KR880009425A - 단일 가공품의 건식 플라즈마 처리용 장치 - Google Patents

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KR880009425A
KR880009425A KR1019880000173A KR880000173A KR880009425A KR 880009425 A KR880009425 A KR 880009425A KR 1019880000173 A KR1019880000173 A KR 1019880000173A KR 880000173 A KR880000173 A KR 880000173A KR 880009425 A KR880009425 A KR 880009425A
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KR1019880000173A
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지인 휘트록 아미클
차알즈 레리어 케빈
Original Assignee
원본미기재
오린 코오포레이션
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Abstract

내용 없음.

Description

단일 가공품의 건식 플라즈마 처리용 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 단일 웨이퍼 포토레지스트 플라즈마 제거기의 정단면도.
제 2 도는 그 위치가 가상선으로 도시된 수정 반응실에 인접한 다수의 소 면적 접점들을 형성하는 음극의 연장부들을 보여주는 단일 웨이퍼 포토레지스트 플라즈마 제거기 음극의 평면도.
제 3 도는 반응실에 인접한 다수의 소면적 접점들을 형성하는 음극의 연장부들중 하나의 확대 사시도.

Claims (22)

  1. (a) 상반부와 하반부를 가진 대체로 원통형의 중앙벽 부분과, 개방된 바닥, 및 폐쇄된 상면을 가지는 플라즈마 발생용 수정 반응실 ; (b) 상기 개방된 바닥과 접촉가능하고 상기 반응실을 지지하기 위한 기부수단 ; (c) 상기 반응실을 밀봉하기 위해 상기 반응실과 기부 수단사이에 배치되는 밀봉 수단 ; (d) 상기 반응실내로 반응가스를 공급하기 위한 가스 도입구 수단 ; (e) 상기 반응실의 원통형 중앙 벽 부분의 상반부 주위외면에서 상기 폐쇄면 상단에 인접히 그 상면아래에 배치되고, 무선 주파수 전원에 연결가능하고, 대체로 원형이며, 고밀도의 무선 주파수계를 발생하도록 반응실에 밀접하고 그 반응실 쪽 내측으로 연장하는 다수의 접점들을 가지는 음극 ; (f) 가공품을 수용하기 위해 기부 수단에 연결된 지지수단 ; (g) 반응실의 중앙 벽부분의 하반부 주위 외면에서 상기 개방된 바닥에 인접히 그 바닥 위와 상기 지지 수단 위에 배치되고, 전기적으로 접지되는 양극 ; (h) 상기 반응실을 비우기 위한 진공 수단 ; 및 (i) 상기지지 수단의 온도를 제어하기 위한 냉각 수단으로 이루어진 단일 가공품의 건식 플라즈마 처리용 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 밀봉 수단이 O-링인 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 접점들이 음극으로 부터의 연장부들을 더 포함하는 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 연장부들이 반응실의 중앙 벽부분 주위에서 균일한 간격으로 떨어져 있는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 연장부들이 음극에 대체로 수직인 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 연장부들이 L자 형태로된 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 음극이 알루미늄인 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 양극이 알루미늄인 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 지지수단은 가공품이 얹히는 다수의 수정 핀들을 더 포함하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 가공품이 반도체 웨이퍼인 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 냉각 수단이 지지수단내외로 물을 순환시키는 순환 수 시스템을 더 포함하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 가스 도입구 수단이 가공품쪽으로의 연속되고 사실상 수직적으로 하향하는 유로내에 반응 가스들을 공급하는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 반응실내에서 발생된 플라즈마가 가공품에 작용하는 활성 산소종류(species)를 포함하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 연속되고 사실상 수직적으로 햐향 하는 유로는 반응실의 중앙 벽부분으로 부터 멀리 가공품쪽 하방으로 상기 활성 산소 종류를 끌어 당기는 내부 흐름 패턴을 반응실내에 형성하는 장치.
  15. 반응실의 바닥에 인접히 배치된 단일 가공품의 건식 플라즈마 처리를 위한 반응실을 가지는 장치로서, 상기 반응실은 상반부와 하반부를 가진 원통형 벽과, 반구형 상면과, 그 반구형 상면을 통하여 반응실내로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 도입구 수단을 가지는 상기 장치에 있어서, (a) 상기 반응실의 원통형 벽의 상반부 주위 외면에서 상기 반구형 상면에 인접히 그 상면 아래에 배치되고, 무선 주파수 전원에 연결가능하며, 원형이고, 가공품에 작용하도록 활성 가스 종류를 생성하는 고밀도의 무선 주파수계를 반응실내에 발생시키도록 반응실에 밀접하고 그 반응실 쪽 내측으로 연장하는 다수의 접점들을 가지는 음극 ; 과 (b) 반응실의 원통형 벽 부분으로 부터 멀리 가공품쪽으로 하방으로 활성 가스 종류를 끌어당기는 내부 흐름 패턴을 반응실 내에 형성하는 유로로서, 연속되고 사실상 수직적으로 하향하는 가공품쪽으로의 반응가스 유로를 포함함을 특징으로 하는 단일 가공품의 건식 플라즈마 처리용장치.
  16. 제15항에 있어서, 반응 가스가 산소를 포함하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 활성 가스종류가 여기된 상태의 분자성 산소 및 단원자산소를 포함하는 장치.
  18. 제15항에 있어서, 다수의 접점들이 음극으로 부터의 연장부들을 더 포함하는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 연장부들이 원통형 벽 주위에서 균일한 간격으로 떨어져 있는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 연장부들이 음극에 대체로 수직인 장치.
  21. 제 1 항에 있어서, 다수의 접점들이 반응실과 접촉하는 장치.
  22. 제15항에 있어서, 다수의 접점들이 반응실과 접촉하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880000173A 1987-01-12 1988-01-11 단일 가공품의 건식 플라즈마 처리용 장치 KR880009425A (ko)

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US07/002,583 US4736087A (en) 1987-01-12 1987-01-12 Plasma stripper with multiple contact point cathode

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