JPH05283498A - 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 - Google Patents
半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法Info
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- JPH05283498A JPH05283498A JP29472391A JP29472391A JPH05283498A JP H05283498 A JPH05283498 A JP H05283498A JP 29472391 A JP29472391 A JP 29472391A JP 29472391 A JP29472391 A JP 29472391A JP H05283498 A JPH05283498 A JP H05283498A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液滴が移送する際に落下したり、不純物が半
導体基板の表面に再付着して回収率が低下したりするこ
となく、陰イオンや分子状不純物も回収できる半導体表
面不純物回収装置を提供する。 【構成】 薬品の蒸気を導入する密閉容器３と、密閉容
器３内で半導体基板１を保持する回転自在の半導体基板
保持具７と、純水を密閉容器３内の半導体基板１側に供
給する供給用マイクロシリンジ１０と、供給用マイクロ
シリンジ１０に接続されて半導体基板１上に純水を滴下
し、滴下した純水を半導体基板１との間で保持する液滴
保持具１１と、液滴保持具１１を移動させて液滴を半導
体基板１上で走査させる走査手段１２と、半導体基板保
持具７の外周部に配設され、半導体基板１上を走査した
液滴を受容する液滴受容器１３とを備えたもの。
導体基板の表面に再付着して回収率が低下したりするこ
となく、陰イオンや分子状不純物も回収できる半導体表
面不純物回収装置を提供する。 【構成】 薬品の蒸気を導入する密閉容器３と、密閉容
器３内で半導体基板１を保持する回転自在の半導体基板
保持具７と、純水を密閉容器３内の半導体基板１側に供
給する供給用マイクロシリンジ１０と、供給用マイクロ
シリンジ１０に接続されて半導体基板１上に純水を滴下
し、滴下した純水を半導体基板１との間で保持する液滴
保持具１１と、液滴保持具１１を移動させて液滴を半導
体基板１上で走査させる走査手段１２と、半導体基板保
持具７の外周部に配設され、半導体基板１上を走査した
液滴を受容する液滴受容器１３とを備えたもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板表面の不純
物の超微量不純物分析用の試料を調整するための半導体
基板表面不純物回収装置およびその使用方法に関する。
物の超微量不純物分析用の試料を調整するための半導体
基板表面不純物回収装置およびその使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの微細化高集積化に伴い、
半導体製造プロセスのクリーン化は重要になってきてい
る。そのためには半導体製造プロセスにおいての汚染量
を正確に、さらに極く微量の不純物を測定する技術の開
発が必要とされている。
半導体製造プロセスのクリーン化は重要になってきてい
る。そのためには半導体製造プロセスにおいての汚染量
を正確に、さらに極く微量の不純物を測定する技術の開
発が必要とされている。
【０００３】従来の半導体基板表面不純物回収装置とし
ては、例えば特開平2-229428号公報に示されている。以
下図面を参照しながら、上記した従来の半導体表面不純
物回収装置の一例について説明する。
ては、例えば特開平2-229428号公報に示されている。以
下図面を参照しながら、上記した従来の半導体表面不純
物回収装置の一例について説明する。
【０００４】図６は従来の半導体基板表面不純物回収装
置の概略図を示すものである。図６において、３１は半
導体基板１を支持する基板支持装置、３２は液滴２を保
持する液滴保持部３３が設けられている液滴駆動装置、
３４は液滴２を入れる窪み３５を有する液滴回収装置で
ある。
置の概略図を示すものである。図６において、３１は半
導体基板１を支持する基板支持装置、３２は液滴２を保
持する液滴保持部３３が設けられている液滴駆動装置、
３４は液滴２を入れる窪み３５を有する液滴回収装置で
ある。
【０００５】以上のように構成された半導体基板表面不
純物回収装置について、以下その動作について説明す
る。まず、半導体基板１に液滴２を垂らすと、この液滴
２は表面張力により液滴保持部３３に保持される。この
液滴２を保持した状態で基板支持装置３１と液滴駆動装
置３２を連動させて回転させ、液滴２を半導体基板１の
表面の中心から外周に向かって渦巻き状に走査させる。
走査終了後、液滴２は半導体基板１から離反されて液滴
回収装置３４の窪み３５に入れられる。
純物回収装置について、以下その動作について説明す
る。まず、半導体基板１に液滴２を垂らすと、この液滴
２は表面張力により液滴保持部３３に保持される。この
液滴２を保持した状態で基板支持装置３１と液滴駆動装
置３２を連動させて回転させ、液滴２を半導体基板１の
表面の中心から外周に向かって渦巻き状に走査させる。
走査終了後、液滴２は半導体基板１から離反されて液滴
