JP3025789B2 - 排気方法 - Google Patents
排気方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は排気方法に関するもので
ある。
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置等を用いた半導体の拡散
処理、成膜処理、エッチング処理等では液化ガスを用い
処理工程を実行している。例えばＳｉＨ2Ｃｌ2のような
常温で液体である液化ガスは、処理が終了すると処理容
器から排出され、例えばＮ2等のパージガスに入れ換え
られる。このような工程が何回も繰り返され、半導体素
子が形成されていく。
処理、成膜処理、エッチング処理等では液化ガスを用い
処理工程を実行している。例えばＳｉＨ2Ｃｌ2のような
常温で液体である液化ガスは、処理が終了すると処理容
器から排出され、例えばＮ2等のパージガスに入れ換え
られる。このような工程が何回も繰り返され、半導体素
子が形成されていく。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ＳｉＨ2Ｃｌ2のような液化ガスにより成膜処理した場
合、比較的低温壁面上にＳｉＨ2Ｃｌ2ガスが液化付着す
る。特に、ガス供給配管内や排気配管内等の低温部への
付着量が多い。この付着物は、温度の上昇により気化量
が増大するため、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを用いた成膜処理終
了後の排気時間は長く必要となり、被処理体を成膜処理
した後、残留ＳｉＨ2Ｃｌ2ガス成分を排出するまでの一
処理工程が長くなりスループットを劣化させるという改
善点を有する。特に、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスのように気化ガ
スに毒性がある場合は、安全性を考え残留ＳｉＨ2Ｃｌ2
が少なくなるまで十分な排気を必要とするため、排気時
間は更に長く必要となる改善点を有している。
ＳｉＨ2Ｃｌ2のような液化ガスにより成膜処理した場
合、比較的低温壁面上にＳｉＨ2Ｃｌ2ガスが液化付着す
る。特に、ガス供給配管内や排気配管内等の低温部への
付着量が多い。この付着物は、温度の上昇により気化量
が増大するため、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを用いた成膜処理終
了後の排気時間は長く必要となり、被処理体を成膜処理
した後、残留ＳｉＨ2Ｃｌ2ガス成分を排出するまでの一
処理工程が長くなりスループットを劣化させるという改
善点を有する。特に、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスのように気化ガ
スに毒性がある場合は、安全性を考え残留ＳｉＨ2Ｃｌ2
が少なくなるまで十分な排気を必要とするため、排気時
間は更に長く必要となる改善点を有している。
【０００４】本発明は、上記の点に対処してなされたも
ので、配管内の残留ガス成分を迅速に排気することがで
きる排気方法を提供するものである。
ので、配管内の残留ガス成分を迅速に排気することがで
きる排気方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理容器内に
室温で液体である処理ガスを供給するガス供給配管の配
管内にパージガスを流入させ、真空引きして排気するに
際し、前記パージガス流に接する前記配管の内壁を処理
ガス非吸着臨界温度以上に加熱状態で維持する工程と、
真空引き継続中パージガスを断続的に前記配管内に供給
する工程とを具備する排気方法である。
室温で液体である処理ガスを供給するガス供給配管の配
管内にパージガスを流入させ、真空引きして排気するに
際し、前記パージガス流に接する前記配管の内壁を処理
ガス非吸着臨界温度以上に加熱状態で維持する工程と、
真空引き継続中パージガスを断続的に前記配管内に供給
する工程とを具備する排気方法である。
【０００６】
【作用】本発明においては、ガス付着面をガス非吸着臨
界温度以上に加熱した状態で維持し、真空引きを継続中
パージガスを断続的に供給することにより、配管内の残
留ガス成分を迅速に排気できる。
界温度以上に加熱した状態で維持し、真空引きを継続中
パージガスを断続的に供給することにより、配管内の残
