JP5621733B2 - シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法 - Google Patents
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Description
まず、抵抗率10Ω・cmのボロンドープ、直径200mmのシリコン基板を材料として準備した。このシリコン基板を800℃の酸化性雰囲気下の熱処理炉に搬入し、1000℃まで温度を上げ、1時間処理した後、800℃まで降温して搬出を行った。この間のガス雰囲気はいずれも酸素である。搬出後は、5%フッ酸でシリコン基板表面の酸化膜を除去した後、ヨウ素エタノール溶液に浸漬して、シリコン基板表面に対してケミカルパッシベーション処理を行って前処理を完了した。
実施例1の比較例として、酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わず、再結合ライフタイム測定を行った。すなわち、シリコン基板の準備、熱処理炉への搬入、酸化雰囲気下での熱処理、熱処理炉からの搬出は同様に行い、搬出後、すぐに再結合ライフタイム測定を実施した。この結果を図3中に示した。酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わずそのまま測定すると、せいぜい400μs程度の数値しか得ることができなかった。
搬出温度を600℃(実施例2)、400℃(実施例3)とした以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板に前処理を行い、再結合ライフタイム測定を行った。この結果を図3中に示した。
比較例2、3では、酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わないこと以外は、それぞれ、実施例2、3と同じ条件で前処理を行い、再結合ライフタイム測定を行った。結果を図3中に示した。
Claims (1)
- シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法であって、
シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法を、
前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、
前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で800℃以上1250℃以下に加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、
前記熱処理炉内が600℃以上1000℃以下の範囲内の温度のときに、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、
前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、
前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を、前記シリコン基板の表面を、ヨウ素が溶解した有機溶液、又は、キンヒドロンが溶解した有機溶液に曝すことにより行う工程と
を含んで行い、該前処理したシリコン基板の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011185958A JP5621733B2 (ja) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011185958A JP5621733B2 (ja) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2013048157A JP2013048157A (ja) | 2013-03-07 |
JP5621733B2 true JP5621733B2 (ja) | 2014-11-12 |
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JP2011185958A Active JP5621733B2 (ja) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | シリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5621733B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9199325B2 (en) | 2012-02-15 | 2015-12-01 | Fanuc Corporation | Wire electric discharge machine performing distortion removing machining |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3670142B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法 |
JP2009252866A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Seiko Instruments Inc | シリコン基板のライフタイム測定の前処理方法 |
JP2009302240A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 再結合ライフタイム評価の前処理方法 |
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2011
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9199325B2 (en) | 2012-02-15 | 2015-12-01 | Fanuc Corporation | Wire electric discharge machine performing distortion removing machining |
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Publication number | Publication date |
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JP2013048157A (ja) | 2013-03-07 |
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