JPH04280987A - クリーニング装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 104
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 Sb and Ge Chemical class 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014263 BrF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置または該
装置の治具に堆積した金属、非金属またはその化合物あ
るいはセラミックスをクリーニングガスと接触させて除
去するクリーニング装置に関する。
装置の治具に堆積した金属、非金属またはその化合物あ
るいはセラミックスをクリーニングガスと接触させて除
去するクリーニング装置に関する。
【0002】
【従来技術とその問題点】従来より半導体製造等の薄膜
形成プロセス、すなわちCVD、真空蒸着、PVD、シ
リコンエピタキシー等の方法においては、薄膜を形成す
べき装置目的物だけでなく装置の部材、各種治具等にも
多量の堆積物、付着物が生成する。
形成プロセス、すなわちCVD、真空蒸着、PVD、シ
リコンエピタキシー等の方法においては、薄膜を形成す
べき装置目的物だけでなく装置の部材、各種治具等にも
多量の堆積物、付着物が生成する。
【0003】これらを除去する手段として強酸、強アル
カリ等の液体による洗浄、機械的研摩、CF4 、SF
6 、NF3等をクリーニングガスとして用いプラズマ
雰囲気下でクリーニングする方法が実施されている。
カリ等の液体による洗浄、機械的研摩、CF4 、SF
6 、NF3等をクリーニングガスとして用いプラズマ
雰囲気下でクリーニングする方法が実施されている。
【0004】しかし、強酸、強アルカリ等による洗浄や
機械的研摩による方法は、長期間装置を停止する必要が
ある他操作が煩雑で、装置、治具等が損傷を受けるとい
う問題がある。また、CF4 、SF6 、NF3 等
を用いプラズマ雰囲気下でクリーニングする方法におい
ては、プラズマ雰囲気を必要とするため装置上の制約が
大きい。
機械的研摩による方法は、長期間装置を停止する必要が
ある他操作が煩雑で、装置、治具等が損傷を受けるとい
う問題がある。また、CF4 、SF6 、NF3 等
を用いプラズマ雰囲気下でクリーニングする方法におい
ては、プラズマ雰囲気を必要とするため装置上の制約が
大きい。
【0005】そこで、最近装置、治具等をクリーニング
ガスと接触させることにより、それらを傷つけず簡単に
堆積物だけを除去できる方法として、フッ素やClF3
等のフッ化ハロゲンガスをクリーニングガスとして使用
したクリーニング方法が注目を集めているが、前記ガス
を使用して効率よく、短時間で簡単にクリーニングでき
る装置がないのが現状である。
ガスと接触させることにより、それらを傷つけず簡単に
堆積物だけを除去できる方法として、フッ素やClF3
等のフッ化ハロゲンガスをクリーニングガスとして使用
したクリーニング方法が注目を集めているが、前記ガス
を使用して効率よく、短時間で簡単にクリーニングでき
る装置がないのが現状である。
【0006】
【問題点を解決するための手段】本発明者らはかかる問
題点に鑑み、鋭意検討した結果、温度制御ができる反応
器内に攪拌羽根を備え、排気ガス処理装置やガス混合器
等も備えたクリーニング装置を制作し、これを使用して
クリーニングを行うことにより極めて効率よく薄膜形成
装置や治具をクリーニングできることを見出し、本発明
に到達したものである。
題点に鑑み、鋭意検討した結果、温度制御ができる反応
器内に攪拌羽根を備え、排気ガス処理装置やガス混合器
等も備えたクリーニング装置を制作し、これを使用して
クリーニングを行うことにより極めて効率よく薄膜形成
装置や治具をクリーニングできることを見出し、本発明
に到達したものである。
【0007】すなわち本発明は、薄膜形成装置または該
装置の治具に堆積した金属、非金属またはその化合物を
クリーニングガスと接触させて除去するクリーニング装
置において、下記(A) 〜(D) からなることを特
