CN112802767A - 测量晶圆表面金属含量的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种测量晶圆表面金属含量的方法。所述方法包括步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法，可以准确量测晶圆表面的金属含量，避免晶圆表面金属浓度较低使稀释后的VPD测试液低于ICP‑MS设备的测试极限导致测量不准确的问题；经过稀释过程导致在ICP‑MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低进而降低ICP‑MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种测量晶圆表面金属含量的方法。
背景技术
在半导体制造过程中，制造半导体晶圆需要进行切割、磨削、抛光、清洗等工艺，通过晶圆表面金属含量量测，以获得表面金属含量，晶圆表面金属含量是表征晶圆是否合格的重要数据。
一种测量晶圆表面金属含量的方法是采用VPD (VaporPhaseDecomposition，气相分解)和ICP-MS(InductivelyCoupledPlasma-MassSpectrometry，电感耦合等离子体质谱仪)两种设备进行。具体的，采用VPD设备滴VPD液在硅片上，利用扫描喷嘴吹扫VPD液滴，使VPD液滴溶解晶圆表面的金属，然后采用ICP-MS 设备吸取经过测试后的VPD测试液中的金属浓度，再换算成晶圆表面的金属浓度。具体的，采用在单一晶圆上滴测一滴VPD液滴，在吹扫完晶圆表面区域后，将晶圆表面的VPD液滴吸取上来并稀释至一定的体积以供 ICP-MS设备测量。由于在ICP-MS设备测量过程中需要实时吸取测试液定流量雾化喷入，这一过程需要一定量的溶液，通常至少需要600μL以上的溶液，因此，在VPD设备吹扫完成之后的稀释过程中需要把溶液补充到 600μL以上，以供ICP-MS设备测量。
在上述测量中，如果晶圆表面金属浓度较低，在经过VPD设备吹扫之后获得的液滴中的金属浓度较低，再经过稀释过程会导致在ICP-MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低，这会降低ICP-MS设备对低浓度晶圆的检测能力。将稀释过程获得的液体中的金属浓度足够低，导致在 ICP-MS设备中进行测量的液体中的金属浓度低于ICP-MS设备的量测限度 (或者量测能力)时，将导致无法准确量测晶圆表面的金属浓度。
而采用VPD结合ICP-MS设备进行的晶圆表面金属浓度检测的方法中，这种测试方法属于破坏性测试，采用VPD液滴进行一次吹扫后，晶圆表面的金属已经被吸取，因而不能对同一片晶圆进行重复测试，也不能当做产品出货，这样会导致测量结果不可靠的同时浪费测试晶圆。
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种测量晶圆表面金属含量的方法。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种测量晶圆表面金属含量的方法，包括：
步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；
步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤，共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；
步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。
示例性地，所述步骤S2包括：
步骤S21：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到体积为P的经测试的VPD液滴；
步骤S22：稀释所述体积为P的经测试的VPD液滴以形成所述体积为 V的VPD测试液。
示例性地，所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述N个晶圆中的每一个采用体积为P的VPD晶圆进行所述VPD液滴扫测测量步骤以分别获得N个体积为P的经测试的VPD 液滴；
步骤S21：收集所述N个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×N。
示例性地，获取M个晶圆，将所述M个晶圆分为S组晶圆，所述S 组晶圆中的每一组包括所述N个晶圆，其中，M≥4，S≥2。
示例性地，所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述S组晶圆中的每一组执行：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到S个体积为P的经测试的VPD液滴；以及
步骤S22：收集所述S个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为 V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×S。
示例性地，在所述步骤S1之前还包括：对所述晶圆进行前处理步骤，所述前处理包括加热处理。
示例性地，所述步骤S3还包括：
将未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为P的VPD液滴稀释成体积为V的VPD稀释液，对所述体积为V的VPD稀释液进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y。
示例性地，所述步骤S3还包括：
