JPS5940523A - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents

半導体薄膜の製造方法

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JPS5940523A
JPS5940523A JP14999182A JP14999182A JPS5940523A JP S5940523 A JPS5940523 A JP S5940523A JP 14999182 A JP14999182 A JP 14999182A JP 14999182 A JP14999182 A JP 14999182A JP S5940523 A JPS5940523 A JP S5940523A
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JP
Japan
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thin film
light
film
laser beam
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JP14999182A
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Masahiko Akiyama
政彦 秋山
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発ｒ！Ａは紫外光によって原料ガスを分解し半導体
膜を製造する半導体薄膜製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
紫外光を照射して堆積材料元素を含むガスを光化学的に
分解し、基板に薄膜を堆積させる光ＣＶＤ法は薄膜の低
温形成技術として知られている。シリコン膜を形成する
光ＣＶＤ法にはシランガス（８ｔ　Ｈ４）を直接遠紫外
のレーザー光、例えばフッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ
化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザ−光で分解する
方法と、水銀（Ｉ（ｆ）を入れた反応室内にシランガス
全導入し波長２３７．５゛＾ｎ℃ 蝿の紫外光を照射してこの水銀原子をＪｌｉｈ起させ、
これがシラン分子と衝突することによっでシランガス全
分解する方法とが試みられている。
この紫外光を反応室に導入する際に１１紫外光が透過で
きる固体の窓を通過させなければｋらない。
このためこの窓にもシリコン膜が堆積し・ｃしまい、膜
形成が進行するにつれて急激に紫外光の導入を妨げるよ
うＫなる。この対策として、窓の透過度が小さくがって
も要求されるシリコン膜厚に達するまで々お光分解を続
行出来る程度に高い強度光を使用するか、或いは窓をい
ちいち清浄にしまたは交換する方法が採られている。し
かし前者にあつでは、要求される膜厚が大きくなるに従
い光の強度を指数関数的に増大させなければならなくて
経済的負担を大にし、後者では、窓を清浄にしまたは交
換する際に膜厚が小さい状態で基板全外気にさらすこと
Ｋなり、膜の酸化を招き良質な股を得させることを困難
にする。
〔発明の目的〕
この発明は紫外光を用いる光ＣＶＤ法によって半導体薄
膜を堆積するに際し、光導入窓に光透過を妨げる半導体
膜の堆積を防ぐことにより、連続的に任意の厚さの半導
体薄膜を形成させる半導体薄膜の製造方法を提供するも
のである。
〔発明の概要〕
即ちこの発明は（１）紫外線を使用し光ＣＶＤ法によっ
て半導体膜を堆積するに際し、原料ガスおよび光導入窓
による吸収が少なく、且つ半導体膜による吸収が大であ
るように選択された波長の高エネルギー密度レーザー光
を紫外光導入窓に照射することにより、紫外光導入窓で
の半導体堆積を妨げて連続的に紫外光の導入を可能にす
る半導体膜である前記項に記載の半導体薄膜の製造方法
釦ある。
このようなこの発明でレーザー光はエネルギー密度の高
い光を得ることが出来、シリコン膜で吸収されやすい波
長を選択するから、局所的に高温を発生させてかりにシ
リコン膜が堆積してもこれを溶融、蒸発させることが可
能である。又紫外光を導入する窓の材料に吸収されにく
い波長を同時に選択するためにレーザー光照射による窓
の昇温を抑さえ、昇温に伴うシランの熱分解全防ぎ、併
せて窓自体へのシリコン膜の堆積を防ぐこと罠なる。尚
又このレーザー光は原料ガス例えばシランガスを光化学
的に分解することがないように選択されるから、照射す
ることによってシリコン膜を窓に堆積することがない。
〔発明の実施例〕
以下図面を用いてシリコン薄膜を形成する場合の実施例
について述べる。この図面はこの例で用いた製造装置配
置図である。この図例で反応室（２）は壁面に設けられ
た石英窓（４）と対向する壁面の内側に基板（１１を配
置させている。又低圧水銀ランプ（５）が円筒形反射鏡
（８）の焦点におかれていて、円筒形レンズ（７）の焦
点にある前記石英窓を経て紫外光（６）を反射室内に投
射させる。Ｎ、（：ＹＡＧレーザ−（９）は走査用鏡０
υで反射したレーザー光（ＩＩが石英窓（４）全照射す
るように配置されている。原料ガス（３）は、シランガ
スに水銀を混合したもので、波長２５３．７ｎｍの紫外
光（６）は、低圧水銀ランプ（５）から出て円筒形光学
系によって集光され、石英窓（４）を通過して基板（１
）に照射される。石英窓（４）にシリコ／膜が堆積しな
いようＫするために、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ−（９）から
発射されるパルス状光線（ｌＩｔこの石英窓に照射する
。−パルス当りのレーザーエネルギーを１８０ｍｊ、　
ビーム径ｆ５ｍｔｔｔ、繰返し周波数を１０１１ｚとす
る条件で発振させるとき石英窓（４）に堆積したシリコ
ン膜を除去することができる。走を用鏡０υは図の紙面
垂直方向にレーザービームを走査するためのもので、こ
れによりストライプ状にシリコン膜が除去される領域が
できるこの実施例では、紫外光源として低圧水銀ランプ
を使用しているが、例えばＡｒＦエキシマレーザ−を使
用してもよい。また基板の面積が大きいときには光源全
数個用意し、石英窓も数個平行に設置するとよい。
〔発明の効果〕
このようなこの発明によれば毘ｃＶＤ法により半導体薄
膜を製造する上で、導入する光を吸収する半導体材料に
ついて連続的に薄膜形成を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
図面は実施例の製造方法で使用した製造装置の簡略配置
図である。 図面で、 （１）・・・基板、（２）・・・反応室、（３）・・・
原料ガス、（４）・・・石英窓、（５）・・・低圧水銀
ランプ、（６）・・・紫外光。 （力・・・円筒形レンズ、（８）・・・円筒形反射鏡。 （９）・・・Ｎｄ：ＹＡＧレーザ−、Ｑ〔・・・レー→
Ｊゞ−光、ａυ・・・走査用鏡。 代理人　　弁理士　井　上　−男

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　紫外線を使用し光ＣＶＤ法によって半導体膜
    を堆積するに際し、原料ガスおよび光導入窓による吸収
    が少なく且つ半導体膜による吸収が大であるように選択
    された波長の高エネルギー密度レーザ光を紫外光導入窓
    に照射することにより、紫外光導入窓での半導体堆積を
    妨げて連続的に紫外光の導入を可能にすることを特徴と
    する半導体薄膜の製造方法。
  2. （２）前記半導体膜がシリコン膜であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載の半導体薄膜の製造方法
    。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59175118A (ja) * 1983-03-24 1984-10-03 Ulvac Corp 光ｃｖｄ装置
CN103726028A (zh) * 2013-07-23 2014-04-16 太仓派欧技术咨询服务有限公司 一种UVCVD制备ZrO2涂层的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5767161A (en) * 1980-10-08 1982-04-23 Nec Corp Forming device for thin film by laser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5767161A (en) * 1980-10-08 1982-04-23 Nec Corp Forming device for thin film by laser

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59175118A (ja) * 1983-03-24 1984-10-03 Ulvac Corp 光ｃｖｄ装置
JPH0442820B2 (ja) * 1983-03-24 1992-07-14 Ulvac Corp
CN103726028A (zh) * 2013-07-23 2014-04-16 太仓派欧技术咨询服务有限公司 一种UVCVD制备ZrO2涂层的方法

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