JPS5947732A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS5947732A JPS5947732A JP15664382A JP15664382A JPS5947732A JP S5947732 A JPS5947732 A JP S5947732A JP 15664382 A JP15664382 A JP 15664382A JP 15664382 A JP15664382 A JP 15664382A JP S5947732 A JPS5947732 A JP S5947732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge space
- reaction
- electrode
- gas
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に係り、特に反応ガスに高周
波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処
理を施こすのに好適な半導体製造装置に関するものであ
る。
波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処
理を施こすのに好適な半導体製造装置に関するものであ
る。
反応ガスに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウ
ェハに所定の処理を施こす半導体製造装置には、ウェハ
な所定のパターンにエツチングするドライエツチング装
置、つ、ノ・表面に薄膜を形成するＣＶＤ装同等がゐる
。
ェハに所定の処理を施こす半導体製造装置には、ウェハ
な所定のパターンにエツチングするドライエツチング装
置、つ、ノ・表面に薄膜を形成するＣＶＤ装同等がゐる
。
このような半導体製造装置では、同一ウェノ・内および
ウェハ相互間の均一な処理を短時間で行う必要があり、
また、この処理は、反応ガスの化学反応に基づく処理で
あるため、反応カスの流（）方が重要である。特に処理
時に反応生成ガスが生じるドライエツチング装置では、
この反応生成ガスをすばやく除去し、新鮮な反応ガスを
ウェノ・に供給することが重要である。
ウェハ相互間の均一な処理を短時間で行う必要があり、
また、この処理は、反応ガスの化学反応に基づく処理で
あるため、反応カスの流（）方が重要である。特に処理
時に反応生成ガスが生じるドライエツチング装置では、
この反応生成ガスをすばやく除去し、新鮮な反応ガスを
ウェノ・に供給することが重要である。
従来の半導体製造装置としてドライエツチング装置を例
にとり第１図により説明する。
にとり第１図により説明する。
第１図で、排気装置（図示省略）Ｉこ連結された排気ノ
ズル１０を有する反応室１１には、電極加とウェハ載置
用の電極（以下、テーブルと略）３０とが放電空間４０
を有し平行に対向Ｃｆ１１図では、」−下方向に対向）
して内股されている。電極加は、反旧家１．１ ｉこ、
例えば、固定して内股され、テーブル刀と対向する面に
開放して放出孔２１が設けられるとともに、放出孔２１
と連通した反応ガス供給路ｎが形成されている。テーブ
ル３０は、反応室１１に、例えば、気密に、かつ、反応
室１１と電気的に絶縁され回転可能に内股されている。
ズル１０を有する反応室１１には、電極加とウェハ載置
用の電極（以下、テーブルと略）３０とが放電空間４０
を有し平行に対向Ｃｆ１１図では、」−下方向に対向）
して内股されている。電極加は、反旧家１．１ ｉこ、
例えば、固定して内股され、テーブル刀と対向する面に
開放して放出孔２１が設けられるとともに、放出孔２１
と連通した反応ガス供給路ｎが形成されている。テーブ
ル３０は、反応室１１に、例えば、気密に、かつ、反応
室１１と電気的に絶縁され回転可能に内股されている。
テーブル刀には、高周波電源５０が接続され、反応室１
１並びに電極加は接地されている。なお、テーブル刀の
外周端には、反応室１１の内面とテーブル刀の外周端と
での放電を防止するため、所定の隙間４１を有し電、気
的絶縁リング（以下、絶縁リングと略）３１が環装され
ている。また、図示省略したがテーブル刀の表面はウェ
ハ載置位置を除き、裏面は全て電気的絶縁カバー（以下
、絶縁カバーと略）で被覆されている。
１並びに電極加は接地されている。なお、テーブル刀の
外周端には、反応室１１の内面とテーブル刀の外周端と
での放電を防止するため、所定の隙間４１を有し電、気
的絶縁リング（以下、絶縁リングと略）３１が環装され
ている。また、図示省略したがテーブル刀の表面はウェ
ハ載置位置を除き、裏面は全て電気的絶縁カバー（以下
、絶縁カバーと略）で被覆されている。
反応室１１内は、排気装置により所定圧力まで減圧排気
される。テーブル（資）には、反応室１１内の排気後又
は排気前に所定枚数のウェノ・ωが載置される。テーブ
