JPH11292551A - 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス - Google Patents
合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラスInfo
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- JPH11292551A JPH11292551A JP10330462A JP33046298A JPH11292551A JP H11292551 A JPH11292551 A JP H11292551A JP 10330462 A JP10330462 A JP 10330462A JP 33046298 A JP33046298 A JP 33046298A JP H11292551 A JPH11292551 A JP H11292551A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 29
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B19/1415—Reactant delivery systems
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- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
- C03B2207/24—Multiple flame type, e.g. double-concentric flame
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
- C03C2203/42—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials
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- C03C2203/00—Production processes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線洗浄により表面が効果的に洗浄されて
透過率が向上する合成石英ガラスを製造する方法を提供
する。 【解決手段】 先ず、中心部に原料噴出管１７、原料噴
出管１７の周囲に第１の酸水素噴出管群２２、第１の酸
水素噴出管群２２の外部に第２の酸水素噴出管群２３を
をそれぞれ有するバーナ７を用いてターゲット６上に石
英ガラスインゴットＩＧを合成する。この合成時におい
ては、第１の酸水素噴出管群２２からは理論等量比より
も水素ガスが過剰となる第１所定比率で、また第２の酸
水素噴出管群２３からはほぼ理論等量比に近い第２所定
比率で酸素ガス及び水素ガスを噴出させる。次に、合成
された石英ガラスインゴットＩＧを、９００°Ｃ以上で
１０時間以上保持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度
で５００℃以下まで降温し、その後放冷する熱処理を施
す。
透過率が向上する合成石英ガラスを製造する方法を提供
する。 【解決手段】 先ず、中心部に原料噴出管１７、原料噴
出管１７の周囲に第１の酸水素噴出管群２２、第１の酸
水素噴出管群２２の外部に第２の酸水素噴出管群２３を
をそれぞれ有するバーナ７を用いてターゲット６上に石
英ガラスインゴットＩＧを合成する。この合成時におい
ては、第１の酸水素噴出管群２２からは理論等量比より
も水素ガスが過剰となる第１所定比率で、また第２の酸
水素噴出管群２３からはほぼ理論等量比に近い第２所定
比率で酸素ガス及び水素ガスを噴出させる。次に、合成
された石英ガラスインゴットＩＧを、９００°Ｃ以上で
１０時間以上保持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度
で５００℃以下まで降温し、その後放冷する熱処理を施
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光リソグラフィー
技術において、４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ
以下の特定波長帯域で、レンズやミラー等の光学系に使
用される光リソグラフィー用の合成石英ガラスを製造す
る方法に関する。
技術において、４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ
以下の特定波長帯域で、レンズやミラー等の光学系に使
用される光リソグラフィー用の合成石英ガラスを製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン等のウエハ上に集積回路の微細
パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術におい
ては、ステッパと呼ばれる露光装置が用いられる。この
ステッパの光源は、近年のＬＳＩの高集積化に伴ってｇ
線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、更にはＫｒ
Ｆ（２４８．３ｎｍ）やＡｒＦ（１９３．４ｎｍ）エキ
シマレーザへと短波長化が進められている。ＶＬＳＩの
中でＤＲＡＭを例に挙げれば、ＬＳＩからＶＬＳＩへと
展開されて、１Ｋ→２５６Ｋ→１Ｍ→４Ｍ→１６Ｍ→６
４Ｍ→２５６Ｍと容量が増大してゆくにつれ、加工線幅
がそれぞれ１０μｍ→２μｍ→１μｍ→０．８μｍ→
０．５μｍ→０．３μｍ→０．２μｍとなり、より微細
な最小加工線幅が露光可能なステッパが要求されるよう
になってきた。
パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術におい
ては、ステッパと呼ばれる露光装置が用いられる。この
ステッパの光源は、近年のＬＳＩの高集積化に伴ってｇ
線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、更にはＫｒ
Ｆ（２４８．３ｎｍ）やＡｒＦ（１９３．４ｎｍ）エキ
シマレーザへと短波長化が進められている。ＶＬＳＩの
中でＤＲＡＭを例に挙げれば、ＬＳＩからＶＬＳＩへと
展開されて、１Ｋ→２５６Ｋ→１Ｍ→４Ｍ→１６Ｍ→６
