JPS5943880A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5943880A JPS5943880A JP15431282A JP15431282A JPS5943880A JP S5943880 A JPS5943880 A JP S5943880A JP 15431282 A JP15431282 A JP 15431282A JP 15431282 A JP15431282 A JP 15431282A JP S5943880 A JPS5943880 A JP S5943880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gas
- vacuum
- dry etching
- substrate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えばシリコンウェハ上に形成されk 被H
のパターン加工等を行なうだめのプラズマ放電を利用し
た一枚処理のドライエツチング装置に関するものである
。
のパターン加工等を行なうだめのプラズマ放電を利用し
た一枚処理のドライエツチング装置に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体集積回路の高集積化・高性能化が進むにつ
れ、微細加工に対する要求が増大してきた。とりわけド
ライエツチング装置は、従来のウェットエツチングでは
アンダーカットが大きく高精度な微細パターン形成に限
界があることがら、微細パターン形成の主流になってき
ている。またウェハ径も大口径化の傾向をたどシ、一枚
処理による、エツチングの均一性、再現性の高いドライ
エツチング装置が望まれている。
れ、微細加工に対する要求が増大してきた。とりわけド
ライエツチング装置は、従来のウェットエツチングでは
アンダーカットが大きく高精度な微細パターン形成に限
界があることがら、微細パターン形成の主流になってき
ている。またウェハ径も大口径化の傾向をたどシ、一枚
処理による、エツチングの均一性、再現性の高いドライ
エツチング装置が望まれている。
以下図面を参照しながら、上述した従来のドライエツチ
ング装置について説明を行なう。第1図は、従来の一枚
処理ができるドライエ1.チング装置の構成を示すもの
である。第1図において、1は内部を真空に保ち、プラ
ズマ反応を起こすだめの真空容器で、2,3は一対の平
行電極を形成しており2は真空容器内で接地されている
対向電極、3は真空容器内で、図示しない絶縁物で支持
されるとともに被エツチング物を載置し、高周波電力を
印加する基板?b;極、4は被エツチング物である例え
ば半導体用のシリコンウェハ、5は真空容器の下方に設
けられ、図示しない真空ポンプ等の真空何気手段に接続
される真空抽気孔、7d、必°用に応じガス流量の調節
を行なうコントロールバルブ、8は処理ガスを供給する
ガス容器である。9はプラズマ放電を行なわすだめの高
周波電源である。
ング装置について説明を行なう。第1図は、従来の一枚
処理ができるドライエ1.チング装置の構成を示すもの
である。第1図において、1は内部を真空に保ち、プラ
ズマ反応を起こすだめの真空容器で、2,3は一対の平
行電極を形成しており2は真空容器内で接地されている
対向電極、3は真空容器内で、図示しない絶縁物で支持
されるとともに被エツチング物を載置し、高周波電力を
印加する基板?b;極、4は被エツチング物である例え
ば半導体用のシリコンウェハ、5は真空容器の下方に設
けられ、図示しない真空ポンプ等の真空何気手段に接続
される真空抽気孔、7d、必°用に応じガス流量の調節
を行なうコントロールバルブ、8は処理ガスを供給する
ガス容器である。9はプラズマ放電を行なわすだめの高
周波電源である。
以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作について説明する。まずウェハ4を基板
電極3上に載置し、真空容器1内の気体を真空排気孔5
より排気し、その後真空排気を続けながら処理ガスを、
ガス導入孔6より真空容器1内に導き、グロー放電によ
るプラズマ発生圧力内で所定の圧力に保ち、ターゲット
電極3に高周波電力を印加し、プラズマを発生させ、ウ
ェハ4表面の除去すべき膜と反応させる。反応生成物は
ガス化し排気孔5より排気される。
、以下その動作について説明する。まずウェハ4を基板
電極3上に載置し、真空容器1内の気体を真空排気孔5
より排気し、その後真空排気を続けながら処理ガスを、
ガス導入孔6より真空容器1内に導き、グロー放電によ
るプラズマ発生圧力内で所定の圧力に保ち、ターゲット
電極3に高周波電力を印加し、プラズマを発生させ、ウ
ェハ4表面の除去すべき膜と反応させる。反応生成物は
ガス化し排気孔5より排気される。
しかしながら上記のような構成では、ガス導入孔付近で
のエツチングの進行が速くなり、不均一なガス流れ如起
因するエツチング速度のバラツキを生じ、均一性、再現
性の良い微細パターンが得られないという欠点を有して
いた。雪だプラズマ反応による反応生成物は、基板電極
の裏面を通り排気されるだめ、基板電極の裏面に反応生
成物が付着し、真空引き途中での放出ガスの原因となり
、真空容器の到達真空度を低下させたりエツチングの再