ル刀へのウェハθの載置並びに反応室ｌｌ内の排気が完
了した後、反応ガス供給袋ｆｆｉ！（図示省略）から反
応ガス供給路ηに供給された反応ガスが反応ガス供給路
ｎを流通し放出孔２１より放電空間切に局部的に放出さ
れる。二の放出された反応ガスは、電極２［１，テーブ
ル３０間の放電１により化学反応性に富むラジカル種と
イオンを発生し、これによって、つ、ハ印は所定のパタ
ーンにエツチングされる。この際、ラジカル種とウェハ
６０との化学反応により反応生成ガスが発生し、この反
応生成ガスと未反応の反応ガス（以下、混合ガスと略）
とは、隙間４１を通り排気ノズル１０を経て排気装置
により排気される。一方、処理が完了したウェハ６０は
反応室１１外へ取出された後に、次工程に送られる。な
お、この場合、反応室１１内の圧力を所定圧力に保持す
るため、放゛亀空間４０に放出される反応ガスの圧力、
流量に応じて反応室１１内は排気装置により排気されて
いる。
される。テーブル（資）には、反応室１１内の排気後又
は排気前に所定枚数のウェノ・ωが載置される。テーブ
ル刀へのウェハθの載置並びに反応室ｌｌ内の排気が完
了した後、反応ガス供給袋ｆｆｉ！（図示省略）から反
応ガス供給路ηに供給された反応ガスが反応ガス供給路
ｎを流通し放出孔２１より放電空間切に局部的に放出さ
れる。二の放出された反応ガスは、電極２［１，テーブ
ル３０間の放電１により化学反応性に富むラジカル種と
イオンを発生し、これによって、つ、ハ印は所定のパタ
ーンにエツチングされる。この際、ラジカル種とウェハ
６０との化学反応により反応生成ガスが発生し、この反
応生成ガスと未反応の反応ガス（以下、混合ガスと略）
とは、隙間４１を通り排気ノズル１０を経て排気装置
により排気される。一方、処理が完了したウェハ６０は
反応室１１外へ取出された後に、次工程に送られる。な
お、この場合、反応室１１内の圧力を所定圧力に保持す
るため、放゛亀空間４０に放出される反応ガスの圧力、
流量に応じて反応室１１内は排気装置により排気されて
いる。
このようなドライエツチング装置では、次のような欠点
があった。
があった。
（１）放出孔より放電空間に放出される反応ガスにより
放出孔付近の混合ガスが引込まれ、第２図に示すように
中央部および外周部において、混合ガスの渦流が生じる
。渦流では、その中心部に行くに従って反応生成ガスが
濃縮され、混合ガス中の反応生成ガスの分率が大きくな
る。このため、エンチング処理中のウェハ上には、反応
生成ガスが不均一に存在するようになり、その結果、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が低下する。
放出孔付近の混合ガスが引込まれ、第２図に示すように
中央部および外周部において、混合ガスの渦流が生じる
。渦流では、その中心部に行くに従って反応生成ガスが
濃縮され、混合ガス中の反応生成ガスの分率が大きくな
る。このため、エンチング処理中のウェハ上には、反応
生成ガスが不均一に存在するようになり、その結果、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が低下する。
（２）混合ガスがテーブル上を中心部から外周部へ向っ
て放射状に流れ、したがって、ウェハ上では片流れとな
るため、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に不均一
となり、その結果、エツチング処理の均−性並びに速度
が更に低下する。
て放射状に流れ、したがって、ウェハ上では片流れとな
るため、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に不均一
となり、その結果、エツチング処理の均−性並びに速度
が更に低下する。
（３）混合ガスの流れに対する幾何学的寸法がテーブル
の直径寸法と太きくなり、したがって、混合ガスの流れ
方向と垂直方向の拡散が小さく反応生成ガスとともに化
学反応を遅らせる境界層の厚さが厚くなるため、エツチ
ング処理速度が更に低下する。
の直径寸法と太きくなり、したがって、混合ガスの流れ
方向と垂直方向の拡散が小さく反応生成ガスとともに化
学反応を遅らせる境界層の厚さが厚くなるため、エツチ
ング処理速度が更に低下する。
なお、このような上記した欠点は、ドライエツチング装
置だけでなく、従来のＣＶＤ装置等の反応ガスに高周波
電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処理
を施こすのＩこ用いられている他の半導体製造装置にお
いても同様に有している。
置だけでなく、従来のＣＶＤ装置等の反応ガスに高周波
電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処理
を施こすのＩこ用いられている他の半導体製造装置にお
いても同様に有している。
本発明の主な目的は、放電空間での渦流の発生を抑制す
ることで、処理の均−性並びに速度を向上できる半導体
