JPH042693A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成方法Info
- Publication number
- JPH042693A JPH042693A JP10169790A JP10169790A JPH042693A JP H042693 A JPH042693 A JP H042693A JP 10169790 A JP10169790 A JP 10169790A JP 10169790 A JP10169790 A JP 10169790A JP H042693 A JPH042693 A JP H042693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- gas
- ultraviolet light
- carbon
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 41
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 20
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンドの合成方法に関し、特に、酸素
ガス雰囲気中で、紫外光を照射したマイクロ波プラズマ
により、安価に且つ高効率にダイヤモンドを合成するた
めの新規な改良に関する。
ガス雰囲気中で、紫外光を照射したマイクロ波プラズマ
により、安価に且つ高効率にダイヤモンドを合成するた
めの新規な改良に関する。
従来、用いられていたこの種のダイヤモンドの合成方法
は種々あるが、その中で代表的なものについて述べると
、特開平１−３０１５８６号公報に開示された方法を挙
げることができる。
は種々あるが、その中で代表的なものについて述べると
、特開平１−３０１５８６号公報に開示された方法を挙
げることができる。
すなわち、この特開平１−３０１５８６号公報に開示さ
れた方法においては、酸素ガスおよび炭素を含む化合物
ガスく以下、含炭素化合物ガスと云う）、あるいは酸素
ガス、不活性ガスおよび含炭素化合物ガスを、反応容器
中に導入し、前記反応容器中にプラズマを発生させて、
容器中に保持した基板上にダイヤモンドを生成していた
。
れた方法においては、酸素ガスおよび炭素を含む化合物
ガスく以下、含炭素化合物ガスと云う）、あるいは酸素
ガス、不活性ガスおよび含炭素化合物ガスを、反応容器
中に導入し、前記反応容器中にプラズマを発生させて、
容器中に保持した基板上にダイヤモンドを生成していた
。
従来のダイヤモンドの合成方法は、以上のように構成さ
れていたため、次のような課題が存在していた。
れていたため、次のような課題が存在していた。
すなわち、従来めダイヤモンド気相合成法ては、一般に
、高価な含炭素化合物ガスが多く使用されており、この
ガスの使用がコスト低減の大きい障害となっていた。特
に、未分解のガスが反応容器内に残存することにより、
ダイヤモンドの成膜速度が著しく低下していた。
、高価な含炭素化合物ガスが多く使用されており、この
ガスの使用がコスト低減の大きい障害となっていた。特
に、未分解のガスが反応容器内に残存することにより、
ダイヤモンドの成膜速度が著しく低下していた。
また、このガスの反応容器内での残存により、ダイヤモ
ンドの合成条件が不安定になり、ダイヤモンド生成膜の
品質が安定しない等の課題が存在していた。
ンドの合成条件が不安定になり、ダイヤモンド生成膜の
品質が安定しない等の課題が存在していた。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされた
もので、特に、酸素ガス雰囲気中で、紫外線を照射した
マイクロ波プラズマにより、安値に且つ高効率にダイヤ
モンドを合成するようにしたダイヤモンドの合成方法を
提供することを目的とする。
もので、特に、酸素ガス雰囲気中で、紫外線を照射した
マイクロ波プラズマにより、安値に且つ高効率にダイヤ
モンドを合成するようにしたダイヤモンドの合成方法を
提供することを目的とする。
本発明によるダイヤモンドの合成方法は、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ダイヤモンドを合成するようにしたダイヤ
モンドの合成方法において、紫外光を照射しつつダイヤ
モンドの合成を行うようにした方法である。
Ｄ法により、ダイヤモンドを合成するようにしたダイヤ
モンドの合成方法において、紫外光を照射しつつダイヤ
モンドの合成を行うようにした方法である。
さらに詳細には、前記紫外光は、パルス光よりなる方法
である。
である。
また、さらに詳細には、前記紫外光は、連続光よりなる
方法である。
方法である。
本発明によるダイヤモンドの合成方法においては、ダイ
ヤモンド生成時に、紫外光を照射するため、この紫外光
の照射により、原料ガスの含炭素化合物ガスの光解離、
炭素原子の遊離および雰囲気ガスの酸素ガスの光解離が
発生し、これらのガスの分解効率が、紫外光を照射しな
い場合よりも極めて高く、そのために、同じ量のダイヤ
モンドを生成するに必要なガス量が従来の量よりも少な
くてすむことになる。
ヤモンド生成時に、紫外光を照射するため、この紫外光
の照射により、原料ガスの含炭素化合物ガスの光解離、
炭素原子の遊離および雰囲気ガスの酸素ガスの光解離が
発生し、これらのガスの分解効率が、紫外光を照射しな
い場合よりも極めて高く、そのために、同じ量のダイヤ
モンドを生成するに必要なガス量が従来の量よりも少な
くてすむことになる。
また。ダイヤモンドの合成と同時に生成される非ダイヤ
モンド成分（例えば、アモルファスカーボン、グラファ
イト等）を除去する場合の除去効率が高く、そのなめに
、含炭素化合物の温度を高くすることが可能となり、ダ
イヤモンドの生成速度が大巾に向上する。
モンド成分（例えば、アモルファスカーボン、グラファ
イト等）を除去する場合の除去効率が高く、そのなめに
、含炭素化合物の温度を高くすることが可能となり、ダ
イヤモンドの生成速度が大巾に向上する。