現性を悪くする原因と々っていた。′=1だ定期的に行
なわれる反応生成物の除去作業にも、手間がかかるため
生産性を低下させる大き々要因となっており、量産装置
としては使いにぐいという欠点があった。さらに近年、
ウェハ径の大口径化とエツチングパターンの微細化にと
もない、さらにエツチングの均一性、再現性を高められ
るドライエツチング装置が望まれていた。
のエツチングの進行が速くなり、不均一なガス流れ如起
因するエツチング速度のバラツキを生じ、均一性、再現
性の良い微細パターンが得られないという欠点を有して
いた。雪だプラズマ反応による反応生成物は、基板電極
の裏面を通り排気されるだめ、基板電極の裏面に反応生
成物が付着し、真空引き途中での放出ガスの原因となり
、真空容器の到達真空度を低下させたりエツチングの再
現性を悪くする原因と々っていた。′=1だ定期的に行
なわれる反応生成物の除去作業にも、手間がかかるため
生産性を低下させる大き々要因となっており、量産装置
としては使いにぐいという欠点があった。さらに近年、
ウェハ径の大口径化とエツチングパターンの微細化にと
もない、さらにエツチングの均一性、再現性を高められ
るドライエツチング装置が望まれていた。
発明の目的
本発明は、上記欠点に鑑み真空容器内での被加工物に対
するガス流れの均一化をはかり、大口径化するウェハに
対してもエツチングの均一1で1−1再現性が良く、か
つ、装置の保守性を改善した一枚処理用のドライエツチ
ング装置を掃供するものである。
するガス流れの均一化をはかり、大口径化するウェハに
対してもエツチングの均一1で1−1再現性が良く、か
つ、装置の保守性を改善した一枚処理用のドライエツチ
ング装置を掃供するものである。
発明の構成
本発明は、対向電極に中空部と小孔もしくに1細孔から
なるガス吹出血をもち、真空排気孔を一対の対向する平
行電極と同心に設けることにより、プラズマ反応中の電
界分布に依存するイオン反応と、処理ガス流れに依存す
るラジカル反応のどちらにおいても、被エツチング物に
対し均一に作用させることができるだめ、エツチングの
均一性、再現性を向上することができる。さらに真空排
気孔を対向電極の上方に取りつけることにより、反応生
成物が被エツチング物を載置した基板電極部に再伺着す
ることが減少でき、メンテナンス時間も大幅に短縮する
ことができる。また対向電極の外周部にそって円筒形の
ガイドを設けることにより、最適な放電条件を得るため
に電極間距離を移動しても、ガス流れを一定にすること
ができ、良好なエツチングの均一性、再現性が得られる
という特有の効果を有する。
なるガス吹出血をもち、真空排気孔を一対の対向する平
行電極と同心に設けることにより、プラズマ反応中の電
界分布に依存するイオン反応と、処理ガス流れに依存す
るラジカル反応のどちらにおいても、被エツチング物に
対し均一に作用させることができるだめ、エツチングの
均一性、再現性を向上することができる。さらに真空排
気孔を対向電極の上方に取りつけることにより、反応生
成物が被エツチング物を載置した基板電極部に再伺着す
ることが減少でき、メンテナンス時間も大幅に短縮する
ことができる。また対向電極の外周部にそって円筒形の
ガイドを設けることにより、最適な放電条件を得るため
に電極間距離を移動しても、ガス流れを一定にすること
ができ、良好なエツチングの均一性、再現性が得られる
という特有の効果を有する。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第2図は、本発明の第1の実施例におけるドラ
イエツチング装置の構成を示すものである。第2図にお
いて、1oは内部を真空に保ち、プラズマ反応を起こす
だめの真空容器で、11は真空容器内で図示しない電気
的絶縁物で支持されるとともに、被エツチング物を載置
し、高周波電力を印加する基板電極、12は被エツチン
グ物であるウェハ、13は必要に応じガス流量の調節を
行なうコントロールバルブ、14は処理ガスを供給する
ガス容器で、コントロールバルブ13とともに必要なガ
スの種類に応じた数だけ設けられる。15はプラズマ放
電を起こすだめの高周波電源である。16は真空容器1
o内にあって接地されている対向電極であり、ガスを拡
11(させるための中空部16aと基板電極に対向する
面に複数のノJ・孔もしくは細孔からなるガス吹1J」
7IIT16bをもち、中空部16aで拡散され/ヒガ
スを均〜に吹出ず。吹出面16bは実施例では100μ
mメツシュのそテンレス製多孔質板を用いたが、複数個
の小孔を加工したものでもよい。17は基板電極。
明する。第2図は、本発明の第1の実施例におけるドラ
イエツチング装置の構成を示すものである。第2図にお
いて、1oは内部を真空に保ち、プラズマ反応を起こす
だめの真空容器で、11は真空容器内で図示しない電気
的絶縁物で支持されるとともに、被エツチング物を載置
し、高周波電力を印加する基板電極、12は被エツチン
グ物であるウェハ、13は必要に応じガス流量の調節を
行なうコントロールバルブ、14は処理ガスを供給する
ガス容器で、コントロールバルブ13とともに必要なガ
スの種類に応じた数だけ設けられる。15はプラズマ放
電を起こすだめの高周波電源である。16は真空容器1
o内にあって接地されている対向電極であり、ガスを拡
11(させるための中空部16aと基板電極に対向する
