TWI781561B - 測量晶圓表面金屬含量的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種測量晶圓表面金屬含量的方法，包括步驟S1：獲取待檢測的N個晶圓，其中N≥2；步驟S2：對每一晶圓中進行相同的N次VPD液滴掃描量測步驟，獲得體積為V的VPD測試液；步驟S3：檢測體積為V的VPD測試液中的金屬含量W，根據金屬含量W獲得每一個晶圓中的表面金屬含量X。根據該方法，可以準確量測晶圓表面的金屬含量，避免晶圓表面金屬濃度較低使稀釋後的VPD測試液低於ICP-MS設備的測試極限導致測量不準確的問題；經過稀釋過程導致在ICP-MS設備中進行測量的液體中的金屬濃度更低進而降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力的問題。

Description

測量晶圓表面金屬含量的方法
本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種測量晶圓表面金屬含量的方法。
在半導體製造過程中，製造半導體晶圓需要進行切割、磨削、拋光、清洗等工藝，通過晶圓表面金屬含量量測，以獲得表面金屬含量，晶圓表面金屬含量是表徵晶圓是否合格的重要數據。
一種測量晶圓表面金屬含量的方法是採用VPD(Vapor Phase Decomposition，氣相分解儀)和ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry，感應耦合電漿質譜儀)兩種設備進行。具體的，採用VPD設備滴VPD液在矽片上，利用掃描噴嘴吹掃VPD液滴，使VPD液滴溶解晶圓表面的金屬，然後採用ICP-MS設備吸取經過測試後的VPD測試液中的金屬濃度，再換算成晶圓表面的金屬濃度。具體的，採用在單一晶圓上滴測一滴VPD液滴，在吹掃完晶圓表面區域後，將晶圓表面的VPD液滴吸取上來並稀釋至一定的體積以供ICP-MS設備測量。由於在ICP-MS設備測量過程中需要即時吸取測試液定流量霧化噴入，這一過程需要一定量的溶液，通常至少需要600μL以上的溶 液，因此，在VPD設備吹掃完成之後的稀釋過程中需要把溶液補充到600μL以上，以供ICP-MS設備測量。
在上述測量中，如果晶圓表面金屬濃度較低，在經過VPD設備吹掃之後獲得的液滴中的金屬濃度較低，再經過稀釋過程會導致在ICP-MS設備中進行測量的液體中的金屬濃度更低，這會降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力。將稀釋過程獲得的液體中的金屬濃度足夠低，導致在ICP-MS設備中進行測量的液體中的金屬濃度低於ICP-MS設備的量測限度(或者量測能力)時，將導致無法準確量測晶圓表面的金屬濃度。
而採用VPD結合ICP-MS設備進行的晶圓表面金屬濃度檢測的方法中，這種測試方法屬於破壞性測試，採用VPD液滴進行一次吹掃後，晶圓表面的金屬已經被吸取，因而不能對同一片晶圓進行重複測試，也不能當做產品出貨，這樣會導致測量結果不可靠的同時浪費測試晶圓。
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種測量晶圓表面金屬含量的方法。
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分並不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特徵和必要技術特徵，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護範圍。
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種測量晶圓表面金屬含量的方法，包括：步驟S1：獲取待檢測的N個晶圓，其中N
Figure 110111272-A0305-02-0004-1
2；步驟S2：對 所述N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟，共進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，獲得體積為V的VPD測試液；步驟S3：檢測所述體積為V的VPD測試液中的金屬含量W，根據所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X。
示例性地，所述步驟S2包括：步驟S21：採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到體積為P的經測試的VPD液滴；步驟S22：稀釋所述體積為P的經測試的VPD液滴以形成所述體積為V的VPD測試液。
示例性地，所述步驟S2包括：步驟S21：對所述N個晶圓中的每一個採用體積為P的VPD晶圓進行所述VPD液滴掃描量測步驟以分別獲得N個體積為P的經測試的VPD液滴；步驟S22：收集所述N個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×N。
示例性地，獲取M個晶圓，將所述M個晶圓分為S組晶圓，所述S組晶圓中的每一組包括所述N個晶圓，其中，M
Figure 110111272-A0305-02-0005-2
4，S
Figure 110111272-A0305-02-0005-3