徴とするクリーニング装置。 (A) 温度制御装置および攪拌羽根を備えた反応器。 (B) 希釈ガスとクリーニングガスを混合器を通して
反応器に導く供給配管。 (C) アルカリ土類金属の酸化物または水酸化物を充
填した排ガス処理塔、または前記排ガス処理塔の後に活
性炭を充填した塔を付加した排ガス処理塔。 (D) 反応器の圧力が設定値以上になった場合に自動
的にバルブを解放する制御装置を備え、反応器より排ガ
ス処理塔に直接通じているバイパス用配管、および前記
クリーニング装置において、特に(A) が温度制御装
置、攪拌羽根およびガス循環用のポンプと配管を備えた
反応器であることを特徴とするクリーニング装置を提供
するものである。
装置の治具に堆積した金属、非金属またはその化合物を
クリーニングガスと接触させて除去するクリーニング装
置において、下記(A) 〜(D) からなることを特
徴とするクリーニング装置。 (A) 温度制御装置および攪拌羽根を備えた反応器。 (B) 希釈ガスとクリーニングガスを混合器を通して
反応器に導く供給配管。 (C) アルカリ土類金属の酸化物または水酸化物を充
填した排ガス処理塔、または前記排ガス処理塔の後に活
性炭を充填した塔を付加した排ガス処理塔。 (D) 反応器の圧力が設定値以上になった場合に自動
的にバルブを解放する制御装置を備え、反応器より排ガ
ス処理塔に直接通じているバイパス用配管、および前記
クリーニング装置において、特に(A) が温度制御装
置、攪拌羽根およびガス循環用のポンプと配管を備えた
反応器であることを特徴とするクリーニング装置を提供
するものである。
【0008】まず、本発明の対象とする薄膜形成装置ま
たは治具の堆積物とは、P,As,W,Si,Ti,V
,Nb,Ta,Se,Te,Mo,Re,Os,Ir,
Sb,Ge等の金属およびその窒化物、炭化物およびS
iO 等の酸化物が挙げられる。また、本発明で使用す
るクリーニングガスとしては、フッ素(F2)およびC
lF,ClF3, ClF5,BrF,BrF3, B
rF5,IF,IF3,IF5等のフッ化ハロゲンガス
が挙げられるが、化学的に安定で取扱いやすいガスとし
て、F2,ClF3 が好ましい。
たは治具の堆積物とは、P,As,W,Si,Ti,V
,Nb,Ta,Se,Te,Mo,Re,Os,Ir,
Sb,Ge等の金属およびその窒化物、炭化物およびS
iO 等の酸化物が挙げられる。また、本発明で使用す
るクリーニングガスとしては、フッ素(F2)およびC
lF,ClF3, ClF5,BrF,BrF3, B
rF5,IF,IF3,IF5等のフッ化ハロゲンガス
が挙げられるが、化学的に安定で取扱いやすいガスとし
て、F2,ClF3 が好ましい。
【0009】次に、本発明の装置の一例についての概略
的なフロー図を図1に示すが、この図を基に本発明の装
置について詳述する。前記したクリーニングガスは、所
定の容器に貯蔵されたクリーニングガスボンベ2により
供給されるが、クリーニングガス単独でクリーニングす
る場合と窒素、アルゴン等の不活性ガスで希釈してクリ
ーニングする場合の二つの方法をとることができる。ま
た、クリーニングガス単独で使用する場合も、上記した
クリーニングガスをそれぞれ適当な割合に混合して使用
する場合もあり、各ボンベ(希釈ガスボンベ1,クリー
ニングガスボンベ2)からの配管は、一本の供給配管8
に統合されて反応器4に接続されている。
的なフロー図を図1に示すが、この図を基に本発明の装
置について詳述する。前記したクリーニングガスは、所
定の容器に貯蔵されたクリーニングガスボンベ2により
供給されるが、クリーニングガス単独でクリーニングす
る場合と窒素、アルゴン等の不活性ガスで希釈してクリ
ーニングする場合の二つの方法をとることができる。ま
た、クリーニングガス単独で使用する場合も、上記した
クリーニングガスをそれぞれ適当な割合に混合して使用
する場合もあり、各ボンベ(希釈ガスボンベ1,クリー
ニングガスボンベ2)からの配管は、一本の供給配管8
に統合されて反応器4に接続されている。
【0010】従来の装置では、希釈ガスとクリーニング
ガスが別々に反応器に導入されている場合が多いが、こ
の場合では各ガスの混合がうまくいかないため、場所に
より不均一にクリーニングされる場合が生じる。本発明
ではさらにボンベからの各ガスがより均一に混合される