面に複数のノJ・孔もしくは細孔からなるガス吹1J」
7IIT16bをもち、中空部16aで拡散され/ヒガ
スを均〜に吹出ず。吹出面16bは実施例では100μ
mメツシュのそテンレス製多孔質板を用いたが、複数個
の小孔を加工したものでもよい。17は基板電極。
対向電極と同心でかつ、基板電極の下方に設けられた真
空排気孔である。以上のように構成され/こドライエツ
チング装置r(ついて、以−ドその動作について説明す
る。まずウェハ12を基板電極11上に載置し、真空排
気孔17より真空容器内の気体を排気し、その後、真空
排気を続け、なから、処理ガスを対向電極の吹出面16
bに設けた複数の細孔により均一に吹きだし、ウェハ面
上に均一なガス流れを生じさせるとともに、プラズマ発
化圧力内で所定の圧力に保ち、基板電極11に高周波電
力を印加し、プラズマを発生させてウェハ土の除去すべ
き膜と反応させる。反応生成物は、例えば四塩化炭素な
どの塩素系ガスのプラズマ反応によれば、アルミニウム
膜の除去の場合AlCl3のような生成物を生じるが、
真空中では容易に気化し、ガス流れにのって真空排気孔
」:り刊気される。
空排気孔である。以上のように構成され/こドライエツ
チング装置r(ついて、以−ドその動作について説明す
る。まずウェハ12を基板電極11上に載置し、真空排
気孔17より真空容器内の気体を排気し、その後、真空
排気を続け、なから、処理ガスを対向電極の吹出面16
bに設けた複数の細孔により均一に吹きだし、ウェハ面
上に均一なガス流れを生じさせるとともに、プラズマ発
化圧力内で所定の圧力に保ち、基板電極11に高周波電
力を印加し、プラズマを発生させてウェハ土の除去すべ
き膜と反応させる。反応生成物は、例えば四塩化炭素な
どの塩素系ガスのプラズマ反応によれば、アルミニウム
膜の除去の場合AlCl3のような生成物を生じるが、
真空中では容易に気化し、ガス流れにのって真空排気孔
」:り刊気される。
以上のように本実施例によれは、対向電極と基板電極と
排気孔とを、同心に設けることに」:す、対向電極から
吹出されたガスは、基板電極上に均一に流れ、かつ、基
板電極の外周から4J+気されることにより、プラズマ
反応中の処理ガスの流れ、および排ガス流れを均一にで
きるため、基板電極上に載置されたウェハーのエツチン
グの均一性、再現性の良い微細パターン加工が可能とな
った。
排気孔とを、同心に設けることに」:す、対向電極から
吹出されたガスは、基板電極上に均一に流れ、かつ、基
板電極の外周から4J+気されることにより、プラズマ
反応中の処理ガスの流れ、および排ガス流れを均一にで
きるため、基板電極上に載置されたウェハーのエツチン
グの均一性、再現性の良い微細パターン加工が可能とな
った。
第3図には、本実施例に示すドライエ、ンチング装置で
のエツチングの均一性を表わしたもので、従来の装置に
比べ大幅な向上が認められた。
のエツチングの均一性を表わしたもので、従来の装置に
比べ大幅な向上が認められた。
以下本発明の第2の実施例について、図面を参照し々か
ら説明する。第4図は本発明の第2の実施例を示すドラ
イエツチング装置の構成図である。
ら説明する。第4図は本発明の第2の実施例を示すドラ
イエツチング装置の構成図である。
同図において、第2図と同じ番号を伺したものは同一じ
ものを表わしている。第2図の構成と異なるのは真空排
気孔18を、一対の対向する平行電極と同心で、かつ、
対向電極16の上方に設けた点と、真空拶を気孔18を
上方に設けたことにより、基板電極11と真空容器10
との間にあったJJ+気のため空間をなくし、電気的絶
縁体10a Kより密閉した点である。上記のように構
成されたドライエツチング装置について、以下その動作
を説明する。対向電極16から処理ガスを流しプラズマ
を発生させ、プラズマ反応によりウェハ面上の除去すべ
き膜と反応させることは第1の実施例と同一であるが、
真空用気孔18を対向電極16の下方に設けるととて、
気化した反応生成物を真空容器上方より排気することが
できる。
ものを表わしている。第2図の構成と異なるのは真空排
気孔18を、一対の対向する平行電極と同心で、かつ、
対向電極16の上方に設けた点と、真空拶を気孔18を
上方に設けたことにより、基板電極11と真空容器10
との間にあったJJ+気のため空間をなくし、電気的絶
縁体10a Kより密閉した点である。上記のように構
成されたドライエツチング装置について、以下その動作
を説明する。対向電極16から処理ガスを流しプラズマ
を発生させ、プラズマ反応によりウェハ面上の除去すべ
き膜と反応させることは第1の実施例と同一であるが、
真空用気孔18を対向電極16の下方に設けるととて、
気化した反応生成物を真空容器上方より排気することが
できる。
以上のように真空排気孔を対向電極の上方Cζ設けたこ
とにより、ウェハを載置し高周波電力を印加する基板電
極部と真空容器壁面との間にJ:Ilガスの通路となる
空間を設ける必要がなくなり、基板電極部の構造を簡素
化できるとともに反応生成物を含む排ガスを下方に排気
することによりウエノ1を載置した基板電極部付近への
反応生成物の付着を減少でき、定期的に行なわれる真空
容器内面に付着した反応生成物の除去作業も、高周波電
源の配線や、電気的絶縁体による支持物が設けられてい
た基板電極と真空容器との狭い空間をなくしたことによ
