JP3328416B2 - 半導体装置の製造方法と製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法と製造装置Info
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- JP3328416B2 JP3328416B2 JP04954794A JP4954794A JP3328416B2 JP 3328416 B2 JP3328416 B2 JP 3328416B2 JP 04954794 A JP04954794 A JP 04954794A JP 4954794 A JP4954794 A JP 4954794A JP 3328416 B2 JP3328416 B2 JP 3328416B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技術
に関し、特にシリコン基板表面の自然酸化膜を除去する
のに適した半導体装置の製造技術に関する。
に関し、特にシリコン基板表面の自然酸化膜を除去する
のに適した半導体装置の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】多くの半導体、金属の表面は、空気中で
容易に酸化され、自然酸化膜を生じる。Ｓｉ基板表面に
形成される自然酸化膜は厚さ約２ｎｍ程度（エリプソメ
ータ測定）の不完全なシリコン酸化膜と言われている。
容易に酸化され、自然酸化膜を生じる。Ｓｉ基板表面に
形成される自然酸化膜は厚さ約２ｎｍ程度（エリプソメ
ータ測定）の不完全なシリコン酸化膜と言われている。
【０００３】シリコン酸化膜は絶縁体であり、シリコン
基板内の導電領域に電極を接続する場合、表面に残存し
ていると接触抵抗を増大させる。また、Ｓｉ基板上の自
然酸化膜は、不完全な結晶性を有するシリコン酸化膜で
あり、熱酸化によって形成したシリコン酸化膜と較べる
と膜質が劣る。ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜は、ＭＯＳ
ＦＥＴのスケールダウンと共に薄くなり厚さ１０ｎｍ以
下になろうとしている。たとえば、厚さ５ｎｍのゲート
酸化膜を形成する場合、膜質の悪い厚さ２ｎｍの自然酸
化膜が残っているとゲート酸化膜全体の特性を劣化して
しまう。
基板内の導電領域に電極を接続する場合、表面に残存し
ていると接触抵抗を増大させる。また、Ｓｉ基板上の自
然酸化膜は、不完全な結晶性を有するシリコン酸化膜で
あり、熱酸化によって形成したシリコン酸化膜と較べる
と膜質が劣る。ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜は、ＭＯＳ
ＦＥＴのスケールダウンと共に薄くなり厚さ１０ｎｍ以
下になろうとしている。たとえば、厚さ５ｎｍのゲート
酸化膜を形成する場合、膜質の悪い厚さ２ｎｍの自然酸
化膜が残っているとゲート酸化膜全体の特性を劣化して
しまう。
【０００４】Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する処理方
法とし、希釈弗酸を用いたウエット処理が知られている
（G. S. Higashi et al, J. Appl. Phys. ５６、ｐ６５
６、１９９０）。希釈弗酸中にＳｉ基板を浸漬すると表
面の自然酸化膜は溶解し、Ｓｉ表面が現れる。また、Ｓ
ｉ基板表面のダングリングボンドに水素が結合し、終端
化を行なう。
法とし、希釈弗酸を用いたウエット処理が知られている
（G. S. Higashi et al, J. Appl. Phys. ５６、ｐ６５
６、１９９０）。希釈弗酸中にＳｉ基板を浸漬すると表
面の自然酸化膜は溶解し、Ｓｉ表面が現れる。また、Ｓ
ｉ基板表面のダングリングボンドに水素が結合し、終端
化を行なう。
【０００５】しかしながら、希釈弗酸を用いた自然酸化
膜除去は、（１１１）面のＳｉ基板に対しては安定な表
面を形成するが、（１００）面の基板に対しては安定性
が低い。また、希釈弗酸を用いるウエット処理は、直接
ドライプロセスと結合することが困難である。ウエット
処理後のＳｉ基板をドライプロセス装置に搬送する際
に、Ｓｉ基板表面が再び酸化される危険性がある。
膜除去は、（１１１）面のＳｉ基板に対しては安定な表
面を形成するが、（１００）面の基板に対しては安定性
が低い。また、希釈弗酸を用いるウエット処理は、直接
ドライプロセスと結合することが困難である。ウエット
処理後のＳｉ基板をドライプロセス装置に搬送する際
に、Ｓｉ基板表面が再び酸化される危険性がある。
【０００６】Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する他の処
理方法として、水素プラズマを用いたドライ処理が知ら
れている（A. Kishimoto et al, Jpn. Appl. Phys.，２
９、ｐ２２７３、１９９０）。ドライ処理によってＳｉ
基板上の自然酸化膜を除去できるため、ドライプロセス
との結合性がよいが、プラズマ中にＳｉ基板を曝すた
め、イオンや電子等の高エネルギ粒子の衝突により、Ｓ
ｉ基板表面にダメージを与える恐れがある。
理方法として、水素プラズマを用いたドライ処理が知ら
れている（A. Kishimoto et al, Jpn. Appl. Phys.，２
９、ｐ２２７３、１９９０）。ドライ処理によってＳｉ
基板上の自然酸化膜を除去できるため、ドライプロセス
との結合性がよいが、プラズマ中にＳｉ基板を曝すた
め、イオンや電子等の高エネルギ粒子の衝突により、Ｓ
ｉ基板表面にダメージを与える恐れがある。
【０００７】さらに、Ｓｉ基板表面の自然酸化膜を除去
する他の処理方法として、水素原子（ラジカル）を用い
たドライ処理方法が知られている（T. Takahagi et a
l., J.Appl. Phys., ６８、ｐ２１８７、１９９０）。
水素原子（水素ラジカル）を用いたドライ処理によれ
ば、シリコン基板表面にダメージを与える恐れが少な
い。しかしながら、この方法による処理速度は遅く、上
記報告によればシリコン基板表面の自然酸化膜除去に時
間オーダーの処理時間が必要である。
する他の処理方法として、水素原子（ラジカル）を用い
たドライ処理方法が知られている（T. Takahagi et a
l., J.Appl. Phys., ６８、ｐ２１８７、１９９０）。
水素原子（水素ラジカル）を用いたドライ処理によれ
ば、シリコン基板表面にダメージを与える恐れが少な
い。しかしながら、この方法による処理速度は遅く、上
記報告によればシリコン基板表面の自然酸化膜除去に時
間オーダーの処理時間が必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
半導体装置の製造プロセスにおいて、必要に応じ半導体
基板表面の自然酸化膜を効率的に除去することは必ずし
も容易ではない。
半導体装置の製造プロセスにおいて、必要に応じ半導体
基板表面の自然酸化膜を効率的に除去することは必ずし
も容易ではない。
【０００９】本発明の目的は、半導体基板表面の自然酸
