JPS5947732A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS5947732A
JPS5947732A JP15664382A JP15664382A JPS5947732A JP S5947732 A JPS5947732 A JP S5947732A JP 15664382 A JP15664382 A JP 15664382A JP 15664382 A JP15664382 A JP 15664382A JP S5947732 A JPS5947732 A JP S5947732A
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JP
Japan
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discharge space
reaction
electrode
gas
discharge
Prior art date
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Pending
Application number
JP15664382A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Fukuyama
良次 福山
Norio Nakazato
仲里 則男
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5947732A publication Critical patent/JPS5947732A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置に係り、特に反応ガスに高周
波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処
理を施こすのに好適な半導体製造装置に関するものであ
る。
〔従来技術〕
反応ガスに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウ
ェハに所定の処理を施こす半導体製造装置には、ウェハ
な所定のパターンにエツチングするドライエツチング装
置、つ、ノ・表面に薄膜を形成するCVD装同等がゐる
このような半導体製造装置では、同一ウェノ・内および
ウェハ相互間の均一な処理を短時間で行う必要があり、
また、この処理は、反応ガスの化学反応に基づく処理で
あるため、反応カスの流()方が重要である。特に処理
時に反応生成ガスが生じるドライエツチング装置では、
この反応生成ガスをすばやく除去し、新鮮な反応ガスを
ウェノ・に供給することが重要である。
従来の半導体製造装置としてドライエツチング装置を例
にとり第1図により説明する。
第1図で、排気装置(図示省略)Iこ連結された排気ノ
ズル10を有する反応室11には、電極加とウェハ載置
用の電極(以下、テーブルと略)30とが放電空間40
を有し平行に対向Cf11図では、」−下方向に対向)
して内股されている。電極加は、反旧家1.1 iこ、
例えば、固定して内股され、テーブル刀と対向する面に
開放して放出孔21が設けられるとともに、放出孔21
と連通した反応ガス供給路nが形成されている。テーブ
ル30は、反応室11に、例えば、気密に、かつ、反応
室11と電気的に絶縁され回転可能に内股されている。
テーブル刀には、高周波電源50が接続され、反応室1
1並びに電極加は接地されている。なお、テーブル刀の
外周端には、反応室11の内面とテーブル刀の外周端と
での放電を防止するため、所定の隙間41を有し電、気
的絶縁リング(以下、絶縁リングと略)31が環装され
ている。また、図示省略したがテーブル刀の表面はウェ
ハ載置位置を除き、裏面は全て電気的絶縁カバー(以下
、絶縁カバーと略)で被覆されている。
反応室11内は、排気装置により所定圧力まで減圧排気
される。テーブル(資)には、反応室11内の排気後又
は排気前に所定枚数のウェノ・ωが載置される。テーブ
ル刀へのウェハθの載置並びに反応室ll内の排気が完
了した後、反応ガス供給袋ffi!(図示省略)から反
応ガス供給路ηに供給された反応ガスが反応ガス供給路
nを流通し放出孔21より放電空間切に局部的に放出さ
れる。二の放出された反応ガスは、電極2[1,テーブ
ル30間の放電1により化学反応性に富むラジカル種と
イオンを発生し、これによって、つ、ハ印は所定のパタ
ーンにエツチングされる。この際、ラジカル種とウェハ
60との化学反応により反応生成ガスが発生し、この反
応生成ガスと未反応の反応ガス(以下、混合ガスと略)
 とは、隙間41を通り排気ノズル10を経て排気装置
により排気される。一方、処理が完了したウェハ60は
反応室11外へ取出された後に、次工程に送られる。な
お、この場合、反応室11内の圧力を所定圧力に保持す
るため、放゛亀空間40に放出される反応ガスの圧力、
