程度に減圧された
真空処理容器1内に、図示しない外部のロードロック室
からゲートバルブを介してウェーハ10が挿入され、そ
のウェーハ10が下部電極2の中央の被処理体支持部3
上面に載置保持され、この状態でウェーハ10を設定温
度にコントロールしながら、上部電極6からエッチング
用プロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極6との
間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生さ
せることで、該ウェーハ10表面上のタングステンシリ
サイド(WSi)膜或いはタングステン(W)膜のエッ
チング処理を行う。
所定の圧力例えば1×10-4〜数Torr程度に減圧された
真空処理容器1内に、図示しない外部のロードロック室
からゲートバルブを介してウェーハ10が挿入され、そ
のウェーハ10が下部電極2の中央の被処理体支持部3
上面に載置保持され、この状態でウェーハ10を設定温
度にコントロールしながら、上部電極6からエッチング
用プロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極6との
間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生さ
せることで、該ウェーハ10表面上のタングステンシリ
サイド(WSi)膜或いはタングステン(W)膜のエッ
チング処理を行う。
【0022】ここで、前述のフォーカスリング4は、図
1及び図2に示し如く、前記下部電極2上のウェーハ支
持面3の周囲に上面を略面一にしてウェーハ10の外周
側を取り囲むように環状(円形帯板状)に設置されてい
る。このフォーカスリング4は、従来同様にプラズマの
拡散を防止してプロセスガスの反応性イオンを効果的に
ウェーハ10に入射せしめる電界補償リングとして機能
すべく、全体的には幅Aが通常一般のものと同様に32mm
前後程度とされている。即ち、8インチのウェーハ10
を処理する場合、フォーカスリング4の最少内径D1 が
該ウェーハ10の外径より少し大き目(約 196mm程度)
で、最大外径D2 が 260mm程度)とされている。
1及び図2に示し如く、前記下部電極2上のウェーハ支
持面3の周囲に上面を略面一にしてウェーハ10の外周
側を取り囲むように環状(円形帯板状)に設置されてい
る。このフォーカスリング4は、従来同様にプラズマの
拡散を防止してプロセスガスの反応性イオンを効果的に
ウェーハ10に入射せしめる電界補償リングとして機能
すべく、全体的には幅Aが通常一般のものと同様に32mm
前後程度とされている。即ち、8インチのウェーハ10
を処理する場合、フォーカスリング4の最少内径D1 が
該ウェーハ10の外径より少し大き目(約 196mm程度)
で、最大外径D2 が 260mm程度)とされている。
【0023】しかも、このフォーカスリング4は、耐腐
食性や耐プラズマ性や耐熱性等と共に導電性を有する内
外2つのリング状部材11,12よりなる複合構造とさ
れている。その内周側のリング状部材11はカーボン系
として例えば従来同様のアモルファスカーボンを用いた
もので、外周側のリング状部材12はタングステン系部
材としてタングステン(W)を用いたものである。つま
り、フォーカスリング4表面の外周側部位にリング状の
タングステン部材12が適当幅でもって露出する状態に
設けられている構成である。
食性や耐プラズマ性や耐熱性等と共に導電性を有する内
外2つのリング状部材11,12よりなる複合構造とさ
れている。その内周側のリング状部材11はカーボン系
として例えば従来同様のアモルファスカーボンを用いた
もので、外周側のリング状部材12はタングステン系部
材としてタングステン(W)を用いたものである。つま
り、フォーカスリング4表面の外周側部位にリング状の
タングステン部材12が適当幅でもって露出する状態に
設けられている構成である。
【0024】その複合構造のフォーカスリング4の全体
幅Aに対するタングステン部材12の表面露出幅Bの割
合(B/A)は、プラズマエッチングのプロセス条件に
応じ出来るだけエッチングレートの均一性が図れるよう
に各種設定される。即ち、アモルファスカーボン部材1
1とタングステン部材12との断面積を相対的に大小異
にして各種組み合わせることで、タングステン部材12
のウェーハ10周辺からの離間と露出面積とがプロセス
条件にマッチするように、該タングステン部材12の表
面露出幅の割合を、B/A=15〜75%の範囲内で設定す
る。例えばウェーハ10表面上のタングステンシリサイ
ド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン系
膜のエッチング処理を60℃程度で行うプロセス条件の場
合は、B/A=25〜50%の範囲内に設定することが好ま
しい。
幅Aに対するタングステン部材12の表面露出幅Bの割
合(B/A)は、プラズマエッチングのプロセス条件に
応じ出来るだけエッチングレートの均一性が図れるよう
に各種設定される。即ち、アモルファスカーボン部材1
1とタングステン部材12との断面積を相対的に大小異
にして各種組み合わせることで、タングステン部材12
のウェーハ10周辺からの離間と露出面積とがプロセス
条件にマッチするように、該タングステン部材12の表
面露出幅の割合を、B/A=15〜75%の範囲内で設定す
る。例えばウェーハ10表面上のタングステンシリサイ
ド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン系
膜のエッチング処理を60℃程度で行うプロセス条件の場
合は、B/A=25〜50%の範囲内に設定することが好ま
しい。
【0025】なお、前記複合構造のフォーカスリング4
のアモルファスカーボン部材11とタングステン部材1
2とは、図3に一部拡大断面を示す如く、相互の熱膨張
を考慮して1mm程度の隙間Gを確保する状態に互いに組
み合わせると共に、その隙間Gからプラズマが下部電極
2に回り込まないように、互いにL字形段状として接合
する。また、これらアモルファスカーボン部材11とタ
ングステン部材12との表面精度は、平均粗さで 1.6μ
m 以下が良く、それ以上に粗いとゴミが付着し易く且つ
取れにくい開き。
のアモルファスカーボン部材11とタングステン部材1
2とは、図3に一部拡大断面を示す如く、相互の熱膨張
を考慮して1mm程度の隙間Gを確保する状態に互いに組
み合わせると共に、その隙間Gからプラズマが下部電極
2に回り込まないように、互いにL字形段状として接合
する。また、これらアモルファスカーボン部材11とタ
ングステン部材12との表面精度は、平均粗さで 1.6μ
m 以下が良く、それ以上に粗いとゴミが付着し易く且つ
取れにくい開き。
【0026】こうした構成のプラズマエッチング装置で
あれば、フォーカスリング4が複合構造で、この表面の
外周側部位にタングステン部材12が露出しているの
で、前述の如くウェーハ10表面のタングステンシリサ
イド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン
系膜のエッチング処理を行う場合、プロセスガスのハロ
ゲン系と該フォーカスリング4のタングステン部材12
のWとが化学反応してハロゲン化合物が発生し、これで
ウェーハ10周辺部のエッチングを抑制する働きをな
す。しかも、そのフォーカスリング4のタングステン
(W)部材12が該フォーカスリング4の外周側部位、
即ちウェーハ10周辺から適当に離間した部位に適当範
囲(面積)で露出しているので、プロセスガスのハロゲ
ンとの化学反応によるハロゲン化合物の発生量及びこれ
によるウェーハ10周辺部のエッチング抑制が過度にな
らず、ウェーハ10表面全域のエッチングレートの均一
性が向上するようになる。
あれば、フォーカスリング4が複合構造で、この表面の
外周側部位にタングステン部材12が露出しているの
で、前述の如くウェーハ10表面のタングステンシリサ
イド(WSi)やタングステン(W)等のタングステン
系膜のエッチング処理を行う場合、プロセスガスのハロ
ゲン系と該フォーカスリング4のタングステン部材12
のWとが化学反応してハロゲン化合物が発生し、これで
ウェーハ10周辺部のエッチングを抑制する働きをな
す。しかも、そのフォーカスリング4のタングステン