化膜を効率的に除去することができる半導体装置の製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は、半導
体基板表面の自然酸化膜を効率的に除去することのでき
る半導体装置の製造装置を提供することである。
化膜を効率的に除去することができる半導体装置の製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は、半導
体基板表面の自然酸化膜を効率的に除去することのでき
る半導体装置の製造装置を提供することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、ドライプロセ
スを用いて、半導体基板表面にダメージを与えることな
く、半導体基板表面の自然酸化膜を容易に除去すること
のできる半導体装置の製造技術を提供することである。
スを用いて、半導体基板表面にダメージを与えることな
く、半導体基板表面の自然酸化膜を容易に除去すること
のできる半導体装置の製造技術を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、（ｘ）ＨＦ蒸気およびＨ2 Ｏまたはアルコー
ルの蒸気で基板を処理する工程と、（ａ）水素含有ガス
の流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、
（ｂ）プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化
窒素含有ガスを添加する工程と、（ｃ）弗化窒素含有ガ
スを添加されたガスの流れ下流で前記（ｘ）工程後の基
板をガスに曝して処理する工程とを含む。
造方法は、（ｘ）ＨＦ蒸気およびＨ2 Ｏまたはアルコー
ルの蒸気で基板を処理する工程と、（ａ）水素含有ガス
の流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、
（ｂ）プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化
窒素含有ガスを添加する工程と、（ｃ）弗化窒素含有ガ
スを添加されたガスの流れ下流で前記（ｘ）工程後の基
板をガスに曝して処理する工程とを含む。
【００１２】本発明の半導体装置の製造装置は、排気可
能な耐酸性処理室と、前記耐酸性処理室内へＨＦ蒸気お
よびＨ2 Ｏまたはアルコールの蒸気を供給する手段と、
プラズマ発生領域とその下流に配置された添加ガス導入
領域を含み、排気可能なガス流路と、前記ガス流路に水
素含有ガスを供給する手段と、前記ガス流路のプラズマ
発生領域にプラズマ励起エネルギを供給する手段と、前
記ガス流路の添加ガス導入領域に弗化窒素含有ガスを導
入する手段と、前記ガス流路下流に接続された排気可能
なダウンフロー処理室と、前記耐酸性処理室と前記ダウ
ンフロー処理室とを連絡する排気可能な搬送路とを含ん
でなり、前記添加ガス導入領域は、前記プラズマ発生領
域で発生し、前記ガス流路を流れる高エネルギ粒子（イ
オン、電子）が消滅する位置より下流に配置されるよう
に構成する。
能な耐酸性処理室と、前記耐酸性処理室内へＨＦ蒸気お
よびＨ2 Ｏまたはアルコールの蒸気を供給する手段と、
プラズマ発生領域とその下流に配置された添加ガス導入
領域を含み、排気可能なガス流路と、前記ガス流路に水
素含有ガスを供給する手段と、前記ガス流路のプラズマ
発生領域にプラズマ励起エネルギを供給する手段と、前
記ガス流路の添加ガス導入領域に弗化窒素含有ガスを導
入する手段と、前記ガス流路下流に接続された排気可能
なダウンフロー処理室と、前記耐酸性処理室と前記ダウ
ンフロー処理室とを連絡する排気可能な搬送路とを含ん
でなり、前記添加ガス導入領域は、前記プラズマ発生領
域で発生し、前記ガス流路を流れる高エネルギ粒子（イ
オン、電子）が消滅する位置より下流に配置されるよう
に構成する。
【００１３】
【作用】ＨＦ蒸気およびＨ2 Ｏまたはアルコールの蒸気
を用いることにより、自然酸化膜は効率的に除去でき
る。
を用いることにより、自然酸化膜は効率的に除去でき
る。
【００１４】水素含有ガスをプラズマ化することによ
り、水素イオンと共に水素ラジカルを発生させることが
できる。プラズマの発生する領域下流で、弗化窒素含有
ガスを添加することにより、水素ラジカルを増量できる
ことが分かった。このような水素ラジカルを含むガスで
半導体基板を処理することにより、基板表面のＨＦ処理
残留物を効率的に除去することができる。
り、水素イオンと共に水素ラジカルを発生させることが
できる。プラズマの発生する領域下流で、弗化窒素含有
ガスを添加することにより、水素ラジカルを増量できる
ことが分かった。このような水素ラジカルを含むガスで
半導体基板を処理することにより、基板表面のＨＦ処理
残留物を効率的に除去することができる。
【００１５】
【実施例】図１は、予備実験に用いた水素プラズマダウ
ンフロー処理装置の構成を示す。この予備実験は、水素
ラジカルによるシリコン基板上の自然酸化膜除去の効果
を確認するために行なったものであり、簡単に構成され
ている。
ンフロー処理装置の構成を示す。この予備実験は、水素
ラジカルによるシリコン基板上の自然酸化膜除去の効果
を確認するために行なったものであり、簡単に構成され
ている。
【００１６】内径約９ｍｍの石英管１の両端には水素＋
水蒸気導入手段２と排気手段３が接続されている。水素
＋水蒸気導入手段２は、水素配管２１に接続されたマス
フローコントローラ２２、その下流に接続されたバルブ
２３、混合点までの配管２４および水蒸気配管２６に接
続されたマスフローコントローラ２７、その下流に接続
されたバルブ２８、混合点までの配管２９、および混合
点から混合ガスを継手２０に供給する配管２５を含んで
いる。マスフローコントローラ２２、２７を調整するこ
とにより、所望比に混合したＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスを継
手２０に供給することができる。
水蒸気導入手段２と排気手段３が接続されている。水素
＋水蒸気導入手段２は、水素配管２１に接続されたマス
フローコントローラ２２、その下流に接続されたバルブ
２３、混合点までの配管２４および水蒸気配管２６に接
続されたマスフローコントローラ２７、その下流に接続
されたバルブ２８、混合点までの配管２９、および混合
点から混合ガスを継手２０に供給する配管２５を含んで
いる。マスフローコントローラ２２、２７を調整するこ
とにより、所望比に混合したＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスを継
手２０に供給することができる。
【００１７】排気系３は、石英管１に接続された継手３
０、配管３１、バルブ３２、ロータリーポンプ３３を含
む。バルブ３２を調整して石英管１内を排気することに
より、石英管１内部を所望の真空度に排気することがで
きる。石英管１の下流端近傍にはキャパシタンスマノメ
ータ１４が接続され、石英管１内の真空度を測定するこ
とができる。
０、配管３１、バルブ３２、ロータリーポンプ３３を含
む。バルブ３２を調整して石英管１内を排気することに