さらに、ダイヤモンド生成のために行われるこれらのガ
スの化学反応が、紫外光照射による光化学作用によって
促進されるため、従来と同じダイヤモンドの生成速度を
得るには、供給ガス量を低下させることができ、そのた
めに、化学反応が安定化するので、合成条件の安定化を
計ることができる。
スの化学反応が、紫外光照射による光化学作用によって
促進されるため、従来と同じダイヤモンドの生成速度を
得るには、供給ガス量を低下させることができ、そのた
めに、化学反応が安定化するので、合成条件の安定化を
計ることができる。
以下、図面と共に本発明によるダイヤモンドの合成方法
の好適な実施例について詳細に説明する。
の好適な実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明によるダイヤモンドの合成方法に用いる
合成装置を示す構成図である。
合成装置を示す構成図である。
図において、符号１で示されるものは、マイクロ波発振
機であり、このマイクロ波発振機１は、導波管２を介し
て反応室３に接続されている。
機であり、このマイクロ波発振機１は、導波管２を介し
て反応室３に接続されている。
前記反応室３は縦長形に構成されていると共に、この反
応室３の下部には、この反応室３内を減圧状態に保持す
るための排気装置４が、排気系バルブ５を介して接続さ
れている。
応室３の下部には、この反応室３内を減圧状態に保持す
るための排気装置４が、排気系バルブ５を介して接続さ
れている。
前記反応室３内には、基板支持台６上に支持された基板
７が配設されており、この反応室３の前記基板支持台６
に対応する内壁３ａには、前記マイクロ波発振機１から
のマイクロ波を吸収するための黒鉛等からなるマイクロ
波吸収剤８が設けられている。
７が配設されており、この反応室３の前記基板支持台６
に対応する内壁３ａには、前記マイクロ波発振機１から
のマイクロ波を吸収するための黒鉛等からなるマイクロ
波吸収剤８が設けられている。
前記反応室３の上部には、酸素ガスを内蔵した酸素ガス
ボンベ９が、第１バルブ１０を介して接続されると共に
、含炭素化合物であるメタンガスを内蔵したメタンガス
ボンベ１１が第２バルブ１２を介して接続されている。
ボンベ９が、第１バルブ１０を介して接続されると共に
、含炭素化合物であるメタンガスを内蔵したメタンガス
ボンベ１１が第２バルブ１２を介して接続されている。
前記反応室３の基板７の上方には、紫外光発生装置１３
に接続されな導光体１４が位置している。
に接続されな導光体１４が位置している。
従って、マイクロ波発振機１を所定の出力で起動させ、
導波管２を通じて反応室３内にマイクロ波を導入するこ
とによりマイクロ波プラズマを発生させ、紫外光発生装
置１３を作動させ、導光体１４を通じて紫外光を照射す
ると共に、各バルブ１０．１２を開弁じて酸素ガス及び
メタンガスを反応室３内に供給し、過熱された基板７上
において、メタンガス中の炭素化合物の光解離および熱
分解によって、ダイヤモンドの析出が行われる。
導波管２を通じて反応室３内にマイクロ波を導入するこ
とによりマイクロ波プラズマを発生させ、紫外光発生装
置１３を作動させ、導光体１４を通じて紫外光を照射す
ると共に、各バルブ１０．１２を開弁じて酸素ガス及び
メタンガスを反応室３内に供給し、過熱された基板７上
において、メタンガス中の炭素化合物の光解離および熱
分解によって、ダイヤモンドの析出が行われる。
次に、本出願人が前述の合成装置を用いて実際にダイヤ
モンドを合成した場合の実験例について説明する。
モンドを合成した場合の実験例について説明する。
え敢珂ユ
基板７として、その表面に傷付は処理（例えば、ひっか
き傷を付したもの）をし、ダイヤモンドの生成がしやす
くしたシリコンウェハを用い、含炭素化合物としてメタ
ンガス（ＣＨ，） 、雰囲気ガスとして酸素（０２）
ガスを用い、紫外光発生装置１３である低圧水銀ランプ
（放射波長；１８５ｎｍ。
き傷を付したもの）をし、ダイヤモンドの生成がしやす
くしたシリコンウェハを用い、含炭素化合物としてメタ
ンガス（ＣＨ，） 、雰囲気ガスとして酸素（０２）
ガスを用い、紫外光発生装置１３である低圧水銀ランプ
（放射波長；１８５ｎｍ。
２５３．７ｎｍ ） によって紫外光を照射しながら
、以下の条件で、光照射マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よりダイヤモンドを合成した。
、以下の条件で、光照射マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よりダイヤモンドを合成した。
Ｃ１，、、、、、・＝３０．ｃ、。
０２ ・・・・・・・・１５ｓｃｅｎマイクロ波出力
・・４００Ｈ 真空度・・・・・・・４０ Ｔｏｏｒ ３時間経過後に、シリコンウェハを取り出した結果、シ
リコンウェハの表面に約３０μｍのダイヤモンド膜が観
察された。
・・４００Ｈ 真空度・・・・・・・４０ Ｔｏｏｒ ３時間経過後に、シリコンウェハを取り出した結果、シ
リコンウェハの表面に約３０μｍのダイヤモンド膜が観
察された。
え１■ユ
基板７として傷付は処理した実験例１と同じシリコンウ
ェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（ＣＨ，）
、雰囲気ガスとして水素〈Ｈ２）ガスを用い、実験例
１と同じ低圧水銀ランプによって紫外光を照射しながら
、以下の条件で、光照射マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よりダイヤモンドを合成した。
ェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（ＣＨ，）
、雰囲気ガスとして水素〈Ｈ２）ガスを用い、実験例
１と同じ低圧水銀ランプによって紫外光を照射しながら
、以下の条件で、光照射マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よりダイヤモンドを合成した。
Ｃし ・・・・・・・・ ３５ｃｃｎ
