CN114486377A - 一种用vpd机台提取晶片表面的脏污的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，包括使用VPD机台中的吸管吸取晶片表面的VPD萃取液的步骤，其特征在于还包括在吸管使用前和/或使用后用硝酸溶液进行清洗。本发明通过在提取晶片表面的脏污过程中，增加用硝酸溶液来清洗吸管的步骤，解决了在多次使用后吸管内Ca+累积的问题。并且，进一步的，采用硝酸溶液浸泡吸管可以避免吸管浸泡于水中后再次使用，发生的Ca+含量激增的问题。使得VPD机台在提取晶片表面的脏污，并在之后使用ICP‑MS或TXRF对VPD萃取液的成分分析更加准确，降低了提取过程对分析过程造成的干扰，准确真实反映晶片表面的金属等脏污含量。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的表面脏污提取方法，具体涉及用VPD机台提取晶片表面脏污的方法。
背景技术
VPD机台(以下简称机台)是一种提取晶片表面脏污的机台，提取过程：首先使用HF对晶片表面进行蚀刻，之后使用VPD萃取液(HF/H2O2/H2O混合液)在晶片表面进行滚涂，VPD萃取液可吸收晶片表面的脏污，之后利用机台中的吸管吸收在晶片表面滚涂后的VPD萃取液，将吸管吸取的VPD萃取液倒入容器中使用ICP-MS或TXRF进行成分的分析，通过分析结果判断晶片表面的金属等脏污成分含量。
发明内容
本发明经过研究后发现，在用吸管多次吸取操作后，会在吸管内部发生Ca+的累积现象，从而影响到后续对所吸入VPD萃取液成分分析得到的结果。在使用后，当吸管浸泡于水中一段时间后，吸管中的Ca+含量会发生激增，影响检测结果。
本发明的主要目的在于解决所发现的上述问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种用VPD机台提取晶片表面的脏污的方法，包括使用VPD机台中的吸管吸取晶片表面的VPD萃取液的步骤，还包括在吸管使用前和/或使用后用硝酸溶液进行清洗。
在本发明的一些实施例中，吸管在进行所述的清洗后浸泡于硝酸溶液中。
在本发明的一些实施例中，用于浸泡的硝酸溶液的浓度为10～30％wt。
在本发明的一些实施例中，用于清洗的硝酸溶液的浓度为5～20％wt。
在本发明的一些实施例中，吸管在清洗后吸取空白液并对所吸取的空白液进行成分分析的步骤，以此确定吸管清洗效果。
在本发明的一些实施例中，吸管使用后用硝酸溶液进行清洗包括：吸管在每次使用后都用硝酸溶液进行清洗，或在吸管多次使用后用硝酸溶液进行清洗。
本发明在发现了上述两个问题的基础上，通过增加用硝酸溶液来清洗吸管的步骤，解决了在多次使用后吸管内Ca+累积的问题。并且，进一步的，通过采用硝酸溶液浸泡吸管可以避免吸管浸泡于水中后再次使用，发生的Ca+含量激增的问题。使得VPD机台在提取晶片表面的脏污，并使用ICP-MS或TXRF对VPD萃取液的成分分析更加准确，降低了提取过程对分析结果的干扰。
附图说明
图1为在未使用本发明方法时，用于清洁晶片表面的VPD萃取液中Ca+含量的趋势图。
图2为本发明用VPD机台清洁晶片的方法的一种具体实施流程示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
在长期对VPD机台提取晶片表面脏污的VPD萃取液进行成分分析，发现了Ca+的测量值波动很大，并且有明显增加的趋势。图1示出了在2020年2月19日至2020年4月15日期间，利用ICP-MS分析仪对空白VPD萃取液(样品BK2～BK7)进行Ca+含量测定的结果，可以看到各个样品中的Ca+明显具有很大的波动和且随着时间总体呈现增加的趋势。
而在使用后，将VPD机台用空白液(未使用的VPD萃取液)清洁吸管，确保吸管内部清洁干净，之后将吸管浸泡于水中。第二天再使用，吸取的空白液，同样发现第一次吸取的空白液中Ca+含量有激增：
将使用后的吸管提取空白液进行清洁，确保吸管已经清洁干净。并对空白液进行一次成分分析。然后将吸管放浸泡于纯水中12小时(电阻>18.2MΩ)，之后再次提取空白液进行成分分析。
重复上述实验步骤，进行多次实验，其结果如下表所示。
根据上表可以明显发现，在浸泡后，第一次吸取的空白液中，Ca+含量由13.69ppt升至了1620ppt，其含量有激增的现象。
本发明正是由于发现了上述技术问题，因而针对该问题提供了一种用VPD机台提取晶片表面的脏污的方法。而一旦发现了上述问题之后，解决上述问题的方法则变得十分的直观。该方法主要包括使用VPD机台中的吸管吸取晶片表面的VPD萃取液的步骤，还包括在吸管使用前和/或使用后用硝酸溶液进行清洗。增加了使用硝酸溶液对吸管进行清洗的步骤后，就能够有效的解决吸管内Ca+的累积问题。
以下，试举一例对于上述方法进行具体的说明。
VPD机台通过Pad Scan将VPD萃取液滚涂于晶片表面，对于晶圆表面的杂质进行吸收，(吸收晶片表面杂质后的VPD萃取液以下简称“吸收液”)
VPD机台通过吸管吸取吸收液，并倒入容器中用ICP-MS或TXRF分析仪进行成分分析。
当吸管吸取了多次吸收液后，如1～3次后，用硝酸溶液进行清洁，硝酸溶液的重量百分比浓度在5～20％，清洁后的吸管吸取未使用的VPD萃取液(以下简称空白液)并进行成分分析，若空白液中的Ca+含量低于20ppt后，重新将吸管投入使用，测得Ca+含量不低于20ppt时，可用硝酸溶液再次进行清洗。
在VPD机台完成对于晶片的脏污提取后，将吸管使用重量百分比浓度在5～20％的硝酸溶液进行清洁，将吸管吸取空白液，并对空白液进行成分分析；之后将其浸泡于重量百分比浓度10～30％的硝酸溶液中12h。
将浸泡过的吸管吸取空白液，并对空白液进行成分分析。
再次吸取空白液，并对吸取后的空白液进行成分分析。
检测结果如下表所示：
可见，采用本发明的方法可以有效的避免吸管中的Ca+的累积。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。
Claims (6)
1.用VPD机台提取晶片表面的脏污的方法，包括使用VPD机台中的吸管吸取晶片表面的VPD萃取液的步骤，其特征在于还包括在吸管使用前和/或使用后用硝酸溶液进行清洗。
2.如权利要求1所述的用VPD机台提取晶片表面的脏污的方法，其特征在于吸管在进行所述的清洗后浸泡于硝酸溶液中。
3.如权利要求2所述的用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，其特征在于用于浸泡的硝酸溶液的浓度为10～30％wt。
4.如权利要求1所述的用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，其特征在于用于清洗的硝酸溶液的浓度为5～20％wt。
5.如权利要求1所述的用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，其特征在于吸管在清洗后吸取空白液并对所吸取的空白液进行成分分析的步骤，以此判定吸管的清洗效果。
6.如权利要求1所述的用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，其特征在于吸管使用后用硝酸溶液进行清洗包括：吸管在每次使用后都用硝酸溶液进行清洗，或在吸管多次使用后用硝酸溶液进行清洗。
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