より、石英管１内部を所望の真空度に排気することがで
きる。石英管１の下流端近傍にはキャパシタンスマノメ
ータ１４が接続され、石英管１内の真空度を測定するこ
とができる。
【００１８】ガス励起手段４は、マイクロ波源４１、マ
イクロ波源からマイクロ波を供給するための導波手段４
２、マイクロ波キャビティ４３を含む。導波手段４２
は、同軸ケーブルで構成したが、装置のスケールが大き
くなった時は導波管を用いればよい。マイクロ波キャビ
ティ４３は、２つの部分に分離でき、石英管１を包んで
マイクロ波キャビティを形成する。このマイクロ波キャ
ビティ４３で包まれた石英管１内の領域がプラズマ発生
領域４４となる。
イクロ波源からマイクロ波を供給するための導波手段４
２、マイクロ波キャビティ４３を含む。導波手段４２
は、同軸ケーブルで構成したが、装置のスケールが大き
くなった時は導波管を用いればよい。マイクロ波キャビ
ティ４３は、２つの部分に分離でき、石英管１を包んで
マイクロ波キャビティを形成する。このマイクロ波キャ
ビティ４３で包まれた石英管１内の領域がプラズマ発生
領域４４となる。
【００１９】マイクロ波キャビティ４３の下流約２０ｃ
ｍの位置に、添加ガス導入手段６が接続されている。添
加ガス導入手段６は、ＮＦ3 配管６１に接続されたマス
フローコントローラ６２、その下流に接続されたバルブ
６３、バルブ下流の配管６４、継手６５および石英管１
内に接続する接続石英管６６を含む。マスフローコント
ローラ６２を制御することにより、所望流量のＮＦ3 ガ
スを添加することができる。
ｍの位置に、添加ガス導入手段６が接続されている。添
加ガス導入手段６は、ＮＦ3 配管６１に接続されたマス
フローコントローラ６２、その下流に接続されたバルブ
６３、バルブ下流の配管６４、継手６５および石英管１
内に接続する接続石英管６６を含む。マスフローコント
ローラ６２を制御することにより、所望流量のＮＦ3 ガ
スを添加することができる。
【００２０】図においては、添加ガス導入手段６に近接
して示しているが、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃ
ｍの位置に、自然酸化膜１０を有するシリコンチップ９
を配置する処理部７を形成した。処理部７の周囲には、
ヒータ１２を配置し、加熱温度を熱電対１８で測定す
る。ヒータ１２は電源１６から制御された電流を供給さ
れる。
して示しているが、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃ
ｍの位置に、自然酸化膜１０を有するシリコンチップ９
を配置する処理部７を形成した。処理部７の周囲には、
ヒータ１２を配置し、加熱温度を熱電対１８で測定す
る。ヒータ１２は電源１６から制御された電流を供給さ
れる。
【００２１】まず、添加ガス導入手段６をプラズマ発生
部４４下流約２０ｃｍの位置に設けた理由について説明
する。ガス導入手段２からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、
マイクロ波キャビティ４３からマイクロ波を照射してプ
ラズマ発生領域４４においてプラズマを発生させると、
そのプラズマはガス流に乗って下流に流れる。プラズマ
中には、高エネルギ状態の水素イオンや水素ラジカルが
存在する。これらの高エネルギ粒子が添加する弗化窒素
ガスと反応し、弗素ラジカルを生じる危険がある。高エ
ネルギ粒子（イオン、電子）はプラズマ発生領域から２
０ｃｍ下流ではほぼ完全に消滅していると考えることが
できる。
部４４下流約２０ｃｍの位置に設けた理由について説明
する。ガス導入手段２からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、
マイクロ波キャビティ４３からマイクロ波を照射してプ
ラズマ発生領域４４においてプラズマを発生させると、
そのプラズマはガス流に乗って下流に流れる。プラズマ
中には、高エネルギ状態の水素イオンや水素ラジカルが
存在する。これらの高エネルギ粒子が添加する弗化窒素
ガスと反応し、弗素ラジカルを生じる危険がある。高エ
ネルギ粒子（イオン、電子）はプラズマ発生領域から２
０ｃｍ下流ではほぼ完全に消滅していると考えることが
できる。
【００２２】Ｈ2 ＋Ｈ2 Ｏガスに加え、ＮＦ3 ガスを添
加している。プラズマが発生もしくは残存している領域
に、ＮＦ3 ガスを導入すると、その結果は思わしくなか
った。そこで、添加ガス導入手段６は、プラズマが消滅
したプラズマ発生領域４４下流２０ｃｍの位置に接続し
た。
加している。プラズマが発生もしくは残存している領域
に、ＮＦ3 ガスを導入すると、その結果は思わしくなか
った。そこで、添加ガス導入手段６は、プラズマが消滅
したプラズマ発生領域４４下流２０ｃｍの位置に接続し
た。
【００２３】Ｈ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスをプラズマ化し、そ
の高エネルギ粒子が消滅した領域でＮＦ3 ガスを導入す
ると、シリコンチップ上の自然酸化膜除去に有効である
ことが実験的に確かめられた。また、添加ガス導入手段
６の下流どの位置にシリコンチップを配置するのが効果
的かを図３に示すような構成で調べた。
の高エネルギ粒子が消滅した領域でＮＦ3 ガスを導入す
ると、シリコンチップ上の自然酸化膜除去に有効である
ことが実験的に確かめられた。また、添加ガス導入手段
６の下流どの位置にシリコンチップを配置するのが効果
的かを図３に示すような構成で調べた。
【００２４】すなわち、添加ガス導入手段６下流側にＥ
ＳＲ測定装置１１を配置し、水素ラジカルを検出した。
添加ガス導入手段６とＥＳＲ測定装置１１の距離を約４
０ｃｍ、約６０ｃｍ、約８０ｃｍと変化させた時、距離
が長くなる程水素ラジカルの検出濃度が上昇した。この
結果は、プラズマ化された後の水素ガス（またはその誘
導体）とＮＦ3 ガスとがなんらかの形で反応し、水素ラ
ジカルを増加させるものと考えられる。この化学反応に
よる反応生成物が、シリコンチップ９上の自然酸化膜１
０エッチングに有効であることが分かった。
ＳＲ測定装置１１を配置し、水素ラジカルを検出した。
添加ガス導入手段６とＥＳＲ測定装置１１の距離を約４
０ｃｍ、約６０ｃｍ、約８０ｃｍと変化させた時、距離
が長くなる程水素ラジカルの検出濃度が上昇した。この
結果は、プラズマ化された後の水素ガス（またはその誘
導体）とＮＦ3 ガスとがなんらかの形で反応し、水素ラ
ジカルを増加させるものと考えられる。この化学反応に
よる反応生成物が、シリコンチップ９上の自然酸化膜１
０エッチングに有効であることが分かった。
【００２５】そこで、反応をある程度十分に行なわせる
ため、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処
理部７を配置した。なお、ガス導入手段から水素ガスの
みでなく水蒸気も導入する理由は、以下の通りである。
水素ガスのみを導入し、水素ガスをプラズマ化した場
合、プラズマ中の水素ラジカルは石英管１下流に向かう
に従って急速に減少した。そこで、水素ガスに水蒸気を
