JP5373364B2 - シリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法 - Google Patents
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Description
このような不純物金属によるシリコンウェーハの汚染の検出方法として、微量の不純物金属による汚染や欠陥にも鋭敏に反応するキャリアのライフタイムを、μ−PCD法により測定する方法が、従来から広く用いられている。
このため、バルク固有のキャリアライフタイムを求めるために、表面再結合を抑制するためのパッシベーション処理を施す。このパッシベーション処理としては、近年、フッ化水素酸溶液に浸漬して水素終端させる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、特許文献2には、ワックスまたは樹脂によりシリコンウェーハ表面をコーティングして、パッシベーション状態とする方法が記載されている。
しかしながら、この処理方法は、パッシベーション効果の持続性に劣り、パッシベーション処理によりウェーハ表面に形成されたプラスの電荷が時間の経過につれて減少する。それに伴い、ウェーハ表面の水素終端が減少し、ダングリングボンドの増加により新たな表面準位が発生し、表面再結合速度が増加する。
その結果、キャリアライフタイム測定値が、本来の値よりも低くなったり、マッピング測定において、本来の面内分布が得られなかったりする等の課題を有していた。
このような測定方法によれば、シリコンウェーハ表面全面にわたって、プラスの帯電がキャリアライフタイム測定中にも安定して保持され、バルクウェーハのキャリアライフタイムを正確かつ簡便に測定することが可能となる。
したがって、シリコンウェーハ表面のケミカルパッシベーション効果を該ウェーハ表面全面にわたって安定して保持することができ、正確なキャリアライフタイム測定が可能となる。
本発明に係るシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法においては、μ−PCD法を用いて、バルクウェーハのキャリアライフタイムを測定する。
本発明に係る測定方法は、μ−PCD法において、シリコンウェーハをフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハを測定ステージに載置し、該シリコンウェーハ上方の所定位置に、測定時にマイナスに帯電する物質を配置することを特徴とするものである。
図1においては、測定時にマイナスに帯電する物質(以下、マイナス帯電物質という)5は板状体であり、測定ステージ2に載置されたシリコンウェーハ1の表面との間隔Sが3mm以上50mm以下の該ウェーハの上方に配置されている。そして、この板状体のマイナス帯電物質5には、導波管3の鉛直下方に位置する部分に、マイクロ波およびレーザ4の照射の妨げとならないように、貫通孔6があいている。
なお、本発明において用いられるμ−PCD装置は、上記以外の検出部、発光部、マイクロ波発振部等のその他の構成は、通常のものと同様であるため、説明を省略する。
したがって、上記方法によれば、ウェーハ表面全面にわたって、プラスの帯電がキャリアライフタイム測定中にも一定状態に維持することができ、バルクウェーハのキャリアライフタイムを簡便かつ正確に測定することが可能となる。
これにより、測定前に、シリコンウェーハ表面のダングリングボンドを水素終端させ、キャリア再結合反応を抑制することができる。
具体的には、シリコンウェーハをSC−1洗浄した後、5%フッ化水素酸溶液に10分間浸漬させて、純水でリンスする等の方法により、パッシベーション処理することができる。
なお、前記ケミカルパッシベーション処理直後のシリコンウェーハは、数kVのプラスの帯電状態を有するが、水素終端されたシリコンウェーハの帯電状態は、時間の経過につれてプラスの電荷が減少し、水素終端の結合が切れやすくなり、新たな表面準位が発生し、キャリアライフタイム値が変化するため、測定はケミカルパッシベーション処理直後、直ちに行うことが好ましい。
前記マイナス帯電物質5は、マイクロ波およびレーザ4の非照射部分に配置するが、その高さ位置は、前記シリコンウェーハ1表面との間隔Sが3mm以上50mm以下の範囲内とする。
前記間隔Sが3mm未満であると、キャリアライフタイム測定中に、マイナス帯電物質5がシリコンウェーハ1の表面に接触するおそれがある。
一方、前記間隔Sが50mmを超える場合、マイナス帯電物質5によって生じる電界がシリコンウェーハ1表面に及ぼす影響が小さくなり、該ウェーハ表面のプラスの電荷の減少を抑制する効果が低減する。
また、板状体の前記マイナス帯電物質5は、マイクロ波およびレーザに対する耐久性等の観点から、厚さ0.1mm以上であることが好ましい。
貫通孔径が50mmを超えると、貫通孔の下方に位置するウェーハ表面におけるプラス電荷の保持効果が低減する。
[実施例1]
チョクラルスキー法により作製した面方位(100)、直径125mm、抵抗率0.05ΩcmのBドープシリコン単結晶基板上に、厚さ100μm、抵抗率70Ωcmでエピタキシャル成長させたシリコンウェーハを試料とした。
このウェーハを、SC−1洗浄した後、5%フッ化水素酸溶液に10分間浸漬させて、純水でリンスし、表面にケミカルパッシベーション処理を施した。
上記においてケミカルパッシベーション処理を施したウェーハ試料を測定ステージに載置し、前記ウェーハ試料表面と7mmの間隔をあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザの非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質として、直径15mmの穴のあいたポリテトラフルオロエチレン製の板状体を配置して、図1に示すような態様で、測定点の間隔2mmで、ウェーハ表面全面をマッピング測定した。
この測定により得られたマップに基づいて、ウェーハ試料の測定位置のウェーハ中心からの距離とキャリアライフタイム値との関係をグラフにして、図2に示す。
実施例1と同様にケミカルパッシベーション処理を施したウェーハ試料について、μ−PCD装置にて、ポリテトラフルオロエチレン製の板状体を配置せずに、それ以外については、実施例1と同様にして、キャリアライフタイムのマッピング測定を行った。
この測定により得られたマップに基づいて、ウェーハ試料の測定位置のウェーハ中心からの距離とキャリアライフタイム値との関係をグラフにして、図3に示す。
これに対して、本発明に係る測定方法(実施例1)によれば、均一なキャリアライフタイム分布が得られることが認められた。
2 測定ステージ
3 導波管
4 レーザ
5 マイナス帯電物質
6 貫通孔
Claims (1)
- シリコンウェーハのキャリアライフタイムをマイクロ波光導電減衰法により測定する方法において、
シリコンウェーハをフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハを測定ステージに載置し、前記シリコンウェーハ表面と3mm以上50mm以下の間隔をあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザの非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質として、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンおよびポリプロピレンのうちのいずれかを配置して、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持して測定することを特徴とするシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法。
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