回収装置３４の窪み３５に入れられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来構成の半導体基板表面不純物回収装置では液滴２を表
面張力で保持するため、液滴回収装置３４に移送する際
に落下することがあった。また、液滴２の走査により、
半導体基板１の表面の不純物が液滴２に溶解して液滴２
の中の不純物濃度が増加してくると、不純物が半導体基
板１の表面に再付着して回収率が低下してしまうという
課題があった。また、半導体基板表面不純物回収装置で
調整した分析用試料は、不純物として金属を測定するこ
とはできるが、半導体基板表面の陰イオン、分子状不純
物を回収することができないという課題があった。
来構成の半導体基板表面不純物回収装置では液滴２を表
面張力で保持するため、液滴回収装置３４に移送する際
に落下することがあった。また、液滴２の走査により、
半導体基板１の表面の不純物が液滴２に溶解して液滴２
の中の不純物濃度が増加してくると、不純物が半導体基
板１の表面に再付着して回収率が低下してしまうという
課題があった。また、半導体基板表面不純物回収装置で
調整した分析用試料は、不純物として金属を測定するこ
とはできるが、半導体基板表面の陰イオン、分子状不純
物を回収することができないという課題があった。
【０００７】本発明は上記課題を解決するもので、液滴
が移送する際に落下したり、不純物が半導体基板の表面
に再付着して回収率が低下したりすることなく、陰イオ
ンや分子状不純物も回収できる半導体表面不純物回収装
置を提供することを目的とするものである。
が移送する際に落下したり、不純物が半導体基板の表面
に再付着して回収率が低下したりすることなく、陰イオ
ンや分子状不純物も回収できる半導体表面不純物回収装
置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体表面不純物回収装置としての第１の手
段は、薬品の蒸気を導入する密閉容器と、前記密閉容器
内で半導体基板を保持する半導体基板保持手段と、前記
半導体基板保持手段を回転させる回転手段と、純水を配
管を通して密閉容器内の半導体基板側に供給する供給用
マイクロシリンジと、供給用マイクロシリンジに接続さ
れて前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化した純水を
滴下し、滴下した純水を半導体基板との間で保持する液
滴保持手段と、液滴保持手段を移動させて液滴を半導体
基板上で走査させる走査手段と、半導体基板保持手段の
外周部に配設され、半導体基板上を走査した液滴を受容
する液滴受容器とを備えたものである。
に本発明の半導体表面不純物回収装置としての第１の手
段は、薬品の蒸気を導入する密閉容器と、前記密閉容器
内で半導体基板を保持する半導体基板保持手段と、前記
半導体基板保持手段を回転させる回転手段と、純水を配
管を通して密閉容器内の半導体基板側に供給する供給用
マイクロシリンジと、供給用マイクロシリンジに接続さ
れて前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化した純水を
滴下し、滴下した純水を半導体基板との間で保持する液
滴保持手段と、液滴保持手段を移動させて液滴を半導体
基板上で走査させる走査手段と、半導体基板保持手段の
外周部に配設され、半導体基板上を走査した液滴を受容
する液滴受容器とを備えたものである。
【０００９】また、本発明の半導体表面不純物回収装置
としての第２の手段は、上記第１の手段において、半導
体基板と液滴保持手段との間に保持された液滴を吸引す
る吸引用ノズルを設けたものである。
としての第２の手段は、上記第１の手段において、半導
体基板と液滴保持手段との間に保持された液滴を吸引す
る吸引用ノズルを設けたものである。
【００１０】本発明の半導体表面不純物回収装置の使用
方法としての第３の手段は、薬品の蒸気を導入する密閉
容器と、前記密閉容器内で半導体基板を保持する半導体
基板保持手段と、前記半導体基板保持手段を回転させる
回転手段と、純水を配管を通して密閉容器内の半導体基
板側に供給する供給用マイクロシリンジと、供給用マイ
クロシリンジに接続されて前記密閉容器内の半導体基板
上に清浄化した純水を滴下し、滴下した純水を半導体基
板との間で保持する液滴保持手段と、液滴保持手段を移
動させて液滴を半導体基板上で走査させる走査手段と、
半導体基板保持手段の外周部に配設され、半導体基板上
を走査した液滴を受容する液滴受容器と、半導体基板と
液滴保持手段との間に保持された液滴を吸引する吸引用
ノズルとを備え、液滴を走査させる際に、半導体基板上
に清浄化された純水を滴下する滴下工程と、吸引用ノズ
ルにより液滴を吸引する吸引工程とを連続して行うもの
である。
方法としての第３の手段は、薬品の蒸気を導入する密閉
容器と、前記密閉容器内で半導体基板を保持する半導体
基板保持手段と、前記半導体基板保持手段を回転させる
回転手段と、純水を配管を通して密閉容器内の半導体基
板側に供給する供給用マイクロシリンジと、供給用マイ
クロシリンジに接続されて前記密閉容器内の半導体基板
上に清浄化した純水を滴下し、滴下した純水を半導体基
板との間で保持する液滴保持手段と、液滴保持手段を移
動させて液滴を半導体基板上で走査させる走査手段と、
半導体基板保持手段の外周部に配設され、半導体基板上
を走査した液滴を受容する液滴受容器と、半導体基板と
液滴保持手段との間に保持された液滴を吸引する吸引用
