JP2979490B2 - 半導体製造工程におけるガス検出装置 - Google Patents
半導体製造工程におけるガス検出装置Info
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- JP2979490B2 JP2979490B2 JP3183655A JP18365591A JP2979490B2 JP 2979490 B2 JP2979490 B2 JP 2979490B2 JP 3183655 A JP3183655 A JP 3183655A JP 18365591 A JP18365591 A JP 18365591A JP 2979490 B2 JP2979490 B2 JP 2979490B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におけ
るガス検出装置に関するものである。
るガス検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置例えば拡散装置、エッチ
ング装置、スパッタリング装置など多くのものは処理ガ
スを供給し、被処理体例えば半導体ウエハの表面処理を
した後排気し、処理を終了する。
ング装置、スパッタリング装置など多くのものは処理ガ
スを供給し、被処理体例えば半導体ウエハの表面処理を
した後排気し、処理を終了する。
【０００３】例えばバッチ型熱処理装置の反応容器内に
反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを反応ガス供給管から
供給して、上記反応容器内の均熱雰囲気に設けられた半
導体ウエハ列の各ウエハ表面にＳｉ膜を形成した後、残
留ガスは真空ポンプが接続された排気管から排気する工
程を実行し処理を終了する。処理終了後、反応ガス供給
管からパージガス、例えば不活性なＮ2パージガスを流
し、反応容器内をＮ2パージガス雰囲気に置換した後、
処理済み被処理半導体ウエハをアンローディングしてい
る。
反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを反応ガス供給管から
供給して、上記反応容器内の均熱雰囲気に設けられた半
導体ウエハ列の各ウエハ表面にＳｉ膜を形成した後、残
留ガスは真空ポンプが接続された排気管から排気する工
程を実行し処理を終了する。処理終了後、反応ガス供給
管からパージガス、例えば不活性なＮ2パージガスを流
し、反応容器内をＮ2パージガス雰囲気に置換した後、
処理済み被処理半導体ウエハをアンローディングしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｎ２パ
ージガスによりパージを実行しても低濃度ではあるが、
残留ガスが反応ガス供給管反応容器内表面及び被処理体
表面より漸減傾向で放出されていることが判明してい
る。特に、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの場合には反応系の途中
でＨＣｌガスを発生し、このＨＣｌガスは毒性及び腐食
性があり、微量なＨＣｌガスでも検出を行うことが要求
されているが、低濃度で微量なガス成分を連続的に検出
する手段が現在開発されていない。本発明は上記の点に
対処してなされたもので、低濃度で微量なガスも連続的
に検出できる半導体製造工程におけるガス検出装置を提
供するものである。
ージガスによりパージを実行しても低濃度ではあるが、
残留ガスが反応ガス供給管反応容器内表面及び被処理体
表面より漸減傾向で放出されていることが判明してい
る。特に、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの場合には反応系の途中
でＨＣｌガスを発生し、このＨＣｌガスは毒性及び腐食
性があり、微量なＨＣｌガスでも検出を行うことが要求
されているが、低濃度で微量なガス成分を連続的に検出
する手段が現在開発されていない。本発明は上記の点に
対処してなされたもので、低濃度で微量なガスも連続的
に検出できる半導体製造工程におけるガス検出装置を提
供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、流動状態の液
体の溶媒と、この流動状態の溶媒で被検出ガスを溶解す
る手段と、この手段により被検出ガスが溶解された溶媒
中の予め定められた荷電粒子を検出する手段と、この手
段による検出値から予め定められたガス量を検出する手
段とを具備してなることを特徴とする半導体製造工程に
おけるガス検出装置である。この場合、流動状態の溶媒
に、被検出ガスの溶解・荷電化を促進する物質を予め溶
解して、被検出ガスと接触せしめ、又は、被検出ガスが
溶解された溶媒中の予め定められた荷電粒子と他の荷電
粒子とを分離する手段を具備するのが好ましい。
体の溶媒と、この流動状態の溶媒で被検出ガスを溶解す
