JPS63283025A - 多接点カソードを備えたプラズマストリッパー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、一般に、半導体デバイスの薄膜のプラズマ除
去に関し、かつ特に、反応室の外側の多接触領域を使用
し７たカンードの改良された設計に関する。

加工片、例えば、半導体ウニ・・上に薄膜をパターン化
しまたは蒸着するためのプラズマ加工技術は、約二十年
間使用されてきた。プラズマは、当初、フォトレジスト
を剥離するための半導体の加工に利用された。超高密度
集積デバイス（Ｖｂｅ工）が開発された結果、プラズマ
技術および加工における加工度をさらに促進する最新の
触媒が出現するに至った。

多数のウエノ・が一つの装置で一度にドライエッチされ
または剥離される／２ツチシステムは、多年にわたって
、半導体デバイスを加工するために商業用に使用されて
きた。これらの７ステムを代表するものは、バレル型の
反応器またはエツチング装置であシ、この名称は反応器
の形状に由来している。バレルシステムは、多食装填型
であり、多数のウェー・を収納することができる。バレ
ルシステムは、主として、フォトレジストを剥離するた
めに使用されてきた。しかしながら、バレルシステムに
より、一般的には、高度のエツチング精度またはエッチ
の均一性が得られない。

バッチシステムの代わりに、単一ウェハエツチング装置
またはストリッパーが使用される。

初期の単一ウニ・ヘエッチング装置は低温において操作
されかつエツチング速度が比較的に遅いという欠点を持
っていた。このエツチング速度は、ウェハの表面上の特
定の位置の材料を除去する速度である。しかしながら、
半導体産業が完全に発達する１でつれて、さらに大きい
パターン密度を有するより大きいサイズのウニ・・ヲ使
用する傾向が生じた。これらのさらに大きいウェハは、
さらに価値がありかつますます望ましくなってきた。し
かしながら、さらに大きいサイズのウェハを得るために
は、エラチン〆または剥離操作中にさらに精密な加工管
理が必要である。

また５単一ウエ・・エツチング装置まだはストリツ・ぐ
−は、自動化、例えば、個々のウェハの自動装填または
ロボットによる装填のためにパッチシステムよりも好適
であることが判明した。

単一ウェハエツチング装置またはストリッパーｔｉ、／
＜ツチシステムと比較して、よりコンーξクトにするこ
とができ、したがって占有するスペースがより小さい。

しかしながら、従来の単一ウニ・〜システムのほとんど
は、前述したエツチング速度が遅くかつ微小表汚染の問
題が起こるという欠点を持っていた。

従来の低圧、高出力密度プラズマストリツペーにおいて
は、主として、内側金属電極を使用しているために、汚
染がひんばんに発生し７た。

この型式のシステムは、プラズマ、例えば、カンードに
高い直流バイアスレベルを発生して高い酸素イオンエネ
ルギレベルが得られる酸素を発生する。高いエネルギレ
ベルの酸素イオンは、代表的には黒鉛で被覆されたアル
ミニウムで造られた金属電極と衝突したときに、電極を
スパッターさせてスパッターした電極材料のおる部分が
ウェハ上に付着（ＬＡＮＤＩＮＧ）する。アルミニウム
が電極材料として使用された場合には、酸化アルミニウ
ムの薄膜または酸化アルミニウム粒子が汚染物として存
在した。

また、従来の単一ウニバストリッピングシステムによる
加工のために生じたウェハ温度の上昇により、移動イオ
ンおよび不純物の移行の問題が起こった。この場合には
、フォトレジスト内の移動イオン、例えば、ナトリウム
イオンがフォトレジストから二酸化珪素薄膜を通して二
酸化珪素−珪素の界面まで移行しまたはパターン化され
た薄膜を通して基礎構体を有する薄膜の界面まで移行す
る。この後者の現象により、このようかウニ・・が集積
回路に使用される場合に、容認でき力い電気的な特性が
生ずる。