留ガス成分を迅速に排気できる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明装置を熱処理装置に適用した実
施例を図面を参照して説明する。熱処理装置は図１に示
すもので、即ち、例えば石英からなる耐熱性縦型反応容
器１の周囲には筒状抵抗加熱型ヒータ２が設けられ、こ
のヒータ２より上記反応容器１内に設けられた被熱処理
体、例えば半導体ウエハ６の配列位置に均熱領域を形成
するように構成されている。
施例を図面を参照して説明する。熱処理装置は図１に示
すもので、即ち、例えば石英からなる耐熱性縦型反応容
器１の周囲には筒状抵抗加熱型ヒータ２が設けられ、こ
のヒータ２より上記反応容器１内に設けられた被熱処理
体、例えば半導体ウエハ６の配列位置に均熱領域を形成
するように構成されている。
【０００８】上記反応容器１内には反応容器内管１ａが
同軸に設けられ、また底部には蓋状支持台３が設けら
れ、この支持台３はエレベータ３ａにより上下方向に移
動可能に構成されている。この上下移動は熱処理炉への
半導体ウエハ６のローディング・アンローディング動作
である。即ち、図１は上記反応容器１へ半導体ウエハ６
をローディングした状態であり、半導体ウエハ６をアン
ローディングするに際しては、上記エレベータ３ａによ
り上記支持台３を上下に移動させることにより実行され
る。
同軸に設けられ、また底部には蓋状支持台３が設けら
れ、この支持台３はエレベータ３ａにより上下方向に移
動可能に構成されている。この上下移動は熱処理炉への
半導体ウエハ６のローディング・アンローディング動作
である。即ち、図１は上記反応容器１へ半導体ウエハ６
をローディングした状態であり、半導体ウエハ６をアン
ローディングするに際しては、上記エレベータ３ａによ
り上記支持台３を上下に移動させることにより実行され
る。
【０００９】上記支持台３上の半導体ウエハ６列は、保
温筒４を介して設けられるウエハボード５に収容され
る。このウエハボード５に収容された半導体ウエハ６列
をバッチ処理すめため、ガス供給装置が接続されてい
る。このガス供給装置は、処理ガス、例えば反応ガスと
してＳｉＨ2Ｃｌ2ガスやパージガスとして不活性なＮ2
ガスが供給されるガス供給源７ａと、このガス供給源７
ａと上記反応容器１を接続するガス供給管７から構成さ
れている。また、上記反応ガスは反応容器１内において
予め定められた流れを形成するため排気管８を介して排
気ポンプ９が接続され、反応ガスの排気が行われるよう
に構成されている。
温筒４を介して設けられるウエハボード５に収容され
る。このウエハボード５に収容された半導体ウエハ６列
をバッチ処理すめため、ガス供給装置が接続されてい
る。このガス供給装置は、処理ガス、例えば反応ガスと
してＳｉＨ2Ｃｌ2ガスやパージガスとして不活性なＮ2
ガスが供給されるガス供給源７ａと、このガス供給源７
ａと上記反応容器１を接続するガス供給管７から構成さ
れている。また、上記反応ガスは反応容器１内において
予め定められた流れを形成するため排気管８を介して排
気ポンプ９が接続され、反応ガスの排気が行われるよう
に構成されている。
【００１０】また、供給管７の低温部の外囲器を囲繞す
る如く、加熱手段例えばヒータ１６を設け、このヒータ
１６により上記供給管７を所望の温度に加熱する温度制
御回路１５が設けられ、この温度制御回路１５は設定値
１３からの信号により動作するように温度制御部１１が
構成されている。
る如く、加熱手段例えばヒータ１６を設け、このヒータ
１６により上記供給管７を所望の温度に加熱する温度制
御回路１５が設けられ、この温度制御回路１５は設定値
１３からの信号により動作するように温度制御部１１が
構成されている。
【００１１】このように構成された熱処理装置では、例
えば次のような成膜処理が実行される。即ち、ヒータ２
に電流を流し、反応容器１内の半導体ウエハ６列の設け
られている領域に成膜温度である、例えば８００℃の均
熱領域を形成する。その後、反応容器１内を予め定めら
れた真空度に排気する。
えば次のような成膜処理が実行される。即ち、ヒータ２
に電流を流し、反応容器１内の半導体ウエハ６列の設け
られている領域に成膜温度である、例えば８００℃の均
熱領域を形成する。その後、反応容器１内を予め定めら
れた真空度に排気する。
【００１２】次に、反応ガス供給管７からバルブ１０を
開状態に介して、反応容器１内に反応ガスを供給する。
