JP4785039B2 - シリコンウェーハのライフタイム測定方法 - Google Patents
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Description
更に、フッ化水素蒸気雰囲気中に半導体ウェーハを置いたケミカルパシベーションが提案されている。(例えば特許文献2参照)
しかしながら、上記方法は煩雑で特殊な装置を必要とする欠点がある。
2 測定ステージ
3 導波管
5 サーキュレータ
6 ガンダイオード
7 マイクロ波検出器
8 レーザダイオード
9 解析部
Claims (3)
- シリコンウェーハのライフタイムをマイクロ波光導電減衰法により測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理をし、帯電材質によって測定ウェーハの保管環境を囲むことによりシリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持することを特徴とするシリコンウェーハのライフタイム測定方法。
- シリコンウェーハのライフタイムをマイクロ波光導電減衰法により測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理をし、シリコンウェーハと同じ帯電状態としたダミーウェーハを上下または左右に載置した搬送キャリアで保管することによって、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持することを特徴とするシリコンウェーハのライフタイム測定方法。
- 前記ケミカルパシベーション処理として、シリコンウェーハがHF溶液に浸漬処理されることによって、水素終端することを特徴とする請求項1又は2記載のシリコンウェーハのライフタイム測定方法。
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