これらの問題は、本発明の単一ウェハフォトレジストプ
ラズマストリッパーの設計において解決されるかまたは
実質的に減少せしめられる。

発明の要約 本発明の一つの目的は、高速度で薄膜を除去するために
高い圧力において操作することができる単一ウエノ〜フ
ォトレジストプラズマストリツ・ξ−を提供することで
ある。

本発明の別の目的は、高い高周波電界密度を発生してプ
ラズマ中の気体の破壊を高めることができる単一ウェハ
フォトレジストプラズマストリッパーを提供することで
ある。

本発明の一つの特徴は、反応室の外側に電極が設けられ
ていることである。

本発明の別の一つの特徴は、反応室内の高周波電界密度
を高めるために、プラズマス）　ＩＪツ・ξ−に使用さ
れた外側のカソードが石英反応室に隣接して小さい面積
を有する多接点を使用していることである。

本発明のさらに別の特徴は、単一ウニ・・フォトレジス
トストリッパーが高い圧力において作動することである
。

本発明のさらに別の特徴は、外部アノードがカソードの
下方にかつウェハのレベルの上方に配置された接地用バ
ンドの役目をすることである。

本発明の一つの利点は、この単一ウェハフォトレジスト
ストリッパーにより高速剥離を行うことができることで
ある。

本発明の別の一つの利点は、反応室中に導入される不純
物と微少汚染物が少々くなるためにウニ・・上に潜在的
に少なくなることである。

本発明の別の一つの利点は、発生したプラズマの大部分
が反応室の頂部に制限されることである。

本発明のプラズマストリッ・ξ−のさらに別の利点は、
再現可能なエツチングの均一性および精度が得られる単
一ウニバストリッピングを行うことができることである
。

これらの目的、特徴および利点ならびにその他の目的、
特徴および利点は１反応器に極めて近接しまたは反応器
に均一に接触して反応室に隣接しかつそのまわりに小さ
い面積を有する多接点を使用した外部アノードおよび外
部カソードを備えた石英反応室を使用して高い圧力にお
いて作動する単一ウニ−・フォトレジストプラズマスト
リッパーにより達成される。この外部カソードを使用し
た設計により、プラズマ内の気体の破壊を高める高い高
周波電界密度を有する領域を発生させてそれにより高速
度薄膜除去を行うことができる。

本発明の利点は、特に添付図面について記載した以下の
この明細書に開示した本発明の詳細な説明を読めば、明
らかになろう。

好ましい実施例の詳細な説明 第１図は、全体を符号１０で示したプラズマストリッパ
ーの側面を示す側面図である。ストリツ−！！−１０は
、石英反応室１１を含む。石英反応室１１は、開口した
底部１４およびドーム形の頂ｓ１２を有している。反応
室１１の底部１４は、基台６０上で、基台５０の周囲溝
に嵌合したシール１５、例えば０リングまたはガスケッ
トを使用することによりシールされかつ着座させである
。石英反応室１１の頂部の周囲には、ガラス繊維製止め
輪１６が延びている。止め輪１６は、その下方に配置さ
れたゴム認ッド１８の助けにより反応室１１を所定位置
に保持する作用をする。

反応室１１のビーム形の頂部１２を貫通して延びる酸素
送入ライン２０を示しである。酸素は、１米あたり約１
００標準立方センチメートル（ａｃ：ｃ黒）から毎分５
標準リツトル（１９１Ｊ！＠）の割合で酸素の流れを供
給する酸素供給源（図示せず）から送入ライン２０を通
して反応室１１の内部に供給される。酸素は、ストリッ
ピングプラズマに使用される主力気体である。剥離操作
のためには、通常、工業用等級の酸素が使用されており
、小量の水および♀累が単原子の酸素の生成のために触
媒効果をもたらす不純物として存在する。反応室１１内
でフォトレジスト以外の薄膜が除去される場合には、例
えば、四弗化炭素および六弗化硫黄のような気体を使用
することができる。

