JP6603934B2 - シリコン基板の分析方法 - Google Patents
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Description
Si(NH4)2F6 → SiF4 + 2NH4F
ところが、実際に生成される化合物はSi(NH4)xFyであり、200nm以上の膜厚の窒化膜が成膜されている場合、フッ化水素酸が過剰な状態で加熱した後でも分析液中のSi濃度が1000ppm以上となり、高精度の分析ができなかった。
6HF+4HNO3+Si → H2SiF6+4NO2+4H2O
そこで、第二の本発明では、回収液による処理後、1度目の強酸溶液の処理として、硝酸以外の酸による強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出して、加熱乾燥を行うことで、ある程度のSi成分をシリコン基板表面から除去する。その後、2度目の処理として、シリコン基板表面に強酸溶液又は強アルカリ溶液を再度吐出して、加熱乾燥をすることで、シリコン基板表面のSi成分を大幅に低減するようにした。この第二の本発明のシリコン基板の分析方法によれば、シリコン基板表面のSi成分が大幅に低減されるものの、シリコン基板表面のエッチングを抑制できる。
この実施例3では、第一溶液として回収液を36%質量濃度の塩酸溶液(1000μL)を用いて、第二溶液として68%質量濃度の硝酸溶液(1mL)を用いた。分析液としては3%質量濃度のフッ化水素酸と、4%質量濃度の過酸化水素水との混合液を使用した。尚、分析装置、加熱乾燥温度などは実施例1と同様にした。
10 ロードポート
20 基板搬送ロボット
30 アライナー
40 気相分解チャンバー
50 乾燥室
60 分析スキャンポート
70 オートサンプラー
80 誘導結合プラズマ分析器
D 分析液
W シリコン基板
Claims (5)
- 分析対象のシリコン基板を格納した格納カセットを設置するロードポートと、ロードポートに格納されたシリコン基板の取り出し、搬送、設置が可能な基板搬送ロボットと、シリコン基板の位置調整をするアライナーと、シリコン基板を加熱乾燥させる乾燥室と、エッチングガスによりシリコン基板をエッチングするための気相分解チャンバーと、シリコン基板を載置する分析ステージと、分析ステージに載置されたシリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を回収する基板分析用ノズルと、を有する分析スキャンポートと、基板分析用ノズルにより回収された分析液が投入される分析容器を有する分析液採取手段と、分析容器に投入した分析液を吸引するネブライザーと、ネブライザーから供給される分析液を誘導結合プラズマ分析する分析手段と、を備えるシリコン基板用分析装置を用いたシリコン基板の分析方法において、
シリコン基板には窒化膜が成膜されており、
基板搬送ロボットによりロードポートから取り出された当該シリコン基板を気相分解チャンバーに搬送、設置して、気相分解チャンバーにてエッチングガスによりシリコン基板の気相分解処理を行い、
気相分解処理されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、1%〜10%質量濃度のフッ化水素酸と1%〜30%質量濃度の過酸化水素との混合液である回収液で、当該シリコン基板表面を掃引して回収し、回収された回収液をシリコン基板表面に吐出した後、
回収液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥し、
加熱乾燥されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、当該シリコン基板表面に強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出し、
強酸溶液又は強アルカリ溶液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥し、
加熱乾燥したシリコン基板を、分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより当該シリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を誘導結合プラズマ分析することを特徴とするシリコン基板の分析方法。 - 分析対象のシリコン基板を格納した格納カセットを設置するロードポートと、ロードポートに格納されたシリコン基板の取り出し、搬送、設置が可能な基板搬送ロボットと、シリコン基板の位置調整をするアライナーと、シリコン基板を加熱乾燥させる乾燥室と、エッチングガスによりシリコン基板をエッチングするための気相分解チャンバーと、シリコン基板を載置する分析ステージと、分析ステージに載置されたシリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を回収する基板分析用ノズルと、を有する分析スキャンポートと、基板分析用ノズルにより回収された分析液が投入される分析容器を有する分析液採取手段と、分析容器に投入した分析液を吸引するネブライザーと、ネブライザーから供給される分析液を誘導結合プラズマ分析する分析手段と、を備えるシリコン基板用分析装置を用いたシリコン基板の分析方法において、
シリコン基板には窒化膜が成膜されており、
基板搬送ロボットによりロードポートから取り出された当該シリコン基板を気相分解チャンバーに搬送、設置して、気相分解チャンバーにてエッチングガスによりシリコン基板の気相分解処理を行い、
気相分解処理されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、1%〜10%質量濃度のフッ化水素酸と1%〜30%質量濃度の過酸化水素との混合液である回収液で、当該シリコン基板表面を掃引して回収し、回収された回収液をシリコン基板表面に吐出した後、
回収液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥し、
加熱乾燥されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、当該シリコン基板表面に、硝酸以外の酸による強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出し、
硝酸以外の酸による強酸溶液又は強アルカリ溶液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥し、
続いて、再度、加熱乾燥されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、当該シリコン基板表面に、強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出し、
強酸溶液又は強アルカリ溶液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥し、
加熱乾燥したシリコン基板を、分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより当該シリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を誘導結合プラズマ分析することを特徴とするシリコン基板の分析方法。 - 分析対象のシリコン基板を格納した格納カセットを設置するロードポートと、ロードポートに格納されたシリコン基板の取り出し、搬送、設置が可能な基板搬送ロボットと、シリコン基板の位置調整をするアライナーと、シリコン基板を加熱乾燥させる乾燥室と、エッチングガスによりシリコン基板をエッチングするための気相分解チャンバーと、シリコン基板を載置する分析ステージと、分析ステージに載置されたシリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を回収する基板分析用ノズルと、を有する分析スキャンポートと、基板分析用ノズルにより回収された分析液が投入される分析容器を有する分析液採取手段と、分析容器に投入した分析液を吸引するネブライザーと、ネブライザーから供給される分析液を誘導結合プラズマ分析する分析手段と、を備えるシリコン基板用分析装置を用いたシリコン基板の分析方法において、
シリコン基板には窒化膜が成膜されており、
基板搬送ロボットによりロードポートから取り出された当該シリコン基板を気相分解チャンバーに搬送、設置して、気相分解チャンバーにてエッチングガスによりシリコン基板の気相分解処理を行い、
気相分解処理されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、当該シリコン基板表面に、強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出し、
強酸溶液又は強アルカリ溶液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥する第一溶液処理を行い、
第一溶液処理により加熱乾燥されたシリコン基板を分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより、当該シリコン基板表面に、第一溶液処理と異なる強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出し、
第一溶液処理と異なる強酸溶液又は強アルカリ溶液が吐出されたシリコン基板を乾燥室に搬送、設置して、加熱乾燥する第二溶液処理を行い、
第二溶液処理による加熱乾燥したシリコン基板を、分析スキャンポートの分析ステージに搬送、載置して、基板分析用ノズルにより当該シリコン基板表面を分析液で掃引し、分析対象物を移行させた分析液を誘導結合プラズマ分析することを特徴とするシリコン基板の分析方法。 - 強酸はフッ化水素酸、硫酸、塩酸、硝酸のいずれか1種以上であり、強アルカリは水酸化カリウムおよび/または水酸化ナトリウムである請求項1〜請求項3いずれか1項に記載のシリコン基板の分析方法。
- 加熱乾燥する際の加熱温度が、100℃〜130℃である請求項1〜請求項4いずれか1項に記載のシリコン基板の分析方法。
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