４Ｍ→２５６Ｍと容量が増大してゆくにつれ、加工線幅
がそれぞれ１０μｍ→２μｍ→１μｍ→０．８μｍ→
０．５μｍ→０．３μｍ→０．２μｍとなり、より微細
な最小加工線幅が露光可能なステッパが要求されるよう
になってきた。
【０００３】このようなエキシマレーザステッパの照明
光学系或いは投影レンズには、もはや一般の光学ガラス
は使用できず、紫外光領域において高い透過特性を持
ち、また、エキシマレーザに対して優れた耐久性を持つ
石英ガラスや蛍石などの素材に限定される。エキシマレ
ーザステッパの照明光学系或いは投影レンズに用いられ
る石英ガラス、蛍石において、その内部透過率は９９．
７５％／ｃｍ以上が要求されており、これらの素材の紫
外光領域での高透過率化を目指した開発が進められてい
る。
光学系或いは投影レンズには、もはや一般の光学ガラス
は使用できず、紫外光領域において高い透過特性を持
ち、また、エキシマレーザに対して優れた耐久性を持つ
石英ガラスや蛍石などの素材に限定される。エキシマレ
ーザステッパの照明光学系或いは投影レンズに用いられ
る石英ガラス、蛍石において、その内部透過率は９９．
７５％／ｃｍ以上が要求されており、これらの素材の紫
外光領域での高透過率化を目指した開発が進められてい
る。
【０００４】石英ガラス等の光学素材の透過率を向上さ
せる技術の一つとして、紫外線照射による素材表面の洗
浄（紫外線洗浄）が注目されている。これは紫外線を照
射することにより素材表面近傍に非常に酸化力の強い励
起酸素原子を生成し、一方で、素材表面に付着した有機
化合物を紫外線によってラジカルや励起分子とし、これ
らを反応させて揮発性低分子化合物を生成し、揮発除去
するものである。この一連の反応により光学素材表面は
非常に清浄な状態となり、透過率の向上に極めて優れた
効果がある。また、この紫外線洗浄用の光源には、低圧
水銀ランプ、エキシマランプ、Ａｒイオンレーザの第２
高調波、或いはＮｅ：Ｙａｇ第３高調波のような紫外域
ＣＷレーザ等が用いられる。
せる技術の一つとして、紫外線照射による素材表面の洗
浄（紫外線洗浄）が注目されている。これは紫外線を照
射することにより素材表面近傍に非常に酸化力の強い励
起酸素原子を生成し、一方で、素材表面に付着した有機
化合物を紫外線によってラジカルや励起分子とし、これ
らを反応させて揮発性低分子化合物を生成し、揮発除去
するものである。この一連の反応により光学素材表面は
非常に清浄な状態となり、透過率の向上に極めて優れた
効果がある。また、この紫外線洗浄用の光源には、低圧
水銀ランプ、エキシマランプ、Ａｒイオンレーザの第２
高調波、或いはＮｅ：Ｙａｇ第３高調波のような紫外域
ＣＷレーザ等が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、石英ガラスに
紫外線を照射した場合、内部に吸収を生じ、却って透過
率が低下する現象が観測されている。よく知られている
ように、ＡｒＦエキシマレーザのような紫外線を石英ガ
ラスに照射した場合、石英ガラス中で≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ
≡結合、≡Ｓｉ−Ｓｉ≡結合などの壊裂が起こり、ラジ
カル≡Ｓｉ・（Ｅ’センター）が生成し、２１５ｎｍ付
近の吸収帯を生じる。従来の合成法で製造された合成石
英ガラス部材においては、この２１５ｎｍ吸収帯は、エ
キシマレーザのような高エネルギーの紫外線だけでな
く、Ｈｇランプを用いた紫外線洗浄のような比較的低エ
ネルギーの照射によっても生じていた。そしてこの吸収
帯は、裾を長く引くため、エキシマレーザ波長、特にＡ
ｒＦ波長（１９３．４ｎｍ）の透過率を低下させる。こ
のため、合成石英ガラスに紫外線洗浄を施すことで、却
ってエキシマレーザに対する透過率を低下させてしま
い、ステッパ用の光学部材としての仕様を満たせなくな
ってしまう場合があった。
紫外線を照射した場合、内部に吸収を生じ、却って透過
率が低下する現象が観測されている。よく知られている
ように、ＡｒＦエキシマレーザのような紫外線を石英ガ
ラスに照射した場合、石英ガラス中で≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ
≡結合、≡Ｓｉ−Ｓｉ≡結合などの壊裂が起こり、ラジ
カル≡Ｓｉ・（Ｅ’センター）が生成し、２１５ｎｍ付
近の吸収帯を生じる。従来の合成法で製造された合成石
英ガラス部材においては、この２１５ｎｍ吸収帯は、エ
キシマレーザのような高エネルギーの紫外線だけでな
く、Ｈｇランプを用いた紫外線洗浄のような比較的低エ
ネルギーの照射によっても生じていた。そしてこの吸収
帯は、裾を長く引くため、エキシマレーザ波長、特にＡ
ｒＦ波長（１９３．４ｎｍ）の透過率を低下させる。こ
のため、合成石英ガラスに紫外線洗浄を施すことで、却
ってエキシマレーザに対する透過率を低下させてしま
い、ステッパ用の光学部材としての仕様を満たせなくな
ってしまう場合があった。
【０００６】一般に、エキシマレーザなどの高いエネル
ギーの紫外線を照射する際に発生する吸収は、石英ガラ
ス中に含まれる水素分子濃度が高いほど減少する。この
ため、エキシマレーザを露光光源とするステッパ用の石
英ガラスにおいては、エキシマレーザ耐性を向上させる
目的で、より多くの水素分子を含ませるように強い還元
雰囲気下で石英ガラスを合成することが多い。しかし、
このような水素ガス過剰の雰囲気下で合成した石英ガラ
スほど、紫外線洗浄のような低エネルギーの紫外線を照
射したときの吸収発生量も大きくなることが分かってい
る。これは、水素ガス過剰の雰囲気下で石英ガラスを合
成した場合には酸素欠乏欠陥≡Ｓｉ−Ｓｉ≡が生成する
ためと考えられる。この欠陥は上述したＥ’センターの
前駆体であり、エキシマレーザを照射すると容易にＥ’
センターを生成し２１５ｎｍ吸収帯を生成する。
ギーの紫外線を照射する際に発生する吸収は、石英ガラ
ス中に含まれる水素分子濃度が高いほど減少する。この
ため、エキシマレーザを露光光源とするステッパ用の石
英ガラスにおいては、エキシマレーザ耐性を向上させる
目的で、より多くの水素分子を含ませるように強い還元
雰囲気下で石英ガラスを合成することが多い。しかし、
このような水素ガス過剰の雰囲気下で合成した石英ガラ
スほど、紫外線洗浄のような低エネルギーの紫外線を照
射したときの吸収発生量も大きくなることが分かってい
る。これは、水素ガス過剰の雰囲気下で石英ガラスを合
成した場合には酸素欠乏欠陥≡Ｓｉ−Ｓｉ≡が生成する