(W)部材12が該フォーカスリング4の外周側部位、
即ちウェーハ10周辺から適当に離間した部位に適当範
囲(面積)で露出しているので、プロセスガスのハロゲ
ンとの化学反応によるハロゲン化合物の発生量及びこれ
によるウェーハ10周辺部のエッチング抑制が過度にな
らず、ウェーハ10表面全域のエッチングレートの均一
性が向上するようになる。
【0027】また、前述の複合構造のフォーカスリング
4を用いることで、プロセス条件、例えばウェーハ10
の表面温度を−100 ℃〜150 ℃の範囲で適当に選定して
変更する場合、そのフォーカスリング4の表面にタング
ステン部材12が露出する範囲、即ちアモルファスカー
ボン部材11とタングステン部材12との断面積を相対
的に大小変更した組み合わせ構造のものを採用すること
で、ウェーハ10周辺からの離間と範囲(面積)を該プ
ロセス条件に応じて設定すれば、プロセスガスのハロゲ
ンと化学反応によるハロゲン化合物の発生によるウェー
ハ10周辺部のエッチング抑制度合いを調整し得て、ウ
ェーハ10表面全域のエッチングレートの高い均一性を
確保し得るようになる。
4を用いることで、プロセス条件、例えばウェーハ10
の表面温度を−100 ℃〜150 ℃の範囲で適当に選定して
変更する場合、そのフォーカスリング4の表面にタング
ステン部材12が露出する範囲、即ちアモルファスカー
ボン部材11とタングステン部材12との断面積を相対
的に大小変更した組み合わせ構造のものを採用すること
で、ウェーハ10周辺からの離間と範囲(面積)を該プ
ロセス条件に応じて設定すれば、プロセスガスのハロゲ
ンと化学反応によるハロゲン化合物の発生によるウェー
ハ10周辺部のエッチング抑制度合いを調整し得て、ウ
ェーハ10表面全域のエッチングレートの高い均一性を
確保し得るようになる。
【0028】図4は、前述のフォーカスリング4の変形
例を示す一部拡大断面図で、この例ではカーボン系部材
として従来同様の幅広Aのリング状のアモルファスカー
ボン部材21の表面外周部分に、タングステン系部材と
しての薄肉な適当幅Bなるリング状のタングステン部材
22を重設した複合構造である。
例を示す一部拡大断面図で、この例ではカーボン系部材
として従来同様の幅広Aのリング状のアモルファスカー
ボン部材21の表面外周部分に、タングステン系部材と
しての薄肉な適当幅Bなるリング状のタングステン部材
22を重設した複合構造である。
【0029】図5は、前述のフォーカスリング4の更に
異なる変形例を示す一部拡大断面図で、この例ではタン
グステン系部材としての幅広Aなるリング状のタングス
テン部材32の表面内周部分に、カーボン系部材として
の薄肉な適当幅Cなるリング状のアモルファスカーボン
部材31を重設した複合構造である。
異なる変形例を示す一部拡大断面図で、この例ではタン
グステン系部材としての幅広Aなるリング状のタングス
テン部材32の表面内周部分に、カーボン系部材として
の薄肉な適当幅Cなるリング状のアモルファスカーボン
部材31を重設した複合構造である。
【0030】いずれの例においても、全幅Aのフォーカ
スリング4の表面の外周部分にタングステン部材22,
32が幅Bだけ露出する構成であり、それら露出したタ
ングステン部材22,32のウェーハ10周辺からの離
間と露出面積とがプロセス条件にマッチするように、該
タングステン部材12の表面露出幅の割合を、B/A=
15〜75%の範囲内で設定する。
スリング4の表面の外周部分にタングステン部材22,
32が幅Bだけ露出する構成であり、それら露出したタ
ングステン部材22,32のウェーハ10周辺からの離
間と露出面積とがプロセス条件にマッチするように、該
タングステン部材12の表面露出幅の割合を、B/A=
15〜75%の範囲内で設定する。
【0031】因みに、図6にウェーハ10のエッチング
レートの実験例をグラフで示す。ここではフォーカスリ
ング4の全体幅Aに対するタングステン部材12の表面
露出幅Bの割合を、B/A=25%、50%、 100%の3段
階に設定して、8インチのウェーハ10表面上のタング
ステンシリサイド(WSi)膜を、該ウェーハ表面温度
60℃でプラズマエッチング処理した場合で、従来の全体
がアモルファスカーボン製のフォーカスリングの場合は
ウェーハ10の周辺部のエッチングレートが非常に速
く、ウェーハ表面全域のエッチングの均一性が得られな
いが、B/A= 100%のフォーカスリングを用いた場合
は、逆にウェーハ10の周辺部のエッチングレートが下
がって、均一性が少し損なわれる程度で、B/A=25%
と50%との各フォーカスリングを用いた場合は、ウェー
ハ表面全域のエッチングレートの均一性が非常に高く得
られた。こうすることでウェーハ表面上の周辺部或いは
中央部でのオーバーエッチングを防止できて、サイドエ
ッチングによるパターン細りと言った問題を解消できる
ようになる。
レートの実験例をグラフで示す。ここではフォーカスリ
ング4の全体幅Aに対するタングステン部材12の表面
露出幅Bの割合を、B/A=25%、50%、 100%の3段
階に設定して、8インチのウェーハ10表面上のタング
ステンシリサイド(WSi)膜を、該ウェーハ表面温度
60℃でプラズマエッチング処理した場合で、従来の全体
がアモルファスカーボン製のフォーカスリングの場合は
ウェーハ10の周辺部のエッチングレートが非常に速
く、ウェーハ表面全域のエッチングの均一性が得られな
いが、B/A= 100%のフォーカスリングを用いた場合
は、逆にウェーハ10の周辺部のエッチングレートが下
がって、均一性が少し損なわれる程度で、B/A=25%
と50%との各フォーカスリングを用いた場合は、ウェー
ハ表面全域のエッチングレートの均一性が非常に高く得
られた。こうすることでウェーハ表面上の周辺部或いは
中央部でのオーバーエッチングを防止できて、サイドエ
ッチングによるパターン細りと言った問題を解消できる
ようになる。
【0032】なお、以上の説明では、いずれにおいても
フォーカスリング4が、表面外周部分にリング状のタン
グステン系部材を露出する状態に設けた複合構造を述べ
たが、そのタングステン系部材が、周方向に連続したリ
ング状(連続環状)をなさずに、周方向に不連続で間欠
的に周配されて設けられている構造でも可である。ま
た、被処理体としての半導体ウェーハ10は通常図2に
示す如く周辺一部にオリエンテーションフラットが形成
されているので、このオリフラ付きウェーハの外形形状
に合わせたフォーカスリング形状とすることも考えられ
る。
フォーカスリング4が、表面外周部分にリング状のタン
グステン系部材を露出する状態に設けた複合構造を述べ
たが、そのタングステン系部材が、周方向に連続したリ
ング状(連続環状)をなさずに、周方向に不連続で間欠
的に周配されて設けられている構造でも可である。ま
た、被処理体としての半導体ウェーハ10は通常図2に
示す如く周辺一部にオリエンテーションフラットが形成
されているので、このオリフラ付きウェーハの外形形状
に合わせたフォーカスリング形状とすることも考えられ
る。
【0033】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング装置は、フ
ォーカスリングを前述の如く複合構造としたので、被処
理体表面のエッチングレートの均一性の向上が図れる上
に、そのエッチングのプロセス条件の変更に対しても、
簡単に対処し得て、被処理体表面のエッチングレートの
高い均一性が得られる。
ォーカスリングを前述の如く複合構造としたので、被処
理体表面のエッチングレートの均一性の向上が図れる上
に、そのエッチングのプロセス条件の変更に対しても、
簡単に対処し得て、被処理体表面のエッチングレートの
高い均一性が得られる。
【図1】本発明のプラズマエッチング装置の一実施例を
示す概略的断面図。
示す概略的断面図。
【図2】同上実施例に用いたフォーカスリングの平面
図。
図。
【図3】同上フォーカスリングの一部拡大断面図。
【図4】同上フォーカスリングの変形例を示す一部拡大
断面図。
断面図。
【図5】同上フォーカスリングの他の異なった変形例を
示す一部拡大断面図。
示す一部拡大断面図。
【図6】各種フォーカスリングを用いて実験処理したウ
エアの内外各部のエッチングレートをグラフで示す説明
図。
エアの内外各部のエッチングレートをグラフで示す説明
図。
1…真空処理容器、2…下部電極、3…被処理体支持