ストリッパー１０は、２個の外部電極を使用している。

これらの電極は、環状に形成されかつ反応室）１の円筒
形外側部に外接している。

カソード２１は５反応室１１のドーム形の頂部１２の付
近に該頂部よりも下方に配置され、一方、アノード２９
は、反応室１１の底部１４の付近にしかも加工片のレベ
ルよりも上方に配置されている。カソード２．１および
アノード２９の両方共、アルミニウムから形成されるこ
とが好ましいが、任意の適尚な導体、例えば、銅、銀ま
たは白金から形成することができる。アノード２９は、
整合回路網（図示せず）を介して接地されかつウェハ３
６のレベルの上方に配置されている。カソード２１は、
高周波電源（図示せず）に接続され、そり、により酸素
ガスをイオン化してプラズマを発生させるエネルギが得
られる。このカン−ｒの設計については、後程、さらに
詳細に説明する。

陽極酸化アルミニウムで形成することが好ましい反応室
の基台３０は、陽極酸化したー；−スプレート３１上に
着座している。ベースプレート３１の基台６０と嵌合す
る部分は、陽極酸化させて彦い。基台３０は、Ｏリング
シール３２によりシールさｈている。０リングシール３
２は、基台３０の底部の周囲のまわりに延びるすシわシ
付溝の内部に嵌合している。反応室の基台３０の内部に
は、ウニ・・支持装置、すたわち、チャック３４が配置
されている。チャック３４は、該チャックから上方に延
びる複数個の石英製ピン５５を有している。チャック６
４け、アルミニウム、アルマイトまたは石英から形成す
ることができる。加工片、通常、ウェハ３６が石英製ピ
ン３５上に載置される。

加工片、例えば、ウニ・・３６は、複数個のウニ・・３
６を逐次かつ個々に送出する半導体装置メーカの基準に
合致した市販されているウエノ・カセットの任意の１個
から反応室１１内に自動装填される。このカセット（図
示せず）は、ウニ・・の２軸運動または垂直運動の割出
しのために使用される適当なエレベータ、例えば、サイ
（ツク（ＯＹＢＥＣ）エレベータに装着される。反応室
１１へのウェハの装填およびウエノ〜の取外しを含む横
方向の運動またはＹ軸およびＹ軸のまわりの運動は、ブ
ルーツクス０オービトロンローダ（同様に、図示せず）
を使用することによシ行われる。この特定の型式のロー
ダは、カセット中に延びて約３．２　ｍ　（’Ａインチ
）の垂直運動または２軸運動によりウェハ３６をカセッ
トから離して徐々に持ち上げる。その後、ローダは、ウ
ェハ３６を回転位置または原付ａｔで引っ込める。この
位置において、水平面内で９０゜の回転が起こる。その
後、ローダは、反応室の基台３０の側のヒンジ付きドア
組立体（図示せず）を通して延びかつ約３．２　ｍ　（
Ａインチ）の下向きの垂直運動により、複数の好まし７
くは、５個の石英製のピン３５上にウニ・・３６を徐々
に配置する。その後、ローダは、反応室１１からピンク
付きドア組立体を通って反回転位置まで引込む。とのヒ
ンジ付きドア組立体は、ウェハを操作する任意の好適な
機構、例えば、ソレノイド、スプレ・ξモータまたけ空
気圧シリンダを使用している。反応室１１からのウエノ
・の取外しは、装填サイクルの操作の逆の順序にすぎず
、ウェハ３６は、カセットの同一のスロットに戻され、
核スロットから取り外される。