流量に応じて反応室11内は排気装置により排気されて
いる。
このようなドライエツチング装置では、次のような欠点
があった。
(1)放出孔より放電空間に放出される反応ガスにより
放出孔付近の混合ガスが引込まれ、第2図に示すように
中央部および外周部において、混合ガスの渦流が生じる
。渦流では、その中心部に行くに従って反応生成ガスが
濃縮され、混合ガス中の反応生成ガスの分率が大きくな
る。このため、エンチング処理中のウェハ上には、反応
生成ガスが不均一に存在するようになり、その結果、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が低下する。
(2)混合ガスがテーブル上を中心部から外周部へ向っ
て放射状に流れ、したがって、ウェハ上では片流れとな
るため、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に不均一
となり、その結果、エツチング処理の均−性並びに速度
が更に低下する。
(3)混合ガスの流れに対する幾何学的寸法がテーブル
の直径寸法と太きくなり、したがって、混合ガスの流れ
方向と垂直方向の拡散が小さく反応生成ガスとともに化
学反応を遅らせる境界層の厚さが厚くなるため、エツチ
ング処理速度が更に低下する。
なお、このような上記した欠点は、ドライエツチング装
置だけでなく、従来のCVD装置等の反応ガスに高周波
電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の処理
を施こすのIこ用いられている他の半導体製造装置にお
いても同様に有している。
〔発明の目的〕
本発明の主な目的は、放電空間での渦流の発生を抑制す
ることで、処理の均−性並びに速度を向上できる半導体
製造装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を達成するために、減圧。
排気される反応室にテーブルと放電空間を有し対向して
内設される電極に、放電室間の全域に亘り反応ガスを放
出可能に放出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ
載置位置の内側に放電空間と排気装置とを連通ずる排気
孔を穿設し、放電空間での渦流の発生を抑制しようとす
るもので市る、〔発明の実施例〕 本発明の一実施例を第3図、弔4図により船1明する。
なお、第3図、第4図で第1図と同一部品等は同一符号
で示し説明を省略する。
第3図、第4図で、テーブル30には、ウェハ載置位置
の内側で、この場合はテーブル凹の中央部に排気孔nが
放電空afl 40と排気装5G’(図示省略)とを連
通して穿設されるとともに、電極加には、放電空間40
の全域に司り反応ガスを放出するために、放出孔21が
、この場合は、テーブル凹の中心とつ、ハ装置位置の中
心とを結ぶ線に対応して等九〇 間隔でノ設されている。なお、会ての放出孔21は反応
ガス供給路ρと連通している。
従来と同様にしてテーブル凹へのウェハ60の載置並び
に反応室11内の所定圧力までの減圧排気が完了した後
、反応ガス供給装置(図示省略)から反応ガス供給路n
に供給された反応ガスが反応ガス供給路ηを流通し放出
孔21より放電空間40の全域に亘り一様に放出される
一方、混合ガスは、放電空間40をテーブル(資)の中
央部方向とテーブル凹の外周部方向とへ流れ、テーブル
凹の中央部方向へ流れる混合ガスは排気孔nを経て排気
装置により排気されるとともに、テーブル凹の外周部方
向へ流れる混合ガスは、隙間41を通り排気ノズル10
を経て排気装置により排気される。なお、排気孔32並
びに排気ノズル10を経て排気される混合ガスの量は、
他方向へ流れる混合ガスを吸引しないように適切に調節
されている。
木実雄側のような半2挿体製造装置では、反応ガスを放
電空間の全域に亘り一様に放出するとともに、テーブル
の中央部へ流れる混合ガスは排気孔を経て、また、テー
ブルの外周部へ流れる混合ガスIJ排気ノズルを経てそ
れぞれ排気しているので次のような効果が得られる。
(1)第2図に示すような従来化じていた渦流の内、テ
ーブル中央部伺近の渦流は、排気孔からの排気と放出孔
からの反応ガスの一様な放IJJ lこより消滅し、ま
た、テーブル外周部イ」近の渦流は、排気ノズルからの
排気と放出孔からの反応ガスの一様な放出により小さく
なるため、エツチング処理中のウェハ上を流れる混合ガ
ス中の反応生成ガスの分率が小さく、かつ、均一化され
、したがって、エツチング処理の均−性並びに速度が向
」−する。
(2)  放出孔から反応ガスが一様に放出されるとと
もに、排気孔並びに排気ノズルから混合ガスがバランス
して排気されるため、ウェノ・上の混合ガスの流れは、
従来の片流れから放射状流れへと改善され、したがって
、混合ガス中の反応生成ガスの分率が更に均一化されエ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
(3)混合ガスの流れに対する幾何学的寸法が、従来の