この時の反応ガスは、室温で液体である液化ガス例えば
ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを供給し、各半導体ウエハ６の被処理
面に均一にガス流を形成し、各半導体ウエハ６表面にＳ
ｉ膜を形成する。この反応後の反応生成ガスは、排気管
８から排気される。この工程を予め定められた期間、例
えば６０分間実行した後、反応ガスの供給をバルブ１０
を閉じて成膜処理を停止する。
開状態に介して、反応容器１内に反応ガスを供給する。
この時の反応ガスは、室温で液体である液化ガス例えば
ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを供給し、各半導体ウエハ６の被処理
面に均一にガス流を形成し、各半導体ウエハ６表面にＳ
ｉ膜を形成する。この反応後の反応生成ガスは、排気管
８から排気される。この工程を予め定められた期間、例
えば６０分間実行した後、反応ガスの供給をバルブ１０
を閉じて成膜処理を停止する。
【００１３】次に、前記ガス供給源７ａからパージガス
を供給する。このパージガスは、例えば不活性ガスのＮ
2ガスや、例えばＨ2ガスをバルブ１０を介して反応容器
１に供給する。この供給により反応容器１内及び供給管
７内をパージガスで置換した後、再度排気する。これら
一連の工程のパージ工程後においても、反応容器１内や
供給管７内表面に吸着した成分が、ごく低濃度で僅かで
はあるが残留放出ガスとして発生する。特に、半導体ウ
エハのアンローディングに際し、残留放出ガスの存在は
クリーンエアが循環されるクリーンルーム内での作業者
に有毒ガスと接する作業を行なわしめる、又は半導体ウ
エハに対し望ましくない作用、塵の発生や成膜品質の劣
化が発生するなどの改善点がある。
を供給する。このパージガスは、例えば不活性ガスのＮ
2ガスや、例えばＨ2ガスをバルブ１０を介して反応容器
１に供給する。この供給により反応容器１内及び供給管
７内をパージガスで置換した後、再度排気する。これら
一連の工程のパージ工程後においても、反応容器１内や
供給管７内表面に吸着した成分が、ごく低濃度で僅かで
はあるが残留放出ガスとして発生する。特に、半導体ウ
エハのアンローディングに際し、残留放出ガスの存在は
クリーンエアが循環されるクリーンルーム内での作業者
に有毒ガスと接する作業を行なわしめる、又は半導体ウ
エハに対し望ましくない作用、塵の発生や成膜品質の劣
化が発生するなどの改善点がある。
【００１４】この時、供給管７の低温内壁面には上記Ｓ
ｉＨ2Ｃｌ2ガスが付着し、成膜処理後にＮ2パージガス
によりパージを十分に実行しても残留ガスは低温内壁面
からなかなか放出されない。これを防止するため、ガス
供給装置全体の反応ガスの付着する可能性のある反応ガ
スと接触する壁面を予め処理に先立って加熱する。この
加熱温度は図２に示すごとく、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの吸着
は温度を高温にすると付着量が減少し、付着量の激減す
る臨界温度のあることが判った。この温度以上に設定す
ることにより、付着を防止又は最少に制限することが判
った。
ｉＨ2Ｃｌ2ガスが付着し、成膜処理後にＮ2パージガス
によりパージを十分に実行しても残留ガスは低温内壁面
からなかなか放出されない。これを防止するため、ガス
供給装置全体の反応ガスの付着する可能性のある反応ガ
スと接触する壁面を予め処理に先立って加熱する。この
加熱温度は図２に示すごとく、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの吸着
は温度を高温にすると付着量が減少し、付着量の激減す
る臨界温度のあることが判った。この温度以上に設定す
ることにより、付着を防止又は最少に制限することが判
った。
【００１５】図２からわかる通り、ＳｉＨ2Ｃｌ2の吸着
量は４０℃では６００μgであったものが、１６０℃で
は５０μgと１０分の１以下に吸着量が減少するという
顕著な効果がある。また、１６０℃以上に加熱しても吸
着量はあまり変化せず、ＳｉＨ2Ｃｌ2ではガス吸着の激
減する臨界温度１６０℃以上に設定することが好まし
い。また、他の液化ガスでは、それぞれ最適な臨界温度
以上に設定すればよいのは当然である。
量は４０℃では６００μgであったものが、１６０℃で
