JPS60198822A - ドライエツチング装置 - Google Patents

ドライエツチング装置

Info

Publication number
JPS60198822A
JPS60198822A JP59054476A JP5447684A JPS60198822A JP S60198822 A JPS60198822 A JP S60198822A JP 59054476 A JP59054476 A JP 59054476A JP 5447684 A JP5447684 A JP 5447684A JP S60198822 A JPS60198822 A JP S60198822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
electrode
gas
etchant
reactive gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59054476A
Other languages
English (en)
Inventor
Koki Yasuda
弘毅 安田
Tsutomu Tsukada
勉 塚田
Etsuo Wani
和仁　悦夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp, Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Priority to JP59054476A priority Critical patent/JPS60198822A/ja
Priority to KR1019850001824A priority patent/KR920003877B1/ko
Publication of JPS60198822A publication Critical patent/JPS60198822A/ja
Priority to US07/538,696 priority patent/US5087341A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は被処理基板を反応性ガスプラズマによシエソチ
ングするドライエツチング装置に関する。
〔従来技術〕
反応容器内の高周波電極にウェハー等の被処理基板を設
置してこれにドライエツチングを施す際に、従来は、該
ウェハーに被覆されない電極部分は、不純物汚染防止や
選択比改善のため、適当な絶縁材等でカバーしていた。
これらのカバーの材質としては主に石英、テトラフルオ
ロエチレン樹脂（商品名テフロン）が用いられていたが
、該ウェハー上のアルミニウム膜ないしは多結晶シリコ
ン膜等にドライエツチングを施すと、該ウェハーの中心
部に比較し周辺部はど各膜のエツチング速度が著しく犬
となる不都゛合があった。このため。
ウェハー内のエツチング速度の均一性を得るのがｗｌど
　ウェハー腑：１１諒ＩＦ　％　ｌ八で千−パー丁　キ
ングされ、パターンの細シや下地が損傷を受ける傾向が
あった。
この種のドライエツチング装置において、ウェハーの周
辺のエツチング速度を大にしている原因は、エツチング
に寄与する反応性ガス及びその活性種あるいはイオン（
以後これらをあわせてエッチャントと呼ぶ）が、エツチ
ング中のウェハー上で多量に消費されるため、ウニ／・
−中央とウニ／１−周辺でエッチャントの濃度に勾配が
出来るからである。そのため濃度の犬なる該ウニ／・−
周辺はどエツチング速度が犬となる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、試料上の全域に
わたシエッチャントの濃度を均一化して試料を均一にエ
ラチン゛ｉできるようにしたドライエツチング装置を提
供することにある。
〔発明の構成〕
本発明によれば、真空雰囲気とした真空容器内に反応性
ガスを導入しつつ該真空容器内に設置した互に対向する
第１及び第２の電極間に放電によるガスプラズマを発生
させることによシ、該第１の電極の前記第２の電極に対
する第１の対向面に配置した試料をエツチングするドラ
イエツチング装置において、該第１の電極の前記第１の
対向面のうち少なくとも前記試料の周辺部を前記反応性
ガスの前記ガスプラズマによシ生じるエッチャントを減
じることができる材料からなるカバーによシ被覆し、か
つ前記反応性ガスの吹出孔を、前記第２の電極の前記第
１の電極に対する第２の対向面に、前記試料に対向する
位置に、該反応性ガスが該試料に向かうように設けたこ
とを特徴とするドライエツチング装置が得られる。
〔実施例〕
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図を参照すると９本発明の一実施例による平゛行
乎板壓ドライエツチング装置が示されている。反応容器
１０１内には、試料１０４を設置する支持電極１０２と
対向電極１０３が互に平行になるように設置されている
。支持電極１０２上には被処理基板でおるウェハー１０