る手段と、この手段により被検出ガスが溶解された溶媒
中の予め定められた荷電粒子を検出する手段と、この手
段による検出値から予め定められたガス量を検出する手
段とを具備してなることを特徴とする半導体製造工程に
おけるガス検出装置である。この場合、流動状態の溶媒
に、被検出ガスの溶解・荷電化を促進する物質を予め溶
解して、被検出ガスと接触せしめ、又は、被検出ガスが
溶解された溶媒中の予め定められた荷電粒子と他の荷電
粒子とを分離する手段を具備するのが好ましい。
【０００６】
【作用】本発明は、流動状態の液体の溶媒で被検出ガス
を溶解し、特に、溶媒が流動状態であるため、微少な被
検出ガス成分を確実に溶媒中に溶解させることができ、
溶媒中に溶解した成分により発生した被検出体中の予め
定められた荷電粒子のみに感応し、選択的に電気的変化
を出力する検出器により電気信号に変換してガス検出す
るものである。
を溶解し、特に、溶媒が流動状態であるため、微少な被
検出ガス成分を確実に溶媒中に溶解させることができ、
溶媒中に溶解した成分により発生した被検出体中の予め
定められた荷電粒子のみに感応し、選択的に電気的変化
を出力する検出器により電気信号に変換してガス検出す
るものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明装置を熱処理装置に適用した実
施例を図面を参照して説明する。熱処理装置は図１に示
すもので、即ち、例えば石英からなる耐熱性縦型反応容
器１の周囲には筒状抵抗加熱型ヒータ２が設けられ、こ
のヒータ２より上記反応容器１内に設けられた被熱処理
体、例えば半導体ウエハ６の配列位置に均熱領域を形成
するように構成されている。
施例を図面を参照して説明する。熱処理装置は図１に示
すもので、即ち、例えば石英からなる耐熱性縦型反応容
器１の周囲には筒状抵抗加熱型ヒータ２が設けられ、こ
のヒータ２より上記反応容器１内に設けられた被熱処理
体、例えば半導体ウエハ６の配列位置に均熱領域を形成
するように構成されている。
【０００８】上記反応容器１内には反応容器内管１ａが
同軸に設けられ、また底部には蓋状支持台３が設けら
れ、この支持台３はエレベータ３ａにより上下方向に移
動可能に構成されている。この上下移動は熱処理炉への
半導体ウエハ６のローディング・アンローディング動作
である。即ち、図１は上記反応容器１へ半導体ウエハ６
をローディングした状態であり、半導体ウエハ６をアン
ローディングするに際しては、上記エレベータ３ａによ
り上記支持台３を下方に移動させることにより実行され
る。
同軸に設けられ、また底部には蓋状支持台３が設けら
れ、この支持台３はエレベータ３ａにより上下方向に移
動可能に構成されている。この上下移動は熱処理炉への
半導体ウエハ６のローディング・アンローディング動作
である。即ち、図１は上記反応容器１へ半導体ウエハ６
をローディングした状態であり、半導体ウエハ６をアン
ローディングするに際しては、上記エレベータ３ａによ
り上記支持台３を下方に移動させることにより実行され
る。
【０００９】上記支持台３上の半導体ウエハ６列は保温
筒４を介して設けられるウエハボート５に収容される。
このウエハボート５に収容された半導体ウエハ６列をバ
ッチ処理するため、上記反応容器１には処理ガス、例え
ば反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2ガスやパージガスとして
不活性なＮ2ガスが供給されるガス供給源７ａには、ガ
ス供給管７が接続され、更に、上記反応ガスは予め定め
られた流れを形成するため排気管８を介して排気ポンプ
９が接続され反応ガスの排気が行われるように構成され
ている。
筒４を介して設けられるウエハボート５に収容される。
このウエハボート５に収容された半導体ウエハ６列をバ
ッチ処理するため、上記反応容器１には処理ガス、例え
ば反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2ガスやパージガスとして
不活性なＮ2ガスが供給されるガス供給源７ａには、ガ
ス供給管７が接続され、更に、上記反応ガスは予め定め
られた流れを形成するため排気管８を介して排気ポンプ
９が接続され反応ガスの排気が行われるように構成され
ている。
【００１０】このように構成された熱処理装置では、例
えば次のような成膜処理が実行される。即ち、ヒータ２
に電流を流し、反応容器１内の半導体ウエハ６列の設け
られている領域に成膜温度である、例えば８００℃の均
熱領域を形成する。その後、反応容器１内を予め定めら
れた真空度に排気する。
えば次のような成膜処理が実行される。即ち、ヒータ２
に電流を流し、反応容器１内の半導体ウエハ６列の設け
られている領域に成膜温度である、例えば８００℃の均
熱領域を形成する。その後、反応容器１内を予め定めら
れた真空度に排気する。
【００１１】次に、反応ガス供給管７からバルブ１０を
開状態に介して、反応容器１内に反応ガスを供給する。