ためと考えられる。この欠陥は上述したＥ’センターの
前駆体であり、エキシマレーザを照射すると容易にＥ’
センターを生成し２１５ｎｍ吸収帯を生成する。
【０００７】ここで、水素分子は合成時に石英ガラス中
に導入され、熱処理時には放出されることから、製造さ
れる合成石英ガラスに溶存する水素分子濃度は合成条件
及び熱処理条件により制御することができると考えられ
る。そこで、本発明は、このような水素分子濃度の制御
を行うことにより、紫外線洗浄により表面が効果的に洗
浄されて透過率が向上する合成石英ガラスを製造する方
法を提供するものである。
に導入され、熱処理時には放出されることから、製造さ
れる合成石英ガラスに溶存する水素分子濃度は合成条件
及び熱処理条件により制御することができると考えられ
る。そこで、本発明は、このような水素分子濃度の制御
を行うことにより、紫外線洗浄により表面が効果的に洗
浄されて透過率が向上する合成石英ガラスを製造する方
法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る合成石英ガ
ラスの製造方法は、炉と、この炉の内側空間内に位置す
るターゲットと、噴出口がターゲットに向けて設置され
た多重管バーナ（例えば、実施形態におけるバーナ７）
とを用いて火炎加水分解を行い、ターゲット上に石英ガ
ラス粉を堆積しガラス化させて合成石英ガラスインゴッ
トを生成する第１工程と、この合成石英ガラスインゴッ
トに、溶存する水素分子濃度を制御する所定の熱処理を
施す第２工程とを有する。ここでバーナが、中心部に配
置され原料である珪素化合物を噴出する原料噴出管と、
この原料噴出管の周囲に同心円状に配置されて酸素ガス
及び水素ガスを噴出する第１酸水素噴出管群と、この第
１酸水素噴出管群の外部に配置されて酸素ガス及び水素
ガスを噴出する第２酸水素噴出管群とを有して構成さ
れ、第１酸水素噴出管群における酸素ガスの水素ガスに
対する流量比率（すなわち、酸素ガス流量／水素ガス流
量）が理論等量比よりも水素ガスが過剰となる第１所定
比率（例えば、０．２９以上０．４以下の範囲内の値）
に設定されるとともに、第２酸水素噴出管群における酸
素ガスの水素ガスに対する流量比率がほぼ理論等量比に
近い第２所定比率（例えば、０．４以上０．５未満の範
囲内の値）に設定される。これにより、溶存する水素分
子濃度が２×１０17分子／ｃｍ3 以上５×１０18分子／
ｃｍ3 以下となる合成石英ガラスが得られる。
ラスの製造方法は、炉と、この炉の内側空間内に位置す
るターゲットと、噴出口がターゲットに向けて設置され
た多重管バーナ（例えば、実施形態におけるバーナ７）
とを用いて火炎加水分解を行い、ターゲット上に石英ガ
ラス粉を堆積しガラス化させて合成石英ガラスインゴッ
トを生成する第１工程と、この合成石英ガラスインゴッ
トに、溶存する水素分子濃度を制御する所定の熱処理を
施す第２工程とを有する。ここでバーナが、中心部に配
置され原料である珪素化合物を噴出する原料噴出管と、
この原料噴出管の周囲に同心円状に配置されて酸素ガス
及び水素ガスを噴出する第１酸水素噴出管群と、この第
１酸水素噴出管群の外部に配置されて酸素ガス及び水素
ガスを噴出する第２酸水素噴出管群とを有して構成さ
れ、第１酸水素噴出管群における酸素ガスの水素ガスに
対する流量比率（すなわち、酸素ガス流量／水素ガス流
量）が理論等量比よりも水素ガスが過剰となる第１所定
比率（例えば、０．２９以上０．４以下の範囲内の値）
に設定されるとともに、第２酸水素噴出管群における酸
素ガスの水素ガスに対する流量比率がほぼ理論等量比に
近い第２所定比率（例えば、０．４以上０．５未満の範
囲内の値）に設定される。これにより、溶存する水素分
子濃度が２×１０17分子／ｃｍ3 以上５×１０18分子／
ｃｍ3 以下となる合成石英ガラスが得られる。
【０００９】ここで、理論等量比とは、四塩化珪素を原
料に用いた場合、四塩化珪素を酸素ガス及び水素ガスで
加水分解することにより石英ガラスが合成されるときの
化学反応式ＳｉＣｌ4 ＋Ｏ2 ＋２Ｈ2 →ＳｉＯ2 ＋４Ｈ
Ｃｌにおける酸素ガス流量の水素ガス流量に対する比を
意味し、この場合０．５である。なお、上記所定の熱処
理は、合成ガラスインゴットを９００°Ｃ以上で１０時
間以上保持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度で５０
０℃以下まで降温し、その後放冷する処理であることが
好ましい。
料に用いた場合、四塩化珪素を酸素ガス及び水素ガスで
加水分解することにより石英ガラスが合成されるときの
化学反応式ＳｉＣｌ4 ＋Ｏ2 ＋２Ｈ2 →ＳｉＯ2 ＋４Ｈ
Ｃｌにおける酸素ガス流量の水素ガス流量に対する比を
意味し、この場合０．５である。なお、上記所定の熱処
理は、合成ガラスインゴットを９００°Ｃ以上で１０時
間以上保持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度で５０
０℃以下まで降温し、その後放冷する処理であることが
好ましい。
【００１０】また、上記水素分子濃度を有する合成石英
ガラスは、適当な紫外線洗浄、例えば、１５０〜３００
ｎｍの範囲内の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃｍ2 以上で
３０秒以上１時間以下照射する紫外線洗浄を施すことに
より、２１５ｎｍ吸収帯を実質的に生じさせることなく
（波長２１５ｎｍにおける吸収係数の変化が０．００３
／ｃｍ以下となる）、波長１９３．４ｎｍの透過率を向
上させることが可能である（１９３．４ｎｍにおける吸
収係数の変化が０以下となる）。更に、このような紫外
線洗浄を施した合成石英ガラスの波長１９３．４ｎｍに
おける内部透過率は９９．７５％／ｃｍ以上となり、前
述した実用上の要求値を満たすものとなる。
ガラスは、適当な紫外線洗浄、例えば、１５０〜３００
ｎｍの範囲内の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃｍ2 以上で
３０秒以上１時間以下照射する紫外線洗浄を施すことに
より、２１５ｎｍ吸収帯を実質的に生じさせることなく
（波長２１５ｎｍにおける吸収係数の変化が０．００３
／ｃｍ以下となる）、波長１９３．４ｎｍの透過率を向
上させることが可能である（１９３．４ｎｍにおける吸
収係数の変化が０以下となる）。更に、このような紫外