り、容易になり、メンテナンス時間が大幅に短縮され、
量産装置に適する構造とすることができた。第5図は本
発明の第2の実施例Vこおけるエツチングの均一性を示
しだもので、電極間距離の近いところで、第1の実施例
と同等の効果が認められた。
とにより、ウェハを載置し高周波電力を印加する基板電
極部と真空容器壁面との間にJ:Ilガスの通路となる
空間を設ける必要がなくなり、基板電極部の構造を簡素
化できるとともに反応生成物を含む排ガスを下方に排気
することによりウエノ1を載置した基板電極部付近への
反応生成物の付着を減少でき、定期的に行なわれる真空
容器内面に付着した反応生成物の除去作業も、高周波電
源の配線や、電気的絶縁体による支持物が設けられてい
た基板電極と真空容器との狭い空間をなくしたことによ
り、容易になり、メンテナンス時間が大幅に短縮され、
量産装置に適する構造とすることができた。第5図は本
発明の第2の実施例Vこおけるエツチングの均一性を示
しだもので、電極間距離の近いところで、第1の実施例
と同等の効果が認められた。
以下本発明の第3の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。第6図は本発明の第3の実施例を示すドラ
イエツチング装置の構成図である。
ら説明する。第6図は本発明の第3の実施例を示すドラ
イエツチング装置の構成図である。
同図において、第4図と同じ番号を付したものは同じも
のを表わしている。第4図の構成と異なるものは円筒状
のガイド2oを、対向電極16の外周部にそって設け、
開口部を基板電極列周部付近まで延ばした点である。ガ
イド2oは基板電極との放電を防止するため、電気的に
絶縁されている構造、もしくは電気的絶縁体から構成さ
れている。
のを表わしている。第4図の構成と異なるものは円筒状
のガイド2oを、対向電極16の外周部にそって設け、
開口部を基板電極列周部付近まで延ばした点である。ガ
イド2oは基板電極との放電を防止するため、電気的に
絶縁されている構造、もしくは電気的絶縁体から構成さ
れている。
上記のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作について説明する。プシズマ反応により
ウェハ上の除去すべき膜が気化するまでは、第2の実施
例と同様であるが、反応生成物を含む排ガスの流れは、
第1の実施例と同様に基板電極11の全周から排気され
る。以上のように対向電極の外周部にそって、円筒状の
ガイドを設けたことにより、最適な放電条件を得るため
に電極間距離を移動しても、排ガスの流れを一定にする
ことができ、本発明の第1の実施例の特徴である均一性
の良さと、第2の実施例の特徴であるメンテナンスの容
易さの両特性を兼ね備えだドライエツチング装置とする
ことができた。第7図は、本発明第3実施例におけるエ
ツチングの均一性を示したもので電極間距離を変えても
エツチングの均一性は、良好であった。
、以下その動作について説明する。プシズマ反応により
ウェハ上の除去すべき膜が気化するまでは、第2の実施
例と同様であるが、反応生成物を含む排ガスの流れは、
第1の実施例と同様に基板電極11の全周から排気され
る。以上のように対向電極の外周部にそって、円筒状の
ガイドを設けたことにより、最適な放電条件を得るため
に電極間距離を移動しても、排ガスの流れを一定にする
ことができ、本発明の第1の実施例の特徴である均一性
の良さと、第2の実施例の特徴であるメンテナンスの容
易さの両特性を兼ね備えだドライエツチング装置とする
ことができた。第7図は、本発明第3実施例におけるエ
ツチングの均一性を示したもので電極間距離を変えても
エツチングの均一性は、良好であった。
なお、実施例ではウェハの加工について述べたが半導体
ウェハの加工に限定されるものでなく、広い加工対象に
適用できる。又大口径のウェハに対しては一枚処理で均
一性、再現性の良い加工が得られるが小径のウェハを複
数枚加工することも本発明に含まれる1゜ また、高周波電源15は基板電極に接続したが、ガス吹
出面をもつ対向電極に接続し、ウエノ1を載置する基板
電極を接地してもよいことは言う1でもない。
ウェハの加工に限定されるものでなく、広い加工対象に
適用できる。又大口径のウェハに対しては一枚処理で均
一性、再現性の良い加工が得られるが小径のウェハを複
数枚加工することも本発明に含まれる1゜ また、高周波電源15は基板電極に接続したが、ガス吹
出面をもつ対向電極に接続し、ウエノ1を載置する基板
電極を接地してもよいことは言う1でもない。
発明の効果
以上のように本発明は対向電極に中空部と小孔もしくは
細孔からなるガス吹出面をもち、真空排気孔を一対の対
向する平行電極と同心に設けることにより、プラズマ反
応中の電界分布に依存するイオン反応と、処理ガス流れ
に依存するラジカル反応のどちらにおいても、ウエノ1
面上において均一にすることができるため、工・ンチン
グの均一性、再現性を向上することができ、さらに真空
排気孔を対向電極の上方に取シつけ、上方から反応生成
物を含む処理ガスを排気することにより、ウエノ・を載
置し高周波電力を印加する基板電極部と、真空容器壁面
との間に、反応生成物を含む排ガスの通路となる空間を
設ける必要がなくなり、基板電極部の構造を簡素化でき
たため、基板′ilJ、極部への反応生成物の付着を減