この時の反応ガスは、例えばＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを供給
し、各半導体ウエハ６の被処理面に均一にガス流を形成
し、各半導体ウエハ６表面にＳｉ膜を形成する。この反
応後の反応生成ガスは、排気管８から排気される。この
工程を予め定められた期間、例えば６０分間実行した
後、反応ガスの供給をバルブ１０を閉じて成膜処理を停
止する。
開状態に介して、反応容器１内に反応ガスを供給する。
この時の反応ガスは、例えばＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを供給
し、各半導体ウエハ６の被処理面に均一にガス流を形成
し、各半導体ウエハ６表面にＳｉ膜を形成する。この反
応後の反応生成ガスは、排気管８から排気される。この
工程を予め定められた期間、例えば６０分間実行した
後、反応ガスの供給をバルブ１０を閉じて成膜処理を停
止する。
【００１２】次に、前記ガス供給源７ａからパージガス
を供給する。このパージガスは、例えば不活性ガスのＮ
2ガスや、例えばＨ2ガスをバルブ１０を介して反応容器
１に供給する。この供給により反応容器１内及び供給管
７内をパージガスで置換した後、再度排気する。これら
一連の工程のパージ工程後においても、反応容器１内や
供給管７内表面に吸着した成分がごく低濃度で僅かでは
あるが残留放出ガスとして発生する。特に、半導体ウエ
ハのアンローディングに際し、残留放出ガスの存在はク
リーンエアが循環されるクリーンルーム内での作業者に
有毒ガスと接する作業を行なわしめたり、又は半導体ウ
エハに対し望しくない作用、塵の発生や成膜品質の劣化
が発生するなどの改善点がある。
を供給する。このパージガスは、例えば不活性ガスのＮ
2ガスや、例えばＨ2ガスをバルブ１０を介して反応容器
１に供給する。この供給により反応容器１内及び供給管
７内をパージガスで置換した後、再度排気する。これら
一連の工程のパージ工程後においても、反応容器１内や
供給管７内表面に吸着した成分がごく低濃度で僅かでは
あるが残留放出ガスとして発生する。特に、半導体ウエ
ハのアンローディングに際し、残留放出ガスの存在はク
リーンエアが循環されるクリーンルーム内での作業者に
有毒ガスと接する作業を行なわしめたり、又は半導体ウ
エハに対し望しくない作用、塵の発生や成膜品質の劣化
が発生するなどの改善点がある。
【００１３】そこで、本発明に係る低濃度のガス検出機
構を供給管７や、排気管８、反応管１に設けることがで
きる。このガス検出装置２０を供給管７に設けた例につ
いて図２を参照して具体的に説明する。純水供給源２１
は、純水を圧送するポンプ２１ａに接続され、このポン
プ２１ａにより圧送された例えば６５ml／minの純水
と、ガス供給源７ａより供給された例えば１００sccmの
パージガスＮ2が、供給管７を介して混合点２２で混合
される。この混合されたパージガスＮ2と純水は、環状
に巻回された例えば内径５mmで長さ５ｍの配管２３を流
動状態で通過するうちに、パージガスＮ2中に含まれた
微少な被測定検出ガス成分例えばＳｉＨ2Ｃｌ2がほとん
ど純水中に溶解される。
構を供給管７や、排気管８、反応管１に設けることがで
きる。このガス検出装置２０を供給管７に設けた例につ
いて図２を参照して具体的に説明する。純水供給源２１
は、純水を圧送するポンプ２１ａに接続され、このポン
プ２１ａにより圧送された例えば６５ml／minの純水
と、ガス供給源７ａより供給された例えば１００sccmの
パージガスＮ2が、供給管７を介して混合点２２で混合
される。この混合されたパージガスＮ2と純水は、環状
に巻回された例えば内径５mmで長さ５ｍの配管２３を流
動状態で通過するうちに、パージガスＮ2中に含まれた
微少な被測定検出ガス成分例えばＳｉＨ2Ｃｌ2がほとん
ど純水中に溶解される。
【００１４】上記パージガスＮ2と微少な被測定ガス成
分が溶解された純水は分離器２４に圧送され、この分離
器の開放された上端部よりパージガスＮ2は大気中に放
出される。被測定ガス成分を含む上記純水は、分離器２
４より配管２４ａを介してポンプ２５に供給され、この
ポンプ２５により例えば４０ml／minで検出器２６へ圧
送される。この検出器２６は、液体中のイオン濃度を検
出するもので例えばクロライド測定器（オライオン社
製）により被検出体である例えば塩素イオン（Ｃｌ-)の
量を検出し電気信号で出力するものであり、Ｃｌ-選択
電極によりＣｌ-の到来によって生ずる電極間電流の変
化分を検出して電気信号として出力するものである。
分が溶解された純水は分離器２４に圧送され、この分離
器の開放された上端部よりパージガスＮ2は大気中に放
出される。被測定ガス成分を含む上記純水は、分離器２
４より配管２４ａを介してポンプ２５に供給され、この
ポンプ２５により例えば４０ml／minで検出器２６へ圧