ように各供給配管が一本化される箇所にスタティックミ
キサ等のガスミキサー3を設けたり、ラシヒリング等の
充填材を充填したガスミキサー3によりガスの混合を行
う。クリーニングガスは室温で充分蒸気圧が高くない場
合もあるので、ボンベは安定したガス供給を行うため、
温度コントローラーのついた加熱装置を備えている方が
好ましく、また配管そのものも温度コントローラーのつ
いた加熱装置を備えているのが好ましい。供給配管8や
それに付随するバルブ等の装置の接ガス部の材質として
、ステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、インコ
ネル等が挙げられるが、普通の条件で行う場合は経済的
で充分耐久性のあるステンレスで充分である。また供給
配管中のガス圧が異常に上昇した場合は、ガスをパージ
できるような配管を設けている。
ガスが別々に反応器に導入されている場合が多いが、こ
の場合では各ガスの混合がうまくいかないため、場所に
より不均一にクリーニングされる場合が生じる。本発明
ではさらにボンベからの各ガスがより均一に混合される
ように各供給配管が一本化される箇所にスタティックミ
キサ等のガスミキサー3を設けたり、ラシヒリング等の
充填材を充填したガスミキサー3によりガスの混合を行
う。クリーニングガスは室温で充分蒸気圧が高くない場
合もあるので、ボンベは安定したガス供給を行うため、
温度コントローラーのついた加熱装置を備えている方が
好ましく、また配管そのものも温度コントローラーのつ
いた加熱装置を備えているのが好ましい。供給配管8や
それに付随するバルブ等の装置の接ガス部の材質として
、ステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、インコ
ネル等が挙げられるが、普通の条件で行う場合は経済的
で充分耐久性のあるステンレスで充分である。また供給
配管中のガス圧が異常に上昇した場合は、ガスをパージ
できるような配管を設けている。
【0011】次に反応器4についてであるが、該装置の
一例を少し詳しく描いた図2を基に説明すると、反応器
4は堆積したクリーニング対象物が反応した場合に発生
するガスを速やかに除去し、新たなクリーニングガスを
対象物に接触させるため、反応器内のクリーニングガス
を充分に攪拌するための攪拌機14を備えている。攪拌
機14は、充分ガスの混合、攪拌が行われるように、プ
ロペラ形、かい形のものが好ましい。また導入されたガ
スが迅速にクリーニング対象物に接触するように、供給
配管8のガス導入口に近い場所に設置するのが好ましい
。この攪拌機による効果は、クリーニングガスの圧力が
数十Torr以上になった場合に顕著である。
一例を少し詳しく描いた図2を基に説明すると、反応器
4は堆積したクリーニング対象物が反応した場合に発生
するガスを速やかに除去し、新たなクリーニングガスを
対象物に接触させるため、反応器内のクリーニングガス
を充分に攪拌するための攪拌機14を備えている。攪拌
機14は、充分ガスの混合、攪拌が行われるように、プ
ロペラ形、かい形のものが好ましい。また導入されたガ
スが迅速にクリーニング対象物に接触するように、供給
配管8のガス導入口に近い場所に設置するのが好ましい
。この攪拌機による効果は、クリーニングガスの圧力が
数十Torr以上になった場合に顕著である。
【0012】クリーニングの方法として、反応容器に一
定速度でクリーニングガスを流通させながらが行う流通
方式と一定圧になるように反応器4にクリーニングガス
を導入した後に入口、出口のバルブを閉じ、密閉雰囲気
でクリーニングを行う静置式の二つの方法がある。特に
流通式でクリーニングを行う場合は、反応器4に循環用
の配管(図示はしていない。)を設けて反応器4内のガ
スを一部循環することにより、クリーニングガスを効率
よく利用することができ、またクリーニングガスの攪拌
効果も期待することができるので、場合によっては静置
式で行う場合も上記の循環用配管を設けてクリーニング
ガスの循環を行ってもよい。循環用の配管の途中には、
ドライポンプを設けるが、このドライポンプは、接ガス
部がステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、イン
コネル等の金属からなり、シール部はポリテトラフルオ
