KR950027986A - 반도체장치의 제조방법과 제조장치 - Google Patents

반도체장치의 제조방법과 제조장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a)HF증기 및 H2O 또는 알코올증기로 기판을 처리하는 공정; (b) 수소함유 가스흐름에 여기에너지를 인가하여 수소함유 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 공정; (c) 플라즈마 보다 더 하류측 위치에서 수소함유가스에 플로오르화질소함유 가스를 첨가하는 공정 및 (d) 상기 플로오르화질소함유 가스 첨가의 위치보다 더 하류측 위치에서 플로오르화질소함유 가스가 첨가된 가스에 상기 공정 (a)을 행한 기판을 노출시키는 공정으로 된 것이 특징인 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체장치 제조방법과 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 수소 플라즈마 다운플로우 처리 시스템의 구조를 나타내는 개략 부분단면도,
제2A, 제2B도는 제1도의 처리 시스템으로 처리된 실리콘칩의 구조를 나타내는 개략 횡단면도,
제3도는 제1도의 처리 시스템의 해석에 사용한 구조를 나타내는 개략 횡단면도.

Claims (17)

  1. (a)HF증기 및 H2O 또는 알코올증기로 기판을 처리하는 공정; (b) 수소함유 가스흐름에 여기에너지를 인가하여 수소함유 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 공정; (c) 수소함유 플라즈마 보다 더 하류측 위치에서 플로오르화질소함유 가스를 첨가하는 공정 및 (d) 상기 플로오르화질소함유 가스 첨가의 위치보다 더 하류측 위치에서 플로오르화질소함유 가스가 첨가된 가스에 상기 공정 (a)을 행한 기판을 노출시키는 공정으로 된 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정(a)후에 산화 분위기에 상기 기판을 노출시키지 않고 상기 공정(d)를 행하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정(b)후에 (el)상기 기판을 80℃이상으로 가열하여 상기 기판상의 반응 생성물을 증발시키는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  4. 제3항에 있어서, 상기 공정(el)을 수소, 질소, 아르곤 및 진공 중의 어느 하나의 분위기에서 행하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  5. 제3항에 있어서, 상기 공정(el)은 상기 기판 표면상의 불소를 제거하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  6. 제1항에 있어서, 이온, 전자 등의 고에너지 입자가 소멸하는 위치보다 더 하류측 위치에서 플루오르화질소 함유 가스를 첨가하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판상에서 처리된 물질은 자연 산화막이고, 수소함유 가스는 수소가스 및 산소함유분자 가스의 혼합가스인 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  8. 제7항에 있어서, 상기 산소함유 분자 가스는 H2O인 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  9. 제7항에 있어서, 여기에너지는 마이크로파인 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  10. 제7항에 있어서, 상기 공정 (b) 및 (c)의 개시는 플라즈마 발생영역에 수소가스를 도입하고, 다음에 플라즈마 발생영역보다 더 하류측 위치에서 플루오르화질소함유 가스를 첨가하고, 다음에 수소가스와 산소함유 분자가스를 혼합하고, 다음에 상기 혼합가스를 플라즈마 발생영역에 공급하는 것을 포함하고 각각 이 순서로 반복하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  11. 제10항에 있어서, 상기 공정 (d) 및 (c)의 종료는 산소함유 분자 가스의 공급을 중단하고, 다음에 플루오르화질소함유 가스, 여기에너지 및 수소가스의 공급을 중단하고 각각 이 순서로 반복하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  12. 제7항에 있어서, (e2)상기 기판을 산소저감처리를 행한 맑은 물에 담그는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  13. 배기가능한 내산처리실; 내산처리실에 HF증기 및 H2O 또는 알코올증기를 공급하는 수단; 플라즈마 발생영역 및 플라즈마 발생영역 하류측에 위치한 첨가 가스 도입영역을 포함하고 배기가능한 가스 유동통로; 가스 유동통로에 수소함유 가스를 공급하는 수단; 가스유동통로의 플라즈마 발생영역에 플라즈마 여기에너지를 인가하는 수단; 가스유동통로의 첨가 가스 도입영역에 플루오르화질소함유 가스를 공급하는 수단; 가스유동통로 하류측위치에 접속되고 또한 배기가능한 다운플로우 처리실; 및 내산처리실과 다운플로우 처리실을 연결시키기 위한 배기가능한 운반통로로 된 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  14. 제13항에 있어서, 상기 가스유동통로는 석영으로 되고, 상기 내산처리실의 내면은 폴리테트라플루오로에틸렌 수지로 피복된 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  15. 제13항에 있어서, 상기 첨가 가스 도입 영역은 이온, 전자 등의 고에너지 입자가 소멸하는 위치보다 더 하류측 위치에 배치되어 있는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  16. 제13항에 있어서, 상기 플라즈마 여기에너지 인가 수단은 마이크로파 공급수단인 것이 특징인 반도체장치 제조방법
  17. 제13항에 있어서, 상기 다운플로우 처리실은 그위에 반도체기판을 놓기 위한 서스셉터와 상기 서스셉터상의 반도체기판을 가열하기 위한 가열수단을 포함하는 것이 특징인 반도체장치 제조방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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