送される。この検出器２６は、液体中のイオン濃度を検
出するもので例えばクロライド測定器（オライオン社
製）により被検出体である例えば塩素イオン（Ｃｌ-)の
量を検出し電気信号で出力するものであり、Ｃｌ-選択
電極によりＣｌ-の到来によって生ずる電極間電流の変
化分を検出して電気信号として出力するものである。
【００１５】上記検出器２６の出力信号は、演算器２７
に接続され、この演算器２７では予め記憶された換算値
と所定の演算が行われ、純水中に溶解された被測定ガス
成分の絶対値が出力されるように構成されている。上記
ポンプ２１ａにより、分離器２４に供給される純水量
と、上記ポンプ２５で排出される純水量の差の量の純水
は、上記分離器２４よりオーバーフローして容器２４ｂ
に集められ、この容器２４ｂの下部に設けられた排出部
２４ｃより排出される。また、上記検出器２６へ供給し
て所定のイオン量の検出が行われた後の純水は排出管２
６ａより排出される以上の如く、ガス検出装置２０は構
成されている。
に接続され、この演算器２７では予め記憶された換算値
と所定の演算が行われ、純水中に溶解された被測定ガス
成分の絶対値が出力されるように構成されている。上記
ポンプ２１ａにより、分離器２４に供給される純水量
と、上記ポンプ２５で排出される純水量の差の量の純水
は、上記分離器２４よりオーバーフローして容器２４ｂ
に集められ、この容器２４ｂの下部に設けられた排出部
２４ｃより排出される。また、上記検出器２６へ供給し
て所定のイオン量の検出が行われた後の純水は排出管２
６ａより排出される以上の如く、ガス検出装置２０は構
成されている。
【００１６】上記ガス検出工程の化学的反応は、次のよ
うな工程によるものと思われる。即ち、供給管７からガ
ス検出装置２０へ送られるＮ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを純
水Ｈ2Ｏに溶解すると、Ｎ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｈ2Ｏの反
応が行われる。この反応により反応結果として、下記の
化学式１による成分が発生し、パージガスのＮ2ガスを
分離器２４で分離した後は下記の化学式２中の成分が純
水に溶解し荷電粒子の２Ｃｌ-について検出器２６によ
りイオン量が検出される。
うな工程によるものと思われる。即ち、供給管７からガ
ス検出装置２０へ送られるＮ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを純
水Ｈ2Ｏに溶解すると、Ｎ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｈ2Ｏの反
応が行われる。この反応により反応結果として、下記の
化学式１による成分が発生し、パージガスのＮ2ガスを
分離器２４で分離した後は下記の化学式２中の成分が純
水に溶解し荷電粒子の２Ｃｌ-について検出器２６によ
りイオン量が検出される。
【００１７】
【化１】
【００１８】
【化２】
【００１９】このようにして、図１の供給管７内にどの
くらい不所望なガス例えばＳｉＨ2Ｃｌ2が存在するか検
出できる。この検出は、この実施例においては、ＳｉＨ
2Ｃｌ2ガスが低温部に吸着性があるため供給管７に吸着
し、ある時高温に加熱された時熱分解され、あるものは
微粒子となり、あるものは僅かではあるがガスとなって
上記説明した如くガス検出装置２０によって検出される
と思われる。
くらい不所望なガス例えばＳｉＨ2Ｃｌ2が存在するか検
出できる。この検出は、この実施例においては、ＳｉＨ
2Ｃｌ2ガスが低温部に吸着性があるため供給管７に吸着
し、ある時高温に加熱された時熱分解され、あるものは
微粒子となり、あるものは僅かではあるがガスとなって
上記説明した如くガス検出装置２０によって検出される
と思われる。
【００２０】従って、ガス検出装置２０で所望のガス成
分を測定することにより、供給管７や反応管１等のクリ
ーニングの時期を判定し、プラズマクリーニングやエッ
チングガス流によるクリーニングを実行することによ
り、所望の成膜処理を安定して行うことができ、また発
塵も防止でき、超ＬＳＩ製造工程において顕著に歩留り
向上に寄与する。従って、ガスを溶媒により溶解して検
出することにより微少なｐｐｍ、ｐｐｂというガス成分
でも検出を可能にできる。
分を測定することにより、供給管７や反応管１等のクリ
ーニングの時期を判定し、プラズマクリーニングやエッ
チングガス流によるクリーニングを実行することによ
り、所望の成膜処理を安定して行うことができ、また発
塵も防止でき、超ＬＳＩ製造工程において顕著に歩留り
向上に寄与する。従って、ガスを溶媒により溶解して検
出することにより微少なｐｐｍ、ｐｐｂというガス成分
でも検出を可能にできる。
【００２１】また、溶媒（水）に溶解しにくいガス成分
を検出しようとする時には、溶媒中に被検出ガスの溶解
・荷電化を促進する物質を予め溶解して被検出ガスと接
