JPH03205822A - 表面改質方法 - Google Patents
表面改質方法Info
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- JPH03205822A JPH03205822A JP66490A JP66490A JPH03205822A JP H03205822 A JPH03205822 A JP H03205822A JP 66490 A JP66490 A JP 66490A JP 66490 A JP66490 A JP 66490A JP H03205822 A JPH03205822 A JP H03205822A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はオゾンを用いた表面改質方法に係わり，特にオ
ゾン生成の原料ガスに関する。
ゾン生成の原料ガスに関する。
半導体装置製造に使用される酸素ガスは、液体酸素から
気化させた酸素を精製装置を通して更に高純度化してお
り、露点は−７５℃以下．ＣＯ，Ｃ○２，ＣＨ４はそれ
ぞれ０．１，０．１，０．０５ｖｏｉｐｐｍ以下である
。このような酸素ガスを原料とし、石英ガラスを放電面
としたオゾン生成装置では、オゾンの生成量が非常に少
ない。半導体装置等の製造に用いられるオゾンを用いた
表面改質装置の性能は、表面処理部での活性酸素濃度す
なわち供給オゾンの濃度に特に影響されるので、上記オ
ゾン濃度を高濃度かつ安定に維持することが重要である
。
気化させた酸素を精製装置を通して更に高純度化してお
り、露点は−７５℃以下．ＣＯ，Ｃ○２，ＣＨ４はそれ
ぞれ０．１，０．１，０．０５ｖｏｉｐｐｍ以下である
。このような酸素ガスを原料とし、石英ガラスを放電面
としたオゾン生成装置では、オゾンの生成量が非常に少
ない。半導体装置等の製造に用いられるオゾンを用いた
表面改質装置の性能は、表面処理部での活性酸素濃度す
なわち供給オゾンの濃度に特に影響されるので、上記オ
ゾン濃度を高濃度かつ安定に維持することが重要である
。
オゾン生成時のオゾン濃度を高めるには、被処理物であ
る半導体装置に損傷や汚染を与えず、かつオゾン発生効
率の良い原料ガス組成を選択することが必要である（「
オゾナイザのオゾン収率におよぼす原料ガス中水分の影
響」井関昇，川田一雄，電気学会放電研究会資料ＥＤ−
８６−８６）。
る半導体装置に損傷や汚染を与えず、かつオゾン発生効
率の良い原料ガス組成を選択することが必要である（「
オゾナイザのオゾン収率におよぼす原料ガス中水分の影
響」井関昇，川田一雄，電気学会放電研究会資料ＥＤ−
８６−８６）。
本発明は、純度の高い石英をオゾン発生容器とした放電
管を用い、十分なオゾン濃度が得られ、かつ被処理物に
不要な損傷を与えないようにした表面改質方法を提供す
ることを目的としてなされたものである。
管を用い、十分なオゾン濃度が得られ、かつ被処理物に
不要な損傷を与えないようにした表面改質方法を提供す
ることを目的としてなされたものである。
上記目的は、オゾン生成のための原料ガスとして、Ｈｚ
Ｏ ， Ｃ Ｏ ｔ Ｃ ｏ！， Ｎｚおよび窒素酸化
物の群から選ばれる少なくとも一考を所定量含む酸素を
使用するか、上記の群のガスを高純度酸素に添加して用
いることによって達威される。
Ｏ ， Ｃ Ｏ ｔ Ｃ ｏ！， Ｎｚおよび窒素酸化
物の群から選ばれる少なくとも一考を所定量含む酸素を
使用するか、上記の群のガスを高純度酸素に添加して用
いることによって達威される。
ここで、上記酸素に添加されるガスの特に好適な添加量
は、容量比において０．０５から１０ｐｐｍである。
は、容量比において０．０５から１０ｐｐｍである。
無声放電によって０２から０８を効率良く得るために第
三成分の働きが重要であることは知られている。この第
三或分として． Ｈ ｘ Ｏ ， Ｇ Ｏ ， Ｃ Ｏ
ｚ ，Ｎ２および窒素酸化物の群から選ばれる少なく
とも一者を用いることによって、高濃度のオゾンが得ら
れる。また、これらの添加ガスは、レジストのような有
機物を酸化したときに生或されるガスであるから、もと
もと表面損傷や汚染の原因とはならない。
三成分の働きが重要であることは知られている。この第
三或分として． Ｈ ｘ Ｏ ， Ｇ Ｏ ， Ｃ Ｏ
ｚ ，Ｎ２および窒素酸化物の群から選ばれる少なく
とも一者を用いることによって、高濃度のオゾンが得ら
れる。また、これらの添加ガスは、レジストのような有
機物を酸化したときに生或されるガスであるから、もと
もと表面損傷や汚染の原因とはならない。
第１図に本発明の実施例に用いた表面改質装置の概略側
断面図を示す。上記の装置は．ＳｉＯｘが９９．５％以
上の高純度石英を放電管としたオゾン発生機１と、上記
オゾン発生機１に高純度酸素と本発明に係わる添加ガス
を混合して供給する手段１０と、上記オゾン発生機１で
発生せしめたオゾンを被処理物３の表面上に供給する導
入管ｌ２を接続した隔壁１↓と該オゾンに紫外線を照射
して活性酸素原子を生或せしめる低圧水銀ランプ２と、
前記被処理物３を搭載し、加熱するステージ４とを内蔵
する処理室５と、被処理物３を処理室５に搬入し、処理
後の被処理物３を処理室５から搬出する搬送装置８と、
処理室５中の残存オゾンを排出する排気装Ｉｉｔ６と、
これら全体をコントロールするシステム７とから構威さ
れている。
断面図を示す。上記の装置は．ＳｉＯｘが９９．５％以
上の高純度石英を放電管としたオゾン発生機１と、上記
オゾン発生機１に高純度酸素と本発明に係わる添加ガス
を混合して供給する手段１０と、上記オゾン発生機１で
発生せしめたオゾンを被処理物３の表面上に供給する導
入管ｌ２を接続した隔壁１↓と該オゾンに紫外線を照射
して活性酸素原子を生或せしめる低圧水銀ランプ２と、
前記被処理物３を搭載し、加熱するステージ４とを内蔵
する処理室５と、被処理物３を処理室５に搬入し、処理
