JPH05234951A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH05234951A JPH05234951A JP4037499A JP3749992A JPH05234951A JP H05234951 A JPH05234951 A JP H05234951A JP 4037499 A JP4037499 A JP 4037499A JP 3749992 A JP3749992 A JP 3749992A JP H05234951 A JPH05234951 A JP H05234951A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板を均一にエッチングする。
【構成】 反応ガスを導入して互いに対向配置された電
極間にプラズマ放電を生起し、前記電極上で半導体基板
３のプラズマエッチングを行う枚様式のプラズマエッチ
ング装置において、半導体基板を設置する陰極１の形状
が半導体基板３の形状と同じように円形の一部がカット
された形状としている。この構成により、電極面上のプ
ラズマ電位が均一となり、半導体基板のエッチング量の
均一性を向上できる。
極間にプラズマ放電を生起し、前記電極上で半導体基板
３のプラズマエッチングを行う枚様式のプラズマエッチ
ング装置において、半導体基板を設置する陰極１の形状
が半導体基板３の形状と同じように円形の一部がカット
された形状としている。この構成により、電極面上のプ
ラズマ電位が均一となり、半導体基板のエッチング量の
均一性を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応性ガスを用いる平
行平板型プラズマエッチング装置に関するものである。
行平板型プラズマエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エッチング技術は微細加工性能の
向上を図るために、平行平板型の高周波放電を用いたプ
ラズマエッチングが主流である。
向上を図るために、平行平板型の高周波放電を用いたプ
ラズマエッチングが主流である。
【０００３】従来の平行平板型プラズマエッチング装置
は、円形状の陰極、陽極、エッチング基板およびエッチ
ング基板の位置を決定するための絶縁体のリングで構成
されており、ガスはガス導入口から導入され、ガス排気
口から排気される。また、高周波は高周波電源より供給
され、整合器によって放電インピーダンスがコントロー
ルされる。
は、円形状の陰極、陽極、エッチング基板およびエッチ
ング基板の位置を決定するための絶縁体のリングで構成
されており、ガスはガス導入口から導入され、ガス排気
口から排気される。また、高周波は高周波電源より供給
され、整合器によって放電インピーダンスがコントロー
ルされる。
【０００４】このような装置の放電方式の一般的態様
は、互いに平行に配置された一方の電極（以下陰極と称
す）に周波数が１３．５６ＭHz等の高周波を印加するこ
とにより、陰極と陽極の間でグロー放電を発生させ、電
子とイオンとの易動度の差により、高周波電力印加後、
数サイクル後には前記陰極電極面上には大きな負電位が
発生して定常状態となるものである。プラズマ中の正イ
オンは、前記負電位（陰極降下電圧）によって加速し、
エッチング基板にイオンを垂直に衝突させて、イオンに
よるアシスト効果と化学反応によりエッチングするもの
で反応性イオンエッチング（以下ＲＩＥと称す）と呼ば
れている。
は、互いに平行に配置された一方の電極（以下陰極と称
す）に周波数が１３．５６ＭHz等の高周波を印加するこ
とにより、陰極と陽極の間でグロー放電を発生させ、電
子とイオンとの易動度の差により、高周波電力印加後、
数サイクル後には前記陰極電極面上には大きな負電位が
発生して定常状態となるものである。プラズマ中の正イ
オンは、前記負電位（陰極降下電圧）によって加速し、
エッチング基板にイオンを垂直に衝突させて、イオンに
よるアシスト効果と化学反応によりエッチングするもの
で反応性イオンエッチング（以下ＲＩＥと称す）と呼ば
れている。
【０００５】また、エッチング基板の大口径化に伴いエ
ッチング基板を一枚一枚処理（枚様式）する装置が主流
である。枚様式装置では、エッチング速度の高速化を計
り生産性を高めるために、電極間隔を５〜１０mmにし