触させるようにする。上記溶解・荷電化を促進する物質
の例としては、例えばＮＯＸ（ＮＯ，ＮＯ2など）のガ
ス成分を検出しようとする場合には、過酸化水素（Ｈ2
Ｏ2）などの酸化剤を溶媒、例えば純水中に添加して、
被検出ＮＯＸガスと接触させる。その結果、ＮＯＸはＮ
Ｏ2 -,ＮＯ3 -などの成分として溶媒中に溶解され、荷電
粒子検出手段により容易に検出することができる。
を検出しようとする時には、溶媒中に被検出ガスの溶解
・荷電化を促進する物質を予め溶解して被検出ガスと接
触させるようにする。上記溶解・荷電化を促進する物質
の例としては、例えばＮＯＸ（ＮＯ，ＮＯ2など）のガ
ス成分を検出しようとする場合には、過酸化水素（Ｈ2
Ｏ2）などの酸化剤を溶媒、例えば純水中に添加して、
被検出ＮＯＸガスと接触させる。その結果、ＮＯＸはＮ
Ｏ2 -,ＮＯ3 -などの成分として溶媒中に溶解され、荷電
粒子検出手段により容易に検出することができる。
【００２２】また、溶液中に溶解された溶解促進剤は、
還元剤を加える等の分解手段により分解除去することが
できるので、荷電粒子検出手段の検出精度に影響を与え
ることがない。また、ごく微量の被検出ガスを検出する
ためには、被検出液体を、例えばイオン交換により濃縮
する濃縮手段に送液する。そして、濃縮された荷電粒子
を含有する溶媒は、例えばクロマトグラムからなる分離
手段に送液する。そして、上記分離手段から順次出力さ
れる荷電粒子のうち、予め定められた荷電粒子を検出す
ることにより、微量の被検出ガス成分も検出可能とする
ことができる。
還元剤を加える等の分解手段により分解除去することが
できるので、荷電粒子検出手段の検出精度に影響を与え
ることがない。また、ごく微量の被検出ガスを検出する
ためには、被検出液体を、例えばイオン交換により濃縮
する濃縮手段に送液する。そして、濃縮された荷電粒子
を含有する溶媒は、例えばクロマトグラムからなる分離
手段に送液する。そして、上記分離手段から順次出力さ
れる荷電粒子のうち、予め定められた荷電粒子を検出す
ることにより、微量の被検出ガス成分も検出可能とする
ことができる。
【００２３】更に、上記実施例では溶媒として純水の例
について説明したが、溶媒であれば何れでも良く、例え
ばアルコールでもよい。更にまた、熱処理装置での反応
系では腐食性のガスの検出に用いて有効であり、例えば
ＨＢｒの残留ガスを純水に溶解し、臭素酸イオンを検出
するようにしてもよい。このようなガス検出はリアルタ
イムで検出できる効果もある。
について説明したが、溶媒であれば何れでも良く、例え
ばアルコールでもよい。更にまた、熱処理装置での反応
系では腐食性のガスの検出に用いて有効であり、例えば
ＨＢｒの残留ガスを純水に溶解し、臭素酸イオンを検出
するようにしてもよい。このようなガス検出はリアルタ
イムで検出できる効果もある。
【００２４】また上記実施例においては、ガス供給管の
残留ガス成分の検出を行ったが、反応容器等の処理容器
や、排気管等の残留ガス成分の検出も同様に行うことが
できる。被測定ガス成分の溶液への溶解は、長い細管中
を被測定ガス成分を含む気体と溶液を流動状態で流通さ
せることにより、効率良く行うことができるし、この溶
液を流通させることにより（実施例では６５ml／min）
被測定ガス成分の発生量の変化を短時間でリアルタイム
で測定検出することができる。また、溶液の流通量より
検出器で圧送する流量を少なく設定しているので（実施
例では４０ml／min）圧送ポンプの圧送量が、ポンプ電
源の変化等で減少した場合でも検出器へ溶液の圧送が中
断されることなく常に安定した測定検出を行うことがで
きる。上記実施例では、熱処理装置に適用した例につい
て説明したが、プラズマＣＶＤ装置やエッチング装置等
他のガス処理装置に適用しても良い。
残留ガス成分の検出を行ったが、反応容器等の処理容器
や、排気管等の残留ガス成分の検出も同様に行うことが
できる。被測定ガス成分の溶液への溶解は、長い細管中
を被測定ガス成分を含む気体と溶液を流動状態で流通さ
せることにより、効率良く行うことができるし、この溶
液を流通させることにより（実施例では６５ml／min）
被測定ガス成分の発生量の変化を短時間でリアルタイム
で測定検出することができる。また、溶液の流通量より
検出器で圧送する流量を少なく設定しているので（実施
例では４０ml／min）圧送ポンプの圧送量が、ポンプ電
源の変化等で減少した場合でも検出器へ溶液の圧送が中
断されることなく常に安定した測定検出を行うことがで
きる。上記実施例では、熱処理装置に適用した例につい
て説明したが、プラズマＣＶＤ装置やエッチング装置等
他のガス処理装置に適用しても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
被検出ガスを液体の溶媒に溶解させる際に溶媒が流動状
態であるため、微少な被検出ガス成分を確実に溶媒中に
溶解させることができるという効果を有し、荷電粒子を