線洗浄を施した合成石英ガラスの波長１９３．４ｎｍに
おける内部透過率は９９．７５％／ｃｍ以上となり、前
述した実用上の要求値を満たすものとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
ましい実施形態について説明する。図１に本発明に係る
合成石英ガラスの製造方法に用いられる合成石英ガラス
製造装置１の構成を示す。合成石英ガラス製造装置１の
炉２は、炉枠３と、この炉枠３内に設けられた耐火物４
と、これらが載せられる炉床板５とを有して構成され
る。耐火物４の内部にはインゴットＩＧ形成用のターゲ
ット６に噴出口７ａを向けて設置された石英ガラス合成
用のバーナ７を有しており、ターゲット６上に石英ガラ
ス粉を堆積しガラス化させるようになっている。
ましい実施形態について説明する。図１に本発明に係る
合成石英ガラスの製造方法に用いられる合成石英ガラス
製造装置１の構成を示す。合成石英ガラス製造装置１の
炉２は、炉枠３と、この炉枠３内に設けられた耐火物４
と、これらが載せられる炉床板５とを有して構成され
る。耐火物４の内部にはインゴットＩＧ形成用のターゲ
ット６に噴出口７ａを向けて設置された石英ガラス合成
用のバーナ７を有しており、ターゲット６上に石英ガラ
ス粉を堆積しガラス化させるようになっている。
【００１２】また、炉枠３には石英ガラスの合成時に炉
内に発生するＨＣｌなどの廃ガスを炉外に排出させるた
めの排気口１２が形成され、この排気口１２には排気管
１３が接続されている。
内に発生するＨＣｌなどの廃ガスを炉外に排出させるた
めの排気口１２が形成され、この排気口１２には排気管
１３が接続されている。
【００１３】更に、炉の外部から炉内を観察するため、
炉内監視用窓１４が形成されている。この炉内監視用窓
１４の外側にはＣＣＤカメラ等の炉内監視用カメラ１６
が設けられており、炉内の撮影ができるようになってい
る。
炉内監視用窓１４が形成されている。この炉内監視用窓
１４の外側にはＣＣＤカメラ等の炉内監視用カメラ１６
が設けられており、炉内の撮影ができるようになってい
る。
【００１４】石英ガラス合成用バーナ７の構成を図２に
示す。バーナ７の中心部には原料（四塩化珪素：ＳｉＣ
ｌ4 ）及びこれを希釈するためのキャリヤガス（通常、
酸素ガス）を噴出させる原料噴出管１７が配置されてお
り、原料噴出管１７の周囲には、その内方空間１８ａ、
１９ａから酸素ガス又は水素ガスを噴出させる二つの酸
水素噴出管１８、１９が同心円状に配置されている。ま
た、酸水素噴出管１９の外部には、その内方空間２０ａ
から水素ガスを噴出させる水素噴出管２０が配置されて
おり、更に、この水素噴出管２０の内側で、且つ、酸水
素噴出管１９の外側の領域には酸素ガスを噴出させる複
数の酸素噴出管２１、２１、・・・が適当な間隔で配列
されている。ここで、酸素ガス及び水素ガスを噴出管を
分けて噴出させているのは、これらのガスを均一に反応
させるためである。なお、以下、二つの酸水素噴出管１
８、１９を併せて第１酸水素噴出管群２２と称し、ま
た、水素噴出管２０及び複数の酸素噴出管２１、２１、
・・・を併せて第２酸水素噴出管群２３と称することに
する。
示す。バーナ７の中心部には原料（四塩化珪素：ＳｉＣ
ｌ4 ）及びこれを希釈するためのキャリヤガス（通常、
酸素ガス）を噴出させる原料噴出管１７が配置されてお
り、原料噴出管１７の周囲には、その内方空間１８ａ、
１９ａから酸素ガス又は水素ガスを噴出させる二つの酸
水素噴出管１８、１９が同心円状に配置されている。ま
た、酸水素噴出管１９の外部には、その内方空間２０ａ
から水素ガスを噴出させる水素噴出管２０が配置されて
おり、更に、この水素噴出管２０の内側で、且つ、酸水
素噴出管１９の外側の領域には酸素ガスを噴出させる複
数の酸素噴出管２１、２１、・・・が適当な間隔で配列
されている。ここで、酸素ガス及び水素ガスを噴出管を
分けて噴出させているのは、これらのガスを均一に反応
させるためである。なお、以下、二つの酸水素噴出管１
８、１９を併せて第１酸水素噴出管群２２と称し、ま
た、水素噴出管２０及び複数の酸素噴出管２１、２１、
・・・を併せて第２酸水素噴出管群２３と称することに
する。
【００１５】このバーナ７を用いて火炎加水分解を行
い、石英ガラス微粒子を発生させてターゲット６上に堆
積、溶融させる。このときターゲット６は１分間に７回
転の速度で中心軸まわりに回転させ、且つ、８０〜１０
０ｍｍの移動距離で水平方向に９０秒周期で揺動させ
る。なお、ターゲット６は１時間当たり１．４〜４ｍｍ
の速度で引き下げを行う。このようにして、合成石英ガ
ラスインゴットＩＧが製造される。
い、石英ガラス微粒子を発生させてターゲット６上に堆
積、溶融させる。このときターゲット６は１分間に７回
転の速度で中心軸まわりに回転させ、且つ、８０〜１０
０ｍｍの移動距離で水平方向に９０秒周期で揺動させ
る。なお、ターゲット６は１時間当たり１．４〜４ｍｍ
の速度で引き下げを行う。このようにして、合成石英ガ
ラスインゴットＩＧが製造される。
【００１６】次に、この合成石英ガラスインゴットＩＧ
から４０ｍｍ厚の塊を切り出し、所定の温度に保持した
後、所定の降温速度で降温し、その後放冷する過程を有
する熱処理を行う。そしてこの熱処理を行ったインゴッ
トＩＧより直径６０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの形状の試料を
切り出し、ＳｉＯ2 微粒子を用いた精密研磨を施す。試
料の平行度は１０秒以下、表面粗さＲＭＳは１０オング
ストローム以下とする。
から４０ｍｍ厚の塊を切り出し、所定の温度に保持した
後、所定の降温速度で降温し、その後放冷する過程を有
する熱処理を行う。そしてこの熱処理を行ったインゴッ
トＩＧより直径６０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの形状の試料を
切り出し、ＳｉＯ2 微粒子を用いた精密研磨を施す。試
料の平行度は１０秒以下、表面粗さＲＭＳは１０オング
ストローム以下とする。
【００１７】次に、この試料に対し、１５０〜３００ｎ
ｍの範囲内の波長の紫外線を、試料の照射表面における
照度（表面照度）が１ｍＷ／ｃｍ2 以上で、３０秒から
１時間以下照射する紫外線洗浄を施す。この紫外線洗浄
の前後において、ＡｒＦ波長である１９３．４ｎｍ及び
２１５ｎｍの吸収係数を算出する。光の反射損失を含ん
だ吸収係数α（／ｃｍ）は次式のように定義する。
