JP5958950B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
そこで、この発明の目的は、パターンの倒壊および残渣の発生を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
また、除去工程は、HFベーパと溶剤ベーパとを別々に基板に供給して、HFベーパと溶剤ベーパとを基板で混合させる工程であってもよいし、混合された状態のHFベーパおよび溶剤ベーパを基板に供給する工程であってもよい。
フッ化水素(HF)を含むHFベーパを二酸化ケイ素(SiO2)に供給すると、「SiO2+HF→H2SiF6+2H2O」の反応が生じ、ヘキサフルオロケイ酸(H2SiF6)と水(H2O)とが形成される。本願発明者の研究によると、HFベーパが供給された後に、水が基板に残っていると、「H2SiF6・8H2O」が副産物として形成され、この副産物が残渣として基板に残留することが分かった。ヘキサフルオロケイ酸は、水がなければ、SiF4とHFとに分解して、昇華してしまう。したがって、二酸化ケイ素のエッチングと並行して、水を除去すれば、残渣の発生を抑制または防止できる。
請求項3記載の発明は、前記除去工程が行われた後に、基板に対する前記HFベーパの供給を停止した状態で、前記溶剤ベーパを前記基板に供給する溶剤ベーパ供給工程(S3)をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法である。
フッ化水素がHFベーパに含まれているので、除去工程においてHFベーパが基板に供給されると、基板上でフッ素(フッ素イオンを含む)が発生する場合がある。この方法によれば、溶剤ベーパの供給によって基板からフッ素を除去することができる。これにより、フッ素の残留量を低減することができる。したがって、基板の清浄度を高めることができる。
この方法によれば、不要物の除去量に応じて溶剤ベーパの割合を増減させることができる。たとえば、不要物の除去量が増加すると、エッチングによって生じる水の量が増加する。したがって、溶剤ベーパの割合を増加させることにより、エッチングによって生じる水を基板上から確実に除去することができる。これにより、残渣の発生を抑制または防止できる。
この方法によれば、除去工程において基板に供給され、基板の近傍を漂うHFベーパおよび溶剤ベーパが除去される。これにより、HFベーパおよび溶剤ベーパが基板に付着して、微細な液滴が基板上で発生することを抑制または防止できる。さらに、基板に付着している微細な液滴を除去できる。このように、基板は、除去工程からベーパ除去工程を通じて、乾燥状態、つまり、パターン間に液体が満たされていない状態に維持される。したがって、パターン間に存在する液体の表面張力によってパターンが倒壊することを抑制または防止できる。
この方法によれば、不要物の種類に応じた水分濃度を有するHFベーパが基板に供給される。不要物の種類によっては、水が存在しない環境下では、エッチングレート(単位時間当たりの除去量)が低い場合がある。したがって、このような不要物を含む基板に対して、水分濃度が高いHFベーパを供給することにより、処理時間を短縮することができる。一方、不要物の種類によっては、エッチングレートが高く、エッチング時における単位時間あたりの水の発生量が多い場合がある。したがって、このような不要物を含む基板に対して、水分濃度の低いHFベーパを供給することにより、基板上の水分量を減少させて、残渣の発生を抑制または防止することができる。
前記制御手段は、フッ酸を前記エッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、リンス液を前記リンス液ノズルから前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、前記リンス工程が行われた後に、前記基板回転手段に前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記ベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、前記除去工程と並行して、前記蒸発手段に前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを実行する。前記ウェットエッチング工程は、前記不要物に含まれる積層された複数の膜のうちの上側の膜を除去する工程を含み、前記除去工程は、前記上側の膜が除去されることより露出した下側の膜を除去する工程を含む。
この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項13記載の発明は、パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理方法であって、フッ化水素の水溶液であるフッ酸を、基板処理装置に備えられたエッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、前記リンス工程が行われた後に、前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを、前記基板処理装置に備えられたベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、前記除去工程と並行して前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを含む、基板処理方法である。
請求項14記載の発明は、前記基板処理方法は、搬送ロボットに前記基板を第1基板保持手段に搬送させる第1搬送工程と、前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第1基板保持手段に保持させる第1保持工程と、前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段から前記第1基板保持手段とは異なる第2基板保持手段に搬送させる第2搬送工程と、前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第2基板保持手段に保持させる第2保持工程とをさらに含み、前記ウェットエッチング工程、リンス工程、および基板乾燥工程は、前記第1保持工程と並行して実行される工程であり、前記除去工程および蒸発工程は、前記第2保持工程と並行して実行される工程である、請求項13に記載の基板処理方法である。