少でき、定期的に7行なわれる真空容器内に付着した反
応生成物の除去作業も容易になり、メンテナンス時間を
大幅に知縮することが可能となり、高密度、高集積化が
進む)16導体ウェハの微細パターン形成を行なう一枚
処理のドライエツチング装置として、その実用的効果は
大なるものがある。
細孔からなるガス吹出面をもち、真空排気孔を一対の対
向する平行電極と同心に設けることにより、プラズマ反
応中の電界分布に依存するイオン反応と、処理ガス流れ
に依存するラジカル反応のどちらにおいても、ウエノ1
面上において均一にすることができるため、工・ンチン
グの均一性、再現性を向上することができ、さらに真空
排気孔を対向電極の上方に取シつけ、上方から反応生成
物を含む処理ガスを排気することにより、ウエノ・を載
置し高周波電力を印加する基板電極部と、真空容器壁面
との間に、反応生成物を含む排ガスの通路となる空間を
設ける必要がなくなり、基板電極部の構造を簡素化でき
たため、基板′ilJ、極部への反応生成物の付着を減
少でき、定期的に7行なわれる真空容器内に付着した反
応生成物の除去作業も容易になり、メンテナンス時間を
大幅に知縮することが可能となり、高密度、高集積化が
進む)16導体ウェハの微細パターン形成を行なう一枚
処理のドライエツチング装置として、その実用的効果は
大なるものがある。
第1図は従来の一枚処理のドライエツチング装置の概略
図、第2図は本発明の第1の実施例におけるドライエツ
チング装置の概略図、第3図は第2図のドライエツチン
グ装置によるエツチングの均一性を示す特性図、第4図
は本発明の第2の実施例におけるドライエツチング装置
の概略図、第5図は第4図のドライエツチング装置によ
るエツチングの均一性を示す特性図、第6図は本発明の
第3の実施例におけるドライエツチング装置の概略図、
第7図は第6図のドライエツチング装置によるエツチン
グの均・−性を示す特性図である。
図、第2図は本発明の第1の実施例におけるドライエツ
チング装置の概略図、第3図は第2図のドライエツチン
グ装置によるエツチングの均一性を示す特性図、第4図
は本発明の第2の実施例におけるドライエツチング装置
の概略図、第5図は第4図のドライエツチング装置によ
るエツチングの均一性を示す特性図、第6図は本発明の
第3の実施例におけるドライエツチング装置の概略図、
第7図は第6図のドライエツチング装置によるエツチン
グの均・−性を示す特性図である。
Claims (3)
- (1)真空容器と、この真空容器に連接された真空排気
手段と、処理ガス供給手段と、前記真空容器内にあって
、被エツチング物を載置する基板電極と、前記基板電極
と平行に対向する対向電極と、真空容器内の前記電極の
いずれか一方に電気的に接続された高周波電源からなシ
、前記対向電極は、中空部と基板電極r(対向する面に
複数の小孔もしくは細孔からなるガス吹出面を有し、前
記真空容器の壁面にある排気孔と同心に構成されたドラ
イエツチング装置。 - (2)前記排気孔は、真空容器の上方壁面に設けられた
特許請求の範囲第1項記載のドライエツチング装置。 - (3)前記対向電極の外周部にそって、円筒状のガイド
を設けた特許請求の範囲第1項t、には第2項記載のド
ライエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15431282A JPS5943880A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15431282A JPS5943880A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5943880A true JPS5943880A (ja) | 1984-03-12 |
JPS6234834B2 JPS6234834B2 (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=15581360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15431282A Granted JPS5943880A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5943880A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174721A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Toshiba Corp | 平行平板形ドライエツチング装置 |
JPS6240829U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-11 | ||
JPS62128122A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Canon Inc | ドライエツチング装置 |