ｍの範囲内の波長の紫外線を、試料の照射表面における
照度（表面照度）が１ｍＷ／ｃｍ2 以上で、３０秒から
１時間以下照射する紫外線洗浄を施す。この紫外線洗浄
の前後において、ＡｒＦ波長である１９３．４ｎｍ及び
２１５ｎｍの吸収係数を算出する。光の反射損失を含ん
だ吸収係数α（／ｃｍ）は次式のように定義する。
【００１８】
【数１】α＝−ＬＮ（（透過率の測定値）／（理論透過
率））／（試料の厚さ）
率））／（試料の厚さ）
【００１９】ここで、石英ガラスの１９３．ｎｍ及び２
１５ｎｍの反射損失を含んだ理論透過率をそれぞれ９
０．８７４８％／ｃｍ及び９１．５２７８％／ｃｍと
し、紫外線照射前の吸収係数αｉと紫外線照射後の吸収
係数αｆとを算出し、その差、Δα＝αｆ−αｉを求め
た。１９３．ｎｍにおける吸収係数の差Δα193.4 が０
以下である場合、試料表面が清浄化されたことになる。
また、２１５ｎｍにおける吸収係数の差Δα215 が０．
００３より大きい場合、実質的に吸収が発生したことに
なる。
１５ｎｍの反射損失を含んだ理論透過率をそれぞれ９
０．８７４８％／ｃｍ及び９１．５２７８％／ｃｍと
し、紫外線照射前の吸収係数αｉと紫外線照射後の吸収
係数αｆとを算出し、その差、Δα＝αｆ−αｉを求め
た。１９３．ｎｍにおける吸収係数の差Δα193.4 が０
以下である場合、試料表面が清浄化されたことになる。
また、２１５ｎｍにおける吸収係数の差Δα215 が０．
００３より大きい場合、実質的に吸収が発生したことに
なる。
【００２０】このようにして、様々な試料につき吸収係
数の差Δαを測定し、図３に示す評価基準をもとに評価
した。その結果、（１）バーナ７を用いた酸水素火炎加
水分解法において、バーナ７の中心部付近の第１酸水素
噴出管群２２における酸素ガスの水素ガスに対する流量
比率（＝酸素ガス流量／水素ガス流量）が０．２９以上
０．４以下の範囲内の値であるとともに、バーナ７の周
辺部の第２酸水素噴出管群２３における酸素ガスの水素
ガスに対する流量比率が０．４以上０．５未満の範囲内
の値であり、（２）合成後に、９００℃以上で１０時間
保持し、毎時１０℃以下の降温速度で５００℃以下まで
降温し、その後放冷する熱処理を施した合成石英ガラス
は、溶存する水素分子濃度が適切に制御され、２×１０
17分子／ｃｍ3 以上５×１０18分子／ｃｍ3 以下となる
ことが分かった。
数の差Δαを測定し、図３に示す評価基準をもとに評価
した。その結果、（１）バーナ７を用いた酸水素火炎加
水分解法において、バーナ７の中心部付近の第１酸水素
噴出管群２２における酸素ガスの水素ガスに対する流量
比率（＝酸素ガス流量／水素ガス流量）が０．２９以上
０．４以下の範囲内の値であるとともに、バーナ７の周
辺部の第２酸水素噴出管群２３における酸素ガスの水素
ガスに対する流量比率が０．４以上０．５未満の範囲内
の値であり、（２）合成後に、９００℃以上で１０時間
保持し、毎時１０℃以下の降温速度で５００℃以下まで
降温し、その後放冷する熱処理を施した合成石英ガラス
は、溶存する水素分子濃度が適切に制御され、２×１０
17分子／ｃｍ3 以上５×１０18分子／ｃｍ3 以下となる
ことが分かった。
【００２１】また、このような水素分子濃度を有する合
成石英ガラスに適当な紫外線洗浄、例えば、１５０〜３
００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃ
ｍ2以上で３０秒以上１時間以下照射する紫外線洗浄を
施した場合には、１９３．４ｎｍにおける吸収係数の変
化は０以下となる一方で、波長２１５ｎｍにおける吸収
係数の変化は０．００３／ｃｍ以下となることが分かっ
た。これは、上記紫外線洗浄により、２１５ｎｍ吸収帯
を実質的に生じさせることなく、１９３．４ｎｍの透過
率を向上させたことを意味する。また、上記紫外線洗浄
を施した合成石英ガラスの１９３．４ｎｍにおける内部
透過率は９９．７５％／ｃｍ以上となり、実用上の要求
値を満たすものとなる。以下に、具体的な実施例及び比
較例を示し、これら実施例及び比較例における合成石英
ガラスについて判定評価した結果を図４に示す。
成石英ガラスに適当な紫外線洗浄、例えば、１５０〜３
００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃ
ｍ2以上で３０秒以上１時間以下照射する紫外線洗浄を
施した場合には、１９３．４ｎｍにおける吸収係数の変
化は０以下となる一方で、波長２１５ｎｍにおける吸収
係数の変化は０．００３／ｃｍ以下となることが分かっ
た。これは、上記紫外線洗浄により、２１５ｎｍ吸収帯
を実質的に生じさせることなく、１９３．４ｎｍの透過
率を向上させたことを意味する。また、上記紫外線洗浄
を施した合成石英ガラスの１９３．４ｎｍにおける内部
透過率は９９．７５％／ｃｍ以上となり、実用上の要求
値を満たすものとなる。以下に、具体的な実施例及び比
較例を示し、これら実施例及び比較例における合成石英
ガラスについて判定評価した結果を図４に示す。
【００２２】
【実施例１】バーナ７を用い、第１酸水素噴出管群２２
における酸素ガスの水素ガスに対する流量比率をＯ2 ／
Ｈ2 ＝０．２９に設定し、また、第２酸水素噴出管群２
３における酸素ガスの水素ガスに対する流量比率をＯ2
／Ｈ2 ＝０．４４に設定して合成石英ガラスインゴット
ＩＧを生成した。そしてこのインゴットＩＧを１０００
℃で１０時間保持した後、毎時１０℃の降温速度で５０
０℃まで冷却し、その後放冷した。この熱処理を行った
塊から前述した形状に試料を切り出し精密研磨を行っ
た。この時、試料中の水素分子濃度は１．１×１０18分
子／ｃｍ3 であった。１５０〜３００ｎｍの範囲の波長
の紫外線光源として低圧水銀ランプを用い、このランプ
から放射される波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの連続的な
紫外光をそれぞれ１ｍＷ／ｃｍ2 、１０ｍＷ／ｃｍ2 の
照度で、試料の両面に同時に１０分間照射した。紫外線
照射前後での吸収係数の差は、１９３．４ｎｍにおいて
Δα19 3.4 ＝−０．００３５／ｃｍ、２１５ｎｍにおい
てはΔα215 ＝０．０００６５／ｃｍであった。また、
１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．７６％／ｃ
ｍであった。
における酸素ガスの水素ガスに対する流量比率をＯ2 ／