検出する手段において溶媒中に溶解されている微少な被
検出ガス成分に対応する荷電粒子を検出することがで
き、低濃度のガスでも検出可能な半導体工程におけるガ
ス検出装置を提供することができる。
被検出ガスを液体の溶媒に溶解させる際に溶媒が流動状
態であるため、微少な被検出ガス成分を確実に溶媒中に
溶解させることができるという効果を有し、荷電粒子を
検出する手段において溶媒中に溶解されている微少な被
検出ガス成分に対応する荷電粒子を検出することがで
き、低濃度のガスでも検出可能な半導体工程におけるガ
ス検出装置を提供することができる。
【図１】本発明装置の一実施例を説明するための熱処理
装置説明図である。
装置説明図である。
【図２】図１のガス検出装置を説明するための構成図で
ある。
ある。
２１ 純水供給源 ２２ 混合点 ２３ 配管 ２４ 分離器 ２６ 検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 守谷 修司 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東 京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 有満 秀信 神奈川県藤沢市本藤沢四丁目２番１号 株式会社荏原総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−284457（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−13454（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 流動状態の液体の溶媒と、この流動状態
の溶媒で被検出ガスを溶解する手段と、この手段により
被検出ガスが溶解された溶媒中の予め定められた荷電粒
子を検出する手段と、この手段による検出値から予め定
められたガス量を検出する手段とを具備してなることを
特徴とする半導体製造工程におけるガス検出装置。 - 【請求項２】 流動状態の溶媒に、被検出ガスの溶解・
荷電化を促進する物質を予め溶解して、被検出ガスと接
触せしめることを特徴とする請求項１に記載の半導体製
造工程におけるガス検出装置。 - 【請求項３】 被検出ガスが溶解された溶媒中の予め定
められた荷電粒子と他の荷電粒子とを分離する手段を具
備したことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造工
程におけるガス検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183655A JP2979490B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造工程におけるガス検出装置 |
| US07/904,556 US5294280A (en) | 1991-06-28 | 1992-06-26 | Gas measuring device and processing apparatus provided with the gas measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183655A JP2979490B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造工程におけるガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513541A JPH0513541A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2979490B2 true JP2979490B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16139610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183655A Expired - Fee Related JP2979490B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造工程におけるガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979490B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3183655A patent/JP2979490B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513541A (ja) | 1993-01-22 |
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