混合すると、水素ラジカルの減少速度は著しく弱まっ
た。水蒸気を導入すると、石英管１内壁上に水蒸気の膜
が形成され、この水蒸気膜が水素ラジカルの反応を緩和
するものと考えられる。従って、プラズマで発生した水
素イオン、電子をできるだけ消滅させ水素ラジカルをで
きるだけ多く下流側に運ぶため、導入するガスはＨ2 ＋
Ｈ2 Ｏとし、添加ガス導入手段６はプラズマ発生領域か
ら約２０ｃｍ下流側に配置した。
ため、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処
理部７を配置した。なお、ガス導入手段から水素ガスの
みでなく水蒸気も導入する理由は、以下の通りである。
水素ガスのみを導入し、水素ガスをプラズマ化した場
合、プラズマ中の水素ラジカルは石英管１下流に向かう
に従って急速に減少した。そこで、水素ガスに水蒸気を
混合すると、水素ラジカルの減少速度は著しく弱まっ
た。水蒸気を導入すると、石英管１内壁上に水蒸気の膜
が形成され、この水蒸気膜が水素ラジカルの反応を緩和
するものと考えられる。従って、プラズマで発生した水
素イオン、電子をできるだけ消滅させ水素ラジカルをで
きるだけ多く下流側に運ぶため、導入するガスはＨ2 ＋
Ｈ2 Ｏとし、添加ガス導入手段６はプラズマ発生領域か
ら約２０ｃｍ下流側に配置した。
【００２６】このような構成により、ガス導入手段２か
らＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、プラズマ発生領域４４で
マイクロ波プラズマを発生させ、添加ガス導入手段６よ
りＮＦ3 ガスを導入し、シリコンチップ９上の自然酸化
膜１０を除去した。自然酸化膜１０は実用的な速度でエ
ッチすることができた。
らＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、プラズマ発生領域４４で
マイクロ波プラズマを発生させ、添加ガス導入手段６よ
りＮＦ3 ガスを導入し、シリコンチップ９上の自然酸化
膜１０を除去した。自然酸化膜１０は実用的な速度でエ
ッチすることができた。
【００２７】この自然酸化膜除去装置は、ドライ処理で
あるため、他のドライ処理装置との結合が容易となる。
たとえば、化学気相堆積（ＣＶＤ）装置やスパッタ装置
などの成膜装置の準備プロセスとして用いることができ
る。
あるため、他のドライ処理装置との結合が容易となる。
たとえば、化学気相堆積（ＣＶＤ）装置やスパッタ装置
などの成膜装置の準備プロセスとして用いることができ
る。
【００２８】なお、上述の実験においては、水素ガスに
水蒸気を混合したが、プラズマ発生領域でＨ2 Ｏを生成
できればよく、少なくとも１原子以上の酸素原子を含む
分子を代わりに用いてもよい。
水蒸気を混合したが、プラズマ発生領域でＨ2 Ｏを生成
できればよく、少なくとも１原子以上の酸素原子を含む
分子を代わりに用いてもよい。
【００２９】また、チャンバを構成する石英管は、酸化
硅素を含む他の材料の管であってもよい。なお、自然酸
化膜を除去したシリコンチップ表面にはダングリングボ
ンドが露出する。好ましくは、このダングリングボンド
を水素等で終端化すべきである。以下、表面を水素で終
端化できるプロセスを説明する。
硅素を含む他の材料の管であってもよい。なお、自然酸
化膜を除去したシリコンチップ表面にはダングリングボ
ンドが露出する。好ましくは、このダングリングボンド
を水素等で終端化すべきである。以下、表面を水素で終
端化できるプロセスを説明する。
【００３０】図１に示す水素プラズマダウンフロー処理
装置を用い、サンプルとして図２に示すように、表面に
厚さ約１．３ｎｍの自然酸化膜１０が形成されているシ
リコンチップ９を用いた。なお、従来技術との比較を容
易にするため、シリコンチップ９は（１１１）面を有す
るものとした。
装置を用い、サンプルとして図２に示すように、表面に
厚さ約１．３ｎｍの自然酸化膜１０が形成されているシ
リコンチップ９を用いた。なお、従来技術との比較を容
易にするため、シリコンチップ９は（１１１）面を有す
るものとした。
【００３１】シリコンチップ９を図１に示す処理装置の
処理部７に置く。その後排気手段３からチャンバ１内を
排気する。続いてチャンバ１内を排気しつつ流量８０ｓ
ｃｃｍの水素ガスをガス導入手段２からチャンバ１内に
導入する。
処理部７に置く。その後排気手段３からチャンバ１内を
排気する。続いてチャンバ１内を排気しつつ流量８０ｓ
ｃｃｍの水素ガスをガス導入手段２からチャンバ１内に
導入する。
【００３２】次に、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を２０Ｗ程度マイクロ波キャビティ４３からプラズマ発
生領域４４内に導入する。これにより、プラズマ発生領
域４４内において水素ガスが放電し、水素イオン、電
子、水素ラジカルが発生する。この時、プラズマ状態の
ガスはプラズマ発生領域４４近傍にのみ存在し、添加ガ
ス導入手段６の位置にまでは到達しない。水素ラジカル
は、水素ガスの流れに乗って、添加ガス導入手段６の位
置まで到達する。
を２０Ｗ程度マイクロ波キャビティ４３からプラズマ発
生領域４４内に導入する。これにより、プラズマ発生領
域４４内において水素ガスが放電し、水素イオン、電
子、水素ラジカルが発生する。この時、プラズマ状態の
ガスはプラズマ発生領域４４近傍にのみ存在し、添加ガ
ス導入手段６の位置にまでは到達しない。水素ラジカル
は、水素ガスの流れに乗って、添加ガス導入手段６の位
置まで到達する。
【００３３】添加ガス導入手段６からＮＦ3 ガスを９０
ｓｃｃｍの流量でチャンバ１内に導入する。水素ラジカ
ルを含む水素ガスとＮＦ3 ガスが混合され、反応が生じ
る。その後、ガス導入手段２から流量２０ｓｃｃｍの水
蒸気を追加的に供給し、水素プラズマにＨ2 Ｏを添加す
る。なお、この時チャンバ１内の圧力は約３Ｔｏｒｒと
なるように調整する。
ｓｃｃｍの流量でチャンバ１内に導入する。水素ラジカ
ルを含む水素ガスとＮＦ3 ガスが混合され、反応が生じ
る。その後、ガス導入手段２から流量２０ｓｃｃｍの水
蒸気を追加的に供給し、水素プラズマにＨ2 Ｏを添加す
る。なお、この時チャンバ１内の圧力は約３Ｔｏｒｒと
なるように調整する。
【００３４】Ｈ2 Ｏが添加されない場合には、プラズマ
発生領域から下流に流れる活性化ガス中の水素ラジカル
は、石英管１管壁での再結合により多くは水素分子に変
換される。Ｈ2 Ｏを添加すると、水素ラジカルの減少は
かなり抑えられ、無視できない量の水素ラジカルが添加
ガス導入手段６の位置まで到達する。また、水素ラジカ
ルを含む活性化ガスとＮＦ3 ガスは、石英管１内を流れ
るに従って何らかの反応を生じさせる。
発生領域から下流に流れる活性化ガス中の水素ラジカル
は、石英管１管壁での再結合により多くは水素分子に変
換される。Ｈ2 Ｏを添加すると、水素ラジカルの減少は
かなり抑えられ、無視できない量の水素ラジカルが添加
ガス導入手段６の位置まで到達する。また、水素ラジカ
ルを含む活性化ガスとＮＦ3 ガスは、石英管１内を流れ
るに従って何らかの反応を生じさせる。
【００３５】この状態を１５分間保持すると、図２