ロエチレン(PTFE)を使用し、その他の接触の可能
性がある部分には不活性ガスを吹きつけることによりク
リーニングガスとの接触を防ぐ構造になっている必要が
ある。
定速度でクリーニングガスを流通させながらが行う流通
方式と一定圧になるように反応器4にクリーニングガス
を導入した後に入口、出口のバルブを閉じ、密閉雰囲気
でクリーニングを行う静置式の二つの方法がある。特に
流通式でクリーニングを行う場合は、反応器4に循環用
の配管(図示はしていない。)を設けて反応器4内のガ
スを一部循環することにより、クリーニングガスを効率
よく利用することができ、またクリーニングガスの攪拌
効果も期待することができるので、場合によっては静置
式で行う場合も上記の循環用配管を設けてクリーニング
ガスの循環を行ってもよい。循環用の配管の途中には、
ドライポンプを設けるが、このドライポンプは、接ガス
部がステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、イン
コネル等の金属からなり、シール部はポリテトラフルオ
ロエチレン(PTFE)を使用し、その他の接触の可能
性がある部分には不活性ガスを吹きつけることによりク
リーニングガスとの接触を防ぐ構造になっている必要が
ある。
【0013】反応器4は、温度コントローラーを備えた
加熱装置が設けてあり、反応器の材質はニッケル、石英
、ステンレス、インコネル、モネル、アルミ合金等が使
用できるが、その材質は主として反応器の温度によって
決定される。また反応器自体複数の部品からなるが、こ
の場合もその部品の温度がどの程度の温度になるかによ
りその材質が決定される。すなわち、ステンレスの場合
、SUS316,SUS316L,SUS304,SU
S304L は約200 ℃程度、SUS430は約1
00 ℃程度、アルミニウム(Al5052)は約40
0 ℃程度、ニッケルは約650 ℃程度、モネルとイ
ンコネルは約300 ℃程度、石英は約800 ℃程度
の温度では充分使用できるので、反応器の設定温度やそ
の部品の達する温度により、上記材質から選択すればよ
い。
加熱装置が設けてあり、反応器の材質はニッケル、石英
、ステンレス、インコネル、モネル、アルミ合金等が使
用できるが、その材質は主として反応器の温度によって
決定される。また反応器自体複数の部品からなるが、こ
の場合もその部品の温度がどの程度の温度になるかによ
りその材質が決定される。すなわち、ステンレスの場合
、SUS316,SUS316L,SUS304,SU
S304L は約200 ℃程度、SUS430は約1
00 ℃程度、アルミニウム(Al5052)は約40
0 ℃程度、ニッケルは約650 ℃程度、モネルとイ
ンコネルは約300 ℃程度、石英は約800 ℃程度
の温度では充分使用できるので、反応器の設定温度やそ
の部品の達する温度により、上記材質から選択すればよ
い。
【0014】反応器4は、上記の条件を満足するものな
らどんなものでもよいが、その一例が図2に示す装置で
あり、円筒型の容器で円筒の周囲にヒーターが設置され
ており、円筒の一端または両端には開閉が行えるように
円形の扉15を設けている。扉の部分は、普通余り温度
が上昇しないように水冷のジャケット12を設けており
、扉の内側には何枚かの熱遮蔽板11を設置している。 これにより、反応器内部で温度が上昇する場合にも、こ
の部分は温度が余り上昇しない。ただし、このような温
度の低い部分には、クリーニングガスが吸着しやすいの
で、クリーニング後に反応器中のクリーニングガスを完
全にパージできるよう、遮蔽板付近に希釈ガスの配管1
3を設けることにより短時間で反応器中のクリーニング
ガスを完全にパージすることができる。
らどんなものでもよいが、その一例が図2に示す装置で
あり、円筒型の容器で円筒の周囲にヒーターが設置され
ており、円筒の一端または両端には開閉が行えるように
円形の扉15を設けている。扉の部分は、普通余り温度
が上昇しないように水冷のジャケット12を設けており
、扉の内側には何枚かの熱遮蔽板11を設置している。 これにより、反応器内部で温度が上昇する場合にも、こ
の部分は温度が余り上昇しない。ただし、このような温
度の低い部分には、クリーニングガスが吸着しやすいの
