JP6421711B2 - 再結合ライフタイム測定の前処理方法 - Google Patents
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Description
測定対象のシリコンウェーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、
前記有機物を除去したシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をヨウ素エタノール溶液に浸漬することによりパッシベーションする工程とを有し、
前記自然酸化膜を除去する工程の後、かつ、前記パッシベーションする工程の前に、前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をコロナチャージ処理する工程を有することを特徴とする再結合ライフタイム測定の前処理方法を提供する。
測定対象のシリコンウェーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、
前記有機物を除去したシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をヨウ素エタノール溶液に浸漬することによりパッシベーションする工程とを有し、
前記自然酸化膜を除去する工程の後、かつ、前記パッシベーションする工程の前に、前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をコロナチャージ処理する工程を有することを特徴とする再結合ライフタイム測定の前処理方法が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
測定対象のシリコンウェーハとして、直径200mmで、ボロンをドープしたP型、抵抗率10Ω・cmのウェーハを準備した。このシリコンウェーハを1000℃、乾燥酸素1%の窒素雰囲気中で、1時間アニールした。このアニールにより炉の汚染をシリコンウェーハに転写し、意図的に、炉の汚染を反映した再結合ライフタイムの低下が生じるようにした。そして、このアニールによりシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜をフッ酸により除去した。次に、このシリコンウェーハに対して、硫酸過水により洗浄を行って有機物除去を行った(A工程)後、硫酸過水により形成された表面の自然酸化膜をフッ酸により除去した(B工程)。さらに、コロナチャージ装置のステージに自然酸化膜を除去したシリコンウェーハを載せて、電荷量が1C/cm2となるようにしてコロナチャージ処理を実施した(C工程)。その後、コロナチャージ処理を実施したシリコンウェーハを、ヨウ素エタノール溶液に浸漬して表面処理し(D工程)、μ−PCD法でシリコンウェーハの全面の再結合ライフタイム測定(E工程)を行った(1回目の再結合ライフタイム測定)。
測定対象のシリコンウェーハとして、直径200mmで、ボロンをドープしたP型、抵抗率10Ω・cmのウェーハを準備した。このシリコンウェーハを1000℃、乾燥酸素1%の窒素雰囲気中で、1時間アニールした。このアニールにより炉の汚染をシリコンウェーハに転写し、意図的に、炉の汚染を反映した再結合ライフタイムの低下が生じるようにした。そして、このアニールによりシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜をフッ酸により除去した。次に、このシリコンウェーハに対して、硫酸過水により洗浄を行って有機物除去を行った後、硫酸過水により形成された表面の自然酸化膜をフッ酸により除去した。その後、シリコンウェーハに対してコロナチャージ処理は行わず、ヨウ素エタノール溶液で表面処理し、μ−PCD法でシリコンウェーハの全面の再結合ライフタイム測定を行った(1回目の再結合ライフタイム測定)。
13…別のシリコンウェーハ、 14…アニール炉のボートと接触する位置。
Claims (1)
- 反射マイクロ波光導電減衰法によるシリコンウェーハのキャリアの再結合ライフタイム測定の前処理方法であって、
測定対象のシリコンウェーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、
前記有機物を除去したシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をヨウ素エタノール溶液に浸漬することによりパッシベーションする工程とを有し、
前記自然酸化膜を除去する工程の後、かつ、前記パッシベーションする工程の前に、前記自然酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面をコロナチャージ処理する工程を有することを特徴とする再結合ライフタイム測定の前処理方法。
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