JPS6012128A - 光化学的表面処理装置 - Google Patents
光化学的表面処理装置Info
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- JPS6012128A JPS6012128A JP58118795A JP11879583A JPS6012128A JP S6012128 A JPS6012128 A JP S6012128A JP 58118795 A JP58118795 A JP 58118795A JP 11879583 A JP11879583 A JP 11879583A JP S6012128 A JPS6012128 A JP S6012128A
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- JP
- Japan
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- wavelength
- light
- deuterium lamp
- lamp
- surface treatment
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定の気体を光化学反応により活性化し薄膜の
作成１食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理を行なう光化学的表面処理装置の改良に関するもの
である。
作成１食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理を行なう光化学的表面処理装置の改良に関するもの
である。
気体を光化学的反応により活性化し、固体に前記した、
ような種々の表面処理をする方法は。
ような種々の表面処理をする方法は。
処理過程が低温で可能であること、荷電粒子の衝撃によ
る損傷がないこと、光化学的選択性により従来に、無い
処理が可能となること１反応過程の選択および制御が容
易であることなどから近年急速な進展をみせている。
る損傷がないこと、光化学的選択性により従来に、無い
処理が可能となること１反応過程の選択および制御が容
易であることなどから近年急速な進展をみせている。
しかしこれを光源について見た場合、今日においても当
初から用いられて来た低圧水銀ランプを用いる装置およ
び方法が依然主流となっているが、従来のこの種の光源
では紫外先生して＃１とんど２５３．７輩および／又は
１８４．９輩ｍの波長しか放射されていない。そのため
新規に使われはじ峠た反応気体および／又は増感剤の吸
収帯と低圧水銀ランプの発光波長とが一致せず。
初から用いられて来た低圧水銀ランプを用いる装置およ
び方法が依然主流となっているが、従来のこの種の光源
では紫外先生して＃１とんど２５３．７輩および／又は
１８４．９輩ｍの波長しか放射されていない。そのため
新規に使われはじ峠た反応気体および／又は増感剤の吸
収帯と低圧水銀ランプの発光波長とが一致せず。
所望の反応効率が充分得られなかったり、あるいは全く
反応が進まない事態を生じている。
反応が進まない事態を生じている。
また低圧水銀ランプの発光波長を効率良く吸収する増感
剤として水銀が盛んに用いられているが、この水銀を用
いる方法では水銀の人体への悪影響ならびに水銀の被処
理物への混入が問題となっている。
剤として水銀が盛んに用いられているが、この水銀を用
いる方法では水銀の人体への悪影響ならびに水銀の被処
理物への混入が問題となっている。
本発明は１６０〜４００ｔｔ＜ｍの連続した発光領域を
持つ重水素ランプ（例えば、西ドイツオリジナル・ハナ
ウ社製のものがある。）を光源として用いることにより
、広範囲に亘る所望の反応気体および／又は増感剤の吸
収帯と一致する波長を含む光を照射し１反応効率を向上
することを目的とする。また、その傍ら危険性の高い水
銀を使用することなく、前ｆｆｊ： した種々の新規の
表面処理を可能ならしめるものである。
持つ重水素ランプ（例えば、西ドイツオリジナル・ハナ
ウ社製のものがある。）を光源として用いることにより
、広範囲に亘る所望の反応気体および／又は増感剤の吸
収帯と一致する波長を含む光を照射し１反応効率を向上
することを目的とする。また、その傍ら危険性の高い水
銀を使用することなく、前ｆｆｊ： した種々の新規の
表面処理を可能ならしめるものである。
第１図には従来より用いられている低圧水銀ランプの名
波長における発光強度Ａと本発明で使用する重水素ラン
プの各波長における発光強度Ｂを示した。重水素ランプ
を用いると低圧水銀ランプの線スペクトルと異りて、１
６０〜４００ｑｍの連続スペクトル光源が得られる。第
２図は重水素ランプを用いた本発明の光化学的表面処理
装置の実施例で、１は重水素ランプ、２はランプの水冷
手段である。必要に応じて３に示したフィルター、モノ
クロメータ等の波長および／又は波長帯の選定手段を光
路３０内に用いる。
波長における発光強度Ａと本発明で使用する重水素ラン
プの各波長における発光強度Ｂを示した。重水素ランプ
を用いると低圧水銀ランプの線スペクトルと異りて、１
６０〜４００ｑｍの連続スペクトル光源が得られる。第
２図は重水素ランプを用いた本発明の光化学的表面処理
装置の実施例で、１は重水素ランプ、２はランプの水冷
手段である。必要に応じて３に示したフィルター、モノ
クロメータ等の波長および／又は波長帯の選定手段を光
路３０内に用いる。
４はランプ支持枠、５は石英あるいは合成石英等の光学
材でできている光学窓、６は反応室である。反応室６は
外部から気密に保たれていて。
材でできている光学窓、６は反応室である。反応室６は
