JPS61130493A

JPS61130493A - ドライエツチング装置

Info

Publication number: JPS61130493A
Application number: JP25117484A
Authority: JP
Inventors: Mikio Nonaka; 幹男野中; Masahiro Shibagaki; 柴垣　正弘
Original assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date: 1984-11-28
Filing date: 1984-11-28
Publication date: 1986-06-18
Also published as: JPS6316467B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の技術分野）本発明はドライエツチング装置に係り、特に被処理物を
均一にエツチングすることを可能としたドライエツチン
グ￥Ａ１１ｆｆにＩＩＩする。

〔発明の技術的背景およびその問題点〕第７図は従来の
ケミカルドライエツチング装置を示したもので、真空容
器１の内部には、被処理物２を載置する載置台３が配設
され、上記真空容器１の上面には、エツチングガスを真
空容器内に均一に導入するためのガス分散管４が取り付
けられており、このガス分散管４には、ガス導入管５が
接続されている。このガス導入！！５の中途部には、石
英管からなる放電管６が介設されており、この放電管６
に導波管７を介して高周波出力８を印加することにより
プラズマを発生させるようになされている。また、上記
真空容器１の下面には、図示しない真空ポンプに接続さ
れるガス排出管９がマニホールド１０を介して接続され
ている。

上記装置においては、載置台３の上面に被処理物２を載
置し、ガス排出管９を介して真空容器１の真空排気を行
なう。その後、ガス導入管５によりＣＦ４等のエツチン
グガスを送り、真空容器１内を所定圧力のガス雰囲気と
し、放電管６に高周波出力８を印加することによりガス
プラズマを発生させる。そして、このガスプラズマの発
生によりエツチングガスとしてのフッ素ラジカルが生成
され、真空容器１内の被処理物２のエツチングを行なう
ようになされる。上記装置の場合、エツチング処理と、
プラズマ発生とを別個の室で行なうため、被処理物がプ
ラズマの照射による損（ｔ２を受けることがないという
利点を有している。

しかし、上記装置では、被処理物２を平面的に並べて載
置するため、１回のエツチング工程における処理枚数が
少なく生産効率が悪いという問題があり、このことは、
近年における被処理物の大口径化に伴ない特に顕著とな
っていた。そのため、従来被処理物を多段に載置して多
数枚の被処理物を一度にエツチングできるようにしたも
のがあるが、各被処理物について均一にエツチングする
ことができないという欠点を有している。

〔発明の目的〕

本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、大量の被
処理物を均一にエツチングすることのできるドライエツ
チング装置を提供することを目的とするものである。

〔発明の概要〕

上記目的達成のため本発明に係るドライエツチング装置
は、真空容器内部に酸素およびフレオンのエツチングガ
スを送るガス導入管および上記エツチングガスを排気す
るガス排出管を設け、上記ガス導入管の中途部にプラズ
マ発生装置を介設してなるドライエツチング装置におい
て、上記エツチングガスの全流量に対する酸素ガス流量
を４０％以上８０％以下としたことをその特徴とするも
のである。

（発明の実施例）以下、本発明の実施例を第１図乃至第５図を参照し、第
６図と同一部分には同一符号を付して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示したもので、ガス導入管
５およびガス排出管９は、真空容器１の側面に対向して
設けられており、真空容器１の内部には、被処理物２を
水平に多段に載置する載置棚１１が設けられている。こ
の載置棚１１は、下面にシャフト１２が取付けられた支
持台１３上に載置されており、上記シャフト１２の端部
は真空容器１の下面をｎ通してモータ１４に接続され、
エツチング中に支持台１３を回転させるようになされて
いる。

また、本実施例においては、ガス導入管５から導入する
ガスを、酸素０２とフレオンＣＦ４を用い、この２種の
ガスの流量比（Ｈ素ガス流量／酸素ガス流量＋７レオン
ガス流ｌＸ１００％）を４０％以上かつ８０％以下とな
るように調整されている。