４が同心円状に複数枚載置されている。又、ウェハー１
０４の周辺の支持電極１０２の表面は１反応性ガスプラ
ズマによシ生じる反応種を減するｔ役割を果すポリオレ
フィン樹脂の一つである超高分子量ポリエチレン樹脂（
商品名ニューライト）製のカバー１０５によシ被覆され
ている。支持電極１０２は。
真空内に導入されているもので、フィードスルー（絶縁
体）１０６を用いて軸１１１のまゎシに回転出来る栴造
となっている。該支持電極１０２と。
反応容器１０１と同電位の対向電極１０３との間には、
高周波電源１０７にょシ、高周波電圧を印加することが
出来る。対向電極１０３には反応性ガスを反応容器内に
導入するためのガス吹出孔１０８が各ウェハー１０４の
直上の各ウェハーの中心部に１個ずつ設けられている。
本実施例によるドライエツチング装置にょシ実際にアル
ミニウム膜をエツチングする場合は次のごとくする。自
動搬送戦構等を用いアルミニウム膜で被覆されたウェハ
ー１０４を支持電極１０２上の所定位置に搬送した移、
腓頷道管１ｏＱか通して反応容器１０１内を排気する。
その後１反応ガス導入管１１０よ、９　、　ＢＣｔ３と
ｃｔ２の混合気体を主成分とする反応性ガスをガス吹出
孔１０８を通して導入する。反応性ガスは、各ウェハー
１０４上に向かって吹き出され、排気導管１０９を通し
て排気される。この時、排気導管１０９のコンダクタン
スを調整し１反応容器１０１内圧力が所定圧力になるよ
うに設定しておく。この状態で、高周波電源１０７によ
シ、支持電極１０２と対向電極１０３との間に高周波電
力を印加すると、放電によって反応性ガスのプラズマが
生じ、生じたエンチャントによシウエハー１０４表面の
アルミニウムをエツチングすることが出来る。アルミニ
ウム表面の薄い酸化膜がエツチングされた後のアルミニ
ウム膜のエッチャントは主に活性化された塩素でおると
考えられ、ウェハー内のエツチング速゛度は、このエッ
チャントの濃度に依存する。
°従来の装置では、支持電極１０２のうちウェハー１０
４の周辺を石英や、アルミニウムの陽極酸化被膜等のエ
ッチャントをほとんど消費しない材料でカバーされてい
るため、ウェハー周辺部でエッチャントの供給量が多く
なった。このため、ウェハーの面内で活性種の濃度分布
が生じ、ウエノ１−中央部でのアルミニウムのエツチン
グ速度が周辺部に比較して低下する現象が見られた。
更に、従来の装置では、ウニ／％−相互間のエツチング
速度の均一性を改善する目的で、支持電極１０２を連続
的に回転させる方法が用いられている。この場合、ガス
吹出孔が第１図に示す対向電極上に位置しても、電極の
回転方向に対しては。
ウェハーのどの部分にもガスが均等に吹き出され。
エッチャントの供給量はウエノ１−の全面にわたシはぼ
均一となる。従って、アルミニウムのエツチング中にウ
エノ・−中央でのエッチャントの濃度が低下し各ウェハ
ーの面内均一性を改善することは離しかった。一方、支
持電極１０２がエツチング中に固定され該支持電極１０
２上のウエノ・−１０４が定まった位置にあると、ガス
吹出孔１０８の位置、その穴径、穴の形状のわずかな違
いや、排気導管１０９の占める位置等及び、電極１０２
゜１０３の平行性の狂い等によシ各つエノ・−に対する
ガスの流れ方に局部的の差が生じ、ウエノ・−相互間の
エツチング速度が不均一となるおそれがある。
本発明では、ウニ／・−周辺部にニューライト等の超高
分子量ポリエチレン樹脂の力・？−１０５を用いている
ため、エッチャントはこのニューライト等のカバー１０
５によシ吸収され、ウエノ・−周辺部でのエッチャント
濃度を低下させることが出来る。これによってウニ／・
−面内におけるエッチャントの濃度分布は均一化され、
エツチング速度のウェハー内均−性を向上させることが
出来た。
更に１本発明では支持電極１０２が間欠的に回転し、各
ウエノ１−がガス吹出孔直下で停止することでウニ・・
−直上よシ絶えず新しいガスを供給してアルミニウムの
エツチング中にエッチャントの消費が多いウニ／・−中
央部へのエッチャント供給、逆転させることも可能とな
った。その上、支持電極１０２が間欠的に一定角度回転
し、各ウェハーが全てのガス吹出孔の直下で一定時間停
止するため１反応容器内の局部的なガスの流れ方に影響
されずに、ウェハー間のエツチング速度の均一性を。
電極を連続的に回転させた場合と同様に改善することが
出来る。
第２図は従来方式と第１図の本発明による装置を用いた
場合でのアルミニウム膜をエツチングした時のウェハー
面内エツチング速度の均一性の違いを表わしたもので、
実線２０１は従来の装置による面内エツチング速度分布
を示し、破線２０２は本発明の装置による面内エツチン
グ速度分布を示す。支持電極のうちウェハーの周辺を覆
うのに。
石英カバーを用い、支持電極を連続的に回転させた従来
方式ではエッチジグ速度がウェハー周辺部で異常に高＜
＆Ｄ、１２５ｍｍφウェハーの端から５＋Ｉ＋＋＋１の
位置Ｂと中央Ａでのエツチング速度のバラツキは±２４
チにも達している。これに対して。