テーブルの直径寸法から排気孔外周とテーブル外周との
間の寸法へと小さくなるため、境界層の厚さが薄くなり
、したがって、エツチング処理速度が更に向上する。
第5図、第6図は、排気孔形状の実施例を説明するもの
で、放電空間和に向って孔径がテーパ状に拡大するとと
もに、ウェノ・載置位置に載置されるウェハωの外周部
近傍位置まで開口する排気孔32′が、ウヱノ・載置位
置の内側でテーブル蜀に穿設されている。
二のように排気孔を、ウェハ載置位置に載置されるウェ
ハの外周部近傍位!wtまで開口した場合は、混合ガス
の流れに対する幾何学的寸法が、第3図の場合に比べ更
に小さくなるため、境界層の庁さが更に薄くなり、した
がって、エツチング処理速度が更に向上する。
第7図は、電極の他の実施例を説明するもので、電極旬
の外周部には、テーブル凹に向って内径がテーパ状に拡
大する形状のガイドnが形成されている。
このように電極の外周部にガイドを形成した場合は、電
極の外周部付近の混合カスがガイドに沿って流れ排気さ
れるようになるため、電極の外周部付近での渦流の発生
が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均−性
並びに速度が更に向上する。なお、ガイドは、処理室と
の放電防止上、電気的絶縁材で形成するのが望せしい。
第8図は、電極の他の実施例を説明するもので、ガイド
nのテーパ面に沿って反応ガスが放出されるように放出
孔21’が反応ガス供給路nと連通して穿設されている
このように、ガイドのテーパ面に沿って反応ガスが放出
されるように放出孔を穿設した場合は、この放出孔から
放出される反応ガスにより電極の外周部付近での渦流の
発生が更に抑制され、したがって、エツチング処理の均
−性並びに速度が更に向上する。
第9図は、電極の他の第3の実施例を説明するもので、
電極銀の直径をテーブル(9)の直径よりも大きくする
とともに、隙間41と対応する部分にも放出孔21が穿
設されている。
このような電極を用いた場合は、テーブルより更に外側
まで反応ガスが放出されるため、第8図の電極を用いた
場合と同様の効果が得られ、更に、ガイドを形成する必
要がないため、電極の加工が容易となる。
第1O図は、電極の他の第4の実施例を説明するもので
、反応ガス供給路ごと放出孔21とは空室列を介して連
通されるとともに、テーブル(図示省略シのウェノ・載
置位置に対応した位置で反応ガス供給路nは空室列に連
結されている。
このような電極を用いた場合は、テーブルのウェハ載置
位置に載置されるウェノ・上に放出孔から放出される反
応ガスの量が他の部分に比べて多くなるため、混合ガス
中の反応生成ガスの分率が更に/JSさくなり、したが
って、エツチング処理速度が更に向上する。
第11図は、電極の他の第5の実施例を説明するもので
、反応ガス供給路(図示省略)と連通して電極銀に穿設
される放出孔21の間隔が、テーブル(図示省略)のウ
ェノ・載置位V口こ対応する部分で小さくなっている。
このような電極を用いた場合は、第10図の電極を用い
た場合と同様の効果が得られ、更に、空室を設ける必要
がないため電極の加工が容易になる。
第12図は、テーブルに環装される絶縁リングの他の実
施例を説明するもので、テーブル加には、混合ガスの流
れに対応して面取りされた絶縁リング31’が環装され
ている。
このような絶縁リングをテーブルに環装した場合は、テ
ーブルの外周部へ流れる混合ガスの流れが更に円滑化さ
れるため、渦流の発生が更に抑制され、したがって、エ
ツチング処理の均−性並びに速度が更に向上する。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、減圧、排気される反応
室にテーブルと放電空間を有し対向して内股される電極
に、放電空間の全域−こ亘り反応ガスを放出可能)こ放
出孔を配設するとともに、テーブルのウェハ載置位置の
内側番こ放電空間と排気装置とを連通ずる排気孔を穿設
したことS、放電空間での渦流の発生を抑制できるので
、処理の均−性並び)こ速度を向上できるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は、従来のドライエツチング装置を説明
するもので、第1図は、ドライエツチング装置の縦断面
図、第2図は、反応ガスと混合ガスの流れ模式図、第3
図は1本発明によるドライエツチング装置の一実施例を
示す縦断面図、第4図は、第3図のA−A視部分平面図
、第5図は、本発明による排気孔形状の他の実施例を示
すデープルの平面図、第6図は、第5図のf3− B視
断面図、第7図は、本発明による電極の他の実施例を示
すドライエツチング装置の縦断面図、第8図は、本発明
による[極の他の第2の実施例を示す電極外周端部付近
の部分縦断面図、第9図は、本発明による電極の他の第
3の実施例を示すドライエツチング装置の縦断面図、第
10図は、本発明による電極の他の第4の実施例を示す
電極の縦断面図、第11図は、本発明による電極の他の