で、クリーニング後に反応器中のクリーニングガスを完
全にパージできるよう、遮蔽板付近に希釈ガスの配管1
3を設けることにより短時間で反応器中のクリーニング
ガスを完全にパージすることができる。
【0015】次に反応器4以降の排ガス処理装置である
が、排ガス用配管9は反応器4を出てすぐ後では反応器
内のガスにより温度が上昇する可能性があるので、その
ための材質を選定する必要がある。その材質の選定基準
は、前記した反応容器と同様である。排ガスは、排ガス
用配管9により排気ポンプ6を通り、排ガス処理塔に導
かれる。排気ポンプ6としては、接ガス部の材質として
ステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、インコネ
ル等のうち1種からなり、シール材としてはPTFEを
使用したドライポンプ、または接ガス部の材質およびシ
ール材が同様の材質からなり、封入油としてはフッ素オ
イル(ホンブリン)等を使用した油回転ポンプを用いる
か、それらを併用する。また、排気ポンプ6の前にその
排気速度を早めるために、メカニカルブースターポンプ
5を使用してもよい。油回転ポンプに普通の鉱物オイル
を使用するとオイルの劣化が激しいため、短期間で使用
不能となる。
が、排ガス用配管9は反応器4を出てすぐ後では反応器
内のガスにより温度が上昇する可能性があるので、その
ための材質を選定する必要がある。その材質の選定基準
は、前記した反応容器と同様である。排ガスは、排ガス
用配管9により排気ポンプ6を通り、排ガス処理塔に導
かれる。排気ポンプ6としては、接ガス部の材質として
ステンレス、アルミ合金、ニッケル、モネル、インコネ
ル等のうち1種からなり、シール材としてはPTFEを
使用したドライポンプ、または接ガス部の材質およびシ
ール材が同様の材質からなり、封入油としてはフッ素オ
イル(ホンブリン)等を使用した油回転ポンプを用いる
か、それらを併用する。また、排気ポンプ6の前にその
排気速度を早めるために、メカニカルブースターポンプ
5を使用してもよい。油回転ポンプに普通の鉱物オイル
を使用するとオイルの劣化が激しいため、短期間で使用
不能となる。
【0016】排気ポンプを出た処理済のガスは、排ガス
処理塔7を通過することによりクリーニングガスおよび
処理により発生したガスともに吸収される。排ガス処理
塔7は、二段の処理を行う設備を有し、一段目の処理と
して固体状アルカリの充填層を通過させた後、二段目の
処理として活性炭での処理を行うものである。上記排ガ
ス処理については、本出願人はすでに提案(特願平2−
212698号) を行っており前記出願に詳述してい
るが、その内容は以下のようなものである。
処理塔7を通過することによりクリーニングガスおよび
処理により発生したガスともに吸収される。排ガス処理
塔7は、二段の処理を行う設備を有し、一段目の処理と
して固体状アルカリの充填層を通過させた後、二段目の
処理として活性炭での処理を行うものである。上記排ガ
ス処理については、本出願人はすでに提案(特願平2−
212698号) を行っており前記出願に詳述してい
るが、その内容は以下のようなものである。
【0017】すなわち、一段目の排ガス処理塔に充填す
る固体状のアルカリとしては、アルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の酸化物、水酸化物または炭酸塩が挙げ
られるが、なかでもソーダライム、水酸化カルシウム、
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、酸化カルシウム等
が好ましく、前記化合物は顆粒状の形で用いることがで
きる。
る固体状のアルカリとしては、アルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の酸化物、水酸化物または炭酸塩が挙げ
られるが、なかでもソーダライム、水酸化カルシウム、
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、酸化カルシウム等
が好ましく、前記化合物は顆粒状の形で用いることがで
きる。
【0018】反応器4を出た排ガスは、前記したクリー
ニングガスの他、クリーニング処理により発生したハロ