2。
示例性地，所述步驟S2包括：步驟S21：對所述S組晶圓中的每一組執行：採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到S個體積為P的經測試的VPD液滴；以及步驟S22：收集所述S個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×S。
示例性地，在所述步驟S1之前還包括：對所述晶圓進行前處理步驟，所述前處理包括加熱處理。
示例性地，所述步驟S3還包括：將未進行所述VPD液滴掃描量測步驟的體積為P的VPD液滴稀釋成體積為V的VPD稀釋液，對所述體積為V的VPD稀釋液進行空白檢測，以獲得所述體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y。
示例性地，所述步驟S3還包括：對未進行所述VPD液滴掃描量測步驟的體積為V的VPD液體進行空白檢測，以獲得所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y。
示例性地，根據所述體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y和所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
示例性地，根據所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y和所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
根據本發明的測量晶圓表面金屬含量的方法，可以準確量測晶圓表面的金屬含量，避免晶圓表面金屬濃度較低使稀釋後的VPD測試液低於ICP-MS設備的測試極限導致測量不準確的問題；經過稀釋過程導致在ICP-MS設備中進行測量的液體中的金屬濃度更低進而降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力的問題。
101,102,103,104,105:晶圓
S1,S2,S3:步驟
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用於理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。附圖中：圖1為根據本發明的一個實施例的一種測量晶圓表面金屬含量的方法的示意性流程圖； 圖2為根據本發明的一個實施例的對N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟的示意性圖示；圖3為根據本發明的一個實施例的對N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟的示意性圖示。
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對於本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對於本領域周知的一些技術特徵未進行描述。
為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的描述，以說明本發明的測量晶圓表面金屬含量的方法。顯然，本發明的施行並不限於半導體領域技術人員所熟習的特殊細節。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發明還可以具有其他實施方式。
應予以注意的是，這裡所使用的術語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據本發明的示例性實施例。如在這裡所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括複數形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
現在，將參照附圖更詳細地描述根據本發明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，並且不應當被解釋為只限於這裡所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發明的 公開徹底且完整，並且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，誇大了層和區域的厚度，並且使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
實施例一
為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種測量晶圓表面金屬含量的方法，包括：步驟S1：獲取待檢測的N個晶圓，其中N
Figure 110111272-A0305-02-0008-4
2；步驟S2：對所述N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟，共進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，獲得體積為V的VPD測試液；步驟S3：檢測所述體積為V的VPD測試液中的金屬含量W，根據所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X。