第5の実施例を示す電極の部分平面図、第12図は、本
発明による絶縁リングの他の実施例を示すドライエツチ
ング装置の縦断面図である。 10・・・・・・排気ノズル、11・・・・反応室、加
・・・ 電極。 21、21’・・・・・・放出孔、n・・・・・・反応
ガス供給路、Z3・ガイド、冴・・・・・・空室、(9
)・・・・・・テーブル、31.31’  ・絶縁リン
グ、32.32’・・・・・・排気孔、40・・・・放
電空間、才1図 才2図 才3図 才4目 才5図 平7図 才δm 牙(:1図 業lom ルII図 TIZ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電極とテーブルとが放電空間を有し対向して内股さ
    れるとともに、減圧排気される反応室内で、反応ガスに
    高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつ前記テーブル
    に載置されたウニへに所定の処理を施こすgiホにおい
    て、訂記電極に前記放電空間の全域に亘り反応ガスを放
    出可能に放出孔を配設するとともに、前記テーブルのウ
    ェハ載置位置の内側に放電空間と排気装置とを連通ずる
    排気孔を穿設したことを特徴とする半導体製造装置。
JP15664382A 1982-09-10 1982-09-10 半導体製造装置 Pending JPS5947732A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198822A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPS6269620A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Anelva Corp プラズマ処理装置
WO2002037548A1 (fr) * 2000-10-31 2002-05-10 Tokyo Electron Limited Procede et dispositif permettant la formation d'un film mince d'oxyde de metal a composants multiples

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130474A (en) * 1980-03-14 1981-10-13 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
JPS57131372A (en) * 1981-02-05 1982-08-14 Seiko Epson Corp Plasma etching device
JPS58168236A (ja) * 1982-03-18 1983-10-04 インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン プラズマ反応装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130474A (en) * 1980-03-14 1981-10-13 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
JPS57131372A (en) * 1981-02-05 1982-08-14 Seiko Epson Corp Plasma etching device
JPS58168236A (ja) * 1982-03-18 1983-10-04 インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン プラズマ反応装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198822A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPS6269620A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPH057861B2 (ja) * 1985-09-24 1993-01-29 Anelva Corp
US5413673A (en) * 1985-09-24 1995-05-09 Anelva Corporation Plasma processing apparatus
WO2002037548A1 (fr) * 2000-10-31 2002-05-10 Tokyo Electron Limited Procede et dispositif permettant la formation d'un film mince d'oxyde de metal a composants multiples

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