部、4…フォーカスリング、6…上部電極、10…被処
理体(半導体ウェーハ)、11,21,31…カーボン
系部材(アモルファスカーボン部材)、12,22,3
2…タングステン系部材(タングステン部材)。
部、4…フォーカスリング、6…上部電極、10…被処
理体(半導体ウェーハ)、11,21,31…カーボン
系部材(アモルファスカーボン部材)、12,22,3
2…タングステン系部材(タングステン部材)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 吉夫 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 今村 靖男 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 青木 誠 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 真空処理容器内に被処理体をセットして
プロセスガスを導入し、下部電極と上部電極との間に高
周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該被処理体の
エッチング処理を行うプラズマエッチング装置におい
て、下部電極上の被処理体支持部の周囲に設置されるフ
ォーカスリングを、この表面の外周側部位にタングステ
ン系部材が露出する状態に設けられている複合構造とし
たことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項2】 フォーカスリングは、リング状のカーボ
ン系部材の外周側にリング状のタングステン系部材を設
けた複合構造であることを特徴とする請求項1記載のプ
ラズマエッチング装置。 - 【請求項3】 フォーカスリングは、リング状のカーボ
ン系部材の表面外周部分にタングステン系部材を重設し
た複合構造あることを特徴とする請求項1記載のプラズ
マエッチング装置。 - 【請求項4】 フォーカスリングは、リング状のタング
ステン系部材の表面内周部分にカーボン系部材を重設し
た複合構造あることを特徴とする請求項1記載のプラズ
マエッチング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03364594A JP3257741B2 (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | プラズマエッチング装置及び方法 |
KR1019950004361A KR0151769B1 (ko) | 1994-03-03 | 1995-03-03 | 플라즈마 에칭장치 |
US08/398,667 US5556500A (en) | 1994-03-03 | 1995-03-03 | Plasma etching apparatus |
TW084102573A TW298704B (ja) | 1993-12-29 | 1995-03-17 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03364594A JP3257741B2 (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | プラズマエッチング装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07245292A true JPH07245292A (ja) | 1995-09-19 |
JP3257741B2 JP3257741B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=12392188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03364594A Expired - Fee Related JP3257741B2 (ja) | 1993-12-29 | 1994-03-03 | プラズマエッチング装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5556500A (ja) |
JP (1) | JP3257741B2 (ja) |
KR (1) | KR0151769B1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2003054947A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
JP2003243366A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6676804B1 (en) * | 1998-07-16 | 2004-01-13 | Tokyo Electron At Limited | Method and apparatus for plasma processing |
KR100635975B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2006-10-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재 |
US20070000614A1 (en) * | 2003-03-21 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
KR100714265B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 식각설비의 척 조립체 |
KR100739569B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-07-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 에칭 장치 |
US7314519B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-01-01 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Vapor-phase epitaxial apparatus and vapor phase epitaxial method |
JP2008306212A (ja) * | 2001-07-10 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2011090109A1 (ja) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及びリング部材 |
JP2012507860A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
US8414734B2 (en) * | 2004-10-06 | 2013-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for self-aligning deposition equipment |
KR20200116167A (ko) * | 2018-03-01 | 2020-10-08 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 기판 어셈블리, 기판 홀더 어셈블리 및 프로세싱 장치 |
Families Citing this family (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5662770A (en) | 1993-04-16 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks |
US5745983A (en) * | 1995-10-31 | 1998-05-05 | Mke-Quantum Components Colorado Llc | Tool for processing magnetic read/write heads |