次に、第２図に示すように、基板１５の上面に熱酸化法
による１０〇八厚の熱酸化膜１６を形成し、この熱酸化
膜１６の上面にシラン（ＳｉＨ４）の熱分解による減圧
気相成長法により多結晶シリコン！Ｊ１７を堆積した後
、１０００℃のリン拡散したものをポジ型レジスト１８
でマスク形成してなる被処理物を用いて、載置１ＩＡ２
を５ｒｐｍで回転させながらエツチング圧力が１５Ｐａ
、高周波出力が８００Ｗの条件下で行なった実験結果を
第３図乃至第５図に示す。

第３図は酸素ガスおよびフレオンガスの総流ｌを２００
ＳＣＣＭとし、酸素ガスとフレオンガスとの流量比を変
化させた場合のエツチング速度および均一性を示したも
ので、ここに均一性は、被処理物の最大エツチング速度
をＥｍａ　ｘ　、最小エツチング速度をＥｍｉｎとした
とき、（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ／Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）ｘ
ｌＯＯ（％）で表わされる。この実験結果によれば、全
流量に対する酸素流量比が４０％以下になると急激にエ
ツチング速度が増加するとともに均一性が悪化し、酸素
流層が増えるにしたがって、エツチング速度は低下する
が均一性は良好となる。

また、第４図は流量比を２０％としたとき、第５図は流
量比を５０％としたときのそれぞれ被処理物の各位置に
おけるエツチング速度を示したもので、流量比を２０％
としたときには均一性が２５％程度と悪化するのに対し
、流量比を５０％としたときには均一性が５％以下と著
しく改善されることがわかる。これは、酸素ガス流蛋が
増えることにより、フッ素うジカルｍ度の影響が減少し
、表面反応律則に従ってエツチング反応が行なわれるた
めである。

また、酸素ガス流量を大幅に増加すると、レジストが劣
化してしまうため、８！量比は８０％以下が望ましい。

したがって、本実施例においては、酸素ガスと７レオン
ガスとの１１比を調整することにより、被処理物を多数
枚載置した場合でも、均一にエツチングを行なうことが
可能となる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明に係るドライエツチング装置は
、エツチングガスの総流量に対する酸素ガス流山を４０
％以上８０％以下に調整するようにしたので、大ｍの被
処理物を均一にエツチングすることが可能となり、その
結果、被処理物の生産効率を著しく高めることが可能と
なる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本発明の一実施例を示したもので、
第１図は概略構成図、第２図は被処理物の拡大断面図、
第３図はエツチングガス流量とエツチング速度および均
一性との関係を示す線図、第４図および第５図は被処理
物の位置とエツチング速度との関係を示すそれぞれ線図
、第６図は従来のドライエツチング装置を示す概略構成
図である。１・・・真空容器、２・・・被処理物、３・・・載置台
、４・・・ガス分散管、５・・・ガス導入管、６・・・
放電管、７・・・導波管、８・・・高周波出力、９・・
・ガス排出管、１ｏ・・・マンホールド、１１・・・載
置棚、１２・・・シャフト、１３−・・支持台、１４・
・・モータ、１５・・・基板、１６・・・熱酸化膜、１
７・・・シリコン層、１８・・・ポジ型レジスト。出願人代理人　　猪　　股　　　　情感１目も２目あ３凶刃χ液量比ｃ％）躬４目、ｍｌ処理絢イＩｔ置装（ｃｍ）躬５＠ｌｏ２増む処鯉々勿位置　（ａｍ）

Claims

【特許請求の範囲】

真空容器内部に酸素およびフレオンのエッチングガスを
送るガス導入管および上記エッチングガスを排気するガ
ス排出管を設け、上記ガス導入管の中途部にプラズマ発
生装置を介設してなるドライエッチング装置において、
上記エッチングガスの全流量に対する酸素ガス流量を４
０％以上８０％以下としたことを特徴とするドライエッ
チング装置。