下面參看圖2和圖3A-圖3C對根據本發明的一種測量晶圓表面金屬含量的方法進行示例性說明。其中，圖1為根據本發明的一個實施例的一種測量晶圓表面金屬含量的方法的示意性流程圖；圖2為根據本發明的一個實施例的對N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟的示意性圖示；圖3為根據本發明的一個實施例的對N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟的示意性圖示。
首先，參看圖2，執行步驟S1：獲取待檢測的N個晶圓，其中N
Figure 110111272-A0305-02-0008-6
2。
在晶圓的製造過程中，通常經過切割、磨削、拋光、清洗等工藝對晶棒進行處理獲得單個晶圓；同一批次的晶圓在經過相同的處理工藝之後，其表面往往具有相同的金屬含量。例如，同一晶棒進行同一批次的切割工藝、 同一批次的磨削工藝、同一批次的拋光工藝和同一批次的清洗工藝之後獲得的同一批次的晶圓表面往往具有相同的金屬含量。
本發明中，利用上述工藝特點，在經過相同的工藝處理後的同一批次的晶圓中選取待檢測的N個晶圓採用VPD設備進行VPD液滴掃描量測的試驗，以獲得N個晶圓表面金屬含量的總和測量值，由於N個晶圓的表面金屬含量相同，對於前述總和測量值求平均就得到N個晶圓中每個晶圓表面的金屬含量的值。
由於在VPD液滴掃描量測的過程中，獲得的是N個晶圓表面金屬含量的總和測量值，其不會因為單個晶圓表面金屬濃度偏低而導致獲得的經測試的VPD液滴中金屬含量過低，進而避免由於獲得的經測試的VPD液滴中金屬含量過低而超出ICP-MS設備檢測極限的問題，因而可以準確獲得晶圓表面金屬含量。下面繼續參看圖1，對根據本發明的測量晶圓表面金屬含量的方法中採用VPD液滴進行的掃描量測步驟進行進一步說明。
接著，參看圖1，繼續執行步驟S2：對所述N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液掃描量測步驟共進行N次所述VPD液掃描量測步驟，獲得體積為V的VPD測試液。
VPD液滴是進行氣相分解的化學試劑，其主要由HF、H2O2和去離子水組成，在根據本發明的一個實施例中，配置的VPD液滴試劑中HF、H2O2和去離子水的體積比為1：2：7。
VPD設備採用VPD液滴進行掃描量測。VPD設備包括用於引入晶圓的引入口及門、工藝腔室、在工藝腔室內部設置的晶圓承載台、真空吸盤及掃描模塊等。晶圓通過晶圓引入口被引入工藝腔室承載台，並通過真空吸盤固 定在承載台上。掃描模塊通過將VPD液滴通過流路供給至掃描噴嘴，採用掃描噴嘴掃描晶圓表面，VPD液滴在晶圓表面完成掃描之後通過管道流路回收至存儲裝置，以待分析。
在本發明中，採用上述VPD液滴掃描步驟對N個晶圓中的每一個進行掃描，獲取最終的VPD測試液，其中VPD測試液中包含N個晶圓表面金屬含量的總和測量值，其不會因為單個晶圓表面金屬濃度偏低而導致獲得的經測試的VPD液滴中金屬含量過低，進而避免由於獲得的經測試的VPD液滴中金屬含量過低而超出ICP-MS設備檢測極限的問題，因而可以準確獲得晶圓表面金屬含量。
示例性的，在根據本發明的一個實施例中，所述步驟S2包括：步驟S21：採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到體積為P的經測試的VPD液滴。步驟S22：稀釋所述體積為P的經測試的VPD液滴以形成所述體積為V的VPD測試液。
示例性的，在本實施例中，在步驟S1中獲取五個晶圓，在本步驟中採用體積為P的VPD液滴對所述五個晶圓依次進行五次所述VPD液滴掃描量測步驟。參看圖2，對根據本發明的獲取體積為V的VPD測試液的過程進行示例性介紹。
如圖2所示，在VPD液體供給裝置中取體積為P的VPD液滴(如箭頭B1所示的方向)對晶圓100進行VPD液滴掃描量測步驟獲得體積為P的經過測試的VPD液滴；繼續採用對晶圓100進行VPD液滴掃描量測步驟後獲得的體積為P的經測試的VPD液滴繼續對晶圓101進行VPD液滴掃描量測步驟(如箭頭C1所示的方向)，獲得體積為P的經過二次測試的VPD液滴；繼續採用對晶圓101進 行VPD液滴掃描量測步驟後獲得的經過二次測試的體積為P的VPD液滴繼續對晶圓102進行VPD液滴掃描量測步驟(如箭頭D1所示的方向)，獲得經過三次測試的體積為P的VPD液滴；繼續採用對晶圓102進行VPD液滴掃描量測步驟後獲得的經過三次測試的體積為P的VPD液滴繼續對晶圓103進行VPD液滴掃描量測步驟(如箭頭E1所示的方向)，獲得經過四次測試的體積為P的VPD液滴；繼續採用對晶圓103進行VPD液滴掃描量測步驟後獲得的經過四次測試的體積為P的VPD液滴繼續對晶圓104進行VPD液滴掃描量測步驟(如箭頭F1所示的方向)，最終獲得經過五次測試的體積為P的VPD液滴。
經過五次測試的體積為P的VPD液滴中包含有五個晶圓的表面的金屬含量的測量值總和，其中包含的金屬濃度遠遠高於只進經過一次測試的僅包含有一個晶圓表面的金屬含量的測量值的體積為P的VPD液滴；因而在後續進行ICP-MS檢測的過程中，可以避免因為經測試的VPD液滴中包含的金屬濃度偏低，再經過稀釋過程導致在ICP-MS設備中進行測量的液體中的金屬濃度更低，從而降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力的問題。