は５０μgと１０分の１以下に吸着量が減少するという
顕著な効果がある。また、１６０℃以上に加熱しても吸
着量はあまり変化せず、ＳｉＨ2Ｃｌ2ではガス吸着の激
減する臨界温度１６０℃以上に設定することが好まし
い。また、他の液化ガスでは、それぞれ最適な臨界温度
以上に設定すればよいのは当然である。
【００１６】次に、上記図２に示したＳｉＨ2Ｃｌ2の吸
着量の測定系について、図３を用いて説明する。純水供
給源２１は、純水を圧送するポンプ２１ａに接続され、
このポンプ２１ａにより圧送された例えば６５ml／min
の純水と、ガス供給源７ａより供給された例えば１００
sccmのパージガスＮ2が、供給管７を介して混合点２２
で混合される。この混合されたパージガスＮ2と純水
は、環状に巻回された、例えば内径５mmで長さ５ｍの配
管２３を流動状態で通過するうちに、パージガスＮ2中
に含まれた微少な被測定検出ガス成分、例えばＳｉＨ2
Ｃｌ2がほとんど純水中に溶解される。
着量の測定系について、図３を用いて説明する。純水供
給源２１は、純水を圧送するポンプ２１ａに接続され、
このポンプ２１ａにより圧送された例えば６５ml／min
の純水と、ガス供給源７ａより供給された例えば１００
sccmのパージガスＮ2が、供給管７を介して混合点２２
で混合される。この混合されたパージガスＮ2と純水
は、環状に巻回された、例えば内径５mmで長さ５ｍの配
管２３を流動状態で通過するうちに、パージガスＮ2中
に含まれた微少な被測定検出ガス成分、例えばＳｉＨ2
Ｃｌ2がほとんど純水中に溶解される。
【００１７】上記パージガスＮ2と微少な被測定ガス成
分が溶解された純水は分離器２４に圧送され、この分離
器の開放された上端部よりパージガスＮ2は大気中に放
出される。被測定ガス成分を含む上記純水は、分離器２
４より配管２４ａを介してポンプ２５に供給され、この
ポンプ２５により例えば４０ml／minで検出器２６へ圧
送される。この検出器２６は、液体中のイオン濃度を検
出するもので、例えばクロライド測定器（オライオン社
製）により被検出体である例えば塩素イオン（Ｃ１-)の
量を検出し電気信号で出力するものであり、Ｃ１-選択
電極によりＣ１-の到来によって生ずる電極間電流の変
化分を検出して電気信号として出力するものである。
分が溶解された純水は分離器２４に圧送され、この分離
器の開放された上端部よりパージガスＮ2は大気中に放
出される。被測定ガス成分を含む上記純水は、分離器２
４より配管２４ａを介してポンプ２５に供給され、この
ポンプ２５により例えば４０ml／minで検出器２６へ圧
送される。この検出器２６は、液体中のイオン濃度を検
出するもので、例えばクロライド測定器（オライオン社
製）により被検出体である例えば塩素イオン（Ｃ１-)の
量を検出し電気信号で出力するものであり、Ｃ１-選択
電極によりＣ１-の到来によって生ずる電極間電流の変
化分を検出して電気信号として出力するものである。
【００１８】上記検出器２６の出力信号は、演算器２７
に接続され、この演算器２７では予め記憶された換算値
と所定の演算が行われ、純水中に溶解された被測定ガス
成分の絶対値が出力されるように構成されている。上記
ポンプ２１ａにより、分離器２４に供給される純水量
と、上記ポンプ２５で排出される純水量の差の量の純水
は、上記分離器２４よりオーバーフローして容器２４ｂ
に集められ、この容器２４ｂの下部に設けられた排出部
２４ｃより排出される。また、上記検出器２６へ供給し
て所定のイオン量の検出が行われた後の純水は排出管２
６ａより排出される。以上の如く、ガス検出装置２０は
構成されており、前記図２の如き、供給管７の加熱温度
とＳｉＨ2Ｃｌ2吸着量の関係を測定することができる。
に接続され、この演算器２７では予め記憶された換算値
と所定の演算が行われ、純水中に溶解された被測定ガス
成分の絶対値が出力されるように構成されている。上記
ポンプ２１ａにより、分離器２４に供給される純水量
と、上記ポンプ２５で排出される純水量の差の量の純水
は、上記分離器２４よりオーバーフローして容器２４ｂ
に集められ、この容器２４ｂの下部に設けられた排出部
２４ｃより排出される。また、上記検出器２６へ供給し
て所定のイオン量の検出が行われた後の純水は排出管２
６ａより排出される。以上の如く、ガス検出装置２０は
構成されており、前記図２の如き、供給管７の加熱温度
とＳｉＨ2Ｃｌ2吸着量の関係を測定することができる。