ノズルとを備え、液滴を走査させる際に、半導体基板上
に清浄化された純水を滴下する滴下工程と、吸引用ノズ
ルにより液滴を吸引する吸引工程とを連続して行うもの
である。
【００１１】また、本発明の半導体表面不純物回収装置
としての第４の手段は、密閉容器と、前記密閉容器内で
半導体基板を保持する半導体基板保持手段と、前記半導
体基板保持手段を回転させる回転手段と、純水を配管を
通して密閉容器内の半導体基板側に供給する供給用マイ
クロシリンジと、供給用マイクロシリンジに接続されて
前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化した純水を滴下
し、滴下した純水を半導体基板との間で保持する液滴保
持手段と、この液滴保持手段により保持される液滴を加
熱する加熱手段と、半導体基板保持手段の外周部に配設
され、半導体基板上を走査した液滴を受容する液滴受容
器とを備えたものである。
としての第４の手段は、密閉容器と、前記密閉容器内で
半導体基板を保持する半導体基板保持手段と、前記半導
体基板保持手段を回転させる回転手段と、純水を配管を
通して密閉容器内の半導体基板側に供給する供給用マイ
クロシリンジと、供給用マイクロシリンジに接続されて
前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化した純水を滴下
し、滴下した純水を半導体基板との間で保持する液滴保
持手段と、この液滴保持手段により保持される液滴を加
熱する加熱手段と、半導体基板保持手段の外周部に配設
され、半導体基板上を走査した液滴を受容する液滴受容
器とを備えたものである。
【００１２】
【作用】上記第１の手段において、液滴を半導体基板上
の全面にわたり走査させて走査を終了した後、液滴保持
手段により、半導体基板保持手段の外周部に配設した液
滴受容器上まで液滴を移動させて液滴受容器内へ落下さ
せ、受容することにより、走査した液滴を落下させたり
することなくすべて回収することができる。
の全面にわたり走査させて走査を終了した後、液滴保持
手段により、半導体基板保持手段の外周部に配設した液
滴受容器上まで液滴を移動させて液滴受容器内へ落下さ
せ、受容することにより、走査した液滴を落下させたり
することなくすべて回収することができる。
【００１３】また、第２の手段による半導体表面不純物
回収装置を用いて、第３の手段により、液滴を走査させ
る際に、半導体基板上に清浄化された純水を滴下する滴
下工程と、吸引用ノズルにより液滴を吸引する吸引工程
とを連続して行うことによって、半導体基板上を走査す
る液滴の不純物濃度を低濃度に保つことができて不純物
の再付着が低減される。
回収装置を用いて、第３の手段により、液滴を走査させ
る際に、半導体基板上に清浄化された純水を滴下する滴
下工程と、吸引用ノズルにより液滴を吸引する吸引工程
とを連続して行うことによって、半導体基板上を走査す
る液滴の不純物濃度を低濃度に保つことができて不純物
の再付着が低減される。
【００１４】さらに、第４の手段において、加熱手段に
より滴下する純水を加熱しながら半導体基板上を走査さ
せることにより、半導体基板上に付着した陰イオン、分
子状不純物も回収することができる。
より滴下する純水を加熱しながら半導体基板上を走査さ
せることにより、半導体基板上に付着した陰イオン、分
子状不純物も回収することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の半導体基板表面不純物回収装
置およびその使用方法について、図面を参照しながら説
明する。
置およびその使用方法について、図面を参照しながら説
明する。
【００１６】図１は本発明の第１の実施例における半導
体基板表面不純物回収装置の全体構成を示すものであ
る。図１に示すように、半導体表面不純物回収装置は、
密閉容器３と、この密閉容器３にガス供給管４を介して
接続され、薬品を貯蔵する薬品貯蔵容器５と、薬品貯蔵
容器５内の薬品より発生した蒸気を不活性ガスで密閉容
器３内へ圧送する加圧手段６と、密閉容器３内で半導体
基板１を保持する半導体基板保持具７と、半導体基板保
持具７を回転させる回転手段８と、純水タンク９内の純
水を配管１０ａを通して密閉容器３内の半導体基板１側
に供給する供給用マイクロシリンジ１０と、供給用マイ
クロシリンジ１０に接続されて密閉容器３内の半導体基
板１上に清浄化した純水を滴下し、滴下した純水を半導
体基板１との間で保持する液滴保持具１１と、液滴保持
具１１を移動させて液滴２を半導体基板１上で走査させ
る走査手段１２と、半導体基板保持具７の外周部に着脱
自在に取り付けられ、半導体基板１上を走査した液滴２
を受容する液滴受容器１３とを備えている。なお、１４
は薬品貯蔵容器５に薬品を供給する薬品供給管である。
体基板表面不純物回収装置の全体構成を示すものであ
る。図１に示すように、半導体表面不純物回収装置は、
密閉容器３と、この密閉容器３にガス供給管４を介して
接続され、薬品を貯蔵する薬品貯蔵容器５と、薬品貯蔵
容器５内の薬品より発生した蒸気を不活性ガスで密閉容
器３内へ圧送する加圧手段６と、密閉容器３内で半導体
基板１を保持する半導体基板保持具７と、半導体基板保
持具７を回転させる回転手段８と、純水タンク９内の純
水を配管１０ａを通して密閉容器３内の半導体基板１側
に供給する供給用マイクロシリンジ１０と、供給用マイ
クロシリンジ１０に接続されて密閉容器３内の半導体基