由於對晶圓進行VPD液滴掃描量測步驟時，使用的液滴體積較小，往往達不到後續ICP-MS檢測的液體體積。為此，往往需要進行溶液配製，如圖2所示，將經過五次測試的體積為P的VPD液滴配置為體積為V的VPD測試液(如箭頭G1所示的方向)以進行ICP-MS測試。示例性的，採用去離子水將體積為P的VPD液滴稀釋為體積為V的VPD測試液。
例如，在本實施例中，採用體積為150μL的VPD液滴依次對五個晶圓進行VPD液滴掃描步驟之後，配置成750μL的VPD測試液，以進行ICP-MS測試。
經過五次測試的體積為P的VPD液滴中包含有五個晶圓的表面的金屬含量的測量值總和，在後續的採用ICP-MS進行檢測的過程中通過檢測經過五次測試的體積為P的VPD液滴中金屬含量W後就可以獲得五個晶圓的表面的金屬含量的測量值總和。
以上是獲取最終進行ICP-MS測試的體積為V的VPD測試液示例性步驟。
示例性的，在根據本發明的另一個實施例中，所述步驟S2包括：步驟S21：對所述N個晶圓中的每一個採用體積為P的VPD晶圓進行所述VPD液滴掃描量測步驟以分別獲得N個體積為P的經測試的VPD液滴；步驟S22：收集所述N個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×N。
示例性的，在本實施例中，在步驟S1中獲取五個晶圓，在本步驟中分別採用體積為P的VPD液滴對所述五個晶圓各進行一次所述VPD液滴掃描量測步驟。參看圖3，對根據本發明的獲取體積為V的VPD測試液的過程進行示例性介紹。
如圖3所示，對晶圓100採用來自VPD液供給裝置的體積為P的VPD液滴進行VPD掃描量測步驟(如箭頭B2所示)，經過測試後的體積為P的VPD液滴被收集(如箭頭B3所示)至存儲裝置，以供形成待進行ICP-MS測試的VPD測試液；對晶圓101採用體積為P的VPD液滴進行VPD掃描量測步驟(如箭頭C2所示)，經過測試後的體積為P的VPD液滴被收集(如箭頭C3所示)至存儲裝置，以供形成待進行ICP-MS測試的VPD測試液；對晶圓102採用體積為P的VPD液滴進行VPD掃描量測步驟(如箭頭D2所示)，經過測試後的體積為P的 VPD液滴被收集(如箭頭D3所示)至存儲裝置，以供形成待進行ICP-MS測試的VPD測試液；對晶圓104採用體積為P的VPD液滴進行VPD掃描量測步驟(如箭頭E2所示)，經過測試後的體積為P的VPD液滴被收集(如箭頭E3所示)至存儲裝置，以供形成待進行ICP-MS測試的VPD測試液；對晶圓101採用體積為P的VPD液滴進行VPD掃描量測步驟(如箭頭F2所示)，經過測試後的體積為P的VPD液滴被收集(如箭頭F3所示)至存儲裝置，以供形成待進行ICP-MS測試的VPD測試液。由於上述步驟中，將經過VPD掃描量測步驟的PVD液滴收集至同一存儲裝置，最終形成的VPD測試液的體積V=P×5。
在本實施例中，由於對晶圓分別採用體積為P的VPD液滴進行VPD液滴掃描量測步驟，最後收集的VPD測試液是多個經過的經測試的VPD液滴的體積之和，其體積足夠大以供後續ICP-MS檢測的液體體積，因而不需要進行進一步的稀釋，避免了稀釋過程導致VPD測試液中的金屬濃度更低，降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力的問題。
例如，在本實施例中，採用五份體積為150μL的VPD液滴分別對五個晶圓進行VPD液滴掃描步驟之後，收集形成750μL的VPD測試液，以進行ICP-MS測試。
前述兩個實施例分別介紹了通過提高經檢測的VPD液體中金屬濃度和檢測的VPD液體的體積的方法來獲得其中包含較高濃度的金屬的待進行ICP-MS測試的VPD測試液的方法。在本發明的還一個實施例中，將上述兩個實施例的方法結合，得到能夠進一步精確進行ICP-MS測試的VPD測試液。
示例性的，在根據本發明的另一個實施例中，通過獲取更多的晶圓得到高濃度的經過測試的VPD液滴並且不需要經過稀釋過程，就可以形成待進行ICP-MS測試的體積為V的VPD測試液。
示例性的，在步驟S1中，獲取M個晶圓，將所述M個晶圓分為S組晶圓，所述S組晶圓中的每一組包括所述N個晶圓，其中，M
Figure 110111272-A0305-02-0014-7
4，S
Figure 110111272-A0305-02-0014-9
2。
所述步驟S2包括：步驟S21：對所述S組晶圓中的每一組執行：採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到S個體積為P的經測試的VPD液滴；以及步驟S22：收集所述S個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×S。
通過獲得M個晶圓，將M個晶圓分為以N個晶圓為一組的S組，對每一組晶圓執行如圖2所示的檢測過程，即採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到S個體積為P的經測試的VPD液滴，每一VPD液滴中包含的金屬的含量是N個晶圓表面所包含的金屬的測量值的總和，大大提高了單個VPD液滴中的金屬濃度，避免VPD液滴中金屬濃度過低而影響後續ICP-MS測試的結果的準確性。進一步，通過收集上述S個體積為P的經測試的VPD形成體積為V的VPD測試液，使得後續進行ICP-MS測試的VPD測試液是未經過稀釋的VPD測試液，其不會因為稀釋過程降低ICP-MS設備對低濃度晶圓的檢測能力。