（Ｂ）に示すように、シリコンチップ９表面の自然酸化
膜１０が除去され、シリコンチップ９の表面のダングリ
ングボンドに水素が結合し、水素終端化処理が行なわれ
る。
（Ｂ）に示すように、シリコンチップ９表面の自然酸化
膜１０が除去され、シリコンチップ９の表面のダングリ
ングボンドに水素が結合し、水素終端化処理が行なわれ
る。
【００３６】なお、自然酸化膜の有無は、シリコン基板
の表面が親水性か疎水性かによって判断した。親水性の
場合自然酸化膜１０が残っており、疎水性に変化すれば
自然酸化膜は除去されていると判断した。
の表面が親水性か疎水性かによって判断した。親水性の
場合自然酸化膜１０が残っており、疎水性に変化すれば
自然酸化膜は除去されていると判断した。
【００３７】自然酸化膜除去工程を終了する際は、水蒸
気、ＮＦ3 の順序でガスの供給を停止した。その後マイ
クロ波の供給を停止してプラズマ発生を停止し、次に水
素ガスの導入を停止した。
気、ＮＦ3 の順序でガスの供給を停止した。その後マイ
クロ波の供給を停止してプラズマ発生を停止し、次に水
素ガスの導入を停止した。
【００３８】水素ラジカルにより自然酸化膜を除去する
場合、従来技術によれば時間オーダーの処理時間が必要
であったが、上述の処理によれば、１５分以下と分オー
ダーの処理により自然酸化膜を除去することができる。
場合、従来技術によれば時間オーダーの処理時間が必要
であったが、上述の処理によれば、１５分以下と分オー
ダーの処理により自然酸化膜を除去することができる。
【００３９】また、プラズマ発生領域で発生したプラズ
マがほとんど消滅した領域より下流でＮＦ3 ガスを添加
し、さらに下流でシリコンチップを処理しているため、
ラジカルによる化学反応が支配的となり、高エネルギ粒
子によるシリコンチップのダメージが低減する。また、
シリコンチップ表面は水素で終端化されていると考えら
れ、処理後の表面が化学的に安定になる。
マがほとんど消滅した領域より下流でＮＦ3 ガスを添加
し、さらに下流でシリコンチップを処理しているため、
ラジカルによる化学反応が支配的となり、高エネルギ粒
子によるシリコンチップのダメージが低減する。また、
シリコンチップ表面は水素で終端化されていると考えら
れ、処理後の表面が化学的に安定になる。
【００４０】なお、処理の手順としては、上述のように
水素ガス導入、プラズマ発生、ＮＦ 3 ガス導入、Ｈ2 Ｏ
ガス導入の順で処理を開始し、逆の順序で終了させるこ
とが好ましい。たとえば、水蒸気の停止を最後にする
と、シリコンチップ表面に水蒸気による酸化膜が成長す
る恐れが生じる。
水素ガス導入、プラズマ発生、ＮＦ 3 ガス導入、Ｈ2 Ｏ
ガス導入の順で処理を開始し、逆の順序で終了させるこ
とが好ましい。たとえば、水蒸気の停止を最後にする
と、シリコンチップ表面に水蒸気による酸化膜が成長す
る恐れが生じる。
【００４１】ＮＦ3 ガスを添加しないとどのようなエッ
チングが行なわれるかを調べた。ＮＦ3 ガスを添加しな
いこと以外は上述の実施例と同様の条件およびプロセス
でシリコンチップを処理した。６０分間以上処理を行な
っても自然酸化膜を完全に除去することはできなかっ
た。図４（Ａ）に示すのようなサンプルが図４（Ｂ）に
示すような状態に変化したが依然として自然酸化膜１０
ａが残っているものと考えられる。
チングが行なわれるかを調べた。ＮＦ3 ガスを添加しな
いこと以外は上述の実施例と同様の条件およびプロセス
でシリコンチップを処理した。６０分間以上処理を行な
っても自然酸化膜を完全に除去することはできなかっ
た。図４（Ａ）に示すのようなサンプルが図４（Ｂ）に
示すような状態に変化したが依然として自然酸化膜１０
ａが残っているものと考えられる。
【００４２】また、ＮＦ3 ガスをプラズマ発生領域から
導入した場合には、上述のような自然酸化膜の効率的除
去は行えなかった。この原因を調べるため、図３に示す
ような装置を用い、処理部７での水素ラジカルの量を調
べた。上述同様の手順で活性化ガスを流した場合、図５
（Ａ）に示すようなスペクトルが得られた。なお、横軸
は磁場の強さをガウスで示し、縦軸は任意単位の信号強
度を示す。
導入した場合には、上述のような自然酸化膜の効率的除
去は行えなかった。この原因を調べるため、図３に示す
ような装置を用い、処理部７での水素ラジカルの量を調
べた。上述同様の手順で活性化ガスを流した場合、図５
（Ａ）に示すようなスペクトルが得られた。なお、横軸
は磁場の強さをガウスで示し、縦軸は任意単位の信号強
度を示す。
【００４３】ＮＦ3 ガスを添加しない比較例の場合、他
の条件を同一とした場合、図５（Ｂ）に示す結果が得ら
れた。横軸、縦軸は図５（Ａ）と同様である。これらの
実験結果において、上下のピークの差が水素原子の量に
近似的に比例すると考えられる。
の条件を同一とした場合、図５（Ｂ）に示す結果が得ら
れた。横軸、縦軸は図５（Ａ）と同様である。これらの
実験結果において、上下のピークの差が水素原子の量に
近似的に比例すると考えられる。
【００４４】実験結果によれば、上述の処理の方が比較
例の場合よりも水素原子の量が多くなっていることが分
かる。これは、ＮＦ3 ガスを添加すると、その過程は明
確ではないが、水素ラジカルを増量する反応が生じてい
るものと考えられる。このＮＦ3 ガスと水素ガス（水素
ラジカルを含む）の反応により、自然酸化膜の除去反応
が促進されていると考えられる。
例の場合よりも水素原子の量が多くなっていることが分
かる。これは、ＮＦ3 ガスを添加すると、その過程は明
確ではないが、水素ラジカルを増量する反応が生じてい
るものと考えられる。このＮＦ3 ガスと水素ガス（水素
ラジカルを含む）の反応により、自然酸化膜の除去反応
が促進されていると考えられる。
【００４５】ところで、上述の処理により、シリコンチ
ップにダメージを与えず、短時間で自然酸化膜を除去で
きたが、自然酸化膜除去後のシリコンチップ表面には反
応生成物が存在する場合がある。
ップにダメージを与えず、短時間で自然酸化膜を除去で
きたが、自然酸化膜除去後のシリコンチップ表面には反
応生成物が存在する場合がある。
【００４６】図６（Ａ）は、シリコンチップ表面の反応
生成物のフーリエ変換赤外線スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）
である。なお、測定は減衰全反射法（ＡＴＲ）によって
行った。図６（Ａ）において、横軸は波数（ｃｍ-1）を
示し、縦軸は吸収強度を示す。図６（Ａ）に示すよう
に、赤外線吸収スペクトルは３２００〜３６００ｃｍ-1
の波数領域で吸収ピークを示している。この吸収ピーク
はシリコンの吸収ではなくシリコンチップ表面に残留す
る反応生成物を表している。
生成物のフーリエ変換赤外線スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）
である。なお、測定は減衰全反射法（ＡＴＲ）によって
行った。図６（Ａ）において、横軸は波数（ｃｍ-1）を
示し、縦軸は吸収強度を示す。図６（Ａ）に示すよう
に、赤外線吸収スペクトルは３２００〜３６００ｃｍ-1
の波数領域で吸収ピークを示している。この吸収ピーク
