JPS5913328A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5913328A JPS5913328A JP12312582A JP12312582A JPS5913328A JP S5913328 A JPS5913328 A JP S5913328A JP 12312582 A JP12312582 A JP 12312582A JP 12312582 A JP12312582 A JP 12312582A JP S5913328 A JPS5913328 A JP S5913328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- chamber
- etched
- dry etching
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドライエツチング装置に関する。
近年、半導体集積回路の製造において、マスク及びウェ
ハー上に微細な蝕刻パターンを形成する工程において、
従来の薬液を用いるウェットエツチング法に代わシ、反
応性ガスプラズマやイオンスパッタリング効果を利用し
たドライエツチング法が用いられるようになって来た。
ハー上に微細な蝕刻パターンを形成する工程において、
従来の薬液を用いるウェットエツチング法に代わシ、反
応性ガスプラズマやイオンスパッタリング効果を利用し
たドライエツチング法が用いられるようになって来た。
これらのドライエツチング装置は一対の平行平板電極ま
たは円筒型電極を備えた反応室内ハロゲンを含む反応性
ガスまたはある種の不活性ガスを導入し、前記電極間の
高周波放電によシ生成したプラズマまたはイオンのスパ
ッタリング効果を利用してエツチングを行うもので、ウ
ェットエツチングに比較して、パターン寸法、エツチン
グの深さの細かい制御を行うことができる。
たは円筒型電極を備えた反応室内ハロゲンを含む反応性
ガスまたはある種の不活性ガスを導入し、前記電極間の
高周波放電によシ生成したプラズマまたはイオンのスパ
ッタリング効果を利用してエツチングを行うもので、ウ
ェットエツチングに比較して、パターン寸法、エツチン
グの深さの細かい制御を行うことができる。
この種の装置にあっては、例えば被エツチング物をマス
クまたはウェハーとすると、マスク内またはウェハー内
、また複数同時処理の場合にはマスク間またはウェハー
間のエツチング速度の均一性がＭ要な問題となる。すな
わち反応室内のエツチングガス密度、電界密度等のバラ
ツキにより、エツチングされたマスクまたはウェハーの
エッチング面内で、また複数同時処理の場合にはマスク
間またはウェハー間で、本来間等になるはずのパターン
寸法、エツチングの深さが等しくならなくなる。結果と
してエツチングした製品の歩留りが著しく低下し、コス
ト高となる等の問題があった。
クまたはウェハーとすると、マスク内またはウェハー内
、また複数同時処理の場合にはマスク間またはウェハー
間のエツチング速度の均一性がＭ要な問題となる。すな
わち反応室内のエツチングガス密度、電界密度等のバラ
ツキにより、エツチングされたマスクまたはウェハーの
エッチング面内で、また複数同時処理の場合にはマスク
間またはウェハー間で、本来間等になるはずのパターン
寸法、エツチングの深さが等しくならなくなる。結果と
してエツチングした製品の歩留りが著しく低下し、コス
ト高となる等の問題があった。
パターン寸法が微細になればなるほど前述の不均一性が
問題となることは言うまでもない。
問題となることは言うまでもない。
本発明は、以上の様な従来装置の不都合点に鑑みて考案
されたものでアシ、その目的とするところは、被エツチ
ング物のエツチング面上でのエツチング速度の均一性を
向上させ得る様なドライエツチング装置を提供すること
にある。
されたものでアシ、その目的とするところは、被エツチ
ング物のエツチング面上でのエツチング速度の均一性を
向上させ得る様なドライエツチング装置を提供すること
にある。
すなわち本発明は、平行平板型または円筒型のドライエ
ツチング装置において、反応室内のエツチングガスの密
度を一定にするために、平行平板型では前記被エツチン
グ物のエツチング面に対向する状態にて、また円筒型で
は反応管内の上部に、ひとつまたは複数の回転翼を設け
たことを特徴とするドライエツチング装置にある。
ツチング装置において、反応室内のエツチングガスの密
度を一定にするために、平行平板型では前記被エツチン
グ物のエツチング面に対向する状態にて、また円筒型で
は反応管内の上部に、ひとつまたは複数の回転翼を設け
たことを特徴とするドライエツチング装置にある。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、第１の実施例の概略構成を示す模式図である
。現在最も多く用いられている臼型的な平行平板型のド
ライエツチング装置に本発明を適用した場合である。本
実施例では、エツチング中被エツチング物へのゴミの付
着による汚染を防ぐために、エツチング面を下側に向け
ている。図中１がエツチング室を形成するチャンバーで
あシ、このチャンバー１内に互いに平行に配置された上
部電極２及び対向電極３が収容されている。上部電極２
にはホルダーを介して被エツチング物４、例えばマスク
またはウエノ飄−が装着されているＯ対向電極３の上部
には、本装置の特徴である回転翼５が取り付けられてお
り、エツチング中低速で回転している。ガス吹出口６よ
シ導入されたエツチングガスは、一定の真空度に保たれ
たチャンノ（−１内に拡散し１回転翼５により適当に攪
拌され、反応後排気ロアよす排気される。回転翼５によ
