JP2016057230A - シリコン基板の分析方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 外管
D 分析液
W ウェーハ
Claims (5)
- シリコン基板中に含まれる分析対象物を基板深さ方向に分析するシリコン基板の分析方法において、
チャンバー内に載置したシリコン基板に、酸化性ガスとしてオゾンを含む酸素ガスを供給し、シリコン基板表面を酸化し、酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
基板分析用ノズルから吐出した分析液でシリコン基板表面を掃引し、分析対象物を移行させた分析液を基板分析用ノズル内に取り込むことにより分析対象物を回収する回収工程と、を有し、
基板分析用ノズルは、分析液を吐出及び吸引するノズル本体と、掃引する分析液を取り囲むようノズル本体の外周に配された外管とからなる2重管で構成され、ノズル本体と外管との間を排気経路とする排気手段を備えており、
回収工程は、基板分析用ノズルのノズル本体と外管との間を排気手段により排気しながら行い、
酸化膜形成工程と回収工程とを1サイクルとして、1回以上繰返すことにより、基板深さ方向に含まれる分析対象物を分析液に取り込むことを特徴とするシリコン基板の分析方法。 - 分析対象物は、Au、Pd、Pt、Rh、Ru、Agのいずれか1種以上の貴金属を含む請求項1記載のシリコン基板の分析方法。
- 酸化膜形成工程は、酸化性ガスとしてシリコン基板に0.5vol%以上のオゾンを含む酸素ガスを用い、1回の酸化膜形成工程につき5〜20Åの酸化膜を形成させる請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板の分析方法。
- 回収工程後、80〜110℃に基板を加熱してシリコン基板上の分析液を乾燥させる乾燥工程を更に行い、
酸化膜形成工程と回収工程と乾燥工程を1サイクルとして、1回以上繰返す請求項1〜請求項3のいずれかに記載されたシリコン基板の分析方法。 - 回収工程は、第1分析液として塩酸又は王水を含み、フッ化水素を含まない溶液と、第2分析液としてフッ化水素を含む溶液と、を用い、
第1分析液をシリコン基板上に吐出及び掃引して酸化膜中の分析対象物の一部又は全てを第1分析液中に移行させて回収した後、第2分析液をシリコン基板上に吐出及び掃引して、酸化膜を分解し、酸化膜中に残存する分析対象物を第2分析液中に移行させて回収する請求項1〜4のいずれかに記載されたシリコン基板の分析方法。
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