全体を符号３８で示し７た真空組立体は、反応室の基台
３０の内部に陽極酸化したベースプレート３１を貫通し
て延びるように接続されている。との真空組立体３８は
、排気導管４０を介して毎分的０．８５　Ｍ３　（３０
ＦＴ５　）の気体を移動することができる真空ポンプ（
図示せず）と接続されている。排出導管４０は、陽極酸
化させた（−スプレートロ１と接続し、かつ該ベースプ
レート内に延びている。真空組立体３８は、反応室１１
から製品および使用されてい々い反応ガスを排出する。

フランジ３９け、排出導管４０をシール（図示せず）を
通して陽極酸化したベースプレート３１と接続している
。

陽極酸化したアルミニウム製のバッフルリング３７は、
その下方に、真空ポンプにより製品および未使用反応ガ
スを均一に排出するための均一な加圧領域を形成してい
る。バッフルリング３７は、その外周と反応室の基台６
０の内壁部との間に小さい隙間１９を有している。この
隙間１９は、バックルリング６７の全周のまわりに延び
て、その下方に、隙間１９のサイズおよび深さにより生
じた流れの制限のために、均一な低圧チャンネルを形成
している。

全体を符号４４で示した温度調整用流体循環装置がアル
マイト製のベースプレート３１を貫通してウニ・・支持
チャック６４内に延びた状態で示されている。この流体
循環装置４４は、冷却流体を中空のチャック３４の凹部
３３を通して毎分約９２リツトル（２ガロン）の流速で
循環させることにより、支持チャック５４の温度を調整
するために使用される。冷却流体１例えば水が流入管４
５を通ってチャックの凹部３３内に流入し、そして流入
管４５を同心状に囲繞した流出管４６から流出する。

チャック３４に溶接された流出管４６は、チャック３４
を陽極酸化アルミニウムのベースプレート３１に対して
シールするために、石英製の絶縁ディスク４７および全
体を符号４６で示した絶縁真空供給用貫通りランプ組立
体を使用している。石英製の絶縁ディスク４７は、チャ
ック３４をベースプレート３１を電気的に絶縁している
。クランプ組立体４６は５石英製絶縁ディスク４７の底
部に着座した０リングシール５０と、シーリングボス４
８とを含む。シーリングボス４８は、絶縁材料、好まし
くは、例えば、アセタールプラスチックまたはその他の
好適な有機重合体から形成されている。Ｃ字形のシーリ
ングクランプ４９が流出管４６に対して所定位置に固定
され、かつシーリングボス４８をＯリングシール５０に
対して予負荷するためにアレンねじ５１を使用しかつ同
時にチャック６４を石英製絶縁ディスク４７上に下方に
引っ張っている。

第２図は、石英製反応室１１に対する多点カソード２１
の関係を示す。反応室１１は、アルミニウムカソード２
１の内側のまわりに点線で示しである。カソード２１は
、反応室１１に極めて近接しまたは該反応室と接触して
終端する全体を符号２２で示した複数個のカソード延長
部である。複数個の延長部２２は、第３図にＬ字形の形
状に最も明瞭に示しである。

カソード２１のだめの接触点としての役目をするＬ字形
の延長部２２は、第３図に示した基部２４および延長部
２６を備えている。Ｌ字形延長部２２は、例えば、溶接
またはリベットによシ、カソード２１に適当に固定され
ている。

Ｌ字形延長部は５第２図から最も明瞭に理解されるよう
に、それらの端末部が反応室１１に極めて近接した位置
まで延びまたは該反応室と接触するように延びている。

延長部２２は、図示したように、カッ−）′２１および
基部２４に対してほぼ垂直になっておりかつ接触面領域
２６において終端している。接触面領域２５は、反応室
１１と接触するかまたは反応室１１に極めて近い位置に
配置される。