るエツチングガスの攪拌が、結果としてエツチング速度
の均一性をもたらすことになる０言うまでもなくエツチ
ング中は、マツチングボックス８を介して高周波電源９
よシ各電極には高周波が印加されている。
。現在最も多く用いられている臼型的な平行平板型のド
ライエツチング装置に本発明を適用した場合である。本
実施例では、エツチング中被エツチング物へのゴミの付
着による汚染を防ぐために、エツチング面を下側に向け
ている。図中１がエツチング室を形成するチャンバーで
あシ、このチャンバー１内に互いに平行に配置された上
部電極２及び対向電極３が収容されている。上部電極２
にはホルダーを介して被エツチング物４、例えばマスク
またはウエノ飄−が装着されているＯ対向電極３の上部
には、本装置の特徴である回転翼５が取り付けられてお
り、エツチング中低速で回転している。ガス吹出口６よ
シ導入されたエツチングガスは、一定の真空度に保たれ
たチャンノ（−１内に拡散し１回転翼５により適当に攪
拌され、反応後排気ロアよす排気される。回転翼５によ
るエツチングガスの攪拌が、結果としてエツチング速度
の均一性をもたらすことになる０言うまでもなくエツチ
ング中は、マツチングボックス８を介して高周波電源９
よシ各電極には高周波が印加されている。
上述の様に、エツチングチャンバー内しかもプラズマ雰
囲気中に回転Ｒを設けることによシ、グ・ヤンバー内に
流入したエツチングガスは、この回転翼によシ適当に攪
拌され、被エツチング物に対して均一なエツチング速度
を与えることができる。
囲気中に回転Ｒを設けることによシ、グ・ヤンバー内に
流入したエツチングガスは、この回転翼によシ適当に攪
拌され、被エツチング物に対して均一なエツチング速度
を与えることができる。
結果として製品の歩留シが向上し、加えて製品コストの
低減を実現できる。また均一性の向上により、今後ます
ます要求されるであろう微細加工技術の実現をもたらす
ことができる。
低減を実現できる。また均一性の向上により、今後ます
ます要求されるであろう微細加工技術の実現をもたらす
ことができる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示したものである。
図の様な円筒型のドライエツチング装置においては、第
１の実施例の様な大型の回転ｌｔを設けることは困難に
なると思われる。本実施例では、その外側に筒周枝電極
１２ｔｌ−有する円筒型チャンバー１１内の上部に、２
つの小型回転翼１３を設け、ガス吹出口１６からチャン
バー１１内に流入するエツチングガスを適度に攪拌し、
ホルダー１４に装着された被エツチング物１５に均一な
エツチング速度を与える。反応後のエツチングガスは排
気口１７よシ排気される。
１の実施例の様な大型の回転ｌｔを設けることは困難に
なると思われる。本実施例では、その外側に筒周枝電極
１２ｔｌ−有する円筒型チャンバー１１内の上部に、２
つの小型回転翼１３を設け、ガス吹出口１６からチャン
バー１１内に流入するエツチングガスを適度に攪拌し、
ホルダー１４に装着された被エツチング物１５に均一な
エツチング速度を与える。反応後のエツチングガスは排
気口１７よシ排気される。
以上述べた様に本発明によるドライエツチング装置は、
今彼更に集積度の向上、微細化を要求される半導体集積
回路の製造において、そのエツチング工程において、飛
躍的なエツチングの均一性をもたらし、結果として製品
の歩留シ向上、コスト低減に寄与できるものと確信する
。
今彼更に集積度の向上、微細化を要求される半導体集積
回路の製造において、そのエツチング工程において、飛
躍的なエツチングの均一性をもたらし、結果として製品
の歩留シ向上、コスト低減に寄与できるものと確信する
。
第１図は、本発明における第１の実施例の概略構成を示
す模式図である。 なお図において、ｌ・・・・・・チャンバー、２・・・
・・・上部電極、３・・・・・・対向電極、４・・・・
・・被エツチング物、５・・・・・・回転翼、６・・・
・・・ガス吹出口、７・・・・・・排気口、８・・・・
・・マツチングボックス、９・・・・・・高周波電源で
ある。 第２図は、本発明における第２の実施例の概略構成を示
す模式図である。 なお図において、１１・・・・・・チャンバー、１２・
・・・・・高周波電極、１３・・・・・・回転翼、１４
・・・・・・ホルダー、１５・・・・・・被エツチング
物、１６・・・・・・ガス吹出口、１７・・・・・・排
気口である。
す模式図である。 なお図において、ｌ・・・・・・チャンバー、２・・・
・・・上部電極、３・・・・・・対向電極、４・・・・
・・被エツチング物、５・・・・・・回転翼、６・・・
・・・ガス吹出口、７・・・・・・排気口、８・・・・
・・マツチングボックス、９・・・・・・高周波電源で
ある。 第２図は、本発明における第２の実施例の概略構成を示
す模式図である。 なお図において、１１・・・・・・チャンバー、１２・
・・・・・高周波電極、１３・・・・・・回転翼、１４
・・・・・・ホルダー、１５・・・・・・被エツチング
物、１６・・・・・・ガス吹出口、１７・・・・・・排
気口である。
Claims (1)
- 一対の平行平板電極を有し、二つの電極間の放電プラズ
マによシ被エツチング物をエツチング面るドライエツチ
ング装置、または円筒型の反応管の外側周囲に電極を有
し、この反応管内の放電プラズマによシ被エツチング物
をエツチングするドライエツチング装置において、平行
平板型では、前記被エツチング物のエツチング面に対向
する状態にて、また円筒型では反応管内の上部に、ひと
つまたは複数の回転翼を設けたことを特徴とするドライ
エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12312582A JPS5913328A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12312582A JPS5913328A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913328A true JPS5913328A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14852799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12312582A Pending JPS5913328A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913328A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
| KR20010037042A (ko) * | 1999-10-13 | 2001-05-07 | 윤종용 | 플라즈마를 이용한 반도체 건식식각설비 |
| US11315770B2 (en) * | 2017-12-05 | 2022-04-26 | Tokyo Electron Limited | Exhaust device for processing apparatus provided with multiple blades |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12312582A patent/JPS5913328A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
| KR20010037042A (ko) * | 1999-10-13 | 2001-05-07 | 윤종용 | 플라즈마를 이용한 반도체 건식식각설비 |
| US11315770B2 (en) * | 2017-12-05 | 2022-04-26 | Tokyo Electron Limited | Exhaust device for processing apparatus provided with multiple blades |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920000674B1 (ko) | 기판의 회전식 표면처리장치 | |
| JP3115015B2 (ja) | 縦型バッチ処理装置 | |
| JP3205878B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0423429A (ja) | 半導体装置のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPS5913328A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2550037B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS63283025A (ja) | 多接点カソードを備えたプラズマストリッパー | |
| JPS5943880A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| US6123805A (en) | Discharge electrode and process chamber of dry etching facility for manufacturing semiconductor devices | |
| JP4018316B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS635526A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
| JPS5821333A (ja) | イオン・ビ−ム・エツチング装置の試料保持装置 | |
| JPH07335633A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS60206027A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH088228A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0239530A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH01258428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07142193A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS61281881A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2920874B2 (ja) | プラズマ反応処理装置 | |
| JPH11204293A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0517880Y2 (ja) | ||
| JPH0691040B2 (ja) | ドライエツチング装置 | |
| KR960013256B1 (ko) | 레지스트 제거장치 |