JPS61174721A - 平行平板形ドライエツチング装置 - Google Patents
平行平板形ドライエツチング装置Info
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- JPS61174721A JPS61174721A JP1614385A JP1614385A JPS61174721A JP S61174721 A JPS61174721 A JP S61174721A JP 1614385 A JP1614385 A JP 1614385A JP 1614385 A JP1614385 A JP 1614385A JP S61174721 A JPS61174721 A JP S61174721A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 54
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路製造工程における配線材料の
・Ｐターン形成工程で使用される平行平板形ドライエツ
チング装置に関する。
・Ｐターン形成工程で使用される平行平板形ドライエツ
チング装置に関する。
半導体集積回路のよシ一層の高密度化に伴なって使用さ
れる配線（通常はアルミニウム）パターンの最小寸法も
ますます細くなシ、〜μｍ前後の微細・ぐターンも使用
されている。これらの微細ノ４ターンを形成するには、
異方性エツチングの可能なドライエツチングが必要であ
る。
れる配線（通常はアルミニウム）パターンの最小寸法も
ますます細くなシ、〜μｍ前後の微細・ぐターンも使用
されている。これらの微細ノ４ターンを形成するには、
異方性エツチングの可能なドライエツチングが必要であ
る。
ドライエツチングには各種の方法が存在するが、基本的
には放電プラズマ中でへロダン等の反応性ガスを活性化
し、これら活性種と被エツチング材とを結合させ揮発性
物質として排気除去するものである。ドライエツチング
反応には物理的反応を示す面と化学的反応を示す面が共
存している。物理的反応は、主としてエネルギーイオン
によってエツチングされる反応であり、その特徴として
は異方性は優れているが試料選択性は乏しい。一方、化
学的反応は主として中性活性種によるものであり、試料
選択性は優れているが等方性エツチングが行なわれる。
には放電プラズマ中でへロダン等の反応性ガスを活性化
し、これら活性種と被エツチング材とを結合させ揮発性
物質として排気除去するものである。ドライエツチング
反応には物理的反応を示す面と化学的反応を示す面が共
存している。物理的反応は、主としてエネルギーイオン
によってエツチングされる反応であり、その特徴として
は異方性は優れているが試料選択性は乏しい。一方、化
学的反応は主として中性活性種によるものであり、試料
選択性は優れているが等方性エツチングが行なわれる。
上記両方の反応のうちどちらが支配的であるかは、エツ
チング方式、使用ガス、被エツチング材によっても異な
るが、顕著な例はアルミニウム膜をエツチングする場合
である。アルミニウム膜は塩素（ＣＺ２）ガスでエツチ
ングされるが、この反応は著しく化学反応的でｌ）、ア
ルミニウム膜はプラズマの助けがなくてもＣｔ２ガスを
吹き付けただけでもエツチングが進行する。
チング方式、使用ガス、被エツチング材によっても異な
るが、顕著な例はアルミニウム膜をエツチングする場合
である。アルミニウム膜は塩素（ＣＺ２）ガスでエツチ
ングされるが、この反応は著しく化学反応的でｌ）、ア
ルミニウム膜はプラズマの助けがなくてもＣｔ２ガスを
吹き付けただけでもエツチングが進行する。
ところで、上述したように化学的反応が支配的であるア
ルミニウム膜などの物質を被エツチング材とするドライ
エツチングを行なう場合、エツチングガスの流れの分布
によってエツチング速度の分布が大きく変わるという問
題がある。
ルミニウム膜などの物質を被エツチング材とするドライ
エツチングを行なう場合、エツチングガスの流れの分布
によってエツチング速度の分布が大きく変わるという問
題がある。
したがって、平行平板形ドライエツチング装置を使用す
る場合、一対の対向電極の電極間距離とか被エツチング
材の寸法を他の要因のために変化させたときにはエツチ
ングガスの流れの分布が変化して被エツチング材の面内
におけるエツチング速度の均一性（面内均一性）が変化
するという現象が生じる。そこで、上記エツチング速度
の面内均一性を良くするためには、前記電極間距離とか
被エツチング材の寸法を変化させた後に改めてエツチン
グ条件等を変化させて最適条件を探し出す必要が生じる
ので面倒な手数が必要になるという欠点があった。
る場合、一対の対向電極の電極間距離とか被エツチング
材の寸法を他の要因のために変化させたときにはエツチ
ングガスの流れの分布が変化して被エツチング材の面内
におけるエツチング速度の均一性（面内均一性）が変化
するという現象が生じる。そこで、上記エツチング速度