ゲン化物も含むが、これらは固体状のアルカリの層を通
すことにより固定される。
ニングガスの他、クリーニング処理により発生したハロ
ゲン化物も含むが、これらは固体状のアルカリの層を通
すことにより固定される。
【0019】条件によっては、排ガス処理の初期に極微
量のハロゲンガスが、一段目の層を通過する場合がある
が、これらは二番目の活性炭を充填した処理層により、
完全に取り除くことができる。使用する活性炭は、粒状
活性炭が好ましい。
量のハロゲンガスが、一段目の層を通過する場合がある
が、これらは二番目の活性炭を充填した処理層により、
完全に取り除くことができる。使用する活性炭は、粒状
活性炭が好ましい。
【0020】次に安全上の措置について述べると、普通
クリーニングを行う薄膜形成装置または治具に堆積して
いる化合物は、量的には極くわずかであるので、クリー
ニングガスを導入しても反応器内のガス圧が急激に上昇
することは殆どないが、前記の圧力が急上昇した場合の
措置として反応器4より直接排ガス処理塔に通じるバイ
パス配管10を設置してあり、反応器内の圧力が所定圧
以上になった場合は、該ガスは排ガス処理塔に直接入り
、排ガス処理が行われる。
クリーニングを行う薄膜形成装置または治具に堆積して
いる化合物は、量的には極くわずかであるので、クリー
ニングガスを導入しても反応器内のガス圧が急激に上昇
することは殆どないが、前記の圧力が急上昇した場合の
措置として反応器4より直接排ガス処理塔に通じるバイ
パス配管10を設置してあり、反応器内の圧力が所定圧
以上になった場合は、該ガスは排ガス処理塔に直接入り
、排ガス処理が行われる。
【0021】以上記述したようなクリーニング装置によ
り、薄膜形成装置または該装置の治具に堆積した金属、
非金属またはその化合物を、極めて効率よく除去するこ
とができる。
り、薄膜形成装置または該装置の治具に堆積した金属、
非金属またはその化合物を、極めて効率よく除去するこ
とができる。
【0022】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
【0023】実施例1
図1に示すようなクリーニング装置を用い、図2に示す
ような120 mmφ×350mmLのニッケル製反応
管を用い、この反応管の図3(側面図ならびに平面図)
で示す1〜12の各点に20×20×3mm のSUS
304基板上に厚さ10μmのa−Siを成膜したサン
プルを設置した。
ような120 mmφ×350mmLのニッケル製反応
管を用い、この反応管の図3(側面図ならびに平面図)
で示す1〜12の各点に20×20×3mm のSUS
304基板上に厚さ10μmのa−Siを成膜したサン
プルを設置した。
【0024】ClF3を10V%(100cc/min
) 、N290V%(900cc/min) の組成に
配管中で予め混合したガスを供給配管8より導入し、反
応器内部圧力760 Torr、反応器内部温度18℃
でガス流通を行い、10分間クリーニング処理を行った
。処理後のa−Si膜厚測定の結果を表1に示す。
) 、N290V%(900cc/min) の組成に
配管中で予め混合したガスを供給配管8より導入し、反
応器内部圧力760 Torr、反応器内部温度18℃
でガス流通を行い、10分間クリーニング処理を行った
。処理後のa−Si膜厚測定の結果を表1に示す。
【0025】
【表1】
【0026】比較例1
実施例1と同じ反応器および同様の基板を使用して以下
のような実験を行った。
のような実験を行った。
【0027】すなわち、ClF3を10V%(100c
c/min)を供給配管8より、N290V%(900
cc/min) を導入口BCDEより導入した。反応
器内部圧力760 Torr、反応器内部温度18℃で
10分間クリーニング処理を行った後、サンプル表面の
a−Si膜厚を測定した結果を表2に示す。
c/min)を供給配管8より、N290V%(900
cc/min) を導入口BCDEより導入した。反応
器内部圧力760 Torr、反応器内部温度18℃で
10分間クリーニング処理を行った後、サンプル表面の
a−Si膜厚を測定した結果を表2に示す。
【0028】
【表2】
【0029】実施例1と比較例1の結果を比較してみる
と、比較例1では暴露後のa−Si膜厚が実施例位置と