て、プラズマを狭い領域に封じ込めエッチャントの効率
を高めるようにしている。
ッチング基板を一枚一枚処理（枚様式）する装置が主流
である。枚様式装置では、エッチング速度の高速化を計
り生産性を高めるために、電極間隔を５〜１０mmにし
て、プラズマを狭い領域に封じ込めエッチャントの効率
を高めるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来方法で
は、エッチング基板のオリフラ部による露出した陰極電
極の一部と陽極電極との間のインピーダンスが、エッチ
ング基板上に比べ低くなり、露出した陰極表面部、それ
に対向した陽極の一部がエッチングされる。その結果、
エッチング量の均一性が悪化し、エッチング残りが発生
するといった問題があった。
は、エッチング基板のオリフラ部による露出した陰極電
極の一部と陽極電極との間のインピーダンスが、エッチ
ング基板上に比べ低くなり、露出した陰極表面部、それ
に対向した陽極の一部がエッチングされる。その結果、
エッチング量の均一性が悪化し、エッチング残りが発生
するといった問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この問題点を解決するた
めに本発明は、反応性イオンエッチングを行うに当た
り、半導体基板を設置する電極の形状を、半導体基板の
形状と同じく円形の一部をカットしたものにすることに
よって対向した電極の不均一な削れを防ぎ、半導体基板
をエッチングしようとするものである。
めに本発明は、反応性イオンエッチングを行うに当た
り、半導体基板を設置する電極の形状を、半導体基板の
形状と同じく円形の一部をカットしたものにすることに
よって対向した電極の不均一な削れを防ぎ、半導体基板
をエッチングしようとするものである。
【０００８】
【作用】この構成により、電極面上のプラズマ電位が均
一となり、半導体基板のエッチング量の均一性を向上で
きることになる。
一となり、半導体基板のエッチング量の均一性を向上で
きることになる。
【０００９】
【実施例】本発明について図面を参照しながら説明す
る。
る。
【００１０】図１は、本発明の一実施例によるプラズマ
エッチング装置の断面図である。図１において、１は陰
極、２は陽極であり陰極直径は１６０mmで、陰極と陽極
の間隔は６mmである。また、３は半導体基板、４は半導
体基板の位置を決めるための絶縁体のリングであり、５
は反応室、６はガス導入口、７はガス排気口、８および
９は冷却水パイプ、１０は高周波電源、１１は整合器で
ある。
エッチング装置の断面図である。図１において、１は陰
極、２は陽極であり陰極直径は１６０mmで、陰極と陽極
の間隔は６mmである。また、３は半導体基板、４は半導
体基板の位置を決めるための絶縁体のリングであり、５
は反応室、６はガス導入口、７はガス排気口、８および
９は冷却水パイプ、１０は高周波電源、１１は整合器で
ある。
【００１１】図２は、本発明の一実施例によるプラズマ
エッチング装置の陰極１の平面図である。陰極１は、半
導体基板４と同様に、円形の一部がカットされた形状で
ある。
エッチング装置の陰極１の平面図である。陰極１は、半
導体基板４と同様に、円形の一部がカットされた形状で
ある。
【００１２】本実施例の装置は一般にカソード・カップ
リングと呼ばれる方式であり陰極１上にエッチング用の
基板３をのせ、陰極１がキャパシタで構成される整合器
１１と周波数が１３．５６ＭHzの高周波電源１０を介し
て接地されている。また反応室５は立方体形状をしてお
りその底面に陰極１を陰極１と対向した上面に陽極２が
設置されている。陽極２は陰極１とは電気的に絶縁され
ている。
リングと呼ばれる方式であり陰極１上にエッチング用の
基板３をのせ、陰極１がキャパシタで構成される整合器
１１と周波数が１３．５６ＭHzの高周波電源１０を介し
て接地されている。また反応室５は立方体形状をしてお
りその底面に陰極１を陰極１と対向した上面に陽極２が
設置されている。陽極２は陰極１とは電気的に絶縁され
ている。
【００１３】本実施例の陰極１、反応室５はアルミニウ
ム合金で、陽極２は、炭化ケイ素でつくられており、エ
ッチングを行う時に生成するプラズマが数ｅＶ〜数十ｅ
Ｖのエネルギーを持つため陰極１と陽極２の表面で直接
接触した部分の温度が上昇する。エッチングはガスを高
エネルギー状態のプラズマにしてそのエネルギーによっ