の面内均一性を良くするためには、前記電極間距離とか
被エツチング材の寸法を変化させた後に改めてエツチン
グ条件等を変化させて最適条件を探し出す必要が生じる
ので面倒な手数が必要になるという欠点があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、電極間距
離や被エツチング材の寸法を変えてもエツチング速度の
面内均一性が良いエツチング条件を極めて容易に設定す
ることが可能になる平行平板形ドライエツチング装置を
提供するものである。
離や被エツチング材の寸法を変えてもエツチング速度の
面内均一性が良いエツチング条件を極めて容易に設定す
ることが可能になる平行平板形ドライエツチング装置を
提供するものである。
即ち、本発明は、電極間距離を可変設定可能な構造を有
する平行平板形ドライエツチング装置において、被エツ
チング材を載置する一方の電極に対向する他方の電極に
は上記被エツチング材に対向する領域にエツチングガス
噴出孔が多数形成され、エツチング室を形成する真空容
器の外部から導入されるエツチングガスが上記エツチン
グガス噴出孔を通してエツチング室内に噴出する構造を
有し、前記被エツチング材の半径をＲｏ、前記他方の電
極の電極面の中心から最も外側のエツチングガス噴出孔
までの距離をＲ、前記電極間距離をＧ，定数をＡで表わ
した場合に、Ｒ＝ −ＡＧ −１−Ｒｏ の関係をほぼ
満足することを特徴とするものである。
する平行平板形ドライエツチング装置において、被エツ
チング材を載置する一方の電極に対向する他方の電極に
は上記被エツチング材に対向する領域にエツチングガス
噴出孔が多数形成され、エツチング室を形成する真空容
器の外部から導入されるエツチングガスが上記エツチン
グガス噴出孔を通してエツチング室内に噴出する構造を
有し、前記被エツチング材の半径をＲｏ、前記他方の電
極の電極面の中心から最も外側のエツチングガス噴出孔
までの距離をＲ、前記電極間距離をＧ，定数をＡで表わ
した場合に、Ｒ＝ −ＡＧ −１−Ｒｏ の関係をほぼ
満足することを特徴とするものである。
このようにすれば、前記電極間距離とか被エツチング材
の寸法を変化させた場合でも被エツチング材に対するガ
ス流の分布がほぼ一定になるので、両式に基づく計算お
よびこの計算結果によυ得られるＲを有する電極を使用
するだけの簡易な作業だけでエツチング速度の面内均一
性が良好に得られる。
の寸法を変化させた場合でも被エツチング材に対するガ
ス流の分布がほぼ一定になるので、両式に基づく計算お
よびこの計算結果によυ得られるＲを有する電極を使用
するだけの簡易な作業だけでエツチング速度の面内均一
性が良好に得られる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第１図において、１０はエツチング室を形成する真
空容器であって接地されてび下部電極１３が設けられて
おシ、この両電極１２．１３相互間の距離を可変設定可
能になっている。１４は被エツチング材であり、所定の
直径の半導体ウェハの表面上に主として化学的反応でエ
ツチングされるアルミニウムを主成分とする合金膜が形
成された上にレジストパターンが形成されたものであっ
て、前記下部電極１３上にスーペーサ（図示せず）を介
してたとえば１枚だげ載置されている。この下部電極１
３は、真空容器１０に対して電気的に絶縁されており、
マツチングネットワーク１５を介して高周波（たとえば
１３．５６ ＭＨｚ ） を力発生用の高周波電源１６
に接続されている。これに対して、前記上部電極１２は
中空状になっておシ、その中央部はエツチングガス導入
管１７に連通ずると共に接地されており、さらに前記被
エツチング材１４に対向する電極面には第２図に示すよ
うに被エツチング材１４に対向してほぼ円形に配置され
た多数の小さなエツチングガス噴出孔１８が設けられて
いる。なお、１９は真空容器１０のガス排気孔、２０は
下部電極１３を冷却するための冷却水の出入口、２１は
真空容器１０を一定温度に加熱するためのヒータコイル
である。
る。第１図において、１０はエツチング室を形成する真
空容器であって接地されてび下部電極１３が設けられて
おシ、この両電極１２．１３相互間の距離を可変設定可
能になっている。１４は被エツチング材であり、所定の
直径の半導体ウェハの表面上に主として化学的反応でエ
ツチングされるアルミニウムを主成分とする合金膜が形
成された上にレジストパターンが形成されたものであっ
て、前記下部電極１３上にスーペーサ（図示せず）を介
してたとえば１枚だげ載置されている。この下部電極１
３は、真空容器１０に対して電気的に絶縁されており、
マツチングネットワーク１５を介して高周波（たとえば
１３．５６ ＭＨｚ ） を力発生用の高周波電源１６
に接続されている。これに対して、前記上部電極１２は
中空状になっておシ、その中央部はエツチングガス導入
管１７に連通ずると共に接地されており、さらに前記被
エツチング材１４に対向する電極面には第２図に示すよ