比較して位置的に不均一である。すなわち予め配管中で
ガス混合を行った方がガス組成を均一にすることができ
る。
と、比較例1では暴露後のa−Si膜厚が実施例位置と
比較して位置的に不均一である。すなわち予め配管中で
ガス混合を行った方がガス組成を均一にすることができ
る。
【0030】実施例2
図3に示すような反応器内部の点5,8,13の位置に
35×35×3 mmのSUS304基板に1μmの
SiNX を成膜したサンプルを設置し、プロペラ型の
攪拌羽根を回転させ(600r.p.m.) 反応器内
部温度150 ℃、反応器内部圧力700、100、1
0、5Torr、 ClF3濃度10V%(100cc
/min) 、N2濃度90V%(900cc/min
) でエッチングレートの測定を行った。その結果を表
3に示す。
35×35×3 mmのSUS304基板に1μmの
SiNX を成膜したサンプルを設置し、プロペラ型の
攪拌羽根を回転させ(600r.p.m.) 反応器内
部温度150 ℃、反応器内部圧力700、100、1
0、5Torr、 ClF3濃度10V%(100cc
/min) 、N2濃度90V%(900cc/min
) でエッチングレートの測定を行った。その結果を表
3に示す。
【0031】
【表3】
【0032】比較例2
実施例2と同様の方法で、攪拌羽根を動かさずに反応器
内部温度150 ℃、反応器内部圧力700、100、
10、5Torr、 ClF3濃度10V%(100c
c/min) 、N2濃度90V%(90cc/min
)でエッチングレートの測定を行った。その結果を表4
に示す。
内部温度150 ℃、反応器内部圧力700、100、
10、5Torr、 ClF3濃度10V%(100c
c/min) 、N2濃度90V%(90cc/min
)でエッチングレートの測定を行った。その結果を表4
に示す。
【0033】
【表4】
【0034】実施例2と比較例2を比較すると、実施例
2では位置の違いによるエッチングレートの差は比較例
2と比較し小さくなっている。また、実施例2のエッチ
ングレートは比較例2より大きくなっていることから、
10Torr以上のガス圧力において、攪拌機を用いて
反応槽中のガスを攪拌することにより効率良いクリーニ
ングができる。 また、図1に示した実験装置を用い
反応器内部のガスを循環ポンプを用い攪拌したところ同
様の結果が得られた。
2では位置の違いによるエッチングレートの差は比較例
2と比較し小さくなっている。また、実施例2のエッチ
ングレートは比較例2より大きくなっていることから、
10Torr以上のガス圧力において、攪拌機を用いて
反応槽中のガスを攪拌することにより効率良いクリーニ
ングができる。 また、図1に示した実験装置を用い
反応器内部のガスを循環ポンプを用い攪拌したところ同
様の結果が得られた。
【0035】実施例3
図1に示したようなソーダ石灰(約3mmの粒状物)を
充填した層(400mmφ×700mmH) と活性炭
(約3mmの粒状物)を充填した層(400mmφ×7
00mmH)の排気ガス処理塔を用いてClF310v
%のガスを50L/min の排気速度で70L 排気
して排ガス処理したところ、処理後のガス中にはCl,
Fとも検出されなかった。
充填した層(400mmφ×700mmH) と活性炭
(約3mmの粒状物)を充填した層(400mmφ×7
00mmH)の排気ガス処理塔を用いてClF310v
%のガスを50L/min の排気速度で70L 排気
して排ガス処理したところ、処理後のガス中にはCl,
Fとも検出されなかった。
【0036】フッ素及び塩素の検出は処理後の排ガスを
水酸化ナトリウム水溶液に吸収させ、その中に含有する
フッ素イオン、塩素イオン濃度をイオンメータにより測
定することにより行った。
水酸化ナトリウム水溶液に吸収させ、その中に含有する
フッ素イオン、塩素イオン濃度をイオンメータにより測
定することにより行った。
【0037】実施例4
実施例3と同様の方法で、ClF31 v%のガスを5
0L/min の排気速度で70L 排気し、ソーダ石
灰を充填した層(400φ×700H) を80℃に加
温して排ガス処理したところ、処理後のガス中にCl,
Fとも検出されなかった。
0L/min の排気速度で70L 排気し、ソーダ石
灰を充填した層(400φ×700H) を80℃に加