接触面領域２３は、第４図において実線で示したように
、反応室１１に極めて接近した位置まで延びるかまたは
該反応室と接触して反応室１１の外壁部に平行に配置さ
れることが好ましい。しかしながら、接触面領域２３は
、また、単位接触面積めたυの出力密度が誘電損失のた
めに反応室１１の壁部を劣化しないように設計されてい
れば、第４図に点線で示したように反応室１１の外壁部
と交差する関係に配置することもできよう。接触面領域
２６は、平坦に形成することが好ましいが、また、その
他の形状、例えば、先細形または弓形に形成することも
同様に可能である。接触面領域２６が反応室１１の外壁
部に極めて近い位置に配置された場合には、カソードの
延長部２２の端部と反応室１１の側壁部との間に均一な
間隔を保証するために「テフロン」という商標名で市販
されている材料で形成された不導電性のスは−サを使用
することができる。

カソード２１は、Ｍ２図から理解されるように、反応室
１１の周囲に留めることができかつ７ランジ２７に通し
た止めねじ２８を使用することによシ所定位置に保持さ
れる。７ランジ２７の領域のカソード２１を横切って高
周波エネルギを均一に伝達することを保証するために、
導電性バー１７がフランジ１７に隣接した２個の延長部
２２を橋絡している。ねじリード５４がカソード２．１
を高周波整合回路網（図示せず）と接続している。

第５図は、ウェハ３６から薄膜を高速度で剥離すること
を助ける流路および流速を発生させる反応室１１内の反
応ガスの流れパターンおよび活性の糧を図解例示してい
る。酸素は、ドーム形の頂部１２を通して反応室１１内
に送入され、それにより酸素は加工片、すなわち、ウェ
ハ３６に向かって途切れかい実質的に垂直方向の下向き
の流路５５に沿って流入する。反応ガス、主として、フ
ォトレジスト除去用酸素の流量は、約２ｅＱｐｍから約
３８Ｑｐｍ　　であることが好ましい。

カソード２１は、約１３．５６）ＪＨｚの周波数におい
て動作する高周波電源と接続されている。この高周波電
源は、インピーダンス整合装置を介してカソード２１と
接続されている。このインピーダンス整合装置（図示せ
ず）は、カソード２１に伝達される電力を最大にしかつ
出力反射率を最小にするために、発振器および電力増幅
器を含む高周波発振器の代表的には５０オームであるイ
ンピーダンスを反応室１１のインピーダンスに整合する
。ストリツ・ξ−１０には、操作中、約１００ワツトか
ら約６５０ワツトまでの電力が供給される。カソード２
１は、小さい面積を有する多接点が反応室１１と接触し
または該反応室と近接して配量されているために、反応
室１１の頂部の付近に高い強度のプラズマ電界を発生す
る。このプラズマ電界は、ストリッパー１０を操作する
圧力が通常約１トルから約７トルまでの範囲内にあり高
いために、反応室１１の頂部の付近に局限されている。

反応室１１と接触しまたは該反応室に近接して配置され
た電力を供給される電極（カソード）の面積が反応室１
１と接触しまたは該反応室に近接して配置された接地さ
れた（アノード）電極の面積よりもはるかに小さいので
、加工片、すたわち、ウエノ・３６の真上の領域の反応
室１１の底９部のイオン密度は、より小さい。強力プラ
ズマは、小さい面積を有する多接点と近接した領域５６
内に配置される。

反応室１１内にかつ該反応室を通る反応ガス、主として
、酸素の途切れない実質的に垂直方向に下向きの流路５
５（第５図参照）は、反応室１１の内部にある型式の内
部の流れツクターンを生ずる。この内部の流れ・ぐター
ンは、強力プラズマにより発生した酸素の種を反応室１
１の壁部から離れて加工片、すなわち、ウニ・・３６に
向かって下向きに引っ張るベルヌーイの作用によると考
えられている。これらの種の流れ７ｇターンは、第５図
に点線で示しである。励起状態において代表的には分光
器により０２（Ｊｇ）で表示されかつ接地状態よりも約
３６．２キロカロリ高い単原子酸素および分子酸素であ
るこれらの酸素の種は、フォトレジストの薄膜を高速度
で剥離するために必要な化学反応にとって最も重要であ
る。この流れパターンは、途切れない実質的に垂直方向
に下向きの流路５５に沿って高圧領域を形成しかつ流路
５５に近接して内部にこれらの所望の酸素の種が引っ張
られかつ流れる低圧領域を形成することによシ、これら
の種を加工片に向かってさらに迅速に牽引し、す々わち
、引っ張る作用をする。