外部から気密に保たれていて。
気体導入系９及び反応室排気系１０が接続されている。
反応室６内には支持台７上に被処理物８が設置され、必
要な場合には支持台７に加熱あるいは冷却等の目的に応
じて温度調節機能が付与される。反応気体および放射線
の波長を自由に選択して被処理物８０表面に薄膜の形成
。
要な場合には支持台７に加熱あるいは冷却等の目的に応
じて温度調節機能が付与される。反応気体および放射線
の波長を自由に選択して被処理物８０表面に薄膜の形成
。
食刻、清浄化あるいは表面改質など所望の表面処理を行
なうことができる。
なうことができる。
さて２以上説明したように本発明による装置によれば１
６０〜４００１Ｇｍの任意の波長および／又は波長帯の
紫外線を利用できる利点があり、この装置を用いると従
来の低圧水銀ランプ光では有効に利用できなか−）ｆｃ
広軛１ｆｆｌの種類の反応気体および／又は増感剤の利
用が可能となる。
６０〜４００１Ｇｍの任意の波長および／又は波長帯の
紫外線を利用できる利点があり、この装置を用いると従
来の低圧水銀ランプ光では有効に利用できなか−）ｆｃ
広軛１ｆｆｌの種類の反応気体および／又は増感剤の利
用が可能となる。
たとえば、アセトン、アセトフェノン等のカルボニル基
を持った化合物に、その化合物に１１有の波長を持った
紫外線を照射すると、そのカルボニル基の電子にｎ→π
１励起を生じ電子的性質を生ずることが知られている。
を持った化合物に、その化合物に１１有の波長を持った
紫外線を照射すると、そのカルボニル基の電子にｎ→π
１励起を生じ電子的性質を生ずることが知られている。
この電子的性質を利用すると、カルボニルＪＡが−ｅ）
シランから水素を引き抜きモノシランを分解することが
できる可能性を生む。すなわち９次の化学式で記述され
る光酸化還元反応が生じる可能性が有る。
シランから水素を引き抜きモノシランを分解することが
できる可能性を生む。すなわち９次の化学式で記述され
る光酸化還元反応が生じる可能性が有る。
ＳｉＨ４＋Ｉ（ｓｃ −６−ＣＨ３−ＪＬ！！、、＊Ｓ
ｔＨ，ａＲ −）ＨａＣ−Ｃ−Ｃｋｉｇ 従来一般的に行なわれて来た光化学的モノ、シラン分解
法は、技術的に非常に困難な波長領域の光で直接分解す
るか、又は水銀を用いた光増感法によっていた。今回の
重水系ランプによるｎ→π＊励起カルボニル基とモノシ
ランとの光酸化還元反応は、モノシランの分ｔｐ＋に新
しい道を開くものである。
ｔＨ，ａＲ −）ＨａＣ−Ｃ−Ｃｋｉｇ 従来一般的に行なわれて来た光化学的モノ、シラン分解
法は、技術的に非常に困難な波長領域の光で直接分解す
るか、又は水銀を用いた光増感法によっていた。今回の
重水系ランプによるｎ→π＊励起カルボニル基とモノシ
ランとの光酸化還元反応は、モノシランの分ｔｐ＋に新
しい道を開くものである。
さてこの先限化還元反応を利用するためにはカルボニル
基をｎ→π＊励起ぜしめる必要がある。
基をｎ→π＊励起ぜしめる必要がある。
このｎ→π＊励起が最も生じ安い波長はアセトンでは２
７９ｍｍ、アセトフェノンでは３１９＠７ｙｔである。
７９ｍｍ、アセトフェノンでは３１９＠７ｙｔである。
この場合は第１図に１示したように、以前より用いられ
て来た低圧水銀ランプでは波長帯が合わな□いため効率
良い利用ができない。しかし。
て来た低圧水銀ランプでは波長帯が合わな□いため効率
良い利用ができない。しかし。
本発明の重水素ランプを用いることにより、効率良いｎ
→π＊ 励起が可能となるものである。
→π＊ 励起が可能となるものである。
ここでアセトフェノンｕ２４０Ｑｍおよび２７８ａｍ付
近にベンゼン環のπ→π＊に起因するところの吸収帯゛
があり、ｎ→π＊励起を化学反応に用いる場合は、この
化学反応に有害なπ→π”励起を避けるため、光源の２
４０％ｍおよび２７８％ｍ付近の波長を取し除く必要が
生じる。この場合は重水素ランプの光にフィルターをか
けれはよい。（たとえばこ＼では２９０毒ｍ以下の波長
を取り除く東芝製ガラスフィルターＵＶ−２９を使用す
れば良い。）この様に１水素ランプからの光にフィルタ
ー。
近にベンゼン環のπ→π＊に起因するところの吸収帯゛
があり、ｎ→π＊励起を化学反応に用いる場合は、この
化学反応に有害なπ→π”励起を避けるため、光源の２
４０％ｍおよび２７８％ｍ付近の波長を取し除く必要が
生じる。この場合は重水素ランプの光にフィルターをか
けれはよい。（たとえばこ＼では２９０毒ｍ以下の波長
を取り除く東芝製ガラスフィルターＵＶ−２９を使用す
れば良い。）この様に１水素ランプからの光にフィルタ
ー。
モノクロメータ等の波長および／又は波長帯を選定すイ
）手段を併用することによって広い領域にわたって連続
スペクトルを出すこの重水素ランプ光の有用性を一層高
いものにすることができる。
）手段を併用することによって広い領域にわたって連続
スペクトルを出すこの重水素ランプ光の有用性を一層高
いものにすることができる。
重水素ランプを用いる本発明の光化学的表面処理装置は
１以上の通妙であって９表面処理技術に新生面を開くも
のである。その工業的価値は高く極めて有益な発明とい
うことができる。
１以上の通妙であって９表面処理技術に新生面を開くも
のである。その工業的価値は高く極めて有益な発明とい
うことができる。
第１図は低圧水銀ランプおよび重水素ランプの各波長に
おける発光強度を示した図である。 Ａ・・・低圧水銀ランプ、Ｂ・・・重水素ランプ第２図
は本発明による装置ム：の一実施例を示す模式図である
。１・・・重水素ランプ、２・・・ランプの水冷手段、
３・・・波長および／又は波長帯の選定手段、４・・・
ランプ支技枠、５・・・光学窓、６・・・反応室、７・
・・支持台、８・・・被処理物、９・・・気体導入系、