JP2713276B2 (ja) * | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JPH09172001A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | 半導体製造装置の温度制御方法および装置 |
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
WO1997027622A1 (fr) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Matsushita Electronics Corporation | Appareil de fabrication de semiconducteurs |
US5891348A (en) * | 1996-01-26 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Process gas focusing apparatus and method |
US5748434A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Shield for an electrostatic chuck |
US5948283A (en) * | 1996-06-28 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for enhancing outcome uniformity of direct-plasma processes |
US5942041A (en) * | 1996-09-16 | 1999-08-24 | Mosel-Vitelic, Inc. | Non-sticking semi-conductor wafer clamp and method of making same |
US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
US5900064A (en) * | 1997-05-01 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma process chamber |
KR100457497B1 (ko) * | 1997-05-21 | 2005-02-05 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마처리장치의엣지커버장치 |
DE19727857C1 (de) * | 1997-06-30 | 1999-04-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmarektor mit Prallströmung zur Oberflächenbehandlung |
KR100291585B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2001-11-30 | 윤종용 | 반도체장치의금속막식각방법 |
JP3265238B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液膜形成装置及びその方法 |
US6039836A (en) * | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
JPH11193470A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
US6482747B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-11-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and plasma treatment apparatus |
US6220607B1 (en) | 1998-04-17 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive conformal media |
US6080272A (en) * | 1998-05-08 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for plasma etching a wafer |
KR100292410B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-06-01 | 윤종용 | 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버 |
JP2000169961A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
US6344105B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-02-05 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etch rate uniformity |
US6373679B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Electrostatic or mechanical chuck assembly conferring improved temperature uniformity onto workpieces held thereby, workpiece processing technology and/or apparatus containing the same, and method(s) for holding and/or processing a workpiece with the same |
JP2001127041A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2001185542A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法 |
US6514378B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-02-04 | Lam Research Corporation | Method for improving uniformity and reducing etch rate variation of etching polysilicon |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
JP3792999B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2006-07-05 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置 |
US20020121500A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-09-05 | Rao Annapragada | Method of etching with NH3 and fluorine chemistries |
JP2002203832A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置 |
US6554954B2 (en) * | 2001-04-03 | 2003-04-29 | Applied Materials Inc. | Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
JP2002305179A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
US6645344B2 (en) * | 2001-05-18 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Limited | Universal backplane assembly and methods |
