JPS6345377A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、化学的気相Ｊ＆長（以下、ＣｖＤと称す）法
を利用して膜状物を形成する成膜装置に関するもので、
更に詳しくは、原料となる成膜ガスの利用効率の向上に
関するものである。

本発明において非成膜ガスとは、それのみでは膜形成能
を生じないガスをいう、また、成膜ガスとはエネルギー
の付与によって膜形成能を生じるガス及びち該ガスと非
成膜ガスとの混合ガスをいう。

［従来の技術］ 従来より、この種のＣＶＤ法を用いた成膜装置としては
、プラズマ放電により成膜ガスを活性化するプラズマＣ
ｖＤや、レーザーや紫外線等の光照射によって成膜ガス
を活性化する光ＣＶＤ等が知られている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、前述した成膜装置は、いずれも減圧容器
内に導入した成膜ガスや非成膜ガスを、絶えず排気系に
よって外部に排出しているので、ガスの利用効率が極め
て低いという問題点があった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みなされたもので
、導入される各種ガスの利用効率を向丘させた成膜装置
を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、ＣＶＤ方式の成膜装置において、その排気系
に循環に段を設けたことを特徴とする特許である。

循環手段としては、排気路の前段に設けられるフィルタ
、純化器あるいは分ａ膜等の再処理器と、これらを通過
したガスをその導入口まで送り込むためのポンプ、フィ
ルタ等により構成される。

［作　用］ 成膜装置では、生成される膜の原料となる成膜ガスを単
独で、あるいはキャリヤガスとなる非成膜ガスと組合せ
て使用している０本発明では、これらのガスのうち、成
膜反応に使用されずに排気されたガスを再び成膜用とし
て用いるようにしたものであり、このような反応成分を
循環して再利用することにより、原料の利用効率の向上
を図ることができる。

［実施例〕 第１図及び第２図は、いずれも本発明の実施例を示す成
膜装置の概略構成図である。

第１図は光ｃｖｎ装こに応用した場合の一例を示したも
ので、装置は、減圧容器である反応室と、この反応室内
を排気し、且つ排気されたガスを再び循環させるための
循環手段及び活性化工ネルキーをグーえるための光源部
から構成されている。

反応室１内には、基体ホルダー８が設けられ、この基体
ホルダー８には被膜を堆積させるだめの基体３が取り付
けられている。なお、基体ホルダー８には、基体３を加
熱するためのヒータ（図示せず）が内設され、Ｊ＆膜作
業中は一定温度に保持されている。基体３と対向する位
置には開口部が形成され、石英ガラスよりなる入射窓４
が配置されている。この入射窓４の近傍には、活性化エ
ネルギーを付与するための光源２が設けられている。こ
の光源２としては、紫外線、レーザー等の比較的エネル
ギーの大きなものが用いられる。

反応室１へのＩ１２ガスの導入は、供給管９により行な
われ、排気管ｌＯの後段には循環７段として再処理器５
、ポンプ６、フィルタ７′：ｇが設けられている。

再処理器５は、排気されたガスに含まれている有害な成
分を除去するためのもので、フィルタ、純化器あるいは
分離膜等が用いられる。ポンプ６は再処理器５を通過し
たガスを再び反応室１内に送り込むためのもので、未反
応成分を含むガスはフィルタ７を介して反応室ｌ内に導
入される。

上記構成において、あらかじめ真空に排気された反応室
１内へ供給管９より成膜ガスを導入し、光源２から光照
射を行うと、成膜ガスの分子が励起・分解され、基体３
上に被膜が堆積される。

ここで、内部に残留しているガスは、排気管ｌＯからす
みやかに排出され、前述した循環手段を経由して再び反
応室１内に送り込まれる。したがって、成Ｎ作業中は供
給管９からの成膜ガスの供給量を減らしても反応室１内
のガス濃度を下げることなく成膜を行うことができる。

第２図はプラズマＣＶＤ装ごに応用した場合の一例を示
したもので、装置は、反応室と、反応室から排気された
ガスの循環手段及びプラズマを発生させる電源と電極か
ら構成されている。

反応室１１内には一対の電極１２ａ、　１２ｂが配置さ
れ、高周波電源１４と接続している。また、アース側の
電極１２ｂ、ｈには基体１３が取り付けられ、内部には
加熱用のヒータ（図示せず）が内設されている。その他
、ガスの導入部及び循環手段については、前述した光ｃ
ｖｎ装置の場合と同様に構成となっている。

このプラズマＣＶＤ装置は、あらかじめ真空に排気され
た反応室ｌｌ内へ供給管９より成膜ガス及び非成膜ガス
を導入し、電極１２ａ、　１２ｂ間に高周波を加えてプ
ラズマ放電を起こし、このプラズマによって成膜ガスの
分子を励起・分解することによって基体１３上に被膜を
堆積させるものである。

このプラズマＣＶＤ装置においても、前述した循環手段
を用いることにより、原料の利用効率を向上させること
ができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、反応室内から排
出された残留ガスのｆＩ環手段を設けることにより、原
料の利用効率及び反応効率が高められ、生成物の歩留り
を向上させることができる。

また、再処理器として分離膜を使用した場合には、非成
膜ガスの完全な再利用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例を示す説明図である
。 １．１１：反応室（減圧容器）、３，１３：基体、５：
再処理器、６：ポンプ、７：フィルタ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）減圧容器中に原料となるガスを導入すると共に、外
   部からのエネルギー付与によってガスの分子を励起・分
   解し、分解生成物の化学反応によって膜状物を形成する
   成膜装置において、前記減圧容器中に導入されたガスの
   循環手段を設けたことを特徴とする成膜装置。