て基板表面に物理的反応や化学的反応をもたらし基板表
面を加工するため、基板表面の温度が上昇すると各々の
反応速度を加速するためエッチング時間によって制御で
きなくなる。このため本実施例の装置では陰極１内に冷
却水を循環し陰極１を常に一定温度にできるようになっ
ている。同様の理由から陽極２内においても冷却水を循
環させ安定性の高いエッチングができるように工夫して
ある。ここでは冷却水パイプ８，９を陰極１および陽極
２内の一部に循環するようになっているが陰極１及び陽
極２内の全面に循環させることがより効果的であり、こ
のためスパイラル状のパイプを用いたりすることもでき
る。
ム合金で、陽極２は、炭化ケイ素でつくられており、エ
ッチングを行う時に生成するプラズマが数ｅＶ〜数十ｅ
Ｖのエネルギーを持つため陰極１と陽極２の表面で直接
接触した部分の温度が上昇する。エッチングはガスを高
エネルギー状態のプラズマにしてそのエネルギーによっ
て基板表面に物理的反応や化学的反応をもたらし基板表
面を加工するため、基板表面の温度が上昇すると各々の
反応速度を加速するためエッチング時間によって制御で
きなくなる。このため本実施例の装置では陰極１内に冷
却水を循環し陰極１を常に一定温度にできるようになっ
ている。同様の理由から陽極２内においても冷却水を循
環させ安定性の高いエッチングができるように工夫して
ある。ここでは冷却水パイプ８，９を陰極１および陽極
２内の一部に循環するようになっているが陰極１及び陽
極２内の全面に循環させることがより効果的であり、こ
のためスパイラル状のパイプを用いたりすることもでき
る。
【００１４】ガスの導入口６は反応室５の側壁に設けら
れており、ガス導入口６から導入された反応性ガスは陰
極１と陽極２の間に印加された高周波電圧で放電し、反
応性ガスが解離して活性粒子や荷電粒子を生成する。各
粒子はこののち基板３と反応して基板３の加工に寄与す
るが、反応によって得られた生成物の一部や反応に寄与
しない反応性ガスの残ガスがガス排気口７を通ってポン
プ（図示せず）に排出される。このようにして反応室５
内のガス圧力は一定に保たれエッチングが行われる。ガ
ス圧力はエッチングの速度やエッチングの均一性に強く
関係している。このためガス導入口６は陰極１や陽極２
を取り囲む円形状にして、その円の所定位置から均一に
反応ガスが導入されるようになっている場合もある。
れており、ガス導入口６から導入された反応性ガスは陰
極１と陽極２の間に印加された高周波電圧で放電し、反
応性ガスが解離して活性粒子や荷電粒子を生成する。各
粒子はこののち基板３と反応して基板３の加工に寄与す
るが、反応によって得られた生成物の一部や反応に寄与
しない反応性ガスの残ガスがガス排気口７を通ってポン
プ（図示せず）に排出される。このようにして反応室５
内のガス圧力は一定に保たれエッチングが行われる。ガ
ス圧力はエッチングの速度やエッチングの均一性に強く
関係している。このためガス導入口６は陰極１や陽極２
を取り囲む円形状にして、その円の所定位置から均一に
反応ガスが導入されるようになっている場合もある。
【００１５】また、この装置は１回のエッチングで１枚
の基板を処理する枚様式エッチング装置である。
の基板を処理する枚様式エッチング装置である。
【００１６】このエッチング装置で生成されるプラズマ
でエッチングを行う場合について述べる。
でエッチングを行う場合について述べる。
【００１７】図３に陰極１と陽極２の間に生成されるプ
ラズマの電圧分布を示す。横軸に陰極１表面を原点とし
陰極１から陽極２方向の距離を示し、縦軸に電圧を示し
ている。またこの分布は３つの領域に分けることができ
領域２０は陰極１に接した状態で生じるシースと呼ばれ
る領域、領域２１はプラズマ本体で、領域２２は陽極２
直下に生じたシースである。電極間の狭い状態では、領
域２１が非常に狭くなり、電極間でのシース領域の割合
が大きくなる。
ラズマの電圧分布を示す。横軸に陰極１表面を原点とし
陰極１から陽極２方向の距離を示し、縦軸に電圧を示し
ている。またこの分布は３つの領域に分けることができ
領域２０は陰極１に接した状態で生じるシースと呼ばれ
る領域、領域２１はプラズマ本体で、領域２２は陽極２
直下に生じたシースである。電極間の狭い状態では、領
域２１が非常に狭くなり、電極間でのシース領域の割合
が大きくなる。