板１上に清浄化した純水を滴下し、滴下した純水を半導
体基板１との間で保持する液滴保持具１１と、液滴保持
具１１を移動させて液滴２を半導体基板１上で走査させ
る走査手段１２と、半導体基板保持具７の外周部に着脱
自在に取り付けられ、半導体基板１上を走査した液滴２
を受容する液滴受容器１３とを備えている。なお、１４
は薬品貯蔵容器５に薬品を供給する薬品供給管である。
【００１７】以上のように構成された半導体表面不純物
回収装置の使用方法を説明する。予め、薬品貯蔵容器５
内に例えばフッ酸などの薬品を満たしておく。薬品より
発生した蒸気をガス供給管４から不活性ガスで密閉容器
３に送り込む。そして、所定時間経過した後、薬品蒸気
の供給を停止する。次に、半導体基板保持具７を回転手
段８により半導体基板１を約１〜２rpm の速度で回転さ
せながら、走査手段１２により液滴保持具１１を半導体
基板１の上まで移動させる。ここで、液滴保持具１１と
半導体基板１との距離は０．２〜１mmに調整しておく。
半導体基板１上に液滴保持具１１を移動させた後、供給
用マイクロシリンジ１０を用いて所定量の純水を液滴保
持具１１に供給する。このとき純水の量は０〜１mlの範
囲で調整することができる。供給された純水は液滴保持
具１１に保持されたままであり、走査手段１２により液
滴保持具１１を半導体基板１の外側から内側に移動させ
る。このときの移動速度は０〜２０mm/minに設定するこ
とができる。そして、回転手段８により半導体基板１を
回転させたまま、走査手段１２により液滴を走査させ
る。これにより半導体基板１の表面上全域にわたって渦
巻き状に液滴が走査される。液滴を走査し終えたら、半
導体基板保持具７に設けられた液滴受容器１３上に液滴
保持具１１を走査手段１２を用いて移動させる。保持さ
れていた液滴は重力により液滴受容器１３内に落下す
る。
回収装置の使用方法を説明する。予め、薬品貯蔵容器５
内に例えばフッ酸などの薬品を満たしておく。薬品より
発生した蒸気をガス供給管４から不活性ガスで密閉容器
３に送り込む。そして、所定時間経過した後、薬品蒸気
の供給を停止する。次に、半導体基板保持具７を回転手
段８により半導体基板１を約１〜２rpm の速度で回転さ
せながら、走査手段１２により液滴保持具１１を半導体
基板１の上まで移動させる。ここで、液滴保持具１１と
半導体基板１との距離は０．２〜１mmに調整しておく。
半導体基板１上に液滴保持具１１を移動させた後、供給
用マイクロシリンジ１０を用いて所定量の純水を液滴保
持具１１に供給する。このとき純水の量は０〜１mlの範
囲で調整することができる。供給された純水は液滴保持
具１１に保持されたままであり、走査手段１２により液
滴保持具１１を半導体基板１の外側から内側に移動させ
る。このときの移動速度は０〜２０mm/minに設定するこ
とができる。そして、回転手段８により半導体基板１を
回転させたまま、走査手段１２により液滴を走査させ
る。これにより半導体基板１の表面上全域にわたって渦
巻き状に液滴が走査される。液滴を走査し終えたら、半
導体基板保持具７に設けられた液滴受容器１３上に液滴
保持具１１を走査手段１２を用いて移動させる。保持さ
れていた液滴は重力により液滴受容器１３内に落下す
る。
【００１８】このように第１の実施例によれば、半導体
基板１の表面全域にわたり液滴を走査させて半導体基板
１の表面の不純物を液滴に溶解させることができ、とく
に半導体基板保持具７の外周部に液滴受容器１３を配設
したため、走査した液滴を落下させたりすることなくす
べて液滴受容器１３に回収することができる。
基板１の表面全域にわたり液滴を走査させて半導体基板
１の表面の不純物を液滴に溶解させることができ、とく
に半導体基板保持具７の外周部に液滴受容器１３を配設
したため、走査した液滴を落下させたりすることなくす
べて液滴受容器１３に回収することができる。
【００１９】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照しながら説明する。図２は本発明の第２の実施例
を示す半導体表面不純物回収装置の全体構成を示す図、
図３は同半導体表面不純物回収装置の液滴保持具の拡大
断面図である。なお、第１の実施例に示す半導体表面不
純物回収装置と同じ機能のものには同符号を付し、その
説明は省略する。
を参照しながら説明する。図２は本発明の第２の実施例
を示す半導体表面不純物回収装置の全体構成を示す図、
図３は同半導体表面不純物回収装置の液滴保持具の拡大
断面図である。なお、第１の実施例に示す半導体表面不
純物回収装置と同じ機能のものには同符号を付し、その
説明は省略する。
【００２０】この半導体表面不純物回収装置には、上記
第１の実施例に示す半導体表面不純物回収装置の構成に
加えて、水を計り取る吸引用マイクロシリンジ１４が設
けられている。また、図３に拡大して示すように、供給
用マイクロシリンジ１０に接続されて、液滴保持具１１
に純水を供給するための供給用ノズル１５と、吸引用マ
イクロシリンジ１４に接続されて、液滴２を吸引する吸
引用ノズル１６とが設けられている。そして、吸引用ノ
ズル１６は、液滴保持具１１内に形成されたシリンダ室
１７において昇降自在に設けられたピストン１８の一部
に固定されており、このピストン１８はバネ１９により
上方へ付勢されているとともにガス供給配管２０からシ
リンダ室１７に流入するガスにより押し下げられるよう