对未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为V的VPD液体进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y。
示例性地，根据所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y和所述 VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
示例性地，根据所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y和所述VPD 测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法，可以准确量测晶圆表面的金属含量，避免晶圆表面金属浓度较低使稀释后的VPD测试液低于 ICP-MS设备的测试极限导致测量不准确的问题；经过稀释过程导致在 ICP-MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低进而降低ICP-MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1为根据本发明的一个实施例的一种测量晶圆表面金属含量的方法的示意性流程图；
图2为根据本发明的一个实施例的对N个晶圆中的每一个进行相同的 VPD液滴扫测量步骤的示意性图示；
图3为根据本发明的一个实施例的对N个晶圆中的每一个进行相同的 VPD液滴扫测量步骤的示意性图示。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本发明的测量晶圆表面金属含量的方法。显然，本发明的施行并不限于半导体领域技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件，因而将省略对它们的描述。
实施例一
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种测量晶圆表面金属含量的方法，包括：
步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；
步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤，共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；
步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。
下面参看图2和图3对根据本发明的一种测量晶圆表面金属含量的方法进行示例性说明。其中，图1为根据本发明的一个实施例的一种测量晶圆表面金属含量的方法的示意性流程图；图2为根据本发明的一个实施例的对N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤的示意性图示；图3为根据本发明的一个实施例的对N个晶圆中的每一个进行相同的VPD 液滴扫测量步骤的示意性图示。
首先，参看图2，执行步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2。
在晶圆的制造过程中，通常经过切割、磨削、抛光、清洗等工艺对晶棒进行处理获得单个晶圆；同一批次的晶圆在经过相同的处理工艺之后，其表面往往具有相同的金属含量。例如，同一晶棒进行同一批次的切割工艺、同一批次的磨削工艺、同一批次的抛光工艺和同一批次的清洗工艺之后获得的同一批次的晶圆表面往往具有相同的金属含量。
本发明中，利用上述工艺特点，在经过相同的工艺处理后的同一批次的晶圆中选取待检测的N个晶圆采用VPD设备进行VPD液滴扫描量测的试验，以获得N个晶圆表面金属含量的总和测量值，由于N个晶圆的表面金属含量相同，对于前述总和测量值求平均就得到N个晶圆中每个晶圆表面的金属含量的值。
由于在VPD液滴扫描量测的过程中，获得的是N个晶圆表面金属含量的总和测量值，其不会因为单个晶圆表面金属浓度偏低而导致获得的经测试的VPD液滴中金属含量过低，进而避免由于获得的经测试的VPD液滴中金属含量过低而超出ICP-MS设备检测极限的问题，因而可以准确获得晶圆表面金属含量。下面继续参看图1，对根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法中采用VPD液滴进行的扫描量测步骤进行进一步说明。
接着，参看图1，继续执行步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液扫描量测步骤共进行N次所述VPD液扫描量测步骤，获得体积为V的VPD测试液。
VPD液滴是进行气相分解的化学试剂，其主要由HF、H2O2和去离子水组成，在根据本发明的一个实施例中，配置的VPD液滴试剂中HF、H2O2和去离子水的体积比为1:2:7。
VPD设备采用VPD液滴进行扫描量测。VPD设备包括用于引入晶圆的引入口及门、工艺腔室、在工艺腔室内部设置的晶圆载台、真空吸盘及扫描模块等。晶圆通过晶圆引入口被引入工艺腔室载台，并通过真空吸盘固定在载台上。扫描模块通过将VPD液滴通过流路供给至扫描喷嘴，采用扫描喷嘴扫描晶圆表面，VPD液滴在晶圆表面完成扫描之后通过管道流路回收至存储装置，以待分析。
在本发明中，采用上述VPD液滴扫描步骤对N个晶圆中的每一个进行扫描，获取最终的VPD测试液，其中VPD测试液中包含N个晶圆表面金属含量的总和测量值，其不会因为单个晶圆表面金属浓度偏低而导致获得的经测试的VPD液滴中金属含量过低，进而避免由于获得的经测试的 VPD液滴中金属含量过低而超出ICP-MS设备检测极限的问题，因而可以准确获得晶圆表面金属含量。
示例性的，在根据本发明的一个实施例中，所述步骤S2包括：