【００１８】エッチングは基板３がシースと接して行わ
れるもので、領域２１のプラズマ本体で電荷を帯びない
活性粒子や、イオン等の荷電粒子が生成され、電荷を帯
びない活性粒子は拡散によって基板３に到達し、また、
荷電粒子はシースによって加速され基板３に到達するこ
とによって基板３がエッチングされる。電極間が狭い状
態では、電極間でのシース領域の割合が非常に大きいた
め、荷電粒子は、基板３に到達すると共に陽極側へも多
く到達する。
れるもので、領域２１のプラズマ本体で電荷を帯びない
活性粒子や、イオン等の荷電粒子が生成され、電荷を帯
びない活性粒子は拡散によって基板３に到達し、また、
荷電粒子はシースによって加速され基板３に到達するこ
とによって基板３がエッチングされる。電極間が狭い状
態では、電極間でのシース領域の割合が非常に大きいた
め、荷電粒子は、基板３に到達すると共に陽極側へも多
く到達する。
【００１９】電荷を帯びない活性粒子によるエッチング
では等方性のエッチングが支配的となるのに対して、荷
電粒子はシースによって加速され基板３に到達するため
異方の強いエッチングがなされる。
では等方性のエッチングが支配的となるのに対して、荷
電粒子はシースによって加速され基板３に到達するため
異方の強いエッチングがなされる。
【００２０】このような狭い電極間でのＲＩＥを用いた
異方性の強いエッチングは素子が高密度化されて所定の
位置に精度よくパターンを形成するためや、エッチング
の高速化には欠かすことのできない技術である。しか
し、狭い電極間でのエッチングでは、荷電粒子の進入が
陽極側でも多くなるため陽極表面がエッチングされる。
陽極の均一な削れはエッチングには問題ないが、不均一
な削れは、エッチング基板のエッチング量の均一性を損
うことになる。
異方性の強いエッチングは素子が高密度化されて所定の
位置に精度よくパターンを形成するためや、エッチング
の高速化には欠かすことのできない技術である。しか
し、狭い電極間でのエッチングでは、荷電粒子の進入が
陽極側でも多くなるため陽極表面がエッチングされる。
陽極の均一な削れはエッチングには問題ないが、不均一
な削れは、エッチング基板のエッチング量の均一性を損
うことになる。
【００２１】陽極の不均一な削れは、一般に、エッチン
グ基板のカットされたオリフラ部によるプラズマ中に露
出した陰極表面部が、エッチング基板上に比べ、陽極間
のインピーダンスが低下することによる。そのため、陰
極形状をエッチング基板形状と同じくし、プラズマ中の
陰極表面の露出を防いだ。
グ基板のカットされたオリフラ部によるプラズマ中に露
出した陰極表面部が、エッチング基板上に比べ、陽極間
のインピーダンスが低下することによる。そのため、陰
極形状をエッチング基板形状と同じくし、プラズマ中の
陰極表面の露出を防いだ。
【００２２】このエッチング装置で全面酸化膜のエッチ
ングを行う場合について述べる。反応性ガスとしてＣＨ
Ｆ3＝２０sccm、Ｏ2＝３sccm、Ｈｅ＝８０sccm、圧力＝
２４０〜３００Ｐａ、高周波電力＝３５０Ｗの条件で全
面酸化膜のエッチングを行う。ここでは反応性ガスとし
てＣＨＦ3を用いたが、Ｃ2Ｆ6，ＣＦ4等でもよい。ま
た、反応性ガスＣＨＦ3の流量は２０sccmを用いたが、
反応室の体積によって異なるが、通常１０〜６０sccmの
範囲で使用される。さらに高周波電力は、３５０Ｗを用
いたが、高周波電力はエッチング時間とエッチングの面
内均一性に影響するが、本実施例の装置では２５０Ｗ〜
５００Ｗの範囲であれば良好な結果が得ることができ
た。
ングを行う場合について述べる。反応性ガスとしてＣＨ
Ｆ3＝２０sccm、Ｏ2＝３sccm、Ｈｅ＝８０sccm、圧力＝
２４０〜３００Ｐａ、高周波電力＝３５０Ｗの条件で全
面酸化膜のエッチングを行う。ここでは反応性ガスとし
てＣＨＦ3を用いたが、Ｃ2Ｆ6，ＣＦ4等でもよい。ま
た、反応性ガスＣＨＦ3の流量は２０sccmを用いたが、
反応室の体積によって異なるが、通常１０〜６０sccmの
範囲で使用される。さらに高周波電力は、３５０Ｗを用
いたが、高周波電力はエッチング時間とエッチングの面
内均一性に影響するが、本実施例の装置では２５０Ｗ〜
５００Ｗの範囲であれば良好な結果が得ることができ
た。
【００２３】上記条件で、陰極を従来の円形状の電極を
用いた場合、数十枚のエッチングでエッチング量の均一