【００１９】上記ガス検出工程の化学的反応は、次のよ
うな工程によるものと思われる。即ち、供給管４からの
パージガスＮ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスと純水Ｈ2Ｏを混合し
溶解すると、Ｎ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｈ2Ｏの反応となる。
この反応により反応結果として、下記の化学式１による
成分が発生し、パージガスのＮ2ガスを分離器２４で分
離した後の下記の化学式２中の荷電粒子の２Ｃｌ-につ
いてセンサ２６によりイオン量を検出する。
うな工程によるものと思われる。即ち、供給管４からの
パージガスＮ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスと純水Ｈ2Ｏを混合し
溶解すると、Ｎ2＋ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｈ2Ｏの反応となる。
この反応により反応結果として、下記の化学式１による
成分が発生し、パージガスのＮ2ガスを分離器２４で分
離した後の下記の化学式２中の荷電粒子の２Ｃｌ-につ
いてセンサ２６によりイオン量を検出する。
【００２０】
【化１】
【００２１】
【化２】
【００２２】このようにして、図１のパージガスにどの
くらい不所望なガスが存在するか検出できる。この検出
は、この実施例においては、液化ガスであるＳｉＨ2Ｃ
ｌ2ガスが低温部に吸着し、高温に加熱された時、気化
ガスとなって、上記説明した如くセンサ２６によってイ
オン量として検出されると思われる。
くらい不所望なガスが存在するか検出できる。この検出
は、この実施例においては、液化ガスであるＳｉＨ2Ｃ
ｌ2ガスが低温部に吸着し、高温に加熱された時、気化
ガスとなって、上記説明した如くセンサ２６によってイ
オン量として検出されると思われる。
【００２３】従って、処理ガスを供給する供給装置の内
壁面への処理ガスの吸着を未然に防ぐことにより、微粒
子の発生や供給装置に起因する種々のトラブルを防ぐこ
とができるため、超ＬＳＩ製造工程において顕著に歩留
り向上に寄与する。このように低濃度なガスの検出器の
ない場合でも、ガスを溶媒により溶解して検出すること
により検出を可能にできる。
壁面への処理ガスの吸着を未然に防ぐことにより、微粒
子の発生や供給装置に起因する種々のトラブルを防ぐこ
とができるため、超ＬＳＩ製造工程において顕著に歩留
り向上に寄与する。このように低濃度なガスの検出器の
ない場合でも、ガスを溶媒により溶解して検出すること
により検出を可能にできる。
【００２４】更に、上記実施例では溶媒として純水の例
について説明したが、溶媒であれば何れでも良く、例え
ばアルコールでもよい。更にまた、熱処理装置での反応
系では腐食性のガスの検出に用いて有効であり、例えば
ＣｌＦ3の残留ガスを純水に溶解し、フッ素イオンを検
出するようにしてもよい。このようなガス検出はリアル
タイムで検出できる効果もある。
について説明したが、溶媒であれば何れでも良く、例え
ばアルコールでもよい。更にまた、熱処理装置での反応
系では腐食性のガスの検出に用いて有効であり、例えば
ＣｌＦ3の残留ガスを純水に溶解し、フッ素イオンを検
出するようにしてもよい。このようなガス検出はリアル
タイムで検出できる効果もある。
【００２５】即ち、供給管７から供給するパージガス、
例えばＮ2ガス中のＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの量を検出し、検
出値が予め記憶された設定値１３と比較し、その設定値
範囲内であれば現在の温度を維持し、範囲外であれば設
定値範囲内に入るよう温度制御回路１５が温度制御す
る。勿論、供給管７のヒータの温度を検出し、処理ガス
の非付着臨界温度以上に供給管７の温度が保持されるよ
うに制御しても良い。
例えばＮ2ガス中のＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの量を検出し、検
出値が予め記憶された設定値１３と比較し、その設定値
範囲内であれば現在の温度を維持し、範囲外であれば設
定値範囲内に入るよう温度制御回路１５が温度制御す
る。勿論、供給管７のヒータの温度を検出し、処理ガス
の非付着臨界温度以上に供給管７の温度が保持されるよ
