JPS60250631A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60250631A JPS60250631A JP10475684A JP10475684A JPS60250631A JP S60250631 A JPS60250631 A JP S60250631A JP 10475684 A JP10475684 A JP 10475684A JP 10475684 A JP10475684 A JP 10475684A JP S60250631 A JPS60250631 A JP S60250631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- hexode
- plasma etching
- jar
- bell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造に用いるプラズマエツチ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
従来、この種のプラズマエツチング装置は、プラズマ発
生用のオートチューニング装置を介して高周波電源に接
続されたヘキソード電極の垂直壁面に半導体基板が取シ
つけられる。そして、ヘキソード電極の垂直壁面に平行
に上下方向に配置したガス導入管から反応ガスを吹きつ
ける。このようにして、高周波電力を印加したプラズマ
反応°によシ、あるｉｅターンを有した半導体基板のエ
ツチングを行う。ところが、従来の装置は、半導体装置
のｉ４ターンをエツチングする工程において、ガス導入
管からの反応ガスの吹き出しが不均一であるためエツチ
ングの均一性が失なわれ、半導体装置の特性を劣下させ
るという欠点がある。
生用のオートチューニング装置を介して高周波電源に接
続されたヘキソード電極の垂直壁面に半導体基板が取シ
つけられる。そして、ヘキソード電極の垂直壁面に平行
に上下方向に配置したガス導入管から反応ガスを吹きつ
ける。このようにして、高周波電力を印加したプラズマ
反応°によシ、あるｉｅターンを有した半導体基板のエ
ツチングを行う。ところが、従来の装置は、半導体装置
のｉ４ターンをエツチングする工程において、ガス導入
管からの反応ガスの吹き出しが不均一であるためエツチ
ングの均一性が失なわれ、半導体装置の特性を劣下させ
るという欠点がある。
この発明の目的は、ｆラズマ反応によシエノチングを行
う時に発生するエツチングの均一性を向上させ得るプラ
ズマエツチング装置を提供することにある。
う時に発生するエツチングの均一性を向上させ得るプラ
ズマエツチング装置を提供することにある。
本発明によれば、電気的に接地されたベルジャと、該ベ
ルジャ内に収容中れると共に、オートチューニング装置
を介して高周波電源に接続され。
ルジャ内に収容中れると共に、オートチューニング装置
を介して高周波電源に接続され。
半導体基板を保持する多角柱状電極と、前記ベルジャと
多角柱状電極との間に配置され、複数の反応ガス吹出し
口が上下方向に設けられたガス導入管を有するガス導入
系とを含むプラズマエツチング装置において、前記ガス
導入管の反応ガス吹出し口のピッチあるいは径を終端側
に向けて変化させたことを特徴とするプラズマエツチン
グ装置が得られる。そして、このようなガス導入管は、
前記反応ガス吹出し口のピンチを前記終端に近づくにつ
れて小さくしたシ、前記反応ガス吹出し口の径を前記終
端に近づくにつれて大きくすることによシ実現される。
多角柱状電極との間に配置され、複数の反応ガス吹出し
口が上下方向に設けられたガス導入管を有するガス導入
系とを含むプラズマエツチング装置において、前記ガス
導入管の反応ガス吹出し口のピッチあるいは径を終端側
に向けて変化させたことを特徴とするプラズマエツチン
グ装置が得られる。そして、このようなガス導入管は、
前記反応ガス吹出し口のピンチを前記終端に近づくにつ
れて小さくしたシ、前記反応ガス吹出し口の径を前記終
端に近づくにつれて大きくすることによシ実現される。
以下に２本発明の詳細な説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するだめのプラズ
マエツチング装置の図である。プラズマエツチング装置
には、オートチューニング装置１を介して高周波電源２
に接続され９手導体基板３を取シつけている六角柱状の
ヘキソード４と、このヘキソード４の囲りに位置し、電
気的に接地されたベルジャ５と、ガス排気用）゛り、ト
ロ及び真空ポンシフがあシ、さらにヘキソード４とベル
ジャー５の間にはベルジャー５寄りに、数本のガス導入
管８を配設し、ペルジャー内に反応ガスを供給している
。
マエツチング装置の図である。プラズマエツチング装置
には、オートチューニング装置１を介して高周波電源２
に接続され９手導体基板３を取シつけている六角柱状の
ヘキソード４と、このヘキソード４の囲りに位置し、電
気的に接地されたベルジャ５と、ガス排気用）゛り、ト
ロ及び真空ポンシフがあシ、さらにヘキソード４とベル
ジャー５の間にはベルジャー５寄りに、数本のガス導入
管８を配設し、ペルジャー内に反応ガスを供給している
。
第２図は、ガス導入管８のガス吹出し口とヘキソード４
との位置関係を示している。ガス導入管８におけるガス
吹出し口８１のピッチを、ガス導入管８の上端、すなわ
ち終端に近づくにつれて小さくしている。このようにす
ると、ガス導入管８においてはその入口側と終端側のガ
ス圧に差が生じても、終端側のガス吹出し口８１の数が
多いので、ガス吹出し量を均一にしてベルジャ内のガス
分布の均一化を図ることができる。
との位置関係を示している。ガス導入管８におけるガス
吹出し口８１のピッチを、ガス導入管８の上端、すなわ
ち終端に近づくにつれて小さくしている。このようにす
ると、ガス導入管８においてはその入口側と終端側のガ
ス圧に差が生じても、終端側のガス吹出し口８１の数が
多いので、ガス吹出し量を均一にしてベルジャ内のガス
分布の均一化を図ることができる。
半導体基板３はヘキソード４にセットされ、ベルジャー
５の密封後、真空？ンゾ７によシ高真空に達せられる。
５の密封後、真空？ンゾ７によシ高真空に達せられる。
ある真空度に達すると反応ガスが導入され、オートチュ
ーニング装置１が働き、高′ 周波電力がヘキンード４
とベルジャー５間に印加され、プラズマが発生して半導
体基板３の被エツチング材がエッチされる。
ーニング装置１が働き、高′ 周波電力がヘキンード４
とベルジャー５間に印加され、プラズマが発生して半導
体基板３の被エツチング材がエッチされる。
この実施例によれば、がス導入管８の吹出し目間隔が等
間隔の従来例に較べて、ガス分布を均一にすることがで
きるので、半導体基板３のｉｅターンのエツチングの均
一性を向上させることができ。
間隔の従来例に較べて、ガス分布を均一にすることがで
きるので、半導体基板３のｉｅターンのエツチングの均
一性を向上させることができ。
半導体装置の特性向上化に寄与する。
なお２本発明は図示したような実施例に限定さｈ ７−
ｄ、、 Ｆ＋ ｆ ＠ １ｂ侑ＩＨ−ガス＋ｒ出り口
はその径を終端に近づくにつれて大きくするようにして
も、同様の効果が得られる。
ｄ、、 Ｆ＋ ｆ ＠ １ｂ侑ＩＨ−ガス＋ｒ出り口
はその径を終端に近づくにつれて大きくするようにして
も、同様の効果が得られる。
以上説明してきたように１本発明によればベルジャ内の
ガス分布を均一にしてエツチングの均一性を向上させる
ことができる。したがって、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
ガス分布を均一にしてエツチングの均一性を向上させる
ことができる。したがって、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
第１図は、この発明の一実施例を説明するだめのプラズ
マエツチング装置の概略断面図で、第２図はそ′のうち
のガス導入管とヘキソードとの位置関係を示した図。 図中、１：オートチューニング装置、２：高周波電源、
３：牛導体基板、４：ヘキソード、５：ベルジャー、６
゛排気用ダクト、７：真空ポンプ。 ８：ガス導入管である。 第１図 第２図
マエツチング装置の概略断面図で、第２図はそ′のうち