後の被処理物３を処理室５から搬出する搬送装置８と、
処理室５中の残存オゾンを排出する排気装Ｉｉｔ６と、
これら全体をコントロールするシステム７とから構威さ
れている。
上述の装置を用いて、前記オゾン発生機に導入する原料
ガスとして、高純度酸素のほかにＣＯを０ ． ５ ｖ
ｏｌｐｐ＋ｍ． Ｃ Ｏ ｘを２ ｖｏｌｐｐａ＋、露
点が−６０℃のＨ ｚ Ｏ を含んだガスを用いたとき
の発生オゾン濃度は１ ０ ３ ｇ ｒ／Ｎｃｊであっ
た。
ガスとして、高純度酸素のほかにＣＯを０ ． ５ ｖ
ｏｌｐｐ＋ｍ． Ｃ Ｏ ｘを２ ｖｏｌｐｐａ＋、露
点が−６０℃のＨ ｚ Ｏ を含んだガスを用いたとき
の発生オゾン濃度は１ ０ ３ ｇ ｒ／Ｎｃｊであっ
た。
これに対して、上記実施例と同じ条件で，Ｍ料ガスの添
加ガス組威にＣＯを０ ． １ ｖｏｌｐｐｍ． Ｃ
Ｏｘを０ ． １ ｖｏｌｐｐｍ ．露点が−８５℃の
Ｈ ｚ Ｏ を含んだガスを用いたときの発生オゾン濃
度は１０ｇｒ／Ｎａ１以下であった。
加ガス組威にＣＯを０ ． １ ｖｏｌｐｐｍ． Ｃ
Ｏｘを０ ． １ ｖｏｌｐｐｍ ．露点が−８５℃の
Ｈ ｚ Ｏ を含んだガスを用いたときの発生オゾン濃
度は１０ｇｒ／Ｎａ１以下であった。
当然のことであるが、上記後者の例のオゾン濃度では、
表面改質処理の性能の一つであるウエハ上のレジスト膜
のアツシング能率が極めて小さく、０．１μｍ／ｗｉｎ
以下であった。これに対し、前者に示した実施例でのア
ッシング能率は１μｍ／ｓｉｎを達成できた。
表面改質処理の性能の一つであるウエハ上のレジスト膜
のアツシング能率が極めて小さく、０．１μｍ／ｗｉｎ
以下であった。これに対し、前者に示した実施例でのア
ッシング能率は１μｍ／ｓｉｎを達成できた。
第１図は本発明の一実施例において用いた表面改質装置
の概略側断面図である。 ｌ・・・オゾン発生機、２・・・高出力低圧水銀ランプ
，３・・・被処理物，４・・・被処理物ステージ、５・
・・処理室、６・・・排気装置、７・・・コントローラ
、８・・・被処理物搬送装置．１０・・・原料ガス供給
手段、１１・・・隔壁、１２・・・ガス導入管。
の概略側断面図である。 ｌ・・・オゾン発生機、２・・・高出力低圧水銀ランプ
，３・・・被処理物，４・・・被処理物ステージ、５・
・・処理室、６・・・排気装置、７・・・コントローラ
、８・・・被処理物搬送装置．１０・・・原料ガス供給
手段、１１・・・隔壁、１２・・・ガス導入管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、オゾン発生手段から供給されたオゾンを分解して高
エネルギーの中性活性酸素原子を生成し、該活性酸素原
子により、有機物をガス化して除去するなどの表面改質
処理を行う方法において、上記オゾン発生手段に供給す
る原料ガスとして、酸素に、Ｈ＿２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ＿２
、Ｎ＿２及び窒素酸化物からなる群の中から選ばれる少
なくとも一考を添加したことを特徴とする表面改質方法
。 ２、前記原料ガスを、純度９９．５％以上の石英ガラス
で覆われた放電空間に導入し、放電エネルギーにより原
料ガスからオゾンを発生せしめることを特徴とする請求
項１記載の表面改質方法。 ３、前記原料ガスの酸素への添加成分の酸素に対する体
積比率が０．０５ｐｐｍから１０ｐｐｍであることを特
徴とする請求項２記載の表面改質方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66490A JPH03205822A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 表面改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66490A JPH03205822A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 表面改質方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205822A true JPH03205822A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11479999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP66490A Pending JPH03205822A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 表面改質方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
| US8075844B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-13 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Ozone generator |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP66490A patent/JPH03205822A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
| US8075844B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-13 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Ozone generator |
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