ング速度とほぼ同等にすることが出来る。このため、ウ
ェー・−内均一性を１２５■φウニ／・−の端から５閣
以内で±５％以下に改善することが出来ている。
第３図は第１図の装置における各ウニ／−−１０４と、
その直上に配置されるガス吹出し孔１０８との関係を説
明するための図である。第３図（、）は。
上述したごとく、各ウニ、−−１０４の直上のウェハー
の中心部に１個ずつのガス吹出孔１０８がある場合を示
したものである。また、第３図（ｂ）はウェハー１０４
の中央部に円周状に６個のガス吹出孔１０８を設けた例
を示し、ウニ／・−内のエツチング速度の均一性をより
高めようとするものである。さらに、ウニ／・−１０４
直上の対向電極１０３の一部に連続気泡型の多孔質材料
を用いてその全面からガスを吹出させるときは、さらに
均一性の高いエツチングが可能となる。即ち１本発明に
おける吹出孔は、それがウニ／・−直上部にあるという
こと以外では、その形状、配置、数量等に制限はなく様
々に実施することが出来る。
本実施例ではカバー１０５として超高分子量ポリエチレ
ン樹脂製のものを用いたが、カバーとして用いることの
出来る材料は活性種を吸収又は活性種と反応しやすい物
質であれば何でも良い。例エバ、ポリエチレン樹脂以外
のポリオレフィン系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、ボリ
アリレート系樹脂等の高分子材料はもとよシ、カーボン
、単結晶又は多結晶等のシリコン、シリコンカーバイト
。
アルミニウム等の金属を含む無機物であっても良い。又
、支持電極１０２の全面をカバー１０５で覆ってもよい
。一枚つエバー処理装置へ適用する場合は、支持電極を
間欠的に回転する必要は少なくなる。
さらに上述した実施例では１本発明を二枚の互いに平行
な円板状電極を向い合わせた平行平板型ドライエツチン
グ装置に適用した場合を説明したが、電極の形状は本実
施例に拘束されない。例えば、支持電極を複数の短冊状
にしてそれらを面として多角柱電極を構成し、その多角
柱電極の周辺を取シ囲む様に対向電極を設置し、各短冊
状支持電極上に設置したウェハーの直面する位置にある
対向電極にガス導入孔を配置する態様にも本発明のドラ
イエツチング装置は実施出来る。この場合は該角柱電極
をその柱面の軸のまわシに間欠的に回転さ壮ることとな
る。
本発明の装置でエツチングできる物質はアルミニウムに
限らずポリシリコンや、モリブデン等の金属や、そのシ
リサイド等が可能である。又１反応種も塩素に限定され
るものではなく、弗素等の他のハロゲンや該ハロケ゛ン
化合物であっても良い。
以下に本発明の実施の態様を列挙する。
（１）複数枚の被処理基板を反応容器内の支持電極上に
回転対称に設置し、高周波電力を印加することによって
該被処理基板にエツチングを施こすドライエツチング装
置において、該支持電極表面のうち少なくとも該被処理
基板の周辺部を、該反応容器内に導入する反応性ガスプ
ラズマによシ生じるエッチャントを減することができる
材料からなるカバーによシ被覆し、かつ、該反応性ガス
の吹出孔を該支持電極に対向した対向電極に該被処理基
板の直上に位置して設け、該支持電極を該回転対称形の
対称軸を中心に間欠的に一定角度ずつ回転し該被処理基
板が該ガス吹出孔のほぼ直下で一定時間停止可能な如く
構成したことを特徴とするドライエツチング装置。
（２）　カバーの材料が、ポリオレフィン系樹脂である
ことを特徴とする上記第（１）項記載のドライエツチン
グ装置。
（３）　カバーの材料がポリオレフィン系樹脂であるこ
とを特徴とする上記第（１）項記載のドライエツチング
装置。
（４）　カバーの材料がボリアリレート系樹脂であるこ
とを特徴とする上記第（１）項記載のドライエツチング
装置。
（５）　カバーの材料がカーボンであることを特徴とす
る上記第（１）項記載のドライエツチング装置。
（６）　カバーの材料が単結晶、多結晶等のシリコンで
あることを特徴とする上記第（１）項記載のドライエツ
チング装置。
（７）　カバーの材料がアルミニウムであることを特徴
とする上記第（１）項記載のドライエツチング装置。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、試料を置く第１の
電極の少なくとも該試料の周辺部を１反応性ガスのプラ
ズマによシ生じるエッチャントを減じることができる材
料からなるカバーで被覆することによシ、試料上の全域
にわたシエッチャントの濃度を均一化することができ、
試料を均一にエツチングできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるドライエツチング装置
の断面図、第２図は第１図のドライエツチング装置と従
来のドライエツチング装置のエツチング速度のウェー・
−内分布を示す図、第３図はウェハーとガス吹出孔の相
対位置を示す平面図である。 １０１・・・反応容器、１０２・・支持電極、１０３・
対向電極、１０４・ウェハー、１０５・・カバー。 １０６・・・フィードスルー、１０７・・・高周波電源