うに制御しても良い。
【００２６】この処理後の排気工程を次に説明する。図
２は、ガス供給管内のパージ方法と容器内壁温度に対す
る残留ガスを示したものである。この図２から明らかな
ように、加熱ヒータによる加熱温度は高温で実施した方
が残留ガスは減少し、パージガスの供給は１回より複数
回、間欠的に供給した方が残留ガスが減少している。加
熱ヒータによる加熱温度は、図２に示すように反応ガス
の非付着臨界温度以上に加熱することが望ましい。
２は、ガス供給管内のパージ方法と容器内壁温度に対す
る残留ガスを示したものである。この図２から明らかな
ように、加熱ヒータによる加熱温度は高温で実施した方
が残留ガスは減少し、パージガスの供給は１回より複数
回、間欠的に供給した方が残留ガスが減少している。加
熱ヒータによる加熱温度は、図２に示すように反応ガス
の非付着臨界温度以上に加熱することが望ましい。
【００２７】図４のパージ方法においては、真空引きは
常時継続している。Ｖの表示は真空引きのみの期間を示
しており、Ｎ2の表示は真空引き継続中にＮ2ガスを導入
することを示している。
常時継続している。Ｖの表示は真空引きのみの期間を示
しており、Ｎ2の表示は真空引き継続中にＮ2ガスを導入
することを示している。
【００２８】処理後反応ガスを早急に排気除去するため
に、真空引き継続中パージガス（例えば、Ｎ2ガス）を
断続的に反応管１内に導入し、真空ポンプ９で残留ガス
と共にパージガスを排出する。更に、ガス流路の低温壁
面を反応ガスの非付着臨界温度以上に加熱維持してお
く。このような過程を繰り返すことにより、ガス供給装
置内に残留するガスを迅速に排出することができる。な
お、上記過程を数回行うことにより、更に迅速にガスを
排出することが可能となる。
に、真空引き継続中パージガス（例えば、Ｎ2ガス）を
断続的に反応管１内に導入し、真空ポンプ９で残留ガス
と共にパージガスを排出する。更に、ガス流路の低温壁
面を反応ガスの非付着臨界温度以上に加熱維持してお
く。このような過程を繰り返すことにより、ガス供給装
置内に残留するガスを迅速に排出することができる。な
お、上記過程を数回行うことにより、更に迅速にガスを
排出することが可能となる。
【００２９】図４のＮｏ．１の例では、温度４０℃で一
定時間例えば５０分間真空引きした場合、反応ガスの残
留量は１４００μgであるのに対して、Ｎｏ．４の例で
は、温度１６０℃で真空引き１０分間と真空引き中にＮ
2ガス導入を１０分交互に計５０分間行った場合には、
反応ガスの残留量は２００μgに低減することができ
た。上記実施例では、熱処理装置のガス供給装置の例に
ついて説明したが、排気配管についても同様に、この技
術を利用できるのは当然である。また、熱処理装置に限
らず、エッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等の
処理装置にも適用できる。配管内壁面付着性のガスとし
ては、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの他、ＨＢｒガスやＣｌＦ3等
の腐食性ガスがある。
定時間例えば５０分間真空引きした場合、反応ガスの残
留量は１４００μgであるのに対して、Ｎｏ．４の例で
は、温度１６０℃で真空引き１０分間と真空引き中にＮ
2ガス導入を１０分交互に計５０分間行った場合には、
反応ガスの残留量は２００μgに低減することができ
た。上記実施例では、熱処理装置のガス供給装置の例に
ついて説明したが、排気配管についても同様に、この技
術を利用できるのは当然である。また、熱処理装置に限
らず、エッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等の
処理装置にも適用できる。配管内壁面付着性のガスとし
ては、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの他、ＨＢｒガスやＣｌＦ3等
の腐食性ガスがある。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、処理ガスが付着する配管内の残留ガス成分を迅速に
排気することができる。
ば、処理ガスが付着する配管内の残留ガス成分を迅速に
排気することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法の一実施例を説明するための熱処理