US6620736B2 (en) * | 2001-07-24 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic control of deposition of, and etching by, ionized materials in semiconductor processing |
JP2003100713A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kawasaki Microelectronics Kk | プラズマ電極用カバー |
US20030092280A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching tungsten using NF3 and Cl2 |
US20030106646A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
US7195693B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
JP4216541B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2009-01-28 | 日鉱金属株式会社 | 気相成長装置 |
US6780762B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned, integrated circuit contact and formation method |
US20070051471A1 (en) * | 2002-10-04 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for stripping |
US20040261946A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
US20040244949A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled shield ring |
US20050067098A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Limited | Method and system for introduction of an active material to a chemical process |
US7001482B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved focus ring |
US7713380B2 (en) * | 2004-01-27 | 2010-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for backside polymer reduction in dry-etch process |
JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US7713431B2 (en) * | 2004-06-10 | 2010-05-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
JP4645167B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。 |
JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
JP3960332B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
US20060151116A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Focus rings, apparatus in chamber, contact hole and method of forming contact hole |
US20060172542A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance |
JP4705816B2 (ja) | 2005-07-27 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR101218114B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2013-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
CN100418875C (zh) * | 2005-10-11 | 2008-09-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 螺旋型碳纳米管制备装置及方法 |
TWI354320B (en) * | 2006-02-21 | 2011-12-11 | Nuflare Technology Inc | Vopor phase deposition apparatus and support table |
US20070234955A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing carbon monoxide poisoning at the peripheral edge of a substrate in a thin film deposition system |
JP4609669B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-12 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 静電チャックモジュール |
US20080194113A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and apparatus for semiconductor etching including an electro static chuck |
US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US8398778B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
JP5317424B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN101646804B (zh) * | 2007-03-28 | 2011-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | Cvd成膜装置 |
US20080289766A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Samsung Austin Semiconductor Lp | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup |
US20090151870A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Tokyo Electron Limited | Silicon carbide focus ring for plasma etching system |
US20090221150A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Applied Materials, Inc. | Etch rate and critical dimension uniformity by selection of focus ring material |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