また、ストリッパー１０を操作する圧力が高いために、
反応室１１の頂部の付近の小さい領域には、この領域内
のイオンの自由な通路が平均して減少しているために、
部分的にイオン化した反応ガスのイオンの再結合反応が
強制的に起こる。また、これにより、加工片、すなわち
ウェハ６６に近い反応室１１の底部におけるイオンの数
を減少させる決定的な作用が得られる。

加工片６６に近い反応室１１の底部にこのようなイオン
が存在すると、イオンが加工片に衝突したときにイオン
の質量および速度が加工片３６およびその上の薄膜を損
傷する。

これらの速度、電力レベル、電界密度および流れパター
ンを組み合わせることにより、半導体ウェハ６６から約
１．２ミクロン力いし約１．５ミクロンの厚さの正のフ
ォトレジスト薄膜を毎公約１．５ミクロンかいし約５０
ミクロンの剥離速度で剥離することができるストリッ・
ξ−１０が得られる。反応室１１内の酸素の流量が高い
ために、指定された電界の強さおよび出力密度において
剥離をこれらの高い流量で惹き起こすために十分な量の
試薬を供給するにかに、加工片、すなわち、ウェハ３６
をある程度冷却することを助ける。さらに、ストリッパ
ー１０の設計およびこれらの操作パラメータにより、反
応室の基台の温度が約１７℃から一４０℃の間に保持さ
れ、それによシ再現可能な結果が得られかつその値が使
用された装置および材料の操作上の制約条件内にあるこ
とを保証する。

操作中、約１．５ミクロンの厚さのハントＯポジティブ
会フォトレジスト２０４を有する１００ミリメートルの
直径の支持体、すなわち、ウェハ５６がカセットから反
応室１１内にプルツクス・オービトロンローダによシ逐
次送入された。

カソード２１は、約５００ワツト、１３．５６ＭＨｚに
おいて操作された。酸素は、酸素送入ライン２０を通し
て反応室１１内に、実質的に垂直方向に下向きの途切れ
ない流路に沿って、ウニ・・３６に向かって下方に約２
．７５　ｅｆｌｐｍの速度で送入され、かつ反応室１１
は約５トルまで加圧された。反応室１１内のウェハ３６
の最終温度は、約２６０℃であった。フォトレジストは
、ウェハ３６と反応室１１の温度変化（反応室の温度変
化はウェハの温度より小さい）に応じて変化するエッチ
速度でウェハから剥離された。エツチング速度は、時間
の関数であって、エツチング速度は、最初の２０秒間、
毎分約２．０ミクロン、次の１０秒間、毎分約２．４ミ
クロン、そして最後の５秒のエツチングの間、毎分約２
．７ミクロンに達した。ストリッピング工程の完了時に
、ウェハはオービトロンローダにより除去されかつカセ
ット内で取シ替えられた。

