JPS6129127A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS6129127A JPS6129127A JP14955584A JP14955584A JPS6129127A JP S6129127 A JPS6129127 A JP S6129127A JP 14955584 A JP14955584 A JP 14955584A JP 14955584 A JP14955584 A JP 14955584A JP S6129127 A JPS6129127 A JP S6129127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode
- processed
- etching
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は処理技術、特に、ウェハのプラズマエツチング
に適用して効果のある技術に関する。
に適用して効果のある技術に関する。
半導体ウェハのプラズマエツチング技術においては、そ
の１つとして枚葉式の平行平板型プラズマエツチング処
理方式が用いられることがある。
の１つとして枚葉式の平行平板型プラズマエツチング処
理方式が用いられることがある。
その場合、たとえば枚葉式等方性エツチングを行５際Ｋ
、平行平板型の対向電極の径がウェハ径よりも大きい場
合には、エツチングパラメータを調整してもウェハ内の
サイドエツチング量はウェハの周辺部の方が中央部より
も大きくなる傾向となり、ウニへの寸法は中央部の方が
周辺部よりも大きくなる。
、平行平板型の対向電極の径がウェハ径よりも大きい場
合には、エツチングパラメータを調整してもウェハ内の
サイドエツチング量はウェハの周辺部の方が中央部より
も大きくなる傾向となり、ウニへの寸法は中央部の方が
周辺部よりも大きくなる。
このような寸法差が生じると、ウェハ内での特性に差が
生じ、素子の特性不均一等の問題をひき起こす。特にま
たとえば直径φ１００■までのウェハではまだしも、φ
１２５−以上の大型ウェハではエツチングのバラツキに
起因する特性不良は重大な問題であることが本発明者に
よって解明された。
生じ、素子の特性不均一等の問題をひき起こす。特にま
たとえば直径φ１００■までのウェハではまだしも、φ
１２５−以上の大型ウェハではエツチングのバラツキに
起因する特性不良は重大な問題であることが本発明者に
よって解明された。
しかも、このよ５ ｔｉ問題はウェハの大径化の傾向に
つれてますます顕著になるものと考えられる。
つれてますます顕著になるものと考えられる。
本発明の目的は、処理のバラツキに起因する特性不均一
を生じることを防止できる技術を提供することにある。
を生じることを防止できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被処理物と対向する電極の寸法が被処理物の
寸法の０．６〜０．９５の範囲内とすることにより、ま
た対向電極の中央部のみに凹凸を形成することにより、
被処理物の処理のばらつきを防止することができるもの
である。
寸法の０．６〜０．９５の範囲内とすることにより、ま
た対向電極の中央部のみに凹凸を形成することにより、
被処理物の処理のばらつきを防止することができるもの
である。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング装
置の断面図、第２図はその対向電極とウェハとの寸法関
係を示す図である。
置の断面図、第２図はその対向電極とウェハとの寸法関
係を示す図である。
本実施例において、プラズマエツチング装置はチャンバ
１内に下部電極２と上部電極３とからなる一対の平行平
板屋の対向電極を有している。下部電極２の上には、被
処理物としてのウェハ４が載置されている。一方、上部
電極３には高周波電源５が接続されている。
１内に下部電極２と上部電極３とからなる一対の平行平
板屋の対向電極を有している。下部電極２の上には、被
処理物としてのウェハ４が載置されている。一方、上部
電極３には高周波電源５が接続されている。
また、チャンバ１内へのエツチングガスは上部電極３を
経て送り込まれ、このガスはチャンバ底部の排出口６か
ら真空吸引で排出される。
経て送り込まれ、このガスはチャンバ底部の排出口６か
ら真空吸引で排出される。
本実施例においては、ウェハ４のエツチングのばらつき
をなくすため、ウェハ４の直径と該ウェハ４に対向する
上部電極３の直径との寸法関係が特定の範囲内に選ばれ
℃いる。。
をなくすため、ウェハ４の直径と該ウェハ４に対向する
上部電極３の直径との寸法関係が特定の範囲内に選ばれ
℃いる。。
すなわち、本発明者の実験によれば、第３図〜第６図の
実験結果から、上部電極３の径ｄ＝ウェハ４の径×０．
６〜０．９５の関１係とすることにより、ウェハ４の中
央部と周辺部のプラズマ密度のバランスがとれ、ウェハ
４内でのエツチングのばらつきを防止し、全ウェハ面に
ついてほぼ均一なエツチングが得られた。
実験結果から、上部電極３の径ｄ＝ウェハ４の径×０．
６〜０．９５の関１係とすることにより、ウェハ４の中
央部と周辺部のプラズマ密度のバランスがとれ、ウェハ
４内でのエツチングのばらつきを防止し、全ウェハ面に
ついてほぼ均一なエツチングが得られた。
このような効果の得られる根拠として本発明者が鋭意研
究したところ次のようなことが考えられる。
究したところ次のようなことが考えられる。
すなわち、ウェハの周辺部と中央部のエツチングレート
の差は（１）反応ガス濃度、（２）ラジカル分子の平均
自由工程、（３）電荷密度の差が考えられる。
の差は（１）反応ガス濃度、（２）ラジカル分子の平均
自由工程、（３）電荷密度の差が考えられる。
この（１） 、 （２）の差の結果、すなわちウェハの
周辺部では新しく生成したｐＮと消滅したＦ”との置換
反応が速いのでエツチングレートを増すが、前記範囲の
ようにウェハ４の径よりも小さい径の上部電極３を用い
ることにより、ウェハ４の周辺部で電界分布が曲げられ
てそのエツチングレート増加分をキャンセルするように
働くことによるものと考えられる。
周辺部では新しく生成したｐＮと消滅したＦ”との置換
反応が速いのでエツチングレートを増すが、前記範囲の
ようにウェハ４の径よりも小さい径の上部電極３を用い
ることにより、ウェハ４の周辺部で電界分布が曲げられ
てそのエツチングレート増加分をキャンセルするように
働くことによるものと考えられる。
〔実施例２〕