製造装置を提供することにある。
ることで、処理の均−性並びに速度を向上できる半導体
製造装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、減圧。
排気される反応室にテーブルと放電空間を有し対向して
内設される電極に、放電室間の全域に亘り反応ガスを放
出可能に放出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ
載置位置の内側に放電空間と排気装置とを連通ずる排気
孔を穿設し、放電空間での渦流の発生を抑制しようとす
るもので市る、〔発明の実施例〕 本発明の一実施例を第３図、弔４図により船１明する。
内設される電極に、放電室間の全域に亘り反応ガスを放
出可能に放出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ
載置位置の内側に放電空間と排気装置とを連通ずる排気
孔を穿設し、放電空間での渦流の発生を抑制しようとす
るもので市る、〔発明の実施例〕 本発明の一実施例を第３図、弔４図により船１明する。
なお、第３図、第４図で第１図と同一部品等は同一符号
で示し説明を省略する。
で示し説明を省略する。
第３図、第４図で、テーブル３０には、ウェハ載置位置
の内側で、この場合はテーブル凹の中央部に排気孔ｎが
放電空ａｆｌ ４０と排気装５Ｇ’（図示省略）とを連
通して穿設されるとともに、電極加には、放電空間４０
の全域に司り反応ガスを放出するために、放出孔２１が
、この場合は、テーブル凹の中心とつ、ハ装置位置の中
心とを結ぶ線に対応して等九〇 間隔でノ設されている。なお、会ての放出孔２１は反応
ガス供給路ρと連通している。
の内側で、この場合はテーブル凹の中央部に排気孔ｎが
放電空ａｆｌ ４０と排気装５Ｇ’（図示省略）とを連
通して穿設されるとともに、電極加には、放電空間４０
の全域に司り反応ガスを放出するために、放出孔２１が
、この場合は、テーブル凹の中心とつ、ハ装置位置の中
心とを結ぶ線に対応して等九〇 間隔でノ設されている。なお、会ての放出孔２１は反応
ガス供給路ρと連通している。
従来と同様にしてテーブル凹へのウェハ６０の載置並び
に反応室１１内の所定圧力までの減圧排気が完了した後
、反応ガス供給装置（図示省略）から反応ガス供給路ｎ
に供給された反応ガスが反応ガス供給路ηを流通し放出
孔２１より放電空間４０の全域に亘り一様に放出される
。
に反応室１１内の所定圧力までの減圧排気が完了した後
、反応ガス供給装置（図示省略）から反応ガス供給路ｎ
に供給された反応ガスが反応ガス供給路ηを流通し放出
孔２１より放電空間４０の全域に亘り一様に放出される
。
一方、混合ガスは、放電空間４０をテーブル（資）の中
央部方向とテーブル凹の外周部方向とへ流れ、テーブル
凹の中央部方向へ流れる混合ガスは排気孔ｎを経て排気
装置により排気されるとともに、テーブル凹の外周部方
向へ流れる混合ガスは、隙間４１を通り排気ノズル１０
を経て排気装置により排気される。なお、排気孔３２並
びに排気ノズル１０を経て排気される混合ガスの量は、
他方向へ流れる混合ガスを吸引しないように適切に調節
されている。
央部方向とテーブル凹の外周部方向とへ流れ、テーブル
凹の中央部方向へ流れる混合ガスは排気孔ｎを経て排気
装置により排気されるとともに、テーブル凹の外周部方
向へ流れる混合ガスは、隙間４１を通り排気ノズル１０
を経て排気装置により排気される。なお、排気孔３２並
びに排気ノズル１０を経て排気される混合ガスの量は、
他方向へ流れる混合ガスを吸引しないように適切に調節
されている。
木実雄側のような半２挿体製造装置では、反応ガスを放
電空間の全域に亘り一様に放出するとともに、テーブル
の中央部へ流れる混合ガスは排気孔を経て、また、テー
ブルの外周部へ流れる混合ガスＩＪ排気ノズルを経てそ
れぞれ排気しているので次のような効果が得られる。
電空間の全域に亘り一様に放出するとともに、テーブル
の中央部へ流れる混合ガスは排気孔を経て、また、テー
ブルの外周部へ流れる混合ガスＩＪ排気ノズルを経てそ
れぞれ排気しているので次のような効果が得られる。
（１）第２図に示すような従来化じていた渦流の内、テ
ーブル中央部伺近の渦流は、排気孔からの排気と放出孔
からの反応ガスの一様な放ＩＪＪ ｌこより消滅し、ま
た、テーブル外周部イ」近の渦流は、排気ノズルからの
排気と放出孔からの反応ガスの一様な放出により小さく
なるため、エツチング処理中のウェハ上を流れる混合ガ
ス中の反応生成ガスの分率が小さく、かつ、均一化され
、したがって、エツチング処理の均−性並びに速度が向
」−する。
ーブル中央部伺近の渦流は、排気孔からの排気と放出孔
からの反応ガスの一様な放ＩＪＪ ｌこより消滅し、ま
た、テーブル外周部イ」近の渦流は、排気ノズルからの
排気と放出孔からの反応ガスの一様な放出により小さく
なるため、エツチング処理中のウェハ上を流れる混合ガ