例如，獲取30個晶圓，將30個晶圓分為5個晶圓為一組的6組，對每組晶圓採用體積為150μL的VPD液滴依次對每一組中的五個晶圓進行VPD液滴掃描步驟之後，獲得6滴經過五次測試的體積為150μL的VPD液滴，將此6滴經過 五次測試的體積為150μL的VPD液滴收集起來獲得體積為900μL的VPD測試液以進行ICP-MS測試。
以上是獲取最終進行ICP-MS測試的體積為V的VPD測試液示例性步驟。需要理解的是，本發明獲得體積為V的VPD測試液的方法可以是多種多樣的，本發明的本質在於利用經過相同的工藝處理後的同一批次的晶圓中選取的待檢測的N個晶圓進行VPD檢測後獲取包含其中的金屬含量的檢測值總和的VPD測試液進行ICP-MS測試，由於多個晶圓表面包含的金屬含量大於單個晶圓表面包含的金屬含量，其避免了單個晶圓表面包含的金屬含量過低導致ICP-MS測試不到的問題或者降低ICP-MS測試能力的問題。本領域技術人員還可以採用任何其他對述N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟共進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟獲得體積為V的VPD測試液的方法，獲得本發明的技術效果。
在獲得體積為V的VPD測試液之後，繼續對體積為V的VPD測試液中的金屬含量進行檢測以獲得N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量。下面繼續參看圖1對根據經過測試後的VPD液體獲得N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量的過程進行示例性介紹。
繼續參看圖1，執行步驟S3：檢測所述體積為V的VPD測試液中的金屬含量W，本根據所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X。
上述過程中，對經過五次測試的體積為P的VPD液滴中包含的金屬含量進行檢測在ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry，感應耦 合電漿質譜儀)設備中進行。其為本領域技術人員所熟知的技術，在此不再贅述。
由於配置VPD試劑、運送VPD液滴的過程中往往會導致VPD液滴的污染。為了使測量結果進一步準確，在根據本發明的方法中，對體積為V的VPD液體中進行一個空白檢測，以檢測VPD液滴中包含的金屬含量。具體的，採用從VPD設備中的掃描噴嘴中提取VPD液滴進行ICP-MS檢測，測試其中的金屬含量。
在根據本發明的一個示例中，在完成對體積為V的VPD測試液中的金屬含量的檢測之後獲得VPD測試液中的金屬含量為W。
進一步，根據VPD測試液中的金屬含量W計算每個晶圓表面的金屬含量X。示例性的過程包括：將VPD測試液中的金屬含量W換算成N個晶圓的表面的金屬含量的測試值總和T，其中T=C×W，C是與晶圓的測試面積等相關的常量；根據N個晶圓的表面的金屬含量X的測試值總和T計算每個晶圓表面的金屬含量X，其中X=T/N。
在步驟S2中採用一滴體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到體積為P的經測試的VPD液滴(步驟S21)，以及稀釋所述體積為P的經測試的VPD液滴以形成所述體積為V的VPD測試液(步驟S22)的實施例中，在所述步驟S3進行的空白檢測步驟包括：將未進行所述VPD液滴掃描量測步驟的體積為P的VPD液滴稀釋成體積為V的VPD稀釋液，對所述體積為V的VPD稀釋液進行空白檢測，以獲得所述體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y。因此，根據所述體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y 和所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
在步驟S2中對所述N個晶圓中的每一個採用體積為P的VPD晶圓進行所述VPD液滴掃描量測步驟以分別獲得N個體積為P的經測試的VPD液滴(步驟S21)，以及收集所述N個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×N(步驟S22)的實施例中，在所述步驟S3進行的空白檢測步驟包括：對未進行所述VPD液滴掃描量測步驟的體積為V的VPD液體進行空白檢測，以獲得所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y。因此，根據所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y和所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
同樣，根據在步驟S1中獲取M個晶圓，將所述M個晶圓分為S組晶圓，所述S組晶圓中的每一組包括所述N個晶圓，其中，M
Figure 110111272-A0305-02-0017-10
4，S
Figure 110111272-A0305-02-0017-11