Ｈ２・・・・・・・１００８゜。。
マイクロ波出力・・４００−
真空度・・・・・・・４０ Ｔｏｏｒ
３時間後、基板を取り出して観察すると、粒径０５〜１
，０μｍのダイヤモンド膜が観察された。
，０μｍのダイヤモンド膜が観察された。
基板７として傷付は処理した実験例１と同じシリコンウ
ェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（Ｃ）１．
） 、雰囲気ガスとして酸素（０２）を用い、以下の条
件で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
を合成した。
ェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（Ｃ）１．
） 、雰囲気ガスとして酸素（０２）を用い、以下の条
件で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
を合成した。
Ｃ）１． − ・−５０，ｃｃ。
０２ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ｌ ５ｓ
ｃｃ、、ｌマイクロ波出力・・４０〇− 真空度・・・・・・・４０Ｔｏｏｒ ３時間経過後に、シリコンウェハを取り出した結果、シ
リコンウェハの表面に約３０μｍのダイヤモンド膜が観
察された。
ｃｃ、、ｌマイクロ波出力・・４０〇− 真空度・・・・・・・４０Ｔｏｏｒ ３時間経過後に、シリコンウェハを取り出した結果、シ
リコンウェハの表面に約３０μｍのダイヤモンド膜が観
察された。
基板７として、傷付は処理した実験例１と同じシリコン
ウェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（Ｃ１１
，） 、雰囲気ガスとして水素（Ｌ）を用い、以下の条
件で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
を合成した。
ウェハを用い、含炭素化合物としてメタンガス（Ｃ１１
，） 、雰囲気ガスとして水素（Ｌ）を用い、以下の条
件で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
を合成した。
ＣＨ，、、、、、、、７，０ｃ。
ｌ（２・・・・°中１００１１ｃｃＩ＋マイクロ波出力
・・４００− 真空度・・・・・・・４０Ｔｏｏｒ ３時間後、シリコンウェハを取り出して観察すると、粒
径０．５〜１．０μｍのダイヤモンド膜が観察された。
・・４００− 真空度・・・・・・・４０Ｔｏｏｒ ３時間後、シリコンウェハを取り出して観察すると、粒
径０．５〜１．０μｍのダイヤモンド膜が観察された。
従って、前述の実験例の結果から明らかであるように、
含炭素化合物としてメタンガスを用いた場合、紫外光を
照射することによって、含炭素化合物ガスの使用量を従
来の約半分にすることができる。
含炭素化合物としてメタンガスを用いた場合、紫外光を
照射することによって、含炭素化合物ガスの使用量を従
来の約半分にすることができる。
尚、含炭素化合物として、本実施例においては、メタン
ガスを用いた場合について述べたが、メタンガスに限ら
ず、他の含炭素化合物ガスを用いた場合も同様の作用を
得ることができる。
ガスを用いた場合について述べたが、メタンガスに限ら
ず、他の含炭素化合物ガスを用いた場合も同様の作用を
得ることができる。
また、紫外光発生装置として低圧水銀ランプを本実施例
において示したが、ハロゲンランプ、エキシマレーザな
どの他の紫外光発生装置を用いても同様の作用を得るこ
とができる。さらに、雰囲気ガスとして酸素と不活性ガ
スとの混合ガスを用いた場合でも紫外光照射によって同
等の作用効果が得られることは述べるまでもないことで
ある。
において示したが、ハロゲンランプ、エキシマレーザな
どの他の紫外光発生装置を用いても同様の作用を得るこ
とができる。さらに、雰囲気ガスとして酸素と不活性ガ
スとの混合ガスを用いた場合でも紫外光照射によって同
等の作用効果が得られることは述べるまでもないことで
ある。
また、前述の紫外光発生装置１３から得られる紫外光の
波長は、実験例では、１８５ｎ−および２５３．７ ｎ
ｍとしたが、４００ｎｍ以下であれば好適な結果が得ら
れるものである。
波長は、実験例では、１８５ｎ−および２５３．７ ｎ
ｍとしたが、４００ｎｍ以下であれば好適な結果が得ら
れるものである。
本発明によるダイヤモンドの合成方法は、以上のように
構成されているため、次のような効果を得ることができ
る。
構成されているため、次のような効果を得ることができ
る。
すなわち、含炭素化合物ガス、酸素ガス、水素ガスを光
化学作用によって反応を促進する紫外光を照射しながら
ダイヤモンドの生成をするため、含炭素化合物ガスの使
用量を低減することができ、生成物における非ダイヤモ
ンド成分の除去効率が高く、且つ、含炭素化合物ガスの
濃度を高くすることにより、ダイヤモンドの生成速度を
従来よりも大巾に向上させ、単位時間当たりの収量を大
巾に増加することができる。
化学作用によって反応を促進する紫外光を照射しながら
ダイヤモンドの生成をするため、含炭素化合物ガスの使
用量を低減することができ、生成物における非ダイヤモ
ンド成分の除去効率が高く、且つ、含炭素化合物ガスの
濃度を高くすることにより、ダイヤモンドの生成速度を
従来よりも大巾に向上させ、単位時間当たりの収量を大
巾に増加することができる。
第１図は本発明によるダイヤモンドのき成方法に用いる
合成装置を示すための全体構成図である。 １はマイクロ波発振機、３は反応室、７は基板、９は酸
素ガスボンベ、１１はメタンガスボンベ１３は紫外光発
生装置、１４は導光体である。 第１図 （１４）は看光体
合成装置を示すための全体構成図である。 １はマイクロ波発振機、３は反応室、７は基板、９は酸
素ガスボンベ、１１はメタンガスボンベ１３は紫外光発
生装置、１４は導光体である。 第１図 （１４）は看光体
Claims (3)
- （１）プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドを合成す