のガス導入管とヘキソードとの位置関係を示した図。 図中、１：オートチューニング装置、２：高周波電源、
３：牛導体基板、４：ヘキソード、５：ベルジャー、６
゛排気用ダクト、７：真空ポンプ。 ８：ガス導入管である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 電気的に接地されたベルジャと、該ベルジャ内に
収容されると共に、オートチューニング装置を介して高
周波電源に接続され、半導体基板を保持する多角柱状電
極と、前記ベルジャと多角柱状電極との間に配置され、
複数の反応ガス吹出し口が上下方向に設けられたガス導
入管を有するガス導入系とを含むプラズマエツチング装
置において、前記ガス導入管の反応ガス吹出し口のピン
チあるいは径を終端側に向けて変化させたことを特徴と
するプラズマエツチング装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のプラズマエツチング装
置において、前記反応ガス吹出し口のピッチを前記終端
に近づくにつれて小さくしたことを特徴とするプラズマ
エツチング装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のプラズマエツチング装
置において、前記反応ガス吹出し口の径を前記終端に近
づくにつれて大きくしたことを特徴とするプラズマエツ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10475684A JPS60250631A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10475684A JPS60250631A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60250631A true JPS60250631A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14389330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10475684A Pending JPS60250631A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60250631A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62241336A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Nec Kyushu Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPH05275375A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
| US7794667B2 (en) | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
| CN103426710A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 中国地质大学（北京） | 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置及其中的气体供应装置 |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10475684A patent/JPS60250631A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62241336A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Nec Kyushu Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPH05275375A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
| US7794667B2 (en) | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
| CN103426710A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 中国地质大学（北京） | 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置及其中的气体供应装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5304250A (en) | Plasma system comprising hollow mesh plate electrode | |
| US6851384B2 (en) | Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases | |
| JP2748886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20060096540A1 (en) | Apparatus to manufacture semiconductor | |
| EP1169490B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| US6380684B1 (en) | Plasma generating apparatus and semiconductor manufacturing method | |
| US4192706A (en) | Gas-etching device | |
| JP2570090B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0359573B2 (ja) | ||
| US5543688A (en) | Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method | |
| US6833050B2 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JPS60250631A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH11283940A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR100205098B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
| KR101138609B1 (ko) | 효율적인 라디칼 생성을 위한 플라즈마 발생장치 | |
| US6730369B1 (en) | Device and method for plasma processing | |
| JP3969907B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6234834B2 (ja) | ||
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| KR101173568B1 (ko) | 효율적인 라디칼 생성을 위한 플라즈마 발생장치 | |
| JP2001023972A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0437126A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH07335633A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS60128613A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05343194A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびその処理方法 |