ス中の反応生成ガスの分率が小さく、かつ、均一化され
、したがって、エツチング処理の均−性並びに速度が向
」−する。
（２） 放出孔から反応ガスが一様に放出されるとと
もに、排気孔並びに排気ノズルから混合ガスがバランス
して排気されるため、ウェノ・上の混合ガスの流れは、
従来の片流れから放射状流れへと改善され、したがって
、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に均一化されエ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
もに、排気孔並びに排気ノズルから混合ガスがバランス
して排気されるため、ウェノ・上の混合ガスの流れは、
従来の片流れから放射状流れへと改善され、したがって
、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に均一化されエ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
（３）混合ガスの流れに対する幾何学的寸法が、従来の
テーブルの直径寸法から排気孔外周とテーブル外周との
間の寸法へと小さくなるため、境界層の厚さが薄くなり
、したがって、エツチング処理速度が更に向上する。
テーブルの直径寸法から排気孔外周とテーブル外周との
間の寸法へと小さくなるため、境界層の厚さが薄くなり
、したがって、エツチング処理速度が更に向上する。
第５図、第６図は、排気孔形状の実施例を説明するもの
で、放電空間和に向って孔径がテーパ状に拡大するとと
もに、ウェノ・載置位置に載置されるウェハωの外周部
近傍位置まで開口する排気孔３２′が、ウヱノ・載置位
置の内側でテーブル蜀に穿設されている。
で、放電空間和に向って孔径がテーパ状に拡大するとと
もに、ウェノ・載置位置に載置されるウェハωの外周部
近傍位置まで開口する排気孔３２′が、ウヱノ・載置位
置の内側でテーブル蜀に穿設されている。
二のように排気孔を、ウェハ載置位置に載置されるウェ
ハの外周部近傍位！ｗｔまで開口した場合は、混合ガス
の流れに対する幾何学的寸法が、第３図の場合に比べ更
に小さくなるため、境界層の庁さが更に薄くなり、した
がって、エツチング処理速度が更に向上する。
ハの外周部近傍位！ｗｔまで開口した場合は、混合ガス
の流れに対する幾何学的寸法が、第３図の場合に比べ更
に小さくなるため、境界層の庁さが更に薄くなり、した
がって、エツチング処理速度が更に向上する。
第７図は、電極の他の実施例を説明するもので、電極旬
の外周部には、テーブル凹に向って内径がテーパ状に拡
大する形状のガイドｎが形成されている。
の外周部には、テーブル凹に向って内径がテーパ状に拡
大する形状のガイドｎが形成されている。
このように電極の外周部にガイドを形成した場合は、電
極の外周部付近の混合カスがガイドに沿って流れ排気さ
れるようになるため、電極の外周部付近での渦流の発生
が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均−性
並びに速度が更に向上する。なお、ガイドは、処理室と
の放電防止上、電気的絶縁材で形成するのが望せしい。
極の外周部付近の混合カスがガイドに沿って流れ排気さ
れるようになるため、電極の外周部付近での渦流の発生
が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均−性
並びに速度が更に向上する。なお、ガイドは、処理室と
の放電防止上、電気的絶縁材で形成するのが望せしい。
第８図は、電極の他の実施例を説明するもので、ガイド
ｎのテーパ面に沿って反応ガスが放出されるように放出
孔２１’が反応ガス供給路ｎと連通して穿設されている
。
ｎのテーパ面に沿って反応ガスが放出されるように放出
孔２１’が反応ガス供給路ｎと連通して穿設されている
。
このように、ガイドのテーパ面に沿って反応ガスが放出
されるように放出孔を穿設した場合は、この放出孔から
放出される反応ガスにより電極の外周部付近での渦流の
発生が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均
−性並びに速度が更に向上する。
されるように放出孔を穿設した場合は、この放出孔から
放出される反応ガスにより電極の外周部付近での渦流の
発生が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均
−性並びに速度が更に向上する。
第９図は、電極の他の第３の実施例を説明するもので、
電極銀の直径をテーブル（９）の直径よりも大きくする
とともに、隙間４１と対応する部分にも放出孔２１が穿
設されている。
電極銀の直径をテーブル（９）の直径よりも大きくする
とともに、隙間４１と対応する部分にも放出孔２１が穿
設されている。
このような電極を用いた場合は、テーブルより更に外側
まで反応ガスが放出されるため、第８図の電極を用いた
場合と同様の効果が得られ、更に、ガイドを形成する必
要がないため、電極の加工が容易となる。
まで反応ガスが放出されるため、第８図の電極を用いた
場合と同様の効果が得られ、更に、ガイドを形成する必
要がないため、電極の加工が容易となる。
第１Ｏ図は、電極の他の第４の実施例を説明するもので
、反応ガス供給路ごと放出孔２１とは空室列を介して連
通されるとともに、テーブル（図示省略シのウェノ・載
置位置に対応した位置で反応ガス供給路ｎは空室列に連
結されている。
、反応ガス供給路ごと放出孔２１とは空室列を介して連
通されるとともに、テーブル（図示省略シのウェノ・載
置位置に対応した位置で反応ガス供給路ｎは空室列に連
結されている。
このような電極を用いた場合は、テーブルのウェハ載置
位置に載置されるウェノ・上に放出孔から放出される反
応ガスの量が他の部分に比べて多くなるため、混合ガス
中の反応生成ガスの分率が更に／ＪＳさくなり、したが
って、エツチング処理速度が更に向上する。
位置に載置されるウェノ・上に放出孔から放出される反
応ガスの量が他の部分に比べて多くなるため、混合ガス
中の反応生成ガスの分率が更に／ＪＳさくなり、したが
って、エツチング処理速度が更に向上する。
第１１図は、電極の他の第５の実施例を説明するもので
、反応ガス供給路（図示省略）と連通して電極銀に穿設
される放出孔２１の間隔が、テーブル（図示省略）のウ
ェノ・載置位Ｖ口こ対応する部分で小さくなっている。
、反応ガス供給路（図示省略）と連通して電極銀に穿設
される放出孔２１の間隔が、テーブル（図示省略）のウ
ェノ・載置位Ｖ口こ対応する部分で小さくなっている。
このような電極を用いた場合は、第１０図の電極を用い
た場合と同様の効果が得られ、更に、空室を設ける必要
がないため電極の加工が容易になる。
た場合と同様の効果が得られ、更に、空室を設ける必要
がないため電極の加工が容易になる。
第１２図は、テーブルに環装される絶縁リングの他の実
施例を説明するもので、テーブル加には、混合ガスの流
れに対応して面取りされた絶縁リング３１’が環装され
ている。
施例を説明するもので、テーブル加には、混合ガスの流
れに対応して面取りされた絶縁リング３１’が環装され
ている。
このような絶縁リングをテーブルに環装した場合は、テ
ーブルの外周部へ流れる混合ガスの流れが更に円滑化さ
れるため、渦流の発生が更に抑制され、したがって、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
ーブルの外周部へ流れる混合ガスの流れが更に円滑化さ
れるため、渦流の発生が更に抑制され、したがって、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
本発明は、以上説明したように、減圧、排気される反応
室にテーブルと放電空間を有し対向して内股される電極
に、放電空間の全域−こ亘り反応ガスを放出可能）こ放
出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ載置位置の
内側番こ放電空間と排気装置とを連通ずる排気孔を穿設
したことＳ、放電空間での渦流の発生を抑制できるので
、処理の均−性並び）こ速度を向上できるという効果が
ある。
室にテーブルと放電空間を有し対向して内股される電極
に、放電空間の全域−こ亘り反応ガスを放出可能）こ放
出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ載置位置の
内側番こ放電空間と排気装置とを連通ずる排気孔を穿設
したことＳ、放電空間での渦流の発生を抑制できるので
、処理の均−性並び）こ速度を向上できるという効果が
ある。
第１図、第２図は、従来のドライエツチング装置を説明
するもので、第１図は、ドライエツチング装置の縦断面
図、第２図は、反応ガスと混合ガスの流れ模式図、第３
図は１本発明によるドライエツチング装置の一実施例を
示す縦断面図、第４図は、第３図のＡ−Ａ視部分平面図
、第５図は、本発明による排気孔形状の他の実施例を示
すデープルの平面図、第６図は、第５図のｆ３− Ｂ視
断面図、第７図は、本発明による電極の他の実施例を示
すドライエツチング装置の縦断面図、第８図は、本発明
による［極の他の第２の実施例を示す電極外周端部付近
の部分縦断面図、第９図は、本発明による電極の他の第
３の実施例を示すドライエツチング装置の縦断面図、第
１０図は、本発明による電極の他の第４の実施例を示す
電極の縦断面図、第１１図は、本発明による電極の他の
第５の実施例を示す電極の部分平面図、第１２図は、本
発明による絶縁リングの他の実施例を示すドライエツチ
ング装置の縦断面図である。 １０・・・・・・排気ノズル、１１・・・・反応室、加
・・・ 電極。 ２１、２１’・・・・・・放出孔、ｎ・・・・・・反応
ガス供給路、Ｚ３・ガイド、冴・・・・・・空室、（９
）・・・・・・テーブル、３１．３１’ ・絶縁リン