１０・・・反応室制気糸 特許出願人 日電アネルバ株式会社
おける発光強度を示した図である。 Ａ・・・低圧水銀ランプ、Ｂ・・・重水素ランプ第２図
は本発明による装置ム：の一実施例を示す模式図である
。１・・・重水素ランプ、２・・・ランプの水冷手段、
３・・・波長および／又は波長帯の選定手段、４・・・
ランプ支技枠、５・・・光学窓、６・・・反応室、７・
・・支持台、８・・・被処理物、９・・・気体導入系、
１０・・・反応室制気糸 特許出願人 日電アネルバ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の気体を光化学的に活性化し基板表面に所定の処理
をする装置であって。 釦 光源としての重水素ランプと、必要ならばこの重水
素ランプの冷却手段。 ｂ９選定された波長および／又は波長帯の放射線を透過
するための光学窓を有し、必要なら体の排気系。 ｄ、必要ならば、該光源と該光学窓の間にあって波長お
よび／又は波長帯を選定する、ための手段。 からなることを特徴とする光化学的表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118795A JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118795A JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012128A true JPS6012128A (ja) | 1985-01-22 |
| JPS6334780B2 JPS6334780B2 (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=14745293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118795A Granted JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012128A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4642171A (en) * | 1984-09-18 | 1987-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phototreating apparatus |
| US4976930A (en) * | 1984-07-17 | 1990-12-11 | Nec Corporation | Method and apparatus for inducing photochemical reaction |
| EP0421745A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam. |
| EP2177278A1 (en) * | 2007-08-16 | 2010-04-21 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate cleaning apparatus and method of cleaning substrate |
| CN102532578A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-04 | 北京工业大学 | 用氘灯uv辐射光对封边条表面处理与表面改性的工艺 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118795A patent/JPS6012128A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4976930A (en) * | 1984-07-17 | 1990-12-11 | Nec Corporation | Method and apparatus for inducing photochemical reaction |
| US4642171A (en) * | 1984-09-18 | 1987-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phototreating apparatus |
| EP0421745A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam. |
| EP2177278A1 (en) * | 2007-08-16 | 2010-04-21 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate cleaning apparatus and method of cleaning substrate |
| EP2177278A4 (en) * | 2007-08-16 | 2011-09-07 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD |
| CN102532578A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-04 | 北京工业大学 | 用氘灯uv辐射光对封边条表面处理与表面改性的工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334780B2 (ja) | 1988-07-12 |
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