るようにしたダイヤモンドの合成法において、 紫外光を照射しつつダイヤモンドの合成を行うようにし
たことを特徴とするダイヤモンドの合成方法。 - （２）前記紫外光は、パルス光よりなることを特徴とす
る請求項１記載のダイヤモンドの合成方法。 - （３）前記紫外光は、連続光であることを特徴とする請
求項１記載のダイヤモンドの合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169790A JPH042693A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | ダイヤモンドの合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169790A JPH042693A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | ダイヤモンドの合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042693A true JPH042693A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14307519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10169790A Pending JPH042693A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | ダイヤモンドの合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042693A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146791A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Toshiba Corp | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 |
| JPS63288993A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10169790A patent/JPH042693A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146791A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Toshiba Corp | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 |
| JPS63288993A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5154945A (en) | Methods using lasers to produce deposition of diamond thin films on substrates | |
| JPS58110494A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPH042693A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS6054995A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS6054996A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS60112697A (ja) | ダイヤモンドの光化学的堆積合成方法およびその装置 | |
| JPS59207621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6345377A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2536588B2 (ja) | 分解除去装置 | |
| JPH06199595A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPH01148791A (ja) | 人工ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| JP2629773B2 (ja) | 多層薄膜の形成方法 | |
| JPH01103991A (ja) | 人工ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| JPH0346438B2 (ja) | ||
| JPS6328866A (ja) | 硬質炭素膜合成装置 | |
| JPH0662357B2 (ja) | ダイヤモンド粉末の製法 | |
| JPS6118122A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS63312978A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0448758B2 (ja) | ||
| JPS6034012A (ja) | 固体薄膜の製造方法 | |
| JPH03166369A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| JPH07300677A (ja) | 光ｃｖｄによる成膜方法及びその装置 | |
| JPH04182389A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPH04182388A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPH02244613A (ja) | 光ｃｖｄ方法 |