步骤S21：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫描量测步骤，以得到体积为P的经测试的VPD液滴。
步骤S22：稀释所述体积为P的经测试的VPD液滴以形成所述体积为 V的VPD测试液。
示例性的，在本实施例中，在步骤S1中获取五个晶圆，在本步骤中采用体积为P的VPD液滴对所述五个晶圆依次进行五次所述VPD液滴扫描量测步骤。参看图2，对根据本发明的获取体积为V的VPD测试液的过程进行示例性介绍。
如图2所示，在VPD液体供给装置中取体积为P的VPD液滴(如箭头B1所示的方向)对晶圆100进行VPD液滴扫描量测步骤获得体积为P 的经过测试的VPD液滴继续；继续采用对晶圆100进行VPD液滴扫描量测步骤后获得的体积为P的经测试的VPD液滴继续对晶圆101进行VPD 液滴扫描量测步骤(如箭头C1所示的方向)，获得体积为P的经过二次测试的VPD液滴；继续采用对晶圆101进行VPD液滴扫描量测步骤后获得的经过二次测试的体积为P的VPD液滴继续对晶圆102进行VPD液滴扫描量测步骤(如箭头D1所示的方向)，获得经过三次测试的体积为P的 VPD液滴；继续采用对晶圆102进行VPD液滴扫描量测步骤后获得的经过三次测试的体积为P的VPD液滴继续对晶圆103进行VPD液滴扫描量测步骤(如箭头E1所示的方向)，获得经过四次测试的体积为P的VPD 液滴；继续采用对晶圆103进行VPD液滴扫描量测步骤后获得的经过四次测试的体积为P的VPD液滴继续对晶圆104进行VPD液滴扫描量测步骤 (如箭头F1所示的方向)，最终获得经过五次测试的体积为P的VPD液滴。
经过五次测试的体积为P的VPD液滴中包含有五个晶圆的表面的金属含量的测量值总和，其中包含的金属浓度远远高于只进经过一次测试的仅包含有一个晶圆表面的金属含量的测量值的体积为P的VPD液滴；因而在后续进行ICP-MS检测的过程中，可以避免因为经测试的VPD液滴中包含的金属浓度偏低，再经过稀释过程导致在ICP-MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低，从而降低ICP-MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
由于对晶圆进行VPD液滴扫描量测步骤时，使用的液滴体积较小，往往达不到后续ICP-MS检测的液体体积。为此，往往需要进行溶液配制，如图2所示，将经过五次测试的体积为P的VPD液滴配置为体积为V的 VPD测试液(如箭头G1所示的方向)以进行ICP-MS测试。示例性的，采用去离子水将体积为P的VPD液滴稀释为体积为V的VPD测试液。
例如，在本实施例中，采用体积为150μL的VPD液滴依次对五个晶圆进行VPD液滴扫描步骤之后，配置成750μL的VPD测试液，以进行 ICP-MS测试。
经过五次测试的体积为P的VPD液滴中包含有五个晶圆的表面的金属含量的测量值总和，在后续的采用ICP-MS进行检测的过程中通过检测经过五次测试的体积为P的VPD液滴中金属含量W后就可以获得五个晶圆的表面的金属含量的测量值总和。
以上是获取最终进行ICP-MS测试的体积为V的VPD测试液示例性步骤。
示例性的，在根据本发明的另一个实施例中，所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述N个晶圆中的每一个采用体积为P的VPD晶圆进行所述VPD液滴扫测测量步骤以分别获得N个体积为P的经测试的VPD 液滴；
步骤S21：收集所述N个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×N。
示例性的，在本实施例中，在步骤S1中获取五个晶圆，在本步骤中分别采用体积为P的VPD液滴对所述五个晶圆各进行一次所述VPD液滴扫描量测步骤。参看图3，对根据本发明的获取体积为V的VPD测试液的过程进行示例性介绍。
如图3所示，对晶圆100采用来自VPD液供给装置的体积为P的VPD 液滴进行VPD扫描量测步骤(如箭头B2所示)，经过测试后的体积为P 的VPD液滴被收集(如箭头B3所示)至存储装置，以供形成待进行ICP-MS 测试的VPD测试液；对晶圆101采用体积为P的VPD液滴进行VPD扫描量测步骤(如箭头C2所示)，经过测试后的体积为P的VPD液滴被收集 (如箭头C3所示)至存储装置，以供形成待进行ICP-MS测试的VPD测试液；对晶圆102采用体积为P的VPD液滴进行VPD扫描量测步骤(如箭头D2所示)，经过测试后的体积为P的VPD液滴被收集(如箭头D3 所示)至存储装置，以供形成待进行ICP-MS测试的VPD测试液；对晶圆 104采用体积为P的VPD液滴进行VPD扫描量测步骤(如箭头E2所示)，经过测试后的体积为P的VPD液滴被收集(如箭头E3所示)至存储装置，以供形成待进行ICP-MS测试的VPD测试液；对晶圆101采用体积为P的 VPD液滴进行VPD扫描量测步骤(如箭头F2所示)，经过测试后的体积为P的VPD液滴被收集(如箭头F3所示)至存储装置，以供形成待进行 ICP-MS测试的VPD测试液。由于上述步骤中，将经过VPD扫描量测步骤的PVD液滴收集至同一存储装置，最终形成的VPD测试液的体积V＝P ×5。
在本实施例中，由于对晶圆分别采用体积为P的VPD液滴进行VPD 液滴扫描量测步骤，最后收集的VPD测试液是多个经过的经测试的VPD 液滴的体积之和，其体积足够大以供后续ICP-MS检测的液体体积，因而不需要进行进一步的稀释，避免了稀释过程导致VPD测试液中的金属浓度更低，降低ICP-MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
例如，在本实施例中，采用五份体积为150μL的VPD液滴分别对五个晶圆进行VPD液滴扫描步骤之后，收集形成750μL的VPD测试液，以进行ICP-MS测试。