前記の如く、電極径＝ウェハ径×０．６〜０．９５とす
る他に、第７図に示すように、対向電極３の中央部のみ
に凹凸７を付けて中央部の表面積を増加させることによ
り中央部のＦゝの生成を助長することができる。
る他に、第７図に示すように、対向電極３の中央部のみ
に凹凸７を付けて中央部の表面積を増加させることによ
り中央部のＦゝの生成を助長することができる。
この場合にも、ウェハの中央部と周辺部のプラズマ密度
のバランスがとれ、ウェハ面内で均一なエツチングを得
ることができる。
のバランスがとれ、ウェハ面内で均一なエツチングを得
ることができる。
（１）被処理物と対向する電極の寸法＝被処理物の寸法
×０．６〜０９５とすることにより、被処理物の中央部
と周辺部のプラズマ密度のバランスがとれ、エツチング
のばらつきが減少する。
×０．６〜０９５とすることにより、被処理物の中央部
と周辺部のプラズマ密度のバランスがとれ、エツチング
のばらつきが減少する。
（２）対向電極の中央部のみに凹凸を設けて中央部の表
面積を増すことにより、中央部と周辺部のプラズマ密度
のバランスがとれ、エツチングのばらつきがなくなる。
面積を増すことにより、中央部と周辺部のプラズマ密度
のバランスがとれ、エツチングのばらつきがなくなる。
（３）前記（１） 、 （２）により、被処理物の表面
全体にわたって均一な特性が得られ、歩留りが向上する
。
全体にわたって均一な特性が得られ、歩留りが向上する
。
（４）前記（１１、（２）により、エツチングによる下
地ダメージを減少させることができる。
地ダメージを減少させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、エツチング装置の構造としては前記以外のも
のを使用してもよく、たとえば対向電極なりエバの下方
に設けること等も可能である。
のを使用してもよく、たとえば対向電極なりエバの下方
に設けること等も可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるプラズマエツチング
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、それ以外のドライエツチ
ング等、電極の寸法制御を要求されるような場合に広く
適用できる。
をその背景となった利用分野であるプラズマエツチング
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、それ以外のドライエツチ
ング等、電極の寸法制御を要求されるような場合に広く
適用できる。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング装
置を示す断面図、 第２図はそのウェハと対向電極の関係を示す図、第３図
〜第６図は本発明者による実験結果を示す図、 内電極を示す図である。 １・・・チャンバ、２・・・下部電極、３・・・上部電
極、４・・・ウェハ、５・・・高周波電源、６・・・排
出口、７・・・凹凸。
置を示す断面図、 第２図はそのウェハと対向電極の関係を示す図、第３図
〜第６図は本発明者による実験結果を示す図、 内電極を示す図である。 １・・・チャンバ、２・・・下部電極、３・・・上部電
極、４・・・ウェハ、５・・・高周波電源、６・・・排
出口、７・・・凹凸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一方の電極側に被処理物を配置される一対の対向電
極を有し、被処理物と対向する電極の寸法が被処理物の
寸法の０．６〜０．９５の範囲内にあることを特徴とす
る処理装置。 ２、被処理物がウェハであり、該ウェハと対向する電極
が一対の平行平板電極の上部電極であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、プラズマエッチング装置であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の処理装置。 ４、一方の電極側に被処理物を配置される一対の対向電
極を有し、被処理物と対向する電極の中央部のみが凹凸
を有していることを特徴とする処理装置。 ５、プラズマエッチング装置であることを特徴とする特
許請求の範囲第４項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14955584A JPS6129127A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14955584A JPS6129127A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129127A true JPS6129127A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15477723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14955584A Pending JPS6129127A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0353719A2 (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Metallkontakt mit überhängenden Kanten und Herstellungsverfahren |
| US9824904B2 (en) | 2001-04-30 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14955584A patent/JPS6129127A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0353719A2 (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Metallkontakt mit überhängenden Kanten und Herstellungsverfahren |
| US9824904B2 (en) | 2001-04-30 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
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