請求項15記載の発明は、パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理装置であって、フッ化水素の水溶液であるフッ酸を前記基板に供給するエッチングノズルと、リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス液ノズルと、前記基板を回転させることにより、前記基板上の液体を除去する基板回転手段と、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記基板に供給するベーパ供給手段と、前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発手段と、制御手段とを含む、基板処理装置である。
前記制御手段は、フッ酸を前記エッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、リンス液を前記リンス液ノズルから前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、前記リンス工程が行われた後に、前記基板回転手段に前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記ベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、前記除去工程と並行して、前記蒸発手段に前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを実行する。
請求項16記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板を保持する第1基板保持手段と、前記第1基板保持手段とは異なるものであり、前記基板を保持する第2基板保持手段と、前記基板を搬送する搬送ロボットとをさらに含む、請求項15に記載の基板処理装置である。
前記制御手段は、前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段に搬送させる第1搬送工程と、前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第1基板保持手段に保持させる第1保持工程と、前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段から前記第2基板保持手段に搬送させる第2搬送工程と、前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第2基板保持手段に保持させる第2保持工程とをさらに実行する。前記ウェットエッチング工程、リンス工程、および基板乾燥工程は、前記第1保持工程と並行して実行される工程であり、前記除去工程および蒸発工程は、前記第2保持工程と並行して実行される工程である。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、インデクサブロック2と、インデクサブロック2に結合された処理ブロック3と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置4(制御手段)とを備えている。
ベーパエッチングユニット7b1、7b2は、フッ酸を密閉状態で貯留するHFベーパ発生容器11(ベーパ供給手段)と、HFベーパ発生容器11を収容するハウジング12とを備えている。HFベーパ発生容器11の下方には、気体を下方に吐出する多数の貫通孔が形成されたパンチングプレート13が設けられている。さらに、パンチングプレート13の下方には、基板Wをパンチングプレート13に対向させた状態で、当該基板Wを水平に保持するホットプレート14(基板保持手段、蒸発手段)が配置されている。ホットプレート14に保持されている基板Wは、ホットプレート14によって加熱される。ホットプレート14は、回転軸15の上端に固定されている。モータ等を含む回転駆動機構16が回転軸15を回転させると、ホットプレート14は、回転軸15と共に鉛直軸線まわりに回転する。これにより、ホットプレート14に保持されている基板Wが、基板Wの中心を通る鉛直軸線まわりに回転する。
センターロボットCRによってホットプレート14上に基板Wが載置された後は、ベローズ17内の雰囲気が窒素ガスに置換される(S1)。具体的には、制御装置4は、ベローズ17が密閉位置(実線で示す位置)に配置されており、排気装置19が駆動されている状態で、第2バルブ31を開く。これにより、第2配管32から流路27に窒素ガスが供給され、この窒素ガスが、パンチングプレート13からベローズ17内に供給される。ベローズ17内の雰囲気は、排気装置19の吸引力によって排気配管18に排出されると共に、ベローズ17内に供給された窒素ガスによって排気配管18に押し出される。これにより、ベローズ17内の雰囲気が窒素ガスに置換される。制御装置4は、ベローズ17内の雰囲気が窒素ガスに置換された後、第2バルブ31を閉じる。
次に、図4に示す第2処理例について説明する。以下では、図1および図4を参照する。
第2処理例では、制御装置4は、センターロボットCRによって基板Wをウェットエッチングユニット7aに搬入させる。その後、フッ酸が基板Wに供給される(S5)。具体的には、制御装置4は、エッチングノズル9からスピンチャック8に保持されている基板Wにフッ酸を供給させて、基板Wをエッチングさせる。続いて、制御装置4は、リンス液ノズル10からスピンチャック8の保持されている基板Wにリンス液を供給させて、基板W上のフッ酸を洗い流す(S6)。そして、制御装置4は、スピンチャック8によって基板Wを高速回転させて、基板Wを乾燥させる(S7)。制御装置4は、基板Wが乾燥した後、センターロボットCRによってウェットエッチングユニット7aから基板Wを搬出させ、この基板Wをベーパエッチングユニット7bに搬入させる。