前述两个实施例分别介绍了通过提高经检测的VPD液体中金属浓度和检测的VPD液体的体积的方法来获得其中包含较高浓度的金属的待进行ICP-MS测试的VPD测试液的方法。在本发明的还一个实施例中，将上述两个实施例的方法结合，得到能够进一步精确进行ICP-MS测试的VPD 测试液。
示例性的，在根据本发明的另一个实施例中，通过获取更多的晶圆得到高浓度的经过测试的VPD液滴并且不需要经过稀释过程，就可以形成待进行ICP-MS测试的体积为V的VPD测试液。
示例性的，在步骤S1中，获取M个晶圆，将所述M个晶圆分为S组晶圆，所述S组晶圆中的每一组包括所述N个晶圆，其中，M≥4，S≥2。
所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述S组晶圆中的每一组执行：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到S个体积为P的经测试的VPD液滴；以及
步骤S22：收集所述S个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×S。
通过获得M个晶圆，将M个晶圆分为以N个晶圆为一组的S组，对每一组晶圆执行如图2所示的检测过程，即采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到S个体积为 P的经测试的VPD液滴，每一VPD液滴中包含的金属的含量是N个晶圆表面所包含的金属的测量值的总和，大大提高了单个VPD液滴中的金属浓度，避免VPD液滴中金属浓度过低而影响后续ICP-MS测试的结果的准确性。进一步，通过收集上述S个体积为P的经测试的VPD形成体积为V 的VPD测试液，使得后续进行ICP-MS测试的VPD测试液是未经过稀释的VPD测试液，其不会因为稀释过程降低ICP-MS设备对低浓度晶圆的检测能力。
例如，获取30个晶圆，将30个晶圆分为5个晶圆为一组的6组，对每组晶圆采用体积为150μL的VPD液滴依次对每一组中的五个晶圆进行 VPD液滴扫描步骤之后，获得6滴经过五次测试的体积为150μL的VPD 液滴，将此6滴经过五次测试的体积为150μL的VPD液滴收集起来获得体积为900μL的VPD测试液以进行ICP-MS测试。
以上是获取最终进行ICP-MS测试的体积为V的VPD测试液示例性步骤。需要理解的是，本发明获得体积为V的VPD测试液的方法可以是多种多样的，本发明的本质在于利用经过相同的工艺处理后的同一批次的晶圆中选取的待检测的N个晶圆进行VPD检测后获取包含其中的金属含量的检测值总和的VPD测试液进行ICP-MS测试，由于多个晶圆表面包含的金属含量大于单个晶圆表面包含的金属含量，其避免了单个晶圆表面包含的金属含量过低导致ICP-MS测试不到的问题或者降低ICP-MS测试能力的问题。本领域技术人员还可以采用任何其他对述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤获得体积为V的VPD测试液的方法，获得本发明的技术效果。
在获得体积为V的VPD测试液之后，继续对体积为V的VPD测试液中的金属含量进行检测以获得N个晶圆中的每一个的表面的金属含量。下面继续参看图1对根据经过测试后的VPD液体获得N个晶圆中的每一个的表面的金属含量的过程进行示例性介绍。
继续参看图1，执行步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，本根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。
上述过程中，对经过五次测试的体积为P的VPD液滴中包含的金属含量进行检测在ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry，电感耦合等离子体质谱仪)设备中进行。其为本领域技术人员所熟知的技术，在此不再赘述。
由于配置VPD试剂、运送VPD液滴的过程中往往会导致VPD液滴的污染。为了使测量结果进一步准确，在根据本发明的方法中，对体积为V 的VPD液体中进行一个空白检测，以检测VPD液滴中包含的金属含量。具体的，采用从VPD设备中的扫描喷嘴中提取VPD液滴进行ICP-MS检测，测试其中的金属含量。
在根据本发明的一个示例中，在完成对体积为V的VPD测试液中的金属含量的检测之后获得VPD测试液中的金属含量为W。
进一步，根据VPD测试液中的金属含量W计算每个晶圆表面的金属含量X。示例性的过程包括：将VPD测试液中的金属含量W换算成N个晶圆的表面的金属含量的测试值总和T，其中T＝C×W，C是与晶圆的测试面积等相关的常量；
根据N个晶圆的表面的金属含量X的测试值总和T计算每个晶圆表面的金属含量X，其中X＝T/N。
在步骤S2中采用一滴体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行 N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到体积为P的经测试的VPD液滴(步骤S21)，以及稀释所述体积为P的经测试的VPD液滴以形成所述体积为 V的VPD测试液(步骤S22)的实施例中，在所述步骤S3进行的空白检测步骤包括：将未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为P的VPD液滴稀释成体积为V的VPD稀释液，对所述体积为V的VPD稀释液进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y。因此，根据所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y和所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C ×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