Ｈ2 ＝０．２９に設定し、また、第２酸水素噴出管群２
３における酸素ガスの水素ガスに対する流量比率をＯ2
／Ｈ2 ＝０．４４に設定して合成石英ガラスインゴット
ＩＧを生成した。そしてこのインゴットＩＧを１０００
℃で１０時間保持した後、毎時１０℃の降温速度で５０
０℃まで冷却し、その後放冷した。この熱処理を行った
塊から前述した形状に試料を切り出し精密研磨を行っ
た。この時、試料中の水素分子濃度は１．１×１０18分
子／ｃｍ3 であった。１５０〜３００ｎｍの範囲の波長
の紫外線光源として低圧水銀ランプを用い、このランプ
から放射される波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの連続的な
紫外光をそれぞれ１ｍＷ／ｃｍ2 、１０ｍＷ／ｃｍ2 の
照度で、試料の両面に同時に１０分間照射した。紫外線
照射前後での吸収係数の差は、１９３．４ｎｍにおいて
Δα19 3.4 ＝−０．００３５／ｃｍ、２１５ｎｍにおい
てはΔα215 ＝０．０００６５／ｃｍであった。また、
１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．７６％／ｃ
ｍであった。
【００２３】
【実施例２】実施例２の試料は、合成条件は実施例１と
同様とし、熱処理時の放冷温度を３００℃として得られ
たものである。水素分子濃度は６．０×１０17分子／ｃ
ｍ3であった。この試料に対して実施例１と同様の照度
において、１５分間紫外線を照射し洗浄を行って吸収係
数の差Δαを求めた。Δαは１９３．４ｎｍにおいてΔ
α193.4 ＝−０．００４３／ｃｍ、２１５ｎｍにおいて
はΔα215 ＝０．０００５３／ｃｍであった。また、１
９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．７６％／ｃｍ
であった。
同様とし、熱処理時の放冷温度を３００℃として得られ
たものである。水素分子濃度は６．０×１０17分子／ｃ
ｍ3であった。この試料に対して実施例１と同様の照度
において、１５分間紫外線を照射し洗浄を行って吸収係
数の差Δαを求めた。Δαは１９３．４ｎｍにおいてΔ
α193.4 ＝−０．００４３／ｃｍ、２１５ｎｍにおいて
はΔα215 ＝０．０００５３／ｃｍであった。また、１
９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．７６％／ｃｍ
であった。
【００２４】
【比較例１】比較例１の試料は、実施例１における合成
石英ガラス塊に対して熱処理を施さずに得たものであ
る。試料中の水素分子濃度は５．８×１０18分子／ｃｍ
3 であった。この試料に対して実施例１と同様の条件に
よって紫外線洗浄を行い、吸収係数の差Δαを求めた。
紫外線照射前後での吸収係数の差は、１９３．４ｎｍに
おいてΔα193.4 ＝０．００６５／ｃｍ、２１５ｎｍに
おいてはΔα215 ＝０．０１２３／ｃｍであった。ま
た、１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．６９％
／ｃｍであった。熱処理を経ていないため、水素分子濃
度が不適切なままであり、低圧水銀ランプによる紫外線
洗浄時に２１５吸収帯が生成し、このため１９３．４ｎ
ｍの透過率も低下している。
石英ガラス塊に対して熱処理を施さずに得たものであ
る。試料中の水素分子濃度は５．８×１０18分子／ｃｍ
3 であった。この試料に対して実施例１と同様の条件に
よって紫外線洗浄を行い、吸収係数の差Δαを求めた。
紫外線照射前後での吸収係数の差は、１９３．４ｎｍに
おいてΔα193.4 ＝０．００６５／ｃｍ、２１５ｎｍに
おいてはΔα215 ＝０．０１２３／ｃｍであった。ま
た、１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．６９％
／ｃｍであった。熱処理を経ていないため、水素分子濃
度が不適切なままであり、低圧水銀ランプによる紫外線
洗浄時に２１５吸収帯が生成し、このため１９３．４ｎ
ｍの透過率も低下している。
【００２５】
【比較例２】比較例２の試料は、実施例１において、第
１酸水素噴出管群２２における酸素ガスの水素ガスに対
する流量比率をＯ2 ／Ｈ2 ＝０．１５に設定し、また、
第２酸水素噴出管群２３における酸素ガスの水素ガスに
対する流量比率をＯ2 ／Ｈ2＝０．２９に設定して得ら
れた合成石英ガラスインゴットＩＧから得たものであ
る。得られた合成石英ガラス塊に対し実施例１と同様の
熱処理を施した。試料中の水素分子濃度は５．１×１０
18分子／ｃｍ3 であった。この試料に対して実施例１と
同様の条件によって紫外線洗浄を行い、吸収係数の差Δ
αを求めた。紫外線照射前後での吸収係数の差は、１９
３．４ｎｍにおいてΔα193.4 ＝０．００６８８／ｃ
ｍ、２１５ｎｍにおいてはΔα215 ＝０．０１２０／ｃ
ｍであった。また、１９３．４ｎｍにおける内部透過率
は９８．８１％／ｃｍであった。
１酸水素噴出管群２２における酸素ガスの水素ガスに対
する流量比率をＯ2 ／Ｈ2 ＝０．１５に設定し、また、
第２酸水素噴出管群２３における酸素ガスの水素ガスに
対する流量比率をＯ2 ／Ｈ2＝０．２９に設定して得ら
れた合成石英ガラスインゴットＩＧから得たものであ
る。得られた合成石英ガラス塊に対し実施例１と同様の
熱処理を施した。試料中の水素分子濃度は５．１×１０
18分子／ｃｍ3 であった。この試料に対して実施例１と
同様の条件によって紫外線洗浄を行い、吸収係数の差Δ
αを求めた。紫外線照射前後での吸収係数の差は、１９
３．４ｎｍにおいてΔα193.4 ＝０．００６８８／ｃ
ｍ、２１５ｎｍにおいてはΔα215 ＝０．０１２０／ｃ
ｍであった。また、１９３．４ｎｍにおける内部透過率
は９８．８１％／ｃｍであった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る合成
石英ガラスの製造方法は、炉と、ターゲットと、多重管
バーナとを用いて火炎加水分解を行い、ターゲット上に
石英ガラス粉を堆積しガラス化させて合成石英ガラスイ
ンゴットを生成する第１工程と、この合成石英ガラスイ
ンゴットに、溶存する水素分子濃度を制御する所定の熱
処理を施す第２工程とを有するのであるが、ここで、バ
ーナが、中心部に配置され原料である珪素化合物を噴出
する原料噴出管と、この原料噴出管の周囲に同心円状に
配置されて酸素ガス及び水素ガスを噴出する第１酸水素