性が低下し、エッチング残りが発生していたが、陰極を
エッチング基板と同様な形状にした電極では、処理枚数
に関わらずエッチング量の均一性の低下は見られなかっ
た。
用いた場合、数十枚のエッチングでエッチング量の均一
性が低下し、エッチング残りが発生していたが、陰極を
エッチング基板と同様な形状にした電極では、処理枚数
に関わらずエッチング量の均一性の低下は見られなかっ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、エッチン
グによる不均一な電極の削れを均一にでき、その結果、
エッチング基板のエッチング量の均一性の低下や、エッ
チング残りを無くすることができるという効果が得られ
る。
グによる不均一な電極の削れを均一にでき、その結果、
エッチング基板のエッチング量の均一性の低下や、エッ
チング残りを無くすることができるという効果が得られ
る。
【図１】本発明の一実施例のプラズマエッチング装置の
断面図
断面図
【図２】陰極電極の平面図
【図３】プラズマの電圧分布を示す図
１ 陰極 ２ 陽極 ３ 半導体基板 ４ 絶縁体のリング ５ 反応室 ６ ガス導入口 ７ ガス排気口 ８ 冷却水パイプ ９ 冷却水パイプ １０ 高周波電源 １１ 整合器
Claims (1)
- 【請求項１】反応ガスを導入して互いに対向配置された
電極間にプラズマ放電を生起し、前記電極上で半導体基
板のプラズマエッチングを行う枚様式のプラズマエッチ
ング装置において、半導体基板を設置する電極の形状が
半導体基板の形状と同じであることを特徴するプラズマ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037499A JPH05234951A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037499A JPH05234951A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234951A true JPH05234951A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12499221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037499A Pending JPH05234951A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976309A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-02 | Lsi Logic Corporation | Electrode assembly for plasma reactor |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4037499A patent/JPH05234951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976309A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-02 | Lsi Logic Corporation | Electrode assembly for plasma reactor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040929 |
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| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060913 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070605 |
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Effective date: 20070618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
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