になっている。このガスはエアー、窒素その他の不活性
ガスを用いる。
第１の実施例に示す半導体表面不純物回収装置の構成に
加えて、水を計り取る吸引用マイクロシリンジ１４が設
けられている。また、図３に拡大して示すように、供給
用マイクロシリンジ１０に接続されて、液滴保持具１１
に純水を供給するための供給用ノズル１５と、吸引用マ
イクロシリンジ１４に接続されて、液滴２を吸引する吸
引用ノズル１６とが設けられている。そして、吸引用ノ
ズル１６は、液滴保持具１１内に形成されたシリンダ室
１７において昇降自在に設けられたピストン１８の一部
に固定されており、このピストン１８はバネ１９により
上方へ付勢されているとともにガス供給配管２０からシ
リンダ室１７に流入するガスにより押し下げられるよう
になっている。このガスはエアー、窒素その他の不活性
ガスを用いる。
【００２１】以上のように構成された半導体表面不純物
回収装置の液滴を走査させる使用方法は上記第１の実施
例とは液滴を吸引しながら走査させる点のみが異なるた
め、この点のみ説明する。
回収装置の液滴を走査させる使用方法は上記第１の実施
例とは液滴を吸引しながら走査させる点のみが異なるた
め、この点のみ説明する。
【００２２】まず、供給用ノズル１５から所定量の純水
を液滴保持具１１に供給する。その後、液滴走査を開始
して所定の時間あるいは所定の走査距離を予め設定して
おき、吸引用ノズル１６から液滴２を吸引する。それと
同時に、供給用ノズル１５より純水を供給し、液適量が
一定になるようにする。この走査を連続して行い、半導
体基板１の表面全域の液滴走査を行う。走査終了後、半
導体基板保持具７に設けられた液滴受容器１３上に液滴
保持具１１を走査手段１２を用いて移動させる。保持さ
れていた液滴２は重力により液滴受容器１３内に落下す
る。また、吸引用ノズル１６で吸引された、不純物が溶
解した液も、液滴受容器１３に入れる。さらに、半導体
基板１の表面に液滴２が残った場合、吸引用ノズル１６
を下げて半導体基板１の表面に接触させ、残った液滴２
も吸引して液滴受容器１３に入れる。ここで、吸引用ノ
ズル１６の上下はピストン１８を上下させることにより
行う。
を液滴保持具１１に供給する。その後、液滴走査を開始
して所定の時間あるいは所定の走査距離を予め設定して
おき、吸引用ノズル１６から液滴２を吸引する。それと
同時に、供給用ノズル１５より純水を供給し、液適量が
一定になるようにする。この走査を連続して行い、半導
体基板１の表面全域の液滴走査を行う。走査終了後、半
導体基板保持具７に設けられた液滴受容器１３上に液滴
保持具１１を走査手段１２を用いて移動させる。保持さ
れていた液滴２は重力により液滴受容器１３内に落下す
る。また、吸引用ノズル１６で吸引された、不純物が溶
解した液も、液滴受容器１３に入れる。さらに、半導体
基板１の表面に液滴２が残った場合、吸引用ノズル１６
を下げて半導体基板１の表面に接触させ、残った液滴２
も吸引して液滴受容器１３に入れる。ここで、吸引用ノ
ズル１６の上下はピストン１８を上下させることにより
行う。
【００２３】以上のように第２の実施例のよれば、供給
用ノズル１５と吸引用ノズル１６とを設けて、走査する
途中で液滴２に溶解した溶液を吸引用ノズル１６にて吸
引しながら、供給用ノズル１５から純水を半導体基板１
上に滴下する工程を連続して行うことにより、半導体基
板１上を走査する液滴２の不純物濃度を低濃度に保つこ
とができ、不純物の半導体基板１への再付着が低減され
るとともに半導体基板１の表面に液滴２の一部が残った
場合でもすべて回収することができて不純物回収精度を
向上させることができる。
用ノズル１５と吸引用ノズル１６とを設けて、走査する
途中で液滴２に溶解した溶液を吸引用ノズル１６にて吸
引しながら、供給用ノズル１５から純水を半導体基板１
上に滴下する工程を連続して行うことにより、半導体基
板１上を走査する液滴２の不純物濃度を低濃度に保つこ
とができ、不純物の半導体基板１への再付着が低減され
るとともに半導体基板１の表面に液滴２の一部が残った
場合でもすべて回収することができて不純物回収精度を
向上させることができる。
【００２４】本発明の第３の実施例について図４を参照
しながら説明する。図４に示すように、この半導体基板
不純物回収装置にはガス供給管４、薬品貯蔵容器５、加
圧手段６および薬品供給管１４は設けられていない。一
方、図５に示すように、液滴保持具１１には液滴２を加
熱するための加熱手段２１が設けられている。
しながら説明する。図４に示すように、この半導体基板
不純物回収装置にはガス供給管４、薬品貯蔵容器５、加
圧手段６および薬品供給管１４は設けられていない。一
方、図５に示すように、液滴保持具１１には液滴２を加
熱するための加熱手段２１が設けられている。
【００２５】第１、第２の実施例では半導体表面の不純
物、とくに金属元素を回収するために予め例えばフッ酸
蒸気などで前処理を行っている。しかし、半導体基板１
の表面のＦ- ，Ｓ０4 -，ＮＨ4 +などの不純物を精度良く
回収することができない。そこで、この実施例ではフッ
酸蒸気などの前処理を行わず、純水を滴下して加熱手段
２１により液滴２を加熱しながら半導体基板１の表面を
走査する。これにより半導体基板１の表面の金属元素以
外のイオンや分子不純物を回収することができる。一般
に温度を高くすると物質の溶解度は高くなるので、約８
０度程度に加熱するとよい。
物、とくに金属元素を回収するために予め例えばフッ酸