噴出管群と、この第１酸水素噴出管群の外部に配置され
て酸素ガス及び水素ガスを噴出する第２酸水素噴出管群
とを有して構成され、第１酸水素噴出管群における酸素
ガスの水素ガスに対する流量比率が理論等量比よりも水
素ガスが過剰となる第１所定比率（例えば、０．２９以
上０．４以下の範囲内の値）に設定されるとともに、第
２酸水素噴出管群における酸素ガスの水素ガスに対する
流量比率がほぼ理論等量比に近い第２所定比率（例え
ば、０．４以上０．５未満の範囲内の値）に設定され
る。これにより、溶存する水素分子濃度が２×１０17分
子／ｃｍ3 以上５×１０18 分子／ｃｍ3 以下となる合成
石英ガラスが得られる。なお、上記所定の熱処理は、合
成ガラスインゴットを９００°Ｃ以上で１０時間以上保
持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度で５００℃以下
まで降温し、その後放冷する処理であることが好まし
い。
石英ガラスの製造方法は、炉と、ターゲットと、多重管
バーナとを用いて火炎加水分解を行い、ターゲット上に
石英ガラス粉を堆積しガラス化させて合成石英ガラスイ
ンゴットを生成する第１工程と、この合成石英ガラスイ
ンゴットに、溶存する水素分子濃度を制御する所定の熱
処理を施す第２工程とを有するのであるが、ここで、バ
ーナが、中心部に配置され原料である珪素化合物を噴出
する原料噴出管と、この原料噴出管の周囲に同心円状に
配置されて酸素ガス及び水素ガスを噴出する第１酸水素
噴出管群と、この第１酸水素噴出管群の外部に配置され
て酸素ガス及び水素ガスを噴出する第２酸水素噴出管群
とを有して構成され、第１酸水素噴出管群における酸素
ガスの水素ガスに対する流量比率が理論等量比よりも水
素ガスが過剰となる第１所定比率（例えば、０．２９以
上０．４以下の範囲内の値）に設定されるとともに、第
２酸水素噴出管群における酸素ガスの水素ガスに対する
流量比率がほぼ理論等量比に近い第２所定比率（例え
ば、０．４以上０．５未満の範囲内の値）に設定され
る。これにより、溶存する水素分子濃度が２×１０17分
子／ｃｍ3 以上５×１０18 分子／ｃｍ3 以下となる合成
石英ガラスが得られる。なお、上記所定の熱処理は、合
成ガラスインゴットを９００°Ｃ以上で１０時間以上保
持した後、毎時１０°Ｃ以下の降温速度で５００℃以下
まで降温し、その後放冷する処理であることが好まし
い。
【００２７】また、このような水素分子濃度を有する合
成石英ガラスに適当な紫外線洗浄（例えば、１５０〜３
００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃ
ｍ2以上で３０秒以上１時間以下照射する）を施すこと
により、波長２１５ｎｍ吸収帯を実質的に生じさせるこ
となく、１９３．４ｎｍの透過率を向上させることが可
能である。更に、このような紫外線洗浄を施した合成石
英ガラスの１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．
７５％／ｃｍ以上となり、実用上の要求値を満たすもの
となる。
成石英ガラスに適当な紫外線洗浄（例えば、１５０〜３
００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を表面照度１ｍＷ／ｃ
ｍ2以上で３０秒以上１時間以下照射する）を施すこと
により、波長２１５ｎｍ吸収帯を実質的に生じさせるこ
となく、１９３．４ｎｍの透過率を向上させることが可
能である。更に、このような紫外線洗浄を施した合成石
英ガラスの１９３．４ｎｍにおける内部透過率は９９．
７５％／ｃｍ以上となり、実用上の要求値を満たすもの
となる。
【図１】本発明に係る合成石英ガラスの製造方法に用い
られる合成石英ガラス製造装置の構成を示す模式的な断
面図である。
られる合成石英ガラス製造装置の構成を示す模式的な断
面図である。
【図２】噴出口側から見たバーナの構成を示す図であ
る。
る。
【図３】製造された合成石英ガラスについての判定評価
基準を示した図表である。
基準を示した図表である。
【図４】実施例及び比較例における合成石英ガラスにつ
いて判定評価した結果を示す図表である。
いて判定評価した結果を示す図表である。
１ 合成石英ガラス製造装置 ２ 炉 ６ ターゲット ７ バーナ（多重管バーナ） ７ａ 噴出口 １７ 原料噴出管 １８、１９ 酸水素噴出管 ２０ 水素噴出管 ２１ 酸素噴出管 ２２ 第１酸水素噴出管群 ２３ 第２酸水素噴出管群 ＩＧ 合成石英ガラスインゴット
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｂ 1/00 Ｇ０２Ｂ 1/00 // Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】 炉と、この炉の内側空間内に位置するタ
ーゲットと、噴出口が前記ターゲットに向けて設置され
た多重管バーナとを用いて火炎加水分解を行い、前記タ
ーゲット上に石英ガラス粉を堆積しガラス化させて合成
石英ガラスインゴットを生成する第１工程と、 前記合成石英ガラスインゴットに、溶存する水素分子濃
度を制御する所定の熱処理を施す第２工程とを有する合
成石英ガラスの製造方法であって、 前記バーナが、中心部に配置され原料である珪素化合物
を噴出する原料噴出管と、前記原料噴出管の周囲に同心
円状に配置されて酸素ガス及び水素ガスを噴出する第１
酸水素噴出管群と、前記第１酸水素噴出管群の外部に配
置されて酸素ガス及び水素ガスを噴出する第２酸水素噴
出管群とを有して構成され、 前記第１酸水素噴出管群における酸素ガスの水素ガスに
対する流量比率が理論等量比よりも水素ガスが過剰とな
る第１所定比率に設定されるとともに、前記第２酸水素
噴出管群における酸素ガスの水素ガスに対する流量比率
がほぼ理論等量比に近い第２所定比率に設定されること
を特徴とする合成石英ガラスの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１所定比率が０．２９以上０．４
以下の範囲内の値であり、前記第２所定比率が０．４以
上０．５未満の範囲内の値であることを特徴とする請求
項１記載の合成石英ガラスの製造方法。 - 【請求項３】 前記所定の熱処理が、前記合成ガラスイ
ンゴットを９００°Ｃ以上で１０時間以上保持した後、
毎時１０°Ｃ以下の降温速度で５００°Ｃ以下まで降温