CN102341902A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-02-01 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台结构、成膜装置和原料回收方法 |
US8853070B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-10-07 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
US9698386B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-07-04 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
KR102044389B1 (ko) | 2012-10-04 | 2019-11-14 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10727092B2 (en) * | 2012-10-17 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support ring |
JP5621142B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体プロセス用キャリア |
CN104752141B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-02-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及其运行方法 |
US20170002465A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Lam Research Corporation | Separation of Plasma Suppression and Wafer Edge to Improve Edge Film Thickness Uniformity |
US10515786B2 (en) * | 2015-09-25 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and plasma processing apparatus |
JP3210105U (ja) * | 2016-03-04 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ユニバーサルプロセスキット |
US11702748B2 (en) | 2017-03-03 | 2023-07-18 | Lam Research Corporation | Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition |
JP7357513B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US12106943B2 (en) | 2021-05-25 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate halo arrangement for improved process uniformity |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4350578A (en) * | 1981-05-11 | 1982-09-21 | International Business Machines Corporation | Cathode for etching |
JPS61224423A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
US4793975A (en) * | 1985-05-20 | 1988-12-27 | Tegal Corporation | Plasma Reactor with removable insert |
JPS6247131A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
JPS6372877A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
US4786359A (en) * | 1987-06-24 | 1988-11-22 | Tegal Corporation | Xenon enhanced plasma etch |
JPS6489518A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Parallel flat board electrode type plasma etching device |
US5292399A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
WO1992007377A1 (en) * | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Genus, Inc. | Sacrificial metal etchback system |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP03364594A patent/JP3257741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-03 US US08/398,667 patent/US5556500A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-03 KR KR1019950004361A patent/KR0151769B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6676804B1 (en) * | 1998-07-16 | 2004-01-13 | Tokyo Electron At Limited | Method and apparatus for plasma processing |
US7335278B2 (en) | 1998-07-16 | 2008-02-26 | Tokyo Electron At Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR100635975B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2006-10-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재 |
JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100739569B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-07-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 에칭 장치 |
KR100714265B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 식각설비의 척 조립체 |
JP2008306212A (ja) * | 2001-07-10 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US7882800B2 (en) | 2001-12-13 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
WO2003054947A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