はシリコンの吸収ではなくシリコンチップ表面に残留す
る反応生成物を表している。
【００４７】この反応生成物は約１２時間程度放置して
おくと自然に消滅する。しかし、自然酸化膜除去後のシ
リコンチップを１２時間程度放置しておくことは、作業
のスループットの面から好ましくなく、かつ放置中にシ
リコンチップ表面が再び酸化する可能性もある。そこ
で、反応生成物を短時間に除去することが望まれる。
おくと自然に消滅する。しかし、自然酸化膜除去後のシ
リコンチップを１２時間程度放置しておくことは、作業
のスループットの面から好ましくなく、かつ放置中にシ
リコンチップ表面が再び酸化する可能性もある。そこ
で、反応生成物を短時間に除去することが望まれる。
【００４８】反応生成物の除去方法としては、たとえは
加熱、洗浄がある。図１に示す水素プラズマダウンフロ
ー処理装置は、処理部７の周囲にヒータ１２が配置され
ている。電源１６から制御された電力を供給することに
より、ヒータ１２を加熱し、シリコンチップ９を所望温
度に加熱することができる。自然酸化膜除去後のシリコ
ンチップ９を、種々の温度で加熱し、表面の反応生成物
の存在／不存在を調べた。その結果、８０℃以上の加熱
を行えば、反応生成物を除去できることが判った。量産
性を考慮すると１００℃以上の温度に加熱することが好
ましい。
加熱、洗浄がある。図１に示す水素プラズマダウンフロ
ー処理装置は、処理部７の周囲にヒータ１２が配置され
ている。電源１６から制御された電力を供給することに
より、ヒータ１２を加熱し、シリコンチップ９を所望温
度に加熱することができる。自然酸化膜除去後のシリコ
ンチップ９を、種々の温度で加熱し、表面の反応生成物
の存在／不存在を調べた。その結果、８０℃以上の加熱
を行えば、反応生成物を除去できることが判った。量産
性を考慮すると１００℃以上の温度に加熱することが好
ましい。
【００４９】自然酸化膜除去後のシリコンチップを、温
度１００℃で３分程度加熱した場合のシリコンチップの
ＦＴ−ＩＲのスペクトルを図６（Ｂ）に示す。図６
（Ａ）と比較すると、３３５０ｃｍ-1付近をピークとす
る吸収スペクトルがほぼ完全に消滅していることが判
る。約１００℃以上の加熱により、短時間で反応生成物
が除去される。このため反応生成物を除去しても自然酸
化膜除去のプロセスのスループットが低減することは防
止され、清浄なシリコン基板表面を得ることができる。
度１００℃で３分程度加熱した場合のシリコンチップの
ＦＴ−ＩＲのスペクトルを図６（Ｂ）に示す。図６
（Ａ）と比較すると、３３５０ｃｍ-1付近をピークとす
る吸収スペクトルがほぼ完全に消滅していることが判
る。約１００℃以上の加熱により、短時間で反応生成物
が除去される。このため反応生成物を除去しても自然酸
化膜除去のプロセスのスループットが低減することは防
止され、清浄なシリコン基板表面を得ることができる。
【００５０】なお、加熱後のシリコン基板表面のＦＴ−
ＩＲスペクトルのより詳細を観察したところ、図７
（Ａ）に示すような吸収構造が発見された。なお、図７
（Ａ）の縦軸の吸収強度は、図６の縦軸の吸収強度の１
／５０であることに注意されたい。
ＩＲスペクトルのより詳細を観察したところ、図７
（Ａ）に示すような吸収構造が発見された。なお、図７
（Ａ）の縦軸の吸収強度は、図６の縦軸の吸収強度の１
／５０であることに注意されたい。
【００５１】図７（Ａ）に示すように、２０５０〜２１
５０ｃｍ-1の波長範囲に、３つの赤外線吸収スペクトル
が存在する。これらのピークは、左側からＳｉ−Ｈ3 、
Ｓｉ−Ｈ2 、Ｓｉ−Ｈの結合を表している。すなわち、
加熱処理後のシリコンチップ表面においては、シリコン
のダングリングボンドが水素によって終端化（ターミネ
ート）されているものと考えられる。
５０ｃｍ-1の波長範囲に、３つの赤外線吸収スペクトル
が存在する。これらのピークは、左側からＳｉ−Ｈ3 、
Ｓｉ−Ｈ2 、Ｓｉ−Ｈの結合を表している。すなわち、
加熱処理後のシリコンチップ表面においては、シリコン
のダングリングボンドが水素によって終端化（ターミネ
ート）されているものと考えられる。
【００５２】以上説明した反応生成物除去の加熱処理に
おいては、シリコンチップを水素雰囲気中に配置してい
る。しかしながら、シリコン表面に悪影響を与えない窒
素、アルゴンなどのガスを水素の代わりに用いることも
できる。また、雰囲気を高真空としてもよい。
おいては、シリコンチップを水素雰囲気中に配置してい
る。しかしながら、シリコン表面に悪影響を与えない窒
素、アルゴンなどのガスを水素の代わりに用いることも
できる。また、雰囲気を高真空としてもよい。
【００５３】シリコン表面に付着した反応生成物は水洗
によっても除去することができる。上述の手順により、
シリコンチップ表面上の自然酸化膜を除去した後、シリ
コンチップ９を処理装置外に取り出し、図８に示すよう
な水洗漕１３内で容存酸素量を低減した純水中でリンス
した。溶存酸素量は、たとえば８０ｐｐｂ以下である。
たとえば約２分間の水洗を行うことにより、シリコンチ
ップ９表面の反応生成物は除去される。
によっても除去することができる。上述の手順により、
シリコンチップ表面上の自然酸化膜を除去した後、シリ
コンチップ９を処理装置外に取り出し、図８に示すよう
な水洗漕１３内で容存酸素量を低減した純水中でリンス
した。溶存酸素量は、たとえば８０ｐｐｂ以下である。
たとえば約２分間の水洗を行うことにより、シリコンチ
ップ９表面の反応生成物は除去される。
【００５４】なお、水洗時間を長くし過ぎると、シリコ
ンチップ表面が再び酸化される恐れがある。このため水
洗は３０分以内にすることが好ましい。また、溶存酸素
低減処理を行った純水を用いることが好ましい。通常の
純水は、約１ｐｐｍの溶存酸素量を含む。実用的には、
１ＭＤＲＡＭの処理においては、溶存酸素量を５０〜１
００ｐｐｂとすることが好ましく、４ＭＤＲＡＭの処理
においては、溶存酸素量を２０〜５０ｐｐｂとすること
が好ましい。
ンチップ表面が再び酸化される恐れがある。このため水
洗は３０分以内にすることが好ましい。また、溶存酸素
低減処理を行った純水を用いることが好ましい。通常の
純水は、約１ｐｐｍの溶存酸素量を含む。実用的には、
１ＭＤＲＡＭの処理においては、溶存酸素量を５０〜１
００ｐｐｂとすることが好ましく、４ＭＤＲＡＭの処理
においては、溶存酸素量を２０〜５０ｐｐｂとすること
が好ましい。
【００５５】このような水洗処理を終わったシリコンチ
ップ表面を、ＡＴＲ赤外線分光法により観察した。図６
（Ｂ）示すスペクトル同様、反応生成物の吸収ピークは
消滅した。さらに細かい吸収構造を調べた結果、図７
（Ｂ）に示すようなスペクトルが得られたことが分かっ
た。
ップ表面を、ＡＴＲ赤外線分光法により観察した。図６
（Ｂ）示すスペクトル同様、反応生成物の吸収ピークは
消滅した。さらに細かい吸収構造を調べた結果、図７
（Ｂ）に示すようなスペクトルが得られたことが分かっ
た。
【００５６】図７（Ｂ）においては、横軸は図７（Ａ）
同様の波数（ｃｍ-1）を示し、縦軸は吸収強度を示す。
しかしながら、縦軸のスケールは、図７（Ａ）よりは大
きくなっている。
同様の波数（ｃｍ-1）を示し、縦軸は吸収強度を示す。
しかしながら、縦軸のスケールは、図７（Ａ）よりは大
きくなっている。
【００５７】図７（Ｂ）に示すように、波数２０５０〜
２１００ｃｍ-1の範囲でＳｉ−Ｈの結合を示す１つのピ
ークが示されている。図７（Ａ）の加熱後のスペクトル
においては３つのピークが現れるのに対し、水洗後には
１つのピークが現れることが判る。この原因は、加熱の
場合にはシリコンチップ表面に原子層オーダーの凹凸が
存在し、様々な面が現れるためであると考えられる。こ
れに対し、水洗後のシリコンチップ表面は均一な（１１
１）面であると考えられる。
２１００ｃｍ-1の範囲でＳｉ−Ｈの結合を示す１つのピ
ークが示されている。図７（Ａ）の加熱後のスペクトル
においては３つのピークが現れるのに対し、水洗後には
１つのピークが現れることが判る。この原因は、加熱の
場合にはシリコンチップ表面に原子層オーダーの凹凸が
存在し、様々な面が現れるためであると考えられる。こ
れに対し、水洗後のシリコンチップ表面は均一な（１１
１）面であると考えられる。
【００５８】溶存酸素量の少ない純水による水洗を２分
程度行えば、反応生成物が効率的に除去されることが判
った。この工程を用いても、自然酸化膜の除去のプロセ
ス全体の時間はさほど長くはならない。但し、水洗はウ
エットプロセスであるため、他のドライプロセスと結合
する時には多少の不便が発生する。
程度行えば、反応生成物が効率的に除去されることが判
った。この工程を用いても、自然酸化膜の除去のプロセ
ス全体の時間はさほど長くはならない。但し、水洗はウ
エットプロセスであるため、他のドライプロセスと結合
する時には多少の不便が発生する。
【００５９】図７（Ａ）、（Ｂ）のスペクトルから、反
応生成物を除去したシリコンチップ表面は、水素で終端
化されていると考えられる。また、シリコンチップ表面
に酸化膜が存在すれば、波数２２５０ｃｍ-1に強い吸収
ピークが現れると考えられるが、加熱処理後のシリコン
チップ表面にはほとんどこのピークは見いだせず、酸化
膜はほとんど存在していないと考えられる。
応生成物を除去したシリコンチップ表面は、水素で終端
化されていると考えられる。また、シリコンチップ表面
に酸化膜が存在すれば、波数２２５０ｃｍ-1に強い吸収
ピークが現れると考えられるが、加熱処理後のシリコン
チップ表面にはほとんどこのピークは見いだせず、酸化
膜はほとんど存在していないと考えられる。
【００６０】水洗後のシリコンチップ表面のスペクトル
においては、２２５０ｃｍ-1に若干吸収ピークが観察さ
れるが、高さはさほど高くなく、わずかの酸化膜が形成
されるが、その量は無視できる程度と考えられる。
においては、２２５０ｃｍ-1に若干吸収ピークが観察さ
れるが、高さはさほど高くなく、わずかの酸化膜が形成
されるが、その量は無視できる程度と考えられる。
【００６１】ところで、酸化シリコン膜はＨＦで除去可
能なことはよく知られている。図９は、ＨＦによるシリ
コン酸化膜除去を用いた処理装置を示す。図９（Ａ）
は、テフロン製容器１０１内にＨＦ溶液１０２を収容
し、その上方にテフロン治具１０３を配置し、ＨＦ溶液
１０２上方約２０ｍｍの位置にウエハ１０４を保持する
処理装置を示す。ＨＦ溶液１０２としては、たとえば、
１０Ｖ％ＨＦ水溶液を用いることができる。なお、ＨＦ
水溶液の代わりにＨＦのアルコール溶液を用いてもよ
い。アルコールとしては、ＣＨ3 ＯＨ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ、
Ｃ3 Ｈ7 ＯＨを用いることができる。アルコールと水の
混合溶媒を用いてもよい。
能なことはよく知られている。図９は、ＨＦによるシリ
コン酸化膜除去を用いた処理装置を示す。図９（Ａ）
は、テフロン製容器１０１内にＨＦ溶液１０２を収容
し、その上方にテフロン治具１０３を配置し、ＨＦ溶液
１０２上方約２０ｍｍの位置にウエハ１０４を保持する
処理装置を示す。ＨＦ溶液１０２としては、たとえば、
１０Ｖ％ＨＦ水溶液を用いることができる。なお、ＨＦ
水溶液の代わりにＨＦのアルコール溶液を用いてもよ
い。アルコールとしては、ＣＨ3 ＯＨ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ、
Ｃ3 Ｈ7 ＯＨを用いることができる。アルコールと水の
混合溶媒を用いてもよい。
【００６２】１０Ｖ％ＨＦ溶液を用いた場合、硫酸＋過
酸化水素水中にて形成した１．３ｎｍの自然酸化膜を約
３分間で除去する。溶液を用いず、純ドライプロセスで
ＨＦを用いることもできる。図９（Ｂ）は、ＨＦベーパ
を用いた処理装置を示す。テフロン製の気密容器１０５
内には、テフロン製の治具１０６が配置され、その上に
シリコンウエハ１０４を載置する。容器１０５上方か
ら、ＨＦ、Ｈ2 Ｏ、Ｎ2 の混合ガスを流し、下方から排
気する。このようにＨＦベーパーを適宜他のガスと混合
して供給することにより、ウエハ１０４上の自然酸化膜
を容易に除去することができる。
酸化水素水中にて形成した１．３ｎｍの自然酸化膜を約
３分間で除去する。溶液を用いず、純ドライプロセスで
ＨＦを用いることもできる。図９（Ｂ）は、ＨＦベーパ
を用いた処理装置を示す。テフロン製の気密容器１０５
内には、テフロン製の治具１０６が配置され、その上に
シリコンウエハ１０４を載置する。容器１０５上方か
ら、ＨＦ、Ｈ2 Ｏ、Ｎ2 の混合ガスを流し、下方から排
気する。このようにＨＦベーパーを適宜他のガスと混合
して供給することにより、ウエハ１０４上の自然酸化膜
を容易に除去することができる。
【００６３】このように、ＨＦベーパーを用いてシリコ
ンウエハ上の自然酸化膜を除去した後、図９（Ｃ）に示
すダウンフロー処理装置にウエハ１０４を搬入する。図
９（Ｃ）に示すダウンフロー処理チェンバは、図１に示
す処理装置と原理的には同等であるが、本実施例では反
応残留物除去に用いられ、その構成は大量生産に合わせ
若干修正してある。
ンウエハ上の自然酸化膜を除去した後、図９（Ｃ）に示
すダウンフロー処理装置にウエハ１０４を搬入する。図
９（Ｃ）に示すダウンフロー処理チェンバは、図１に示
す処理装置と原理的には同等であるが、本実施例では反
応残留物除去に用いられ、その構成は大量生産に合わせ
若干修正してある。
【００６４】石英管１の周囲に、マイクロ波キャビティ
４４が配置され、その内部の石英管１内にマイクロ波を
供給する。石英管１上方からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ蒸気を供給す
ると、マイクロ波キャビティ４４に囲まれた領域でプラ
ズマが発生する。プラズマ発生領域の下方には、プラズ
マが到達しない位置に添加ガス供給用石英管６６が石英
管１に接続されている。
４４が配置され、その内部の石英管１内にマイクロ波を
供給する。石英管１上方からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ蒸気を供給す
ると、マイクロ波キャビティ４４に囲まれた領域でプラ
ズマが発生する。プラズマ発生領域の下方には、プラズ
マが到達しない位置に添加ガス供給用石英管６６が石英