グ、３２．３２’・・・・・・排気孔、４０・・・・放
電空間、才１図 才２図 才３図 才４目 才５図 平７図 才δｍ 牙（：１図 業ｌｏｍ ルＩＩ図 ＴＩＺ図
するもので、第１図は、ドライエツチング装置の縦断面
図、第２図は、反応ガスと混合ガスの流れ模式図、第３
図は１本発明によるドライエツチング装置の一実施例を
示す縦断面図、第４図は、第３図のＡ−Ａ視部分平面図
、第５図は、本発明による排気孔形状の他の実施例を示
すデープルの平面図、第６図は、第５図のｆ３− Ｂ視
断面図、第７図は、本発明による電極の他の実施例を示
すドライエツチング装置の縦断面図、第８図は、本発明
による［極の他の第２の実施例を示す電極外周端部付近
の部分縦断面図、第９図は、本発明による電極の他の第
３の実施例を示すドライエツチング装置の縦断面図、第
１０図は、本発明による電極の他の第４の実施例を示す
電極の縦断面図、第１１図は、本発明による電極の他の
第５の実施例を示す電極の部分平面図、第１２図は、本
発明による絶縁リングの他の実施例を示すドライエツチ
ング装置の縦断面図である。 １０・・・・・・排気ノズル、１１・・・・反応室、加
・・・ 電極。 ２１、２１’・・・・・・放出孔、ｎ・・・・・・反応
ガス供給路、Ｚ３・ガイド、冴・・・・・・空室、（９
）・・・・・・テーブル、３１．３１’ ・絶縁リン
グ、３２．３２’・・・・・・排気孔、４０・・・・放
電空間、才１図 才２図 才３図 才４目 才５図 平７図 才δｍ 牙（：１図 業ｌｏｍ ルＩＩ図 ＴＩＺ図
Claims (1)
- １、電極とテーブルとが放電空間を有し対向して内股さ
れるとともに、減圧排気される反応室内で、反応ガスに
高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつ前記テーブル
に載置されたウニへに所定の処理を施こすｇｉホにおい
て、訂記電極に前記放電空間の全域に亘り反応ガスを放
出可能に放出孔を配設するとともに、前記テーブルのウ
ェハ載置位置の内側に放電空間と排気装置とを連通ずる
排気孔を穿設したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664382A JPS5947732A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664382A JPS5947732A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947732A true JPS5947732A (ja) | 1984-03-17 |
Family
ID=15632142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15664382A Pending JPS5947732A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947732A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198822A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| WO2002037548A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif permettant la formation d'un film mince d'oxyde de metal a composants multiples |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130474A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS57131372A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-14 | Seiko Epson Corp | Plasma etching device |
| JPS58168236A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-04 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | プラズマ反応装置 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15664382A patent/JPS5947732A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130474A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS57131372A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-14 | Seiko Epson Corp | Plasma etching device |
| JPS58168236A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-04 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | プラズマ反応装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198822A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH057861B2 (ja) * | 1985-09-24 | 1993-01-29 | Anelva Corp | |
| US5413673A (en) * | 1985-09-24 | 1995-05-09 | Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| WO2002037548A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif permettant la formation d'un film mince d'oxyde de metal a composants multiples |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI480922B (zh) | 表面處理之氮化鋁擋板 | |
| JP4602532B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN100587904C (zh) | 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室 | |
| JPH07245292A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH1056006A (ja) | 半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置 | |
| JP2003519932A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS6046029A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5921026A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5947732A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3002496B2 (ja) | 半導体ウェハのドライエッチング方法 | |
| JP2000082698A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09213683A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS6295828A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3164188B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6234834B2 (ja) | ||
| JPH1022279A (ja) | 誘導結合型プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2003309115A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS61174634A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH11111692A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH0361377A (ja) | マイクロ波プラズマ膜堆積装置 | |
| JP4018316B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP3921771B2 (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JPH08139037A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPS60206027A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0851082A (ja) | 半導体製造装置のサセプタ |