うに被エツチング材１４に対向してほぼ円形に配置され
た多数の小さなエツチングガス噴出孔１８が設けられて
いる。なお、１９は真空容器１０のガス排気孔、２０は
下部電極１３を冷却するための冷却水の出入口、２１は
真空容器１０を一定温度に加熱するためのヒータコイル
である。
上記ドライエツチング装置においては、真空１２の多数
のガス噴出孔１８からエツチング室１ノ内部に噴出され
る。そして、高周波電源１６からの高周波電力が両電極
１２．１３間に印加されることによって反応性イオンエ
ツチング方式によるドライエツチングが行なわれる。
のガス噴出孔１８からエツチング室１ノ内部に噴出され
る。そして、高周波電源１６からの高周波電力が両電極
１２．１３間に印加されることによって反応性イオンエ
ツチング方式によるドライエツチングが行なわれる。
ここで、被エツチング材１４の半径をＲｏ、上部電極１
２におけるガス噴出孔形成領域の半径（換言すれば上部
電極１２の電極面における中心から最も外側のガス噴出
孔までの距離）をＲ１′眠極間距離をＧで表わすものと
する。いま、上記Ｇをたとえば７０ｔｍに固定し、被エ
ツチング材１４として表面にアルミニウム膜が形成され
た直径が約１２７ｍ（５インチ）の半導体ウェハ（つま
シ、Ｒｏ ＃６３．５ ｍ ）を使用し、エツチングガ
スとして塩素系ガス（たとえばＢＣｌ３とＣ２０との混
合ガス）を使用した場合、上部電極１２のＲをいろいろ
と変化させたとき（つまシ、それぞれＲが異なる複数の
上部電極を順次交換して使用したとき）、第３図に示す
ようにＲ＝３９瓢のときにエツチング速度の面内均一性
が良好であった。このことから次の関係式（１）が得ら
れると共に定数Ａはめ０．３４であることが算出される
。
２におけるガス噴出孔形成領域の半径（換言すれば上部
電極１２の電極面における中心から最も外側のガス噴出
孔までの距離）をＲ１′眠極間距離をＧで表わすものと
する。いま、上記Ｇをたとえば７０ｔｍに固定し、被エ
ツチング材１４として表面にアルミニウム膜が形成され
た直径が約１２７ｍ（５インチ）の半導体ウェハ（つま
シ、Ｒｏ ＃６３．５ ｍ ）を使用し、エツチングガ
スとして塩素系ガス（たとえばＢＣｌ３とＣ２０との混
合ガス）を使用した場合、上部電極１２のＲをいろいろ
と変化させたとき（つまシ、それぞれＲが異なる複数の
上部電極を順次交換して使用したとき）、第３図に示す
ようにＲ＝３９瓢のときにエツチング速度の面内均一性
が良好であった。このことから次の関係式（１）が得ら
れると共に定数Ａはめ０．３４であることが算出される
。
Ｒ＝ −ＡＧ ＋ Ｒｏ −（
１）このように均一性が良いエツチング条件において定
数Ａを求めておくことによシ、電倹間距離Ｇとか被エツ
チング材１４の寸法（２Ｒｏ）を変化させた場合でも両
式（１）の関係式をほぼ満足するＲを算出してこのＲを
有する上部電極を使用すれば、被エツチング材上のガス
流の分布を一定に保つことができるのでエツチング速度
の面内均一性が良好に得られる。したがって、非常に簡
単な手数だけで、つまり改めてエツチング条件を探し出
すための面倒な手数を必要としないでエツチング速度の
面内均一性が良好に得られる。因みに、Ｇ＝１０（１ｍ
にする必要が生じた場合には Ｒ＝ ６３．５−０．３４Ｘ１００＝６３．５−３４＝
２９．５ｍ＋が求まるのでＲ＃３０ ｗａの上部電極に
交換すればよい。また、ウェハを５インチのものから約
１５２．４（６インチ）のもの（つまシ、Ｒｏ ＝ ７
６．２填）に交換して下部電極１３上に載置した場合に
は、Ｇ＝７０箇のとき Ｒ＝ ７６．２−０．３４Ｘ７０ ＝７６．２−２３．
８＝５２．４ｍが求まるのでＲ竺５２＋ｍａの上部電極
に交換すればよい。
１）このように均一性が良いエツチング条件において定
数Ａを求めておくことによシ、電倹間距離Ｇとか被エツ
チング材１４の寸法（２Ｒｏ）を変化させた場合でも両
式（１）の関係式をほぼ満足するＲを算出してこのＲを
有する上部電極を使用すれば、被エツチング材上のガス
流の分布を一定に保つことができるのでエツチング速度
の面内均一性が良好に得られる。したがって、非常に簡
単な手数だけで、つまり改めてエツチング条件を探し出
すための面倒な手数を必要としないでエツチング速度の
面内均一性が良好に得られる。因みに、Ｇ＝１０（１ｍ
にする必要が生じた場合には Ｒ＝ ６３．５−０．３４Ｘ１００＝６３．５−３４＝
２９．５ｍ＋が求まるのでＲ＃３０ ｗａの上部電極に
交換すればよい。また、ウェハを５インチのものから約
１５２．４（６インチ）のもの（つまシ、Ｒｏ ＝ ７
６．２填）に交換して下部電極１３上に載置した場合に
は、Ｇ＝７０箇のとき Ｒ＝ ７６．２−０．３４Ｘ７０ ＝７６．２−２３．
８＝５２．４ｍが求まるのでＲ竺５２＋ｍａの上部電極
に交換すればよい。
なお、本発明は一度に処理する半導体ウエノ・の枚数が
１枚である（いわゆる枚葉式である）場合にウェハとガ
ス流との関係を一定に設定することが容易であるので特