装置説明図である。
装置説明図である。
【図２】容器内におけるＳｉＨ2Ｃｌ2吸着量と加熱温度
との関係図である。
との関係図である。
【図３】図１のガス検出装置を詳細に説明するための構
成図である。
成図である。
【図４】各種パージ方法及び容器内壁温度と、パージ後
の反応ガス残留量の関係図である。
の反応ガス残留量の関係図である。
１ 反応管 ７ 供給管 ７ａ ガス供給源 １１ 温度制御部 １６ ヒータ ２１ 純水供給源 ２２ 混合点 ２３ 配管 ２４ 分離器 ２６ 検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−184428（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−64478（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−190327（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 4/00 C23F 4/00 H01L 21/22 H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 処理容器内に室温で液体である処理ガス
を供給するガス供給配管の配管内にパージガスを流入さ
せ、真空引きして排気するに際し、前記パージガス流に
接する前記配管の内壁を処理ガス非吸着臨界温度以上に
加熱状態で維持する工程と、真空引き継続中パージガス
を断続的に前記配管内に供給する工程とを具備してなる
ことを特徴とする排気方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183657A JP3025789B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 排気方法 |
| US07/904,556 US5294280A (en) | 1991-06-28 | 1992-06-26 | Gas measuring device and processing apparatus provided with the gas measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183657A JP3025789B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 排気方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH057764A JPH057764A (ja) | 1993-01-19 |
| JP3025789B2 true JP3025789B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16139647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183657A Expired - Fee Related JP3025789B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 排気方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025789B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7611930B2 (en) * | 2007-08-17 | 2009-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
| JP2010283135A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池製造装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3183657A patent/JP3025789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057764A (ja) | 1993-01-19 |
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