2；同時在步驟S2中對所述S組晶圓中的每一組執行：採用體積為P的VPD液滴對所述N個晶圓依次進行N次所述VPD液滴掃描量測步驟，以得到S個體積為P的經測試的VPD液滴(步驟S21)；以及步驟S22：收集所述S個體積為P的經測試的VPD以獲得所述體積為V的VPD測試液，其中所述VPD測試液的體積V=P×S(步驟S22)的實施例中，在所述步驟S3進行的空白檢測步驟包括：對未進行所述VPD液滴掃描量測步驟的體積為V的VPD液體進行空白檢測，以獲得所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y。根據所述體積為V的VPD液體中的金屬含量Y和所述VPD測試液中的金屬含量W獲得所述N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用於舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明並不侷限於上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的請求項及其等效範圍所界定。
S1,S2,S3:步驟

Claims (10)

  1. 一種測量晶圓表面金屬含量的方法，包括：步驟S1：獲取待檢測的N個晶圓，其中N
    Figure 110111272-A0305-02-0019-12
    2；步驟S2：對該N個晶圓中的每一個進行相同的VPD液滴掃描量測步驟，共進行N次該VPD液滴掃描量測步驟，獲得體積為V的VPD測試液；及步驟S3：檢測該體積為V的VPD測試液中的金屬含量W，根據該VPD測試液中的金屬含量W獲得該N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X。
  2. 如請求項1所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S2包括：步驟S21：採用體積為P的VPD液滴對該N個晶圓依次進行N次該VPD液滴掃描量測步驟，以得到體積為P的經測試的VPD液滴；步驟S22：稀釋該體積為P的經測試的VPD液滴以形成該體積為V的VPD測試液。
  3. 如請求項1所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S2包括：步驟S21：對該N個晶圓中的每一個採用體積為P的VPD晶圓進行該VPD液滴掃描量測步驟以分別獲得N個體積為P的經測試的VPD液滴；步驟S22：收集該N個體積為P的經測試的VPD以獲得該體積為V的VPD測試液，其中該VPD測試液的體積V=P×N。
  4. 如請求項1所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S1中，獲取M個晶圓，將該M個晶圓分為S組晶圓，該S組晶圓中的每一組包括該N個晶圓，其中，M
    Figure 110111272-A0305-02-0019-14
    4，S
    Figure 110111272-A0305-02-0019-15
    2。
  5. 如請求項4所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S2包括：步驟S21：對該S組晶圓中的每一組執行：採用體積為P的VPD液滴對該N個晶圓依次進行N次該VPD液滴掃描量測步驟，以得到S個體積為P的經測試的VPD液滴；以及步驟S22：收集該S個體積為P的經測試的VPD以獲得該體積為V的VPD測試液，其中該VPD測試液的體積V=P×S。
  6. 如請求項5所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，在該步驟S1之前還包括：對該晶圓進行前處理步驟，該前處理包括加熱處理。
  7. 如請求項2所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S3還包括：將未進行該VPD液滴掃描量測步驟的體積為P的VPD液滴稀釋成體積為V的VPD稀釋液，對該體積為V的VPD稀釋液進行空白檢測，以獲得該體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y。
  8. 如請求項3或5之任一項所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，該步驟S3還包括：對未進行該VPD液滴掃描量測步驟的體積為V的VPD液體進行空白檢測，以獲得該體積為V的VPD液體中的金屬含量Y。
  9. 如請求項7所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，根據該體積為V的VPD稀釋液中的金屬含量Y和該VPD測試液中的金屬含量W獲得該N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
  10. 如請求項8所述的測量晶圓表面金屬含量的方法，其中，根據該體積為V的VPD液體中的金屬含量Y和該VPD測試液中的金屬含量W獲得該N個晶圓中的每一個的表面的金屬含量X，其中，X=C×(W-Y)/N，C為與晶圓表面積有關的常量。
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