本発明の原理を組み入れた好ましい構造を図示しかつ説
明したが、本発明が以上述べた特定の細部に限定される
べきではなく、かつ事実上、本発明のさらに広い局面の
実施にあたり、広範囲に異なる装置を使用することがで
きることを理解すべきである。また、本発明の装置は、
ポリシリコンまたは窒化珪素または半導体ウェハならび
に光学レンズ、鏡、セラミックおよび金属被覆からの有
機汚染物を含む有機薄膜の乾燥処理除去にも使用するこ
とができよう。特許請求の範囲は、当業者がこの明細書
に開示した内容を読んだときに思いつく各部分の細部、
材料および配置、構成のすべての明白な変更を網羅する
ように意図されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は単一ウェハフォトレジストプラズマストリッパ
ーの正面断面図、 第２図は位置を点線で示した石英製反応室と隣接して小
さい面積の多接点を形成するカソードの延長部を示した
単一ウエハフォトレジストプラズマス）　ＩＪツバ−の
カソードを上方から見た平面図、 第３図は反応室と隣接して小さい面積の多接点を形成す
るカソードの延長部の１個拡大斜視図、 第４図は反応室の外壁部に実質的に平行な延長部の接触
面領域を実線で示しかつ反応室の外壁部に対して交差し
た関係にある延長部の接触面領域を点線で示したカソー
ドの延長部の１個の拡大側面図、かつ 第５図はウェハに向かう反応ガスの全般的に垂直方向の
下向きの途切れない流れおよびそれによシ発生した活性
剥離ガスの種の反応室内の流れパターンを示した単一ウ
ェハフォトレジストプラズマストリッパーを図解的に例
示した図である。 １０・・・プラズマストリッパー、１１−・・反応室、
１２・・・頂部、２０・・・送入ライン、２１・・・カ
ソード、２２・・・カンード延長部、２６・・・接触面
領域、２４・・・基部、２６−・・延長部、２９・・・
アノード、３０・・・基台、５１・・・ベースプレート
、３５・・・ピン、３６・・・ウェハ、６８・・・真空
組立体、４０−・・排気導管、４３−・・クランプ組立
体、４４・・・流体循環装置、４５・・・流入管、４６
・・・流出管、４７・・・絶縁ディスク、５５・・・流
路。 特許出願人　　オリン・コーポレイション図面の浄書（
内容に変更なし） ＦＺＧ−Ｕ ＦｉＧ−Ｕ Ｓノ ＦＬＣ−５ 手続補正書（方式） 昭和６３年４月Ｓ日 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿 １、事件の表示 昭和６３年特許願第３２６８号 ２、発明の名称 多接点カソードを備えたプラズマストリッパー３、補正
をする者 事件との関係　　特許出願人 ５、補正命令の日付 昭和６３年　３月　２日　（発送日　昭６３．３．２９
　）６、補正の対象 ７、補正の内容 別紙のとおり下記の書類を提出します。 １、願書に最初に添付した明細書の浄書（内容に変更な
し） ２、願書に最初に添付した図面の浄書（内容に変更なし
） 以　　上 手続補正書 昭和６３年４月６日 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿 ■、事件の表示 昭和６３年特許願第３２６８号 ２、発明の名称 多接点カソードを備えたプラズマストリッパー３、補正
をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　アメリカ合衆国コネチカット州（０６４１０−０
５８６）チェシャー、ノツタードライブ３５０ 名称　オリン・コーポレイション ４、代理人 ７、補正の内容 第１０頁第１１行の「黒鉛で被覆された」を削除します
。 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）（ａ）上半部分および下半部分を備えた一般的に円
   筒形の中央壁部分と、開口した底部および閉ざされた頂
   部とを有するプラズマ発生用の石英製反応室と、 （ｂ）前記反応室を支持するための基台装置であつて、
   前記開口した底部と接触可能な基台装置と、 （ｃ）反応室をシールするための前記反応室と前記基台
   装置との間のシール装置と、 （ｄ）反応ガスを前記反応室内に供給するためのガス送
   入装置と、 （ｅ）前記の閉ざされた頂部に隣接しかつ該頂部の下方