蒸気などで前処理を行っている。しかし、半導体基板１
の表面のＦ- ，Ｓ０4 -，ＮＨ4 +などの不純物を精度良く
回収することができない。そこで、この実施例ではフッ
酸蒸気などの前処理を行わず、純水を滴下して加熱手段
２１により液滴２を加熱しながら半導体基板１の表面を
走査する。これにより半導体基板１の表面の金属元素以
外のイオンや分子不純物を回収することができる。一般
に温度を高くすると物質の溶解度は高くなるので、約８
０度程度に加熱するとよい。
【００２６】なお、回収、走査手順は第１または第２の
実施例と同様に行う。この実施例によれば、純水を滴下
し加熱して走査することにより金属不純物のみならずイ
オンや分子状不純物を回収することができる。
実施例と同様に行う。この実施例によれば、純水を滴下
し加熱して走査することにより金属不純物のみならずイ
オンや分子状不純物を回収することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、薬品の蒸
気を導入する密閉容器と、この密閉容器内で半導体基板
を保持する半導体基板保持手段と、前記半導体基板保持
手段を回転させる回転手段と、純水を配管を通して密閉
容器内の半導体基板側に供給する供給用マイクロシリン
ジと、供給用マイクロシリンジに接続されて前記密閉容
器内の半導体基板上に清浄化した純水を滴下し、滴下し
た純水を半導体基板との間で保持する液滴保持手段と、
液滴保持手段を移動させて液滴を半導体基板上で走査さ
せる走査手段と、半導体基板保持手段の外周部に配設さ
れ、半導体基板上を走査した液滴を受容する液滴受容器
とを備えることにより、半導体基板の表面全域にわたり
液滴を走査させ、半導体基板表面の不純物を液滴に溶解
させて、走査した液滴を落下させたりすることなくすべ
て液滴受容器に回収することができる。
気を導入する密閉容器と、この密閉容器内で半導体基板
を保持する半導体基板保持手段と、前記半導体基板保持
手段を回転させる回転手段と、純水を配管を通して密閉
容器内の半導体基板側に供給する供給用マイクロシリン
ジと、供給用マイクロシリンジに接続されて前記密閉容
器内の半導体基板上に清浄化した純水を滴下し、滴下し
た純水を半導体基板との間で保持する液滴保持手段と、
液滴保持手段を移動させて液滴を半導体基板上で走査さ
せる走査手段と、半導体基板保持手段の外周部に配設さ
れ、半導体基板上を走査した液滴を受容する液滴受容器
とを備えることにより、半導体基板の表面全域にわたり
液滴を走査させ、半導体基板表面の不純物を液滴に溶解
させて、走査した液滴を落下させたりすることなくすべ
て液滴受容器に回収することができる。
【００２８】また、半導体基板と液滴保持手段との間に
保持された液滴を吸引する吸引用ノズルを設けて、走査
する途中で液滴に溶解した溶液を吸引し、さらに純水を
半導体基板上に滴下する工程を連続して行うことによ
り、半導体基板上を走査する液滴の不純物濃度を低濃度
に保つことができ、この結果、不純物の再付着を低減で
きるとともに半導体基板表面に液滴の一部が残った場合
でも液滴のすべてを回収することができ不純物回収精度
が向上する。
保持された液滴を吸引する吸引用ノズルを設けて、走査
する途中で液滴に溶解した溶液を吸引し、さらに純水を
半導体基板上に滴下する工程を連続して行うことによ
り、半導体基板上を走査する液滴の不純物濃度を低濃度
に保つことができ、この結果、不純物の再付着を低減で
きるとともに半導体基板表面に液滴の一部が残った場合
でも液滴のすべてを回収することができ不純物回収精度
が向上する。
【００２９】さらに、液滴を加熱する加熱手段によっ
て、滴下する純水を加熱して走査させることにより、金
属不純物のみならずイオンや分子状不純物を回収するこ
とができる。
て、滴下する純水を加熱して走査させることにより、金
属不純物のみならずイオンや分子状不純物を回収するこ
とができる。
【００３０】このように本発明によれば、さらに今後対
象となる半導体基板表面の不純物濃度が低下した場合に
も対応することができ、現在の金属不純物のみならず、
イオンや分子状不純物を測定する際にも用いることがで
きる。
象となる半導体基板表面の不純物濃度が低下した場合に
も対応することができ、現在の金属不純物のみならず、
イオンや分子状不純物を測定する際にも用いることがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体基板表面
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例における半導体基板表面
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例における半導体基板表面
不純物回収装置の液滴保持具の拡大断面図である。
不純物回収装置の液滴保持具の拡大断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例における半導体基板表面
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
不純物回収装置の全体構成を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例における半導体基板表面
不純物回収装置の液滴保持具の拡大断面図である。
不純物回収装置の液滴保持具の拡大断面図である。