JP2003243366A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US7314519B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-01-01 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Vapor-phase epitaxial apparatus and vapor phase epitaxial method |
US20070000614A1 (en) * | 2003-03-21 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
US8382942B2 (en) * | 2003-03-21 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
US10400325B2 (en) | 2004-10-06 | 2019-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of self-aligning deposition equipment |
US8414734B2 (en) * | 2004-10-06 | 2013-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for self-aligning deposition equipment |
US20130228125A1 (en) * | 2004-10-06 | 2013-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for self-aligning deposition equipment |
US9698006B2 (en) * | 2004-10-06 | 2017-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for self-aligning deposition equipment |
US9412555B2 (en) | 2008-10-31 | 2016-08-09 | Lam Research Corporation | Lower electrode assembly of plasma processing chamber |
JP2012507860A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
JP2016219820A (ja) * | 2008-10-31 | 2016-12-22 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
WO2011090109A1 (ja) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及びリング部材 |
US9441292B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-09-13 | Tokyo Electron Limited | Etching method, etching apparatus, and ring member |
US8945413B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-02-03 | Tokyo Electron Limited | Etching method, etching apparatus, and ring member |
KR101439717B1 (ko) * | 2010-01-22 | 2014-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 링 부재 |
JP2011151263A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置及びリング部材 |
KR20200116167A (ko) * | 2018-03-01 | 2020-10-08 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 기판 어셈블리, 기판 홀더 어셈블리 및 프로세싱 장치 |
JP2021516445A (ja) * | 2018-03-01 | 2021-07-01 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 処理の均一性を改善するための基板ハローの配置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3257741B2 (ja) | 2002-02-18 |
KR950027985A (ko) | 1995-10-18 |
KR0151769B1 (ko) | 1998-12-01 |
US5556500A (en) | 1996-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07245292A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
KR101432832B1 (ko) | 유전체 스페이서 링을 갖는 에지 링 어셈블리 | |
JP4180913B2 (ja) | プラズマ処理の均一性のためのステップのある上部電極 | |
JP3220383B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
JP6423706B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US5435880A (en) | Plasma processing apparatus | |
EP1269529B1 (en) | Method for improving uniformity and reducing etch rate variation of etching polysilicon | |
TWI527116B (zh) | 環形擋板 | |
JPH0851101A (ja) | プラズマ処理システムにおけるアークの抑制 | |
WO2009079285A1 (en) | Silicon carbide focus ring for plasma etching system | |
JP4123428B2 (ja) | エッチング方法 | |
JPH07106095A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPWO2009041214A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6085106B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2002009048A (ja) | プラズマ処理装置のフォーカスリング | |
JPH08158073A (ja) | ケミカルドライエッチング装置 | |
JPH1022262A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP3150044B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその制御方法 | |
JP4854235B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10330970A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP2003332305A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH07207471A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
JPS5947732A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR100511920B1 (ko) | 표면파 플라즈마 공급원을 구비한 전자빔 경화장치 | |
JPH0499318A (ja) | プラズマ反応処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |