JP2002368053A - 金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置 - Google Patents
金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄液中の極微量の金属による汚染の評価を
行えるようにする。 【解決手段】 シリコンウェハーが入れられた槽に、評
価対象の純水あるいは薬液をオーバーフローさせながら
所定の時間供給し続けるステップと、純水あるいは薬
液に浸したシリコンウェハーを乾燥させるステップ
と、乾燥させたシリコンウェハーをランプアニール処理
するステップと、ランプアニール処理を行ったウェハ
ーに対して、表面光電圧法でＦｅの濃度を測定するステ
ップを実行する。
行えるようにする。 【解決手段】 シリコンウェハーが入れられた槽に、評
価対象の純水あるいは薬液をオーバーフローさせながら
所定の時間供給し続けるステップと、純水あるいは薬
液に浸したシリコンウェハーを乾燥させるステップ
と、乾燥させたシリコンウェハーをランプアニール処理
するステップと、ランプアニール処理を行ったウェハ
ーに対して、表面光電圧法でＦｅの濃度を測定するステ
ップを実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーの洗浄プ
ロセスで用いられる洗浄液のＦｅ等の金属汚染を評価す
る金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置に関する。
詳しくは、ウェハーに評価対象の洗浄液を継続的に供給
することで、洗浄液に含まれるＦｅ等の金属をウェハー
に十分付着させて、洗浄液中の極微量の金属による汚染
の評価を行えるようにしたものである。
ロセスで用いられる洗浄液のＦｅ等の金属汚染を評価す
る金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置に関する。
詳しくは、ウェハーに評価対象の洗浄液を継続的に供給
することで、洗浄液に含まれるＦｅ等の金属をウェハー
に十分付着させて、洗浄液中の極微量の金属による汚染
の評価を行えるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、金属汚
染、例えばＦｅ（鉄）汚染が有害であることは周知の事
実である。すなわち、シリコンウェハー中に入り込んだ
Ｆｅは、キャリアのライフタイム低下、結晶欠陥による
リークパス形成、酸化膜の絶縁破壊等を引き起こし、Ｉ
Ｃ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導
体デバイスの歩留りを低下させる。
染、例えばＦｅ（鉄）汚染が有害であることは周知の事
実である。すなわち、シリコンウェハー中に入り込んだ
Ｆｅは、キャリアのライフタイム低下、結晶欠陥による
リークパス形成、酸化膜の絶縁破壊等を引き起こし、Ｉ
Ｃ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導
体デバイスの歩留りを低下させる。
【０００３】Ｆｅの発生源としては、半導体製造装置に
広く使用されているステンレス鋼が代表的であるが、本
来、半導体製造装置はシリコンウェハーへのＦｅ汚染を
考慮して装置設計されているため、正常状態で歩留りに
影響することは無い。
広く使用されているステンレス鋼が代表的であるが、本
来、半導体製造装置はシリコンウェハーへのＦｅ汚染を
考慮して装置設計されているため、正常状態で歩留りに
影響することは無い。
【０００４】むしろ懸念されるのは、洗浄プロセスにお
いて洗浄液として用いられる純水や薬液であり、これら
は必然的にシリコンウェハーに直接接触することから、
極力不純物の少ない高純度な純水や薬液が要求される。
そこで、従来は、純水や薬液がＦｅ汚染されているか否
かの評価は、サンプリングした純水や薬液中のＦｅを原
子吸光法等で検出することで行っていた。
いて洗浄液として用いられる純水や薬液であり、これら
は必然的にシリコンウェハーに直接接触することから、
極力不純物の少ない高純度な純水や薬液が要求される。
そこで、従来は、純水や薬液がＦｅ汚染されているか否
かの評価は、サンプリングした純水や薬液中のＦｅを原
子吸光法等で検出することで行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の高集積化に伴い、Ｆｅの許容汚染量はますます小さく
なってきており、高感度の評価法に対する必要性が生じ
てきた。すなわち、Ｆｅの許容汚染量が小さくなったこ
とで、歩留りに影響するレベルのＦｅ汚染量が検出限界
以下となり、歩留り低下の原因分析および洗浄プロセス
の管理には適用できないという問題が生じてきた。
の高集積化に伴い、Ｆｅの許容汚染量はますます小さく
なってきており、高感度の評価法に対する必要性が生じ
てきた。すなわち、Ｆｅの許容汚染量が小さくなったこ
とで、歩留りに影響するレベルのＦｅ汚染量が検出限界
以下となり、歩留り低下の原因分析および洗浄プロセス
の管理には適用できないという問題が生じてきた。
【０００６】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、洗浄液中の極微量の金属による汚染
の評価を行える金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装
置を提供することを目的とする。
になされたもので、洗浄液中の極微量の金属による汚染
の評価を行える金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る金属汚染評
価方法は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液
の金属汚染を評価する金属汚染評価方法において、ウェ
ハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオーバーフ
ローさせながら、所定の時間供給するステップと、前記
洗浄液に浸したウェハーを乾燥させるステップと、前記
乾燥させたウェハーを熱処理するステップと、前記熱処
理を行ったウェハー中の、汚染源となる金属の濃度を測
定するステップとを含むものである。
価方法は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液
の金属汚染を評価する金属汚染評価方法において、ウェ
ハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオーバーフ
ローさせながら、所定の時間供給するステップと、前記
洗浄液に浸したウェハーを乾燥させるステップと、前記
乾燥させたウェハーを熱処理するステップと、前記熱処
理を行ったウェハー中の、汚染源となる金属の濃度を測
定するステップとを含むものである。
【０００８】上述した本発明に係る金属汚染評価方法
は、ウェハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオ
ーバーフローさせながら供給することで、ウェハーに汚
染源となる金属を十分に付着させる。
は、ウェハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオ
ーバーフローさせながら供給することで、ウェハーに汚
染源となる金属を十分に付着させる。
【０００９】このウェハーを乾燥させることで表面に付
着した金属を濃縮し、熱処理によりこれをウェハー内に
拡散させる。そして、このウェハー内に拡散させた金属
の濃度を測定することで、洗浄液の金属汚染を評価す
る。これにより、本発明では、ウェハーに汚染源となる
金属を十分に付着させることができることから、洗浄液
の低レベルの汚染であっても、これを評価することがで
きる。
着した金属を濃縮し、熱処理によりこれをウェハー内に
拡散させる。そして、このウェハー内に拡散させた金属
の濃度を測定することで、洗浄液の金属汚染を評価す
る。これにより、本発明では、ウェハーに汚染源となる
金属を十分に付着させることができることから、洗浄液
の低レベルの汚染であっても、これを評価することがで
きる。
【００１０】また、本発明に係るＦｅ汚染評価装置は、
ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液のＦｅ汚染
を評価するＦｅ汚染評価装置において、評価対象の洗浄
液が継続的に供給される槽に浸されたウェハーに対し
て、表面光電圧法を用いてＦｅ濃度を測定する測定装置
を備えたものである。
ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液のＦｅ汚染
を評価するＦｅ汚染評価装置において、評価対象の洗浄
液が継続的に供給される槽に浸されたウェハーに対し
て、表面光電圧法を用いてＦｅ濃度を測定する測定装置
を備えたものである。
【００１１】上述した本発明に係るＦｅ汚染評価装置で
は、ウェハーに評価対象の洗浄液が継続的に供給されて
いることで、ウェハーには汚染源となるＦｅが十分に付
着している。そして、このウェハーに対して表面光電圧
法を用いてＦｅ濃度を測定することで、洗浄液の低レベ
ルの汚染であっても、これを評価することができる。
は、ウェハーに評価対象の洗浄液が継続的に供給されて
いることで、ウェハーには汚染源となるＦｅが十分に付
着している。そして、このウェハーに対して表面光電圧
法を用いてＦｅ濃度を測定することで、洗浄液の低レベ
ルの汚染であっても、これを評価することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明における洗浄液の金
属汚染評価方法の実施の形態の一例を示すフローチャー
ト、図２は評価対象の洗浄液中に含まれる金属であるＦ
ｅをシリコンウェハーに付着させる槽の一例を示す説明
図である。
属汚染評価方法の実施の形態の一例を示すフローチャー
ト、図２は評価対象の洗浄液中に含まれる金属であるＦ
ｅをシリコンウェハーに付着させる槽の一例を示す説明
図である。
【００１３】Ｆｅ汚染の評価対象となる洗浄液としての
純水あるいは薬液中にシリコンウェハー１を浸して、Ｆ
ｅを付着させるため、シリコンウェハー１は例えばその
上部が開口しているカセット２に収容され、このカセッ
ト２が槽３に入れられる。なお、このカセット２は、フ
ッ素樹脂で少なくとも内部がコーティングされたものと
する。
純水あるいは薬液中にシリコンウェハー１を浸して、Ｆ
ｅを付着させるため、シリコンウェハー１は例えばその
上部が開口しているカセット２に収容され、このカセッ
ト２が槽３に入れられる。なお、このカセット２は、フ
ッ素樹脂で少なくとも内部がコーティングされたものと
する。
【００１４】槽３には供給パイプ４が入れられ、この供
給パイプ４により、純水あるいは薬液が供給される。こ
こで、Ｆｅを付着させるシリコンウェハー１は、ボロン
（Ｂ）ドープ型のものを用いる。
給パイプ４により、純水あるいは薬液が供給される。こ
こで、Ｆｅを付着させるシリコンウェハー１は、ボロン
（Ｂ）ドープ型のものを用いる。
【００１５】そして、純水の汚染を評価する際には、シ
リコンウェハー１をカセット２に収容してこれを純水を
満たした槽３の中に浸し、純水を槽３よりオーバーフロ
ーさせながら、９０分以上供給し続ける。また、薬液の
汚染を評価する際には、シリコンウェハー１をカセット
２に収容してこれを薬液を満たした槽３の中に浸し、薬
液を槽３よりオーバーフローさせながら、９０分以上供
給し続ける（ステップ）。この処理により、シリコン
ウェハー１の表面に純水あるいは薬液が継続的に供給さ
れ、そこに含まれるＦｅが付着する。
リコンウェハー１をカセット２に収容してこれを純水を
満たした槽３の中に浸し、純水を槽３よりオーバーフロ
ーさせながら、９０分以上供給し続ける。また、薬液の
汚染を評価する際には、シリコンウェハー１をカセット
２に収容してこれを薬液を満たした槽３の中に浸し、薬
液を槽３よりオーバーフローさせながら、９０分以上供
給し続ける（ステップ）。この処理により、シリコン
ウェハー１の表面に純水あるいは薬液が継続的に供給さ
れ、そこに含まれるＦｅが付着する。
【００１６】槽３へは、純水あるいは薬液を所定の時間
供給し続けるので、槽３は外槽５に入れられ、槽３から
オーバーフローした純水あるいは薬液は、この外槽５に
溜まる。そして、外槽５に溜まった純水あるいは薬液
は、排水口６より排出される。
供給し続けるので、槽３は外槽５に入れられ、槽３から
オーバーフローした純水あるいは薬液は、この外槽５に
溜まる。そして、外槽５に溜まった純水あるいは薬液
は、排水口６より排出される。
【００１７】ここで、純水および薬液の供給量は、例え
ば毎分２リットルとする。これにより、９０分オーバー
フローさせると、１８００リットルの純水あるいは薬液
が供給されることになる。これに比較して、従来はサン
プリングした３００ミリリットル程度の純水あるいは薬
液を原子吸光法等で直接評価していたので、本実施の形
態で評価できる純水あるいは薬液は、従来と比較して数
千倍となる。
ば毎分２リットルとする。これにより、９０分オーバー
フローさせると、１８００リットルの純水あるいは薬液
が供給されることになる。これに比較して、従来はサン
プリングした３００ミリリットル程度の純水あるいは薬
液を原子吸光法等で直接評価していたので、本実施の形
態で評価できる純水あるいは薬液は、従来と比較して数
千倍となる。
【００１８】なお、評価対象の薬液は、ＨＦ（フッ
酸）、ＨＣｌ（塩酸）、ＮＨ4ＯＨ（水酸化アンモ
ン）、Ｈ2Ｏ2（過酸化水素）、ＮＨ4Ｆ（フッ化アンモ
ン）、Ｈ2ＳＯ 4（硫酸）、Ｈ3ＰＯ4（リン酸）のいずれ
かを含むものとする。
酸）、ＨＣｌ（塩酸）、ＮＨ4ＯＨ（水酸化アンモ
ン）、Ｈ2Ｏ2（過酸化水素）、ＮＨ4Ｆ（フッ化アンモ
ン）、Ｈ2ＳＯ 4（硫酸）、Ｈ3ＰＯ4（リン酸）のいずれ
かを含むものとする。
【００１９】上述したステップで、必要量の純水ある
いは薬液の供給を受けたシリコンウェハー１を乾燥装置
で乾燥させる（ステップ）。すなわち、カセット２へ
収容されていたシリコンウェハー１を槽３から取り出
す。そして、シリコンウェハー１を図示しない乾燥装置
にセットして乾燥させる。
いは薬液の供給を受けたシリコンウェハー１を乾燥装置
で乾燥させる（ステップ）。すなわち、カセット２へ
収容されていたシリコンウェハー１を槽３から取り出
す。そして、シリコンウェハー１を図示しない乾燥装置
にセットして乾燥させる。
【００２０】このステップの乾燥処理で純水および薬
液は蒸発するが、Ｆｅはシリコンウェハー１の表面に濃
縮される。本実施の形態において、シリコンウェハー１
の表面に残存しているＦｅ量は、従来のように純水ある
いは薬液をサンプリングして使用する場合と比較して、
数千倍の純水あるいは薬液中から付着したものである。
これにより、従来では検出不能であったレベルのＦｅ汚
染が検出可能となる。
液は蒸発するが、Ｆｅはシリコンウェハー１の表面に濃
縮される。本実施の形態において、シリコンウェハー１
の表面に残存しているＦｅ量は、従来のように純水ある
いは薬液をサンプリングして使用する場合と比較して、
数千倍の純水あるいは薬液中から付着したものである。
これにより、従来では検出不能であったレベルのＦｅ汚
染が検出可能となる。
【００２１】上述したステップで、十分乾燥させたシ
リコンウェハー１を、ランプアニール装置で熱処理する
（ステップ）。すなわち、表面に必要十分な量のＦｅ
を付着させて十分に乾燥させたシリコンウェハー１を図
示しないランプアニール装置にセットし、６５０℃以上
の高温で１分間ランプアニール処理する。
リコンウェハー１を、ランプアニール装置で熱処理する
（ステップ）。すなわち、表面に必要十分な量のＦｅ
を付着させて十分に乾燥させたシリコンウェハー１を図
示しないランプアニール装置にセットし、６５０℃以上
の高温で１分間ランプアニール処理する。
【００２２】このステップのランプアニール処理によ
り、シリコンウェハー１の表面に付着していたＦｅが、
シリコンウェハー１に添加されているボロン（Ｂ）と結
合することで、シリコンウェハー１の内部へ拡散して行
く。これにより、シリコンウェハー１は、光を照射する
ことで表面光電圧測定が可能な状態となる。
り、シリコンウェハー１の表面に付着していたＦｅが、
シリコンウェハー１に添加されているボロン（Ｂ）と結
合することで、シリコンウェハー１の内部へ拡散して行
く。これにより、シリコンウェハー１は、光を照射する
ことで表面光電圧測定が可能な状態となる。
【００２３】上述したステップで熱処理を行ったシリ
コンウェハー１に光を照射して、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃ
ｅ Ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ）法により表面光電圧
を測定することで、Ｆｅ濃度を測定する（ステップ
）。
コンウェハー１に光を照射して、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃ
ｅ Ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ）法により表面光電圧
を測定することで、Ｆｅ濃度を測定する（ステップ
）。
【００２４】図３はＳＰＶ法を用いた測定装置の一例を
示す説明図で、この図３は本発明のＦｅ汚染評価装置の
実施の形態を示す。ここで、ＳＰＶ法とは、シリコンウ
ェハー１にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を
照射して、少数キャリア（電子）を発生させることで誘
起した表面光電圧を測定するものである。
示す説明図で、この図３は本発明のＦｅ汚染評価装置の
実施の形態を示す。ここで、ＳＰＶ法とは、シリコンウ
ェハー１にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を
照射して、少数キャリア（電子）を発生させることで誘
起した表面光電圧を測定するものである。
【００２５】プローブ７は、光を照射する手段および電
極等を備え、所定の間隔を開けてシリコンウェハー１に
対向配置される。このプローブ７により、シリコンウェ
ハー１にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を照
射して、少数キャリアを発生させることで誘起した表面
光電圧を検出し、これを出力する。測定装置８には、こ
の表面光電圧が入力される。
極等を備え、所定の間隔を開けてシリコンウェハー１に
対向配置される。このプローブ７により、シリコンウェ
ハー１にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を照
射して、少数キャリアを発生させることで誘起した表面
光電圧を検出し、これを出力する。測定装置８には、こ
の表面光電圧が入力される。
【００２６】シリコンウェハー１内にＦｅがある場合、
少数キャリアがトラップされ、表面光電圧が下がる。こ
の表面光電圧の変化を測定装置８で検出することで、単
位体積あたりのＦｅ濃度を算出する。
少数キャリアがトラップされ、表面光電圧が下がる。こ
の表面光電圧の変化を測定装置８で検出することで、単
位体積あたりのＦｅ濃度を算出する。
【００２７】本実施の形態では、ＳＰＶ法でＦｅ汚染を
評価するにあたり、シリコンウェハー１に、評価対象の
純水あるいは薬液を継続的に供給することで、評価に十
分な量のＦｅを付着させている。これにより、ＳＰＶ法
でシリコンウェハー１中のＦｅ濃度を測定することで、
純水および薬液の低レベルのＦｅ汚染でも、その評価が
可能となる。
評価するにあたり、シリコンウェハー１に、評価対象の
純水あるいは薬液を継続的に供給することで、評価に十
分な量のＦｅを付着させている。これにより、ＳＰＶ法
でシリコンウェハー１中のＦｅ濃度を測定することで、
純水および薬液の低レベルのＦｅ汚染でも、その評価が
可能となる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る金属
汚染評価方法は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる
洗浄液の金属汚染を評価する金属汚染評価方法におい
て、ウェハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオ
ーバーフローさせながら、所定時間供給するステップ
と、前記洗浄液に浸したウェハーを乾燥させるステップ
と、前記乾燥させたウェハーを熱処理するステップと、
前記熱処理を行ったウェハー中の、汚染源となる金属の
濃度を測定するステップとを含むものである。
汚染評価方法は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる
洗浄液の金属汚染を評価する金属汚染評価方法におい
て、ウェハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオ
ーバーフローさせながら、所定時間供給するステップ
と、前記洗浄液に浸したウェハーを乾燥させるステップ
と、前記乾燥させたウェハーを熱処理するステップと、
前記熱処理を行ったウェハー中の、汚染源となる金属の
濃度を測定するステップとを含むものである。
【００２９】また、本発明にかかるＦｅ汚染評価装置
は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液のＦｅ
汚染を評価するＦｅ汚染評価装置において、評価対象の
洗浄液が継続的に供給される槽に浸されたウェハーに対
して、表面光電圧法を用いてＦｅ濃度を測定する測定装
置を備えたものである。
は、ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗浄液のＦｅ
汚染を評価するＦｅ汚染評価装置において、評価対象の
洗浄液が継続的に供給される槽に浸されたウェハーに対
して、表面光電圧法を用いてＦｅ濃度を測定する測定装
置を備えたものである。
【００３０】本発明では、ウェハーに評価対象の洗浄液
を継続的に供給することで、汚染源となるＦｅ等の金属
をウェハーに十分に付着させることができる。これによ
り、例えば従来の数千倍の感度で金属汚染の評価が行え
ることから、洗浄液の低レベルの汚染であっても、これ
を評価することができる。
を継続的に供給することで、汚染源となるＦｅ等の金属
をウェハーに十分に付着させることができる。これによ
り、例えば従来の数千倍の感度で金属汚染の評価が行え
ることから、洗浄液の低レベルの汚染であっても、これ
を評価することができる。
【００３１】また、従来のように原子吸光法を使用しな
いことから、極微量の金属による汚染であっても１度の
測定で評価が正確に行えるようになるので、評価コスト
を大幅に削減できるとともに評価日数を大幅に短縮でき
る。
いことから、極微量の金属による汚染であっても１度の
測定で評価が正確に行えるようになるので、評価コスト
を大幅に削減できるとともに評価日数を大幅に短縮でき
る。
【図１】本発明における洗浄液の金属汚染評価方法の実
施の形態の一例を示すフローチャートである。
施の形態の一例を示すフローチャートである。
【図２】評価対象の洗浄液中のＦｅをシリコンウェハー
に付着させる槽の一例を示す説明図である。
に付着させる槽の一例を示す説明図である。
【図３】ＳＰＶ法を用いた測定装置の一例を示す説明図
である。
である。
１・・・シリコンウェハー、２・・・カセット、３・・
・槽、４・・・供給パイプ、５・・・外槽、６・・・排
水口、７・・・プローブ、８・・・測定装置
・槽、４・・・供給パイプ、５・・・外槽、６・・・排
水口、７・・・プローブ、８・・・測定装置
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗
浄液の金属汚染を評価する金属汚染評価方法において、 ウェハーが入れられた槽に、評価対象の洗浄液をオーバ
ーフローさせながら、所定の時間供給するステップと、 前記洗浄液に浸したウェハーを乾燥させるステップと、 前記乾燥させたウェハーを熱処理するステップと、 前記熱処理を行ったウェハー中の、汚染源となる金属の
濃度を測定するステップとを含むことを特徴とする金属
汚染評価方法。 - 【請求項２】 前記ウェハーは、Ｂ（ボロン）が添加さ
れたシリコンウェハーで、 前記洗浄液に含まれる汚染源としての金属は、Ｆｅ
（鉄）であることを特徴とする請求項１記載の金属汚染
評価方法。 - 【請求項３】 前記熱処理を行ったウェハー中の、汚染
源となる金属の濃度を測定するステップでは、表面光電
圧法を用いてＦｅ濃度を測定することを特徴とする請求
項２記載の金属汚染評価方法。 - 【請求項４】 前記ウェハーが入れられた槽に、評価対
象の洗浄液をオーバーフローさせながら供給するステッ
プでは、ウェハーに毎分２リットルの洗浄液を少なくと
も９０分供給し続けることを特徴とする請求項２記載の
金属汚染評価方法。 - 【請求項５】 前記乾燥させたウェハーを熱処理するス
テップでは、ランプアニール装置により、６５０℃以上
で１分間の熱処理を行うことを特徴とする請求項２記載
の金属汚染評価方法。 - 【請求項６】 前記評価対象の洗浄液は、純水あるいは
薬液であることを特徴とする請求項２記載の金属汚染評
価方法。 - 【請求項７】 前記薬液は、ＨＦ，ＨＣｌ，ＮＨ4Ｏ
Ｈ，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4Ｆ，Ｈ2ＳＯ4，Ｈ3ＰＯ4のいずれか
を含むことを特徴とする請求項６記載の金属汚染評価方
法。 - 【請求項８】 ウェハーの洗浄プロセスで用いられる洗
浄液のＦｅ汚染を評価するＦｅ汚染評価装置において、 評価対象の洗浄液が継続的に供給される槽に浸されたウ
ェハーに対して、表面光電圧法を用いてＦｅ濃度を測定
する測定装置を備えたことを特徴とするＦｅ汚染評価装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176250A JP2002368053A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176250A JP2002368053A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368053A true JP2002368053A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19017267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176250A Pending JP2002368053A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002368053A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243784A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度測定方法および測定装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
| CN111771268A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-10-13 | 胜高股份有限公司 | p型硅晶片中的Fe浓度测定方法和SPV测定装置 |
| CN112908876A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 硅片金属污染测试方法及装置 |
-
2001
- 2001-06-11 JP JP2001176250A patent/JP2002368053A/ja active Pending
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