JP2012174706A - P型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
(A)P型モニター用シリコンウェーハを用いてFe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
(B)SPV法により評価対象のP型シリコンウェーハのFe以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
(C)前記ステップ(B)において測定したFe以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ(A)において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のP型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするP型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。
【選択図】図1
Description
1/τ=1/τFe+1/τFe以外+1/τs
τFe:ライフタイムに及ぼすFeの影響
τFe以外:ライフタイムに及ぼすFe以外の影響
τs:ライフタイムに及ぼす裏面(表面)再結合の影響
NFe=1.05E16×(1/(Laft)2−1/(Lbef)2)
Laft:Fe−Bペア乖離後の拡散長、Lbef:Fe−Bペア乖離前の拡散長
Nr=1.06E16×(1−P−1)/(L0)2−NFe/P
P:CFei(乖離後電子捕獲係数)/CFeB(乖離前電子捕獲係数) (およそ11〜12)
(A)P型モニター用シリコンウェーハを用いてFe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
(B)SPV法により評価対象のP型シリコンウェーハのFe以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
(C)前記ステップ(B)において測定したFe以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ(A)において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のP型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするP型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法を提供する。
また、本発明は評価対象を破壊することなく評価を行うので、評価対象であるP型シリコンウェーハの全面において、評価を行うことが可能となる。
重金属等の不純物はシリコンウェーハの品質に大きく関わっているため、P型シリコンウェーハ中の微量金属不純物の濃度を極めて高感度に評価することは重要である。
そこで本発明者は、簡便かつ高精度にウェーハ全面の評価が可能な金属不純物濃度の評価方法を提供すべく鋭意検討を行った。その過程で、まず、金属不純物がキャリアの再結合中心として作用することを受け、金属不純物濃度とFe以外のキャリア再結合中心密度との関係性に着目した。
P型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
(A)P型モニター用シリコンウェーハを用いてFe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
(B)SPV法により評価対象のP型シリコンウェーハのFe以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
(C)前記ステップ(B)において測定したFe以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ(A)において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のP型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とする本発明をなすに至った。
図1は、本発明の工程の一例を示すフロー図である。
・ステップ(A)
まずステップ(A)では、P型モニター用シリコンウェーハを用いてFe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定する(図1(A))。
ここで、本発明においてのモニター用シリコンウェーハとは、評価対象とするシリコンウェーハ又はシリコンエピタキシャルウェーハと同一条件で製造されたシリコンウェーハのことを指す。
まず、P型モニター用シリコンウェーハの表面酸化膜を除去後、常法に従い、SPV法によりP型モニター用シリコンウェーハ面内の任意の点(好ましくは100〜200点程度)を測定して、バルク拡散長、バルクFe濃度およびFe以外のキャリア再結合中心密度を求め、Fe以外のキャリア再結合中心密度についての面内マップを得る。
具体的には、例えば、前記P型モニター用シリコンウェーハから、バルク金属不純物濃度測定のための試料を切り出し、その試料を密閉容器内でフッ酸+硝酸の蒸気と反応させることにより分解し、分解残渣中の金属不純物濃度を化学分析することで、P型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を測定する。
もちろん測定方法はこれに限定されず、バルク金属不純物濃度が測定できる方法であればよい。
ステップ(B)では、SPV法により評価対象のP型シリコンウェーハの、Fe以外のキャリア再結合中心密度を測定する(図1(B))。
SPV法によるFe以外のキャリア再結合中心密度は、上述のステップ(A)と同様、常法に従って求めることができる。
SPV法であれば、評価対象のP型シリコンウェーハのFe以外のキャリア再結合中心密度を、非破壊で測定することができる。
ステップ(C)では、前記ステップ(B)において測定したFe以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ(A)において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のP型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出する(図1(C))。
例えば、先端撮像素子向けエピタキシャルウェーハでは、Nbの場合、キャリア再結合中心密度が2E10atoms/cm3以下であれば、撮像素子における白傷欠陥等のデバイス不良が発生しないことが判っている。従って、本発明の方法による評価で、この値をクリアしたものだけ出荷するようにすればよい。
(実施例1)
実施例1として、直径300mm、P型ポリッシュドシリコンウェーハでの評価を行った。
まず、モニター用シリコンウェーハを5%の希フッ酸に5分間浸漬し、シリコンウェーハ表面の酸化膜(自然酸化膜)を除去し、超純水にて15分間かけ流しの水洗、そして水洗後のシリコンウェーハに窒素ガスを吹き付けて残った水滴の除去およびシリコンウェーハの乾燥を行った。
実施例2として、評価の手順は実施例1と同様にして、直径200mm、P型エピタキシャル層/P型基板ウェーハでの評価を行った。
ICP−MS測定の結果から、Fe以外のキャリア再結合中心密度の値に対応した、バルク金属不純物濃度を算出し、Fe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度(Ti、Nb、Mo、W)との相関関係を得た(図6〜図9)。
そして、この得られた相関関係を基にして、評価対象のP型エピタキシャル層/P型基板ウェーハのバルク金属不純物濃度を評価することができた。
Claims (3)
- P型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
(A)P型モニター用シリコンウェーハを用いてFe以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
(B)SPV法により評価対象のP型シリコンウェーハのFe以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
(C)前記ステップ(B)において測定したFe以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ(A)において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のP型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするP型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。 - 前記ステップ(A)におけるバルク金属不純物濃度の測定方法として、密閉容器内でフッ酸+硝酸の蒸気と前記P型モニター用シリコンウェーハの小片とを反応させ、該シリコンウェーハ小片を分解し、分解残渣中の金属不純物濃度を測定することを特徴とする請求項1に記載のP型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。
- 前記金属不純物濃度として、チタン、ニオブ、モリブデン、及びタングステンのうちの少なくとも1つの濃度を評価することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のP型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。
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