JPH01238019A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JPH0822982A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-01-23 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置のエッチング条件設定方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15431282A patent/JPS5943880A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174721A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Toshiba Corp | 平行平板形ドライエツチング装置 |
JPH0455326B2 (ja) * | 1985-01-30 | 1992-09-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS6240829U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-11 | ||
JPH051072Y2 (ja) * | 1985-08-29 | 1993-01-12 | ||
JPS62128122A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Canon Inc | ドライエツチング装置 |
JPH01238019A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JPH0822982A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-01-23 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置のエッチング条件設定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6234834B2 (ja) | 1987-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2748886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3317209B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4565743B2 (ja) | 半導体処理室用電極及びその製造方法 | |
JPH06163467A (ja) | エッチング装置 | |
JPH08107101A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JPH11283940A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPS5943880A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JPH1074738A (ja) | ウェーハ処理装置 | |
JP2005122939A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPS62273731A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4336680B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP3940467B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置及び方法 | |
JP3164188B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS60250631A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
JPS62290885A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
JPS62218577A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
JPH05326453A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP2001284256A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2500765B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS58124223A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS5822381A (ja) | プラズマエツチング方法およびそのための装置 | |
JPS6060726A (ja) | 処理装置 | |
JPS5913328A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JP2007273750A (ja) | プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法 |