。 １０８　ガス吹出孔、１０９・・・排気導管、１１０・
・・反応ガス導入管、１１１・・・軸・第２図 第３図 （０，）　、（ｂ） 手続補正書 昭和６０年２月Ｓ日 １、事件の表示 昭和５９年　特許願　第５４４７６号 ２、発明の名称 ドライエツチング装置 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の柿 ７、補正の内容 （１）明細書第４頁第１７行目に「試料１４」とあるの
を「ウェハー１０４」と補正する。 （２）同書第１１頁第１０行目から第１３行目にかけて
［また、支持電極１０２の全面を一一一一一一回転する
必要は少なくなる。」とあるのを次のように補正する。 ［また、支持電極１０２の全面をカバー１０５で覆って
もよい。また、一枚つエバー処理装置へ本発明を適用す
ることはもちろん可能であり、この場合は、ウェハーを
設置した支持電極を間欠的に回転させる必要は少なく、
また、必ずしも回転させなくとも同様な効果が得られる
。」

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　真空雰囲気とした真空容器内に反応性ガスを導入
    しつつ該真空容器内に設置した互に対向する第１及び第
    ２の電極間に放電によるガスプラズマを発生させること
    により、該第１の電極の前記第２の電極に対する第１の
    対向面に配置した試料をエツチングするドライエツチン
    グ装置において。 該第１の電極の前記第１の対向面のうち少なくとも前記
    試料の周辺部を、前記反応性ガスの前記ガスプラズマに
    よシ生ずるエッチャントを減じることができる材料から
    なるカバーによシ被覆し、かつ前記反応性ガスの吹出孔
    を、前記第２の電極の前記第１の電極に対する第２の対
    向面に、前記試料に対向する位置に、該反応性ガスが該
    試料に向ング装置。
JP59054476A 1984-03-23 1984-03-23 ドライエツチング装置 Pending JPS60198822A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59054476A JPS60198822A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 ドライエツチング装置
KR1019850001824A KR920003877B1 (ko) 1984-03-23 1985-03-20 드라이 에칭장치 및 방법
US07/538,696 US5087341A (en) 1984-03-23 1990-06-18 Dry etching apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59054476A JPS60198822A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 ドライエツチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60198822A true JPS60198822A (ja) 1985-10-08

Family

ID=12971719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59054476A Pending JPS60198822A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 ドライエツチング装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5087341A (ja)
JP (1) JPS60198822A (ja)
KR (1) KR920003877B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285430A (ja) * 1985-07-25 1987-04-18 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド プラズマ処理の方法と装置
JPS6428386A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Nippon Telegraph & Telephone Plasma etching device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5662770A (en) * 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
CH687258A5 (de) * 1993-04-22 1996-10-31 Balzers Hochvakuum Gaseinlassanordnung.