たとえば、前述の第1処理例および第2処理例では、HFベーパと溶剤ベーパとが基板に同時に供給される場合について説明したが、制御装置4は、HFベーパと溶剤ベーパとを基板に供給する前に、HFベーパおよび溶剤ベーパの一方を予め基板に供給してもよい。たとえば、溶剤ベーパを予め基板に供給してもよい。
また、前述の第1処理例および第2処理例において、制御装置4は、ホットプレート14によって基板の温度を制御することにより、基板で液化するHFベーパおよび溶剤ベーパの量を調整してもよい。たとえば、不要物の除去量が多い場合には、基板の温度を低下させて、基板に供給されるフッ化水素の液滴の量を増加させてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
4 制御装置(制御手段)
7b1 無水系のベーパエッチングユニット(ベーパ供給手段、第1ベーパ供給手段)
7b2 有水系のベーパエッチングユニット(ベーパ供給手段、第2ベーパ供給手段)
11 HFベーパ発生容器(ベーパ供給手段)
14 ホットプレート(基板保持手段、蒸発手段)
19 排気装置(ベーパ除去手段)
25 第1流量コントローラ(比率変更手段)
29 第2N2供給源(ベーパ除去手段)
33 溶剤ベーパ供給原(ベーパ供給手段、溶剤ベーパ供給手段)
35 第3流量コントローラ(比率変更手段)
W 基板
Claims (16)
- パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理方法であって、
フッ化水素の水溶液であるフッ酸を前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、
リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、
前記リンス工程が行われた後に、前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、
前記除去工程と並行して前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを含み、
前記ウェットエッチング工程は、前記不要物に含まれる積層された複数の膜のうちの上側の膜を除去する工程を含み、
前記除去工程は、前記上側の膜が除去されることより露出した下側の膜を除去する工程を含む、基板処理方法。 - 前記溶剤は、水が溶解可能で水よりも沸点が低いフッ素系溶剤、および水が溶解可能で水よりも沸点が低いアルコールの少なくとも一方を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記除去工程が行われた後に、基板に対する前記HFベーパの供給を停止した状態で、前記溶剤ベーパを前記基板に供給する溶剤ベーパ供給工程をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記除去工程は、基板に供給される前記HFベーパと前記溶剤ベーパとの比を変更する比率変更工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記除去工程が行われた後に、前記HFベーパおよび溶剤ベーパに晒されている基板から当該HFベーパおよび溶剤ベーパを除去するベーパ除去工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記除去工程は、前記不要物の種類に応じた水分濃度を有する前記HFベーパと前記溶剤ベーパとを基板に供給する工程である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理装置であって、
フッ化水素の水溶液であるフッ酸を前記基板に供給するエッチングノズルと、
リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス液ノズルと、
前記基板を回転させることにより、前記基板上の液体を除去する基板回転手段と、
フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記基板に供給するベーパ供給手段と、
前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発手段と、
制御手段とを含み、
前記制御手段は、
フッ酸を前記エッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、
リンス液を前記リンス液ノズルから前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、
前記リンス工程が行われた後に、前記基板回転手段に前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記ベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、
前記除去工程と並行して、前記蒸発手段に前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを実行し、
前記ウェットエッチング工程は、前記不要物に含まれる積層された複数の膜のうちの上側の膜を除去する工程を含み、
前記除去工程は、前記上側の膜が除去されることより露出した下側の膜を除去する工程を含む、基板処理装置。 - 前記ベーパ供給手段は、水が溶解可能で水よりも沸点が低いフッ素系溶剤、および水が溶解可能で水よりも沸点が低いアルコールの少なくとも一方を含む前記溶剤ベーパと、前記HFベーパとを前記基板に供給する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記基板に前記溶剤ベーパを供給する溶剤ベーパ供給手段をさらに含み、
前記制御手段は、前記ベーパ供給手段および溶剤ベーパ供給手段を制御することにより、前記除去工程が行われた後に、基板に対する前記HFベーパの供給を停止させた状態で、前記溶剤ベーパを基板に供給させる溶剤ベーパ供給工程をさらに実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置。 - 前記ベーパ供給手段は、基板に供給される前記HFベーパと前記溶剤ベーパとの比を変更する比率変更手段を含み、