   に前記反応室の円筒形の中央壁部分の上半部分のまわり
   にかつその外側に配置されたカソードとを組み合わせて
   備え、前記カソードは高周波電源と接続可能であり、前
   記カソードはさらにほぼ円形でありかつ高密度の高周波
   電界を発生させるために前記反応室に極めて近接してか
   つ前記反応室に向かつて内方に延びる複数個の接点を有
   しており、さらに、 （ｆ）加工片を受け入れるために前記基台装置と連結さ
   れた支持装置と、 （ｇ）前記開口した底部に隣接しかつ該底部の上方にか
   つ前記支持装置の上方に前記反応室の中央壁部分の下半
   部分のまわりにかつその外側に配置され、かつ電気的に
   接地されたアノードと、 （ｈ）前記反応室内を排気するための真空装置と、 （ｉ）前記支持装置の温度を調整するための冷却装置と
   を組み合わせて備えた単一加工片のドライプラズマ加工
   装置。 ２）前記シール装置がＯリングである請求項１記載の装
   置。 ３）前記複数個の接点がさらにカソードからの延長部を
   備えた請求項１記載の装置。 ４）前記延長部が反応室の中央部のまわりに均一に隔置
   された請求項３記載の装置。 ５）前記延長部が前記カソードに対して全般的に垂直で
   ある請求項４記載の装置。 ６）前記延長部がＬ字形である請求項５記載の装置。 ７）前記カソードがアルミニウムである請求項１記載の
   装置。 ８）前記アノードがアルミニウムである請求項１記載の
   装置。 ９）前記ウェハ支持装置がさらに加工片を載置する複数
   個の石英製ピンを備えた請求項１記載の装置。 １０）前記加工片が半導体ウエハである請求項９記載の
   装置。 １１）前記冷却装置がさらに水を前記支持装置の内外に
   循環させる水循環装置を備えた請求項９記載の装置。 １２）前記ガス流入装置が反応ガスを加工片に向かつて
   途切れない実質的に垂直方向に下向きの流路内に送入す
   る請求項１記載の装置。 １３）前記反応室内に発生したプラズマが加工品に作用
   する活性酸素の種を含む請求項１２記載の装置。 １４）前記の途切れない実質的に垂直方向に下向きの流
   路が前記反応室内に活性酸素の種を該反応室の中央壁部
   分から離れて加工片に向かつて下向きに引つ張る内部の
   流れパターンを発生する請求項１３記載の装置。 １５）反応室の底部に隣接して配置された単一加工片を
   ドライプラズマ加工するための反応室を備えた装置であ
   り、前記反応室がさらに上半部分および下半部分を備え
   た円筒形壁部と、ドーム形の頂部と、反応ガスを前記ド
   ーム形の頂部を通して該反応室中に送入するためのガス
   流入装置とを有するドライプラズマ加工装置において、 （ａ）前記ドーム形頂部に隣接しかつ該頂部の下方に前
   記反応室の円筒形壁部の上半部分のまわりにかつその外
   側に配置されたカソードを備え、前記カソードは高周波
   電源に接続可能でありかつ加工片に作用する活性酸素の
   種を発生する高密度の高周波電界を前記反応室内に発生
   させるために該反応室に極めて近接してかつ該反応室に
   向かつて内方に延びる複数個の接点を備えた円形の形状
   になつており、さらに （ｂ）活性ガスの種を反応室の円筒形壁部から離れて加
   工片に向かつて下方に引つ張る内部の流れパターンを該
   反応室内に発生する加工片に向かう反応ガスの途切れな
   い実質的に垂直方向の下向きの流路を組み合わせて備え
   たドライプラズマ加工するための反応室を備えた装置。 １６）前記反応ガスが酸素を含む請求項１５記載の装置
   。 １７）前記活性ガスの種がその励起状態において原子状
   酸素および分子状酸素を含有する請求項１６記載の装置
   。 １８）前記複数個の接点がさらにカソードからの延長部
   を備えた請求項１５記載の装置。１９）前記延長部が前
   記円筒形壁部のまわりに均一に隔置された請求項１８記
   載の装置。２０）前記延長部がカソードに対してほぼ垂
   直である請求項１９記載の装置。 ２１）前記複数個の接点が前記反応室と接触した請求項
   １記載の装置。 ２２）前記複数個の接点が前記反応室と接触した請求項
   １５記載の装置。