在步骤S2中对所述N个晶圆中的每一个采用体积为P的VPD晶圆进行所述VPD液滴扫测测量步骤以分别获得N个体积为P的经测试的VPD 液滴(步骤S21)，以及收集所述N个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×N(步骤 S22)的实施例中，在所述步骤S3进行的空白检测步骤包括：对未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为V的VPD液体进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y。因此，根据所述体积为V的VPD 液体中的金属含量Y和所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
同样，根据在步骤S1中获取M个晶圆，将所述M个晶圆分为S组晶圆，所述S组晶圆中的每一组包括所述N个晶圆，其中，M≥4，S≥2；同时在步骤S2中对所述S组晶圆中的每一组执行：采用体积为P的VPD 液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到S 个体积为P的经测试的VPD液滴(步骤S21)；以及步骤S22：收集所述S 个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×S(步骤S22)的实施例中，在所述步骤S3 进行的空白检测步骤包括：对未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为V 的VPD液体进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y。根据所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y和所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
Claims (10)
1.一种测量晶圆表面金属含量的方法，其特征在于，包括：
步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；
步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤，共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；
步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到体积为P的经测试的VPD液滴；
步骤S22：稀释所述体积为P的经测试的VPD液滴以形成所述体积为V的VPD测试液。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述N个晶圆中的每一个采用体积为P的VPD晶圆进行所述VPD液滴扫测量步骤以分别获得N个体积为P的经测试的VPD液滴；
步骤S21：收集所述N个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×N。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中，获取M个晶圆，将所述M个晶圆分为S组晶圆，所述S组晶圆中的每一组包括所述N个晶圆，其中，M≥4，S≥2。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：对所述S组晶圆中的每一组执行：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到S个体积为P的经测试的VPD液滴；以及
步骤S22：收集所述S个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×S。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1之前还包括：对所述晶圆进行前处理步骤，所述前处理包括加热处理。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：
将未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为P的VPD液滴稀释成体积为V的VPD稀释液，对所述体积为V的VPD稀释液进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y。
8.根据权利要求3或5所述的方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：
对未进行所述VPD液滴扫测量步骤的体积为V的VPD液体进行空白检测，以获得所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，根据所述体积为V的VPD稀释液中的金属含量Y和所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，根据所述体积为V的VPD液体中的金属含量Y和所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X，其中，X＝C×(W-Y)/N，C为与晶圆表面积有关的常量。
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