JP2011095016A - 半導体基板の分析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。本分析方法によれば、微量の分析対象物の高感度な分析が可能となる。
【選択図】図1
Description
2 エッチングガス導入口
3 透明窓
4 HF溶液
5,7 流量調整手段
6 ネブライザー
8 ガス放電器
10 ノズル
11 液溜
12 回収液保持部
20 シリンジポンプ
W 半導体基板
A 酸素含有ガス
D 回収液
Claims (3)
- 気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングするエッチング工程と、
エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する回収工程とを含む半導体基板の分析方法において、
エッチング工程では、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いることを特徴とする分析方法。 - オゾン含有ガスは、酸素と、窒素及び/又はアルゴンとの混合ガスを放電したものである請求項1に記載の分析方法。
- 半導体基板は、ポリシリコン、タングステンシリサイド、チタン、窒化チタンのいずれかの膜を備える請求項1又は請求項2のいずれかに記載の分析方法。
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