温して排ガス処理したところ、処理後のガス中にCl,
Fとも検出されなかった。
【0038】
【発明の効果】本発明のクリーニング装置により、薄膜
形成装置または該装置の治具に堆積した金属、非金属ま
たはその化合物を、極めて効率よく除去することができ
る。
形成装置または該装置の治具に堆積した金属、非金属ま
たはその化合物を、極めて効率よく除去することができ
る。
【図1】本発明のクリーニング装置の一例を示す概略的
なフロー図である。
なフロー図である。
【図2】本発明の反応器の一例を示す概略的な断面図で
ある。
ある。
【図3】本発明の反応器とサンプル設置位置との関係を
示す概略的な側面図ならびに平面図である。
示す概略的な側面図ならびに平面図である。
1−−−−希釈ガスボンベ 2−−−−クリーニ
ングガスボンベ 3−−−−ガスミキサー 4−−−−反応器
5−−−−メカニカルブースターポンプ 6−−−−排気ポンプ 7−−−−排ガス処理塔
8−−−−供給配管 9−−−−排ガス用配管 10−−−−バイパス
配管 11−−−−遮蔽板 12−−−−水冷ジャケット 13−−−−希釈
ガス配管 14−−−−攪拌機 15−−
−−扉
ングガスボンベ 3−−−−ガスミキサー 4−−−−反応器
5−−−−メカニカルブースターポンプ 6−−−−排気ポンプ 7−−−−排ガス処理塔
8−−−−供給配管 9−−−−排ガス用配管 10−−−−バイパス
配管 11−−−−遮蔽板 12−−−−水冷ジャケット 13−−−−希釈
ガス配管 14−−−−攪拌機 15−−
−−扉
Claims (2)
- 【請求項1】 薄膜形成装置または該装置の治具に堆
積した金属、非金属またはその化合物をクリーニングガ
スと接触させて除去するクリーニング装置において、下
記(A) 〜(D) からなることを特徴とするクリー
ニング装置。 (A) 温度制御装置および攪拌羽根を備えた反応器。 (B) 希釈ガスとクリーニングガスを混合器を通して
反応器に導く供給配管。 (C) 固体状のアルカリを充填した排ガス処理塔、ま
たは前記排ガス処理塔の後に活性炭を充填した塔を付加
した排ガス処理塔。 (D) 反応器の圧力が設定値以上になった場合に自動
的にバルブを解放する制御装置を備え、反応器より排ガ
ス処理塔に直接通じているバイパス用配管。 - 【請求項2】 請求項1記載のクリーニング装置にお
いて、(A) が温度制御装置、攪拌羽根およびガス循
環用のポンプと配管を備えた反応器であることを特徴と
するクリーニング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3884091A JPH04280987A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | クリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3884091A JPH04280987A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | クリーニング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04280987A true JPH04280987A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12536401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3884091A Pending JPH04280987A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | クリーニング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04280987A (ja) |
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-03-06 JP JP3884091A patent/JPH04280987A/ja active Pending
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