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
TW340957B (en) * 1996-02-01 1998-09-21 Canon Hanbai Kk Plasma processor and gas release device
US6899785B2 (en) * 2001-11-05 2005-05-31 International Business Machines Corporation Method of stabilizing oxide etch and chamber performance using seasoning
US20080011332A1 (en) * 2002-04-26 2008-01-17 Accretech Usa, Inc. Method and apparatus for cleaning a wafer substrate
US20080017316A1 (en) * 2002-04-26 2008-01-24 Accretech Usa, Inc. Clean ignition system for wafer substrate processing
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates
US20080190558A1 (en) * 2002-04-26 2008-08-14 Accretech Usa, Inc. Wafer processing apparatus and method
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
CN102543644A (zh) * 2010-12-20 2012-07-04 上海华虹Nec电子有限公司 干法刻蚀设备反应腔的上部电极

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5856338A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
JPS58190030A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Kokusai Electric Co Ltd 平行平板電極を有するプラズマエッチング装置
JPS58200538A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS5947732A (ja) * 1982-09-10 1984-03-17 Hitachi Ltd 半導体製造装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4297162A (en) * 1979-10-17 1981-10-27 Texas Instruments Incorporated Plasma etching using improved electrode
US4383885A (en) * 1980-02-06 1983-05-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Reactive sputter etching of polysilicon utilizing a chlorine etch gas
US4255230A (en) * 1980-02-22 1981-03-10 Eaton Corporation Plasma etching process
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
US4397724A (en) * 1981-08-24 1983-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4400235A (en) * 1982-03-25 1983-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Etching apparatus and method
JPH0666298B2 (ja) * 1983-02-03 1994-08-24 日電アネルバ株式会社 ドライエッチング装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5856338A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
JPS58190030A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Kokusai Electric Co Ltd 平行平板電極を有するプラズマエッチング装置
JPS58200538A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS5947732A (ja) * 1982-09-10 1984-03-17 Hitachi Ltd 半導体製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285430A (ja) * 1985-07-25 1987-04-18 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド プラズマ処理の方法と装置
JPS6428386A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Nippon Telegraph & Telephone Plasma etching device
JPH089787B2 (ja) * 1987-07-24 1996-01-31 日本電信電話株式会社 プラズマエツチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR850006777A (ko) 1985-10-16
US5087341A (en) 1992-02-11
KR920003877B1 (ko) 1992-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5609690A (en) Vacuum plasma processing apparatus and method
JP3242166B2 (ja) エッチング装置
JPS60198822A (ja) ドライエツチング装置
JPH057861B2 (ja)
JP3205878B2 (ja) ドライエッチング装置
US5639334A (en) Uniform gas flow arrangements
JP4456218B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH0642331Y2 (ja) ドライエッチング装置
JPS60201632A (ja) ドライエツチング装置
JP3259453B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置
JPS60198821A (ja) ドライエツチング装置
JP3259452B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置
JP2001085409A (ja) プラズマ処理装置
JPH0544819B2 (ja)
JP2001185494A (ja) マグネトロンプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPS6223106A (ja) 処理装置
JPH0663107B2 (ja) 平行平板型ドライエツチング装置
JPH10242116A (ja) 平行平板型ｒｉｅ装置
JPS6021528A (ja) プラズマ気相反応装置
JPS59161828A (ja) 反応装置
JP2705117B2 (ja) 焦電材料のドライエッチング装置
JPS6129127A (ja) 処理装置
JPH0620978A (ja) グロー放電方法及びグロー放電装置
JPS61174721A (ja) 平行平板形ドライエツチング装置
JPS59181620A (ja) 反応性イオンエツチング方法