し、その後放冷する熱処理を施す処理であることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の合成石英ガラスの製
造方法。 - 【請求項４】 前記熱処理を施した前記合成石英ガラス
インゴットに、１５０〜３００ｎｍの範囲内の波長の紫
外線を表面照度１ｍＷ／ｃｍ2 以上で３０秒以上１時間
以下照射する紫外線洗浄を施す第３工程を有することを
特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の合成
石英ガラスの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の合成石
英ガラスの製造方法を用いて得られたことを特徴とする
合成石英ガラス。 - 【請求項６】 溶存する水素分子濃度が２×１０17分子
／ｃｍ3 以上５×１０18分子／ｃｍ3 以下であることを
特徴とする請求項５記載の合成石英ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330462A JPH11292551A (ja) | 1997-11-28 | 1998-11-20 | 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-327389 | 1997-11-28 | ||
| JP32738997 | 1997-11-28 | ||
| JP10330462A JPH11292551A (ja) | 1997-11-28 | 1998-11-20 | 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11292551A true JPH11292551A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=26572492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10330462A Pending JPH11292551A (ja) | 1997-11-28 | 1998-11-20 | 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11292551A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000058231A1 (fr) * | 1999-03-25 | 2000-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Verre de silice synthetique pour element optique, son procede de fabrication et d'utilisation |
| WO2002085808A1 (fr) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Nikon Corporation | Element en verre de silice et aligneur de projection |
| JP2005031076A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Carl-Zeiss-Stiftung | 合成石英ガラスのパルスレーザー耐性を定量的に決定する方法 |
| JP2006083023A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 合成石英ガラスの製造装置及び製造方法、合成石英ガラス、並びに露光装置 |
| WO2014080840A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP10330462A patent/JPH11292551A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000058231A1 (fr) * | 1999-03-25 | 2000-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Verre de silice synthetique pour element optique, son procede de fabrication et d'utilisation |
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| WO2002085808A1 (fr) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Nikon Corporation | Element en verre de silice et aligneur de projection |
| US6835683B2 (en) | 2001-04-19 | 2004-12-28 | Nikon Corporation | Quartz glass member and projection aligner |
| JP2005031076A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Carl-Zeiss-Stiftung | 合成石英ガラスのパルスレーザー耐性を定量的に決定する方法 |
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| JP5753324B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2015-07-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| US9625807B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-04-18 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a transfer mask and method of manufacturing a semiconductor device |
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