【図６】従来の半導体基板表面不純物回収装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
１ 半導体基板 ２ 液滴 ３ 密閉容器 ４ ガス供給管 ５ 薬品貯蔵容器 ６ 加圧手段 ７ 半導体基板保持具 ８ 回転手段 １０ 供給用マイクロシリンジ １１ 液滴保持具 １２ 走査手段 １３ 液滴受容器 １４ 吸引用マイクロシリンジ １５ 供給用ノズル １６ 吸引用ノズル ２１ 加熱手段
Claims (4)
- 【請求項１】 薬品の蒸気を導入する密閉容器と、この
密閉容器内で半導体基板を保持する半導体基板保持手段
と、前記半導体基板保持手段を回転させる回転手段と、
純水を配管を通して密閉容器内の半導体基板側に供給す
る供給用マイクロシリンジと、供給用マイクロシリンジ
に接続されて前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化し
た純水を滴下し、滴下した純水を半導体基板との間で保
持する液滴保持手段と、液滴保持手段を移動させて液滴
を半導体基板上で走査させる走査手段と、半導体基板保
持手段の外周部に配設され、半導体基板上を走査した液
滴を受容する液滴受容器とを備えた半導体基板表面不純
物回収装置。 - 【請求項２】 半導体基板と液滴保持手段との間に保持
された液滴を吸引する吸引用ノズルを設けた請求項１記
載の半導体基板表面不純物回収装置。 - 【請求項３】 薬品の蒸気を導入する密閉容器と、前記
密閉容器内で半導体基板を保持する半導体基板保持手段
と、前記半導体基板保持手段を回転させる回転手段と、
純水を配管を通して密閉容器内の半導体基板側に供給す
る供給用マイクロシリンジと、供給用マイクロシリンジ
に接続されて前記密閉容器内の半導体基板上に清浄化し
た純水を滴下し、滴下した純水を半導体基板との間で保
持する液滴保持手段と、液滴保持手段を移動させて液滴
を半導体基板上で走査させる走査手段と、半導体基板保
持手段の外周部に配設され、半導体基板上を走査した液
滴を受容する液滴受容器と、半導体基板と液滴保持手段
との間に保持された液滴を吸引する吸引用ノズルとを備
え、液滴を走査させる際に、半導体基板上に清浄化され
た純水を滴下する滴下工程と、純水吸引ノズルにより液
滴を吸引する吸引工程とを連続して行う半導体基板表面
不純物回収装置の使用方法。 - 【請求項４】 密閉容器と、前記密閉容器内で半導体基
板を保持する半導体基板保持手段と、前記半導体基板保
持手段を回転させる回転手段と、純水を配管を通して密
閉容器内の半導体基板側に供給する供給用マイクロシリ
ンジと、供給用マイクロシリンジに接続されて前記密閉
容器内の半導体基板上に清浄化した純水を滴下し、滴下
した純水を半導体基板との間で保持する液滴保持手段
と、この液滴保持手段により保持される液滴を加熱する
加熱手段と、半導体基板保持手段の外周部に配設され、
半導体基板上を走査した液滴を受容する液滴受容器とを
備えた半導体基板表面不純物回収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29472391A JPH05283498A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29472391A JPH05283498A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283498A true JPH05283498A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=17811481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29472391A Pending JPH05283498A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283498A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1092784A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
| US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
| US6911096B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-06-28 | Nec Electronics Corporation | Method of collecting impurities on surface of semiconductor wafer |
| WO2005073692A1 (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nas Giken Inc. | 基板検査装置と基板検査方法と回収治具 |
| JP2008132401A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Ias Inc | ノズルおよび液体回収方法 |
| JP2009246192A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 回収治具、及び当該回収治具を備えた汚染物回収装置 |