前記制御手段は、前記比率変更手段を制御することにより、前記除去工程において基板に供給される前記HFベーパと前記溶剤ベーパとの比を変更する比率変更工程を実行する、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - ベーパを除去するベーパ除去手段をさらに含み、
前記制御手段は、前記ベーパ除去手段を制御することにより、前記除去工程が行われた後に、前記HFベーパおよび溶剤ベーパに晒されている基板から当該HFベーパおよび溶剤ベーパを除去するベーパ除去工程をさらに実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ベーパ供給手段は、フッ化水素を含む第1HFベーパと前記溶剤ベーパとを前記基板に供給する第1ベーパ供給手段と、フッ化水素と水とを含み前記第1HFベーパよりも水分濃度が高い第2HFベーパと前記溶剤ベーパとを前記基板に供給する第2ベーパ供給手段とを含み、
前記制御手段は、前記不要物の種類に応じて前記第1ベーパ供給手段および第2ベーパ供給手段を制御することにより、前記除去工程において、前記第1HFベーパまたは第2HFベーパと前記溶剤ベーパとを基板に供給させる、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理方法であって、
フッ化水素の水溶液であるフッ酸を、基板処理装置に備えられたエッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、
リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、
前記リンス工程が行われた後に、前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを、前記基板処理装置に備えられたベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、
前記除去工程と並行して前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを含む、基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、
搬送ロボットに前記基板を第1基板保持手段に搬送させる第1搬送工程と、
前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第1基板保持手段に保持させる第1保持工程と、
前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段から前記第1基板保持手段とは異なる第2基板保持手段に搬送させる第2搬送工程と、
前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第2基板保持手段に保持させる第2保持工程とをさらに含み、
前記ウェットエッチング工程、リンス工程、および基板乾燥工程は、前記第1保持工程と並行して実行される工程であり、
前記除去工程および蒸発工程は、前記第2保持工程と並行して実行される工程である、請求項13に記載の基板処理方法。 - パターンが形成された基板から不要物をエッチングして前記基板から除去する基板処理装置であって、
フッ化水素の水溶液であるフッ酸を前記基板に供給するエッチングノズルと、
リンス液を前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス液ノズルと、
前記基板を回転させることにより、前記基板上の液体を除去する基板回転手段と、
フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記基板に供給するベーパ供給手段と、
前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発手段と、
制御手段とを含み、
前記制御手段は、
フッ酸を前記エッチングノズルから前記基板に供給することにより、フッ酸の供給前から前記パターンの間に位置する前記不要物をウェットエッチングして除去するウェットエッチング工程と、
リンス液を前記リンス液ノズルから前記基板に供給することにより、前記基板上のフッ酸を洗い流すリンス工程と、
前記リンス工程が行われた後に、前記基板回転手段に前記基板を回転させることにより、前記基板を乾燥させる基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が行われた後に、フッ化水素を含むHFベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを前記ベーパ供給手段から前記基板に供給することにより、前記不要物をエッチングして除去する除去工程と、
前記除去工程と並行して、前記蒸発手段に前記基板上の前記溶剤を蒸発させる蒸発工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
前記基板を保持する第1基板保持手段と、
前記第1基板保持手段とは異なるものであり、前記基板を保持する第2基板保持手段と、
前記基板を搬送する搬送ロボットとをさらに含み、
前記制御手段は、
前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段に搬送させる第1搬送工程と、
前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第1基板保持手段に保持させる第1保持工程と、
前記搬送ロボットに前記基板を前記第1基板保持手段から前記第2基板保持手段に搬送させる第2搬送工程と、
前記搬送ロボットによって搬送された前記基板を前記第2基板保持手段に保持させる第2保持工程とをさらに実行し、
前記ウェットエッチング工程、リンス工程、および基板乾燥工程は、前記第1保持工程と並行して実行される工程であり、
前記除去工程および蒸発工程は、前記第2保持工程と並行して実行される工程である、請求項15に記載の基板処理装置。
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