に有効であり、真空容器１０の複数のガス排気孔１９が
下部電極１３の周辺で下部電極１３を中心に対称的な位
置に設げられている場合に、被エツチング材上のガス流
が平均化されるのでエツチング速度の面内均一性が一層
良好になる。
１枚である（いわゆる枚葉式である）場合にウェハとガ
ス流との関係を一定に設定することが容易であるので特
に有効であり、真空容器１０の複数のガス排気孔１９が
下部電極１３の周辺で下部電極１３を中心に対称的な位
置に設げられている場合に、被エツチング材上のガス流
が平均化されるのでエツチング速度の面内均一性が一層
良好になる。
上述したように本発明の平行平板形ドライエツチング装
置によれば、電極間距離や被エツチング材の寸法を変え
ても、エツチング速度の面内均一性が良いエツチング条
件を極めて容易に設定することができる。
置によれば、電極間距離や被エツチング材の寸法を変え
ても、エツチング速度の面内均一性が良いエツチング条
件を極めて容易に設定することができる。
第１図は本発明に係る平行平板形ドライエツチング装置
の一実施例を示す構成説明図、第２図は第１図中の上部
電極を取り出して被エツチング材に対向する電極面を示
す平面図、第一３図は第１図の装置においてエツチング
ガス噴出孔形成領域の半径Ｒが相異なる上部電極を使用
した場合におけるエツチング速度の面内均一性の実測デ
ータを示す特性図である。 １０・・・真空容器、１１・・・エツチング室、１２・
・・上部電極、１３・・・下部電極、１４・・・被エツ
チング材、１７・・・エツチングガス導入管、１８・・
・エツチングガス噴出孔、１９・・・ガス排気孔。 第１図 ↓ 第２図 第３図
の一実施例を示す構成説明図、第２図は第１図中の上部
電極を取り出して被エツチング材に対向する電極面を示
す平面図、第一３図は第１図の装置においてエツチング
ガス噴出孔形成領域の半径Ｒが相異なる上部電極を使用
した場合におけるエツチング速度の面内均一性の実測デ
ータを示す特性図である。 １０・・・真空容器、１１・・・エツチング室、１２・
・・上部電極、１３・・・下部電極、１４・・・被エツ
チング材、１７・・・エツチングガス導入管、１８・・
・エツチングガス噴出孔、１９・・・ガス排気孔。 第１図 ↓ 第２図 第３図
Claims (7)
- （１）電極間距離を可変設定可能な構造を有する平行平
板形ドライエッチング装置において、被エッチング材を
載置する一方の電極に対向する他方の電極には上記被エ
ッチング材に対向する領域にエッチングガス噴出孔が多
数形成され、エッチング室を形成する真空容器の外部か
ら導入されるエッチングガスが上記エッチングガス噴出
孔を通してエッチング室内に噴出する構造を有し、前記
被エッチング材の半径をＲｏ、前記他方の電極の電極面
の中心から最も外側のエッチングガス噴出孔までの距離
をＲ、前記電極間距離をＧ、定数をＡで表わした場合に
、 Ｒ＝−ＡＧ＋Ｒｏの関係をほぼ満足することを特徴とす
る平行平板形ドライエッチング装置。 - （２）前記被エッチング材は、主として化学的反応でエ
ッチングされるアルミニウムを主成分とする合金膜が表
面に形成された半導体ウェハであり、前記エッチングガ
スは塩素系ガスであることを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項記載の平行平板形ドライエッチング装置。 - （３）前記エッチングガス噴出孔の形成領域はほぼ円形
であることを特徴とする前記特許請求の範囲第２項記載
の平行平板形ドライエッチング装置。 - （４）前記被エッチング材を一度に処理可能な枚数が１
枚であることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項乃
至第３項のいずれかに記載の平行平板形ドライエッチン
グ装置。 - （５）前記真空容器に設けられるガス排気孔は、前記被
エッチング材を載置する一方の電極の周辺でこの電極を
中心に対称な位置に複数設けられていることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記
載の平行平板形ドライエッチング装置。 - （６）前記エッチングガス噴出孔が形成されている他方
の電極は中空状に形成されており、その中央部にエッチ
ングガス導入管が連通していることを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項記載の平行平板形ドライエッチング
装置。 - （７）前記一方の電極は、前記被エッチング材を大きさ
の異なる別の被エッチング材に交換して載置することが
可能であり、前記他方の電極はエッチングガス噴出孔形
成領域の大きさが相異なるものとの交換が可能であるこ
とを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の平行平
板形ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1614385A JPS61174721A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 平行平板形ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1614385A JPS61174721A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 平行平板形ドライエツチング装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7710295A Division JPH0822982A (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | ドライエッチング装置のエッチング条件設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174721A true JPS61174721A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0455326B2 JPH0455326B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11908273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1614385A Granted JPS61174721A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 平行平板形ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445709A (en) * | 1992-11-19 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Anisotropic etching method and apparatus |
| US7389741B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-06-24 | Lg. Philips Lcd. Co., Ltd | Apparatus of fabricating a display device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202733A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching device |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS594028A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS5943880A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1614385A patent/JPS61174721A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202733A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching device |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS594028A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS5943880A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445709A (en) * | 1992-11-19 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Anisotropic etching method and apparatus |
| US5766498A (en) * | 1992-11-19 | 1998-06-16 | Hitachi, Ltd. | Anisotropic etching method and apparatus |
| US7389741B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-06-24 | Lg. Philips Lcd. Co., Ltd | Apparatus of fabricating a display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455326B2 (ja) | 1992-09-03 |
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