| JP2010040548A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具 |
| JP2011128033A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Ias Inc | 基板分析用ノズル及び基板分析方法 |
| WO2016027607A1 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | 株式会社 イアス | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 |
| WO2016039032A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社 イアス | シリコン基板の分析方法 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29472391A patent/JPH05283498A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
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| EP1710555A4 (en) * | 2004-01-29 | 2010-09-29 | Nas Giken Inc | SUBSTRATE INSPECTION DEVICE, SUBSTRAIN SPECIFICATION METHOD AND TOOL FOR OBTAINING |
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| KR100906916B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2009-07-08 | 유겐카이샤 나스 기켄 | 기판 검사 장치, 기판 검사 방법, 및 회수 치구 |
| EP1710555A1 (en) * | 2004-01-29 | 2006-10-11 | Nas Giken Inc. | Substrate inspection device, substrate inspection method, and recovery tool |
| JP4664818B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-04-06 | 有限会社Ｎａｓ技研 | 基板検査装置と基板検査方法と回収治具 |
| WO2005073692A1 (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nas Giken Inc. | 基板検査装置と基板検査方法と回収治具 |
| JP2008132401A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Ias Inc | ノズルおよび液体回収方法 |
| JP4496202B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2010-07-07 | 株式会社 イアス | ノズルおよび液体回収方法 |
| JP2009246192A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 回収治具、及び当該回収治具を備えた汚染物回収装置 |
| JP2010040548A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具 |
| JP2011128033A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Ias Inc | 基板分析用ノズル及び基板分析方法 |
| WO2016027607A1 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | 株式会社 イアス | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 |
| JP2016044988A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 株式会社 イアス | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 |
| US10151727B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-12-11 | Ias, Inc. | Automatic localized substrate analysis device and analysis method |
| WO2016039032A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社 イアス | シリコン基板の分析方法 |
| JP2016057230A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社 イアス | シリコン基板の分析方法 |
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