管１に接続されている。
【００６５】添加ガス供給管６６からＮＦ3 ガスが供給
される。石英管１のさらに下方には、ダウンフロー処理
チェンバ１１０が接続されている。ダウンフロー処理チ
ェンバの下方には、加熱可能なサセプタ１１２が配置さ
れ、石英管１から供給される活性化ガスをその表面に受
ける。なお、ダウンフロー処理チェンバ１１２には排気
手段１１３が接続されている。
される。石英管１のさらに下方には、ダウンフロー処理
チェンバ１１０が接続されている。ダウンフロー処理チ
ェンバの下方には、加熱可能なサセプタ１１２が配置さ
れ、石英管１から供給される活性化ガスをその表面に受
ける。なお、ダウンフロー処理チェンバ１１２には排気
手段１１３が接続されている。
【００６６】本実施例においては、ＨＦベーパーによっ
て自然酸化膜を除去したシリコンウエハ１０４がダウン
フロー処理チェンバ１１０内のサセプタ１１２上に載置
される。自然酸化膜はＨＦベーパーにより除去され、ウ
エハ表面には弗素や他の反応生成物が若干残留してい
る。
て自然酸化膜を除去したシリコンウエハ１０４がダウン
フロー処理チェンバ１１０内のサセプタ１１２上に載置
される。自然酸化膜はＨＦベーパーにより除去され、ウ
エハ表面には弗素や他の反応生成物が若干残留してい
る。
【００６７】水素８０ｓｃｃｍを流し、圧力を５Ｔｏｒ
ｒとする。次に、マイクロ波キャビティ４４に２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を約５０Ｗ供給し、プラズマ発生領
域でプラズマ放電を発生させる。次に、ＮＦ3 ガスをプ
ラズマの下流約２０ｃｍのところから９０ｓｃｃｍ添加
する。その後、Ｈ2 Ｏ蒸気を２０ｓｃｃｍ水素プラズマ
に添加する。この時管内の圧力は５Ｔｏｒｒとする。こ
の状態で約５分間の処理を行う。その後、まず水蒸気
（Ｈ2 Ｏ）を停止し、次にＮＨ3 を停止し、次に放電を
停止する。その後、水素のみを１００ｓｃｃｍ流し、１
Ｔｏｒｒの状態でウエハ１０４を１００℃に加熱し３分
間保つ。
ｒとする。次に、マイクロ波キャビティ４４に２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を約５０Ｗ供給し、プラズマ発生領
域でプラズマ放電を発生させる。次に、ＮＦ3 ガスをプ
ラズマの下流約２０ｃｍのところから９０ｓｃｃｍ添加
する。その後、Ｈ2 Ｏ蒸気を２０ｓｃｃｍ水素プラズマ
に添加する。この時管内の圧力は５Ｔｏｒｒとする。こ
の状態で約５分間の処理を行う。その後、まず水蒸気
（Ｈ2 Ｏ）を停止し、次にＮＨ3 を停止し、次に放電を
停止する。その後、水素のみを１００ｓｃｃｍ流し、１
Ｔｏｒｒの状態でウエハ１０４を１００℃に加熱し３分
間保つ。
【００６８】このダウンフロー処理により、シリコンウ
エハ表面に残留する反応生成物を効率的に除去すること
ができる。なお、ウエハ表面に自然酸化膜が若干残存も
しくは再生していても、前述の処理で説明したようにこ
のダウンフロー処理により除去することが可能である。
エハ表面に残留する反応生成物を効率的に除去すること
ができる。なお、ウエハ表面に自然酸化膜が若干残存も
しくは再生していても、前述の処理で説明したようにこ
のダウンフロー処理により除去することが可能である。
【００６９】図９（Ａ）、（Ｂ）に示すＨＦ処理後のシ
リコン表面と、図９（Ｃ）に示す水素ラジカル処理後の
シリコン表面のそれぞれについて、ＸＰＳ測定を行ない
弗素を観察したところ、図９（Ｃ）の水素ラジカル処理
後のシリコン表面では弗素が減少していた。
リコン表面と、図９（Ｃ）に示す水素ラジカル処理後の
シリコン表面のそれぞれについて、ＸＰＳ測定を行ない
弗素を観察したところ、図９（Ｃ）の水素ラジカル処理
後のシリコン表面では弗素が減少していた。
【００７０】図１０は、より大量生産に適したＨＦベー
パー利用装置の構成例を示す。ＨＦベーパー処理チェン
バ１０５内には、治具１０６が設けられ、その上にシリ
コンウエハ１０４を載置することができる。なお、ＨＦ
ベーパー処理チェンバ１０５内の表面は、全てテフロン
コートされている。もちろん全構成材をテフロンとして
もよい。ＨＦベーパー処理チェンバ１０５には、マスフ
ローコントローラＭＦＣ、バルブＶを介し、Ｈ2 Ｏ、Ｈ
Ｆ、Ｈ2 ガスが所望量供給される。
パー利用装置の構成例を示す。ＨＦベーパー処理チェン
バ１０５内には、治具１０６が設けられ、その上にシリ
コンウエハ１０４を載置することができる。なお、ＨＦ
ベーパー処理チェンバ１０５内の表面は、全てテフロン
コートされている。もちろん全構成材をテフロンとして
もよい。ＨＦベーパー処理チェンバ１０５には、マスフ
ローコントローラＭＦＣ、バルブＶを介し、Ｈ2 Ｏ、Ｈ
Ｆ、Ｈ2 ガスが所望量供給される。
【００７１】また、ＨＦベーパー処理チェンバ１０５に
は、バルブＶを介してロータリーポンプＲＰが接続さ
れ、内部を排気することができる。ＨＦベーパー処理チ
ェンバ１０５は、ゲートバルブＧＶ１を介して、ロード
ロックチェンバ１２０に接続されている。
は、バルブＶを介してロータリーポンプＲＰが接続さ
れ、内部を排気することができる。ＨＦベーパー処理チ
ェンバ１０５は、ゲートバルブＧＶ１を介して、ロード
ロックチェンバ１２０に接続されている。
【００７２】ロードロックチェンバ１２０内には、水平
方向、垂直方法に可動のウエハハンドリングロボット１
２２が配置され、ウエハをＨＦベーパー処理チェンバ１
０５から取り出し、隣のダウンフロー処理チェンバ１３
０に搬送することができる。ダウンフロー処理チェンバ
１３０は、ロードロックチェンバ１２０とゲートバルブ
ＧＶ２によって接続されている。
方向、垂直方法に可動のウエハハンドリングロボット１
２２が配置され、ウエハをＨＦベーパー処理チェンバ１
０５から取り出し、隣のダウンフロー処理チェンバ１３
０に搬送することができる。ダウンフロー処理チェンバ
１３０は、ロードロックチェンバ１２０とゲートバルブ
ＧＶ２によって接続されている。
【００７３】ダウンフロー処理チェンバ１３０内には、
加熱ステージ１３１が配置され、その上にシリコンウエ
ハ１０４を載置することができる。加熱ステージ１３１
上方にはプラズマ発生室１３３が形成され、メッシュを
介して接続されている。マイクロ波発生室１３３は、石
英窓１３５を介して導波管１３７に接続されている。導
波管１３７は、マイクロ波を伝達し、プラズマ発生室１
３３に供給する。ダウンフロー処理チェンバの上方から
は、ＮＦ3 ガスがマスフローコントローラＭＦＣとバル
ブＶを介して供給される。
加熱ステージ１３１が配置され、その上にシリコンウエ
ハ１０４を載置することができる。加熱ステージ１３１
上方にはプラズマ発生室１３３が形成され、メッシュを
介して接続されている。マイクロ波発生室１３３は、石
英窓１３５を介して導波管１３７に接続されている。導
波管１３７は、マイクロ波を伝達し、プラズマ発生室１
３３に供給する。ダウンフロー処理チェンバの上方から
は、ＮＦ3 ガスがマスフローコントローラＭＦＣとバル
ブＶを介して供給される。
【００７４】また、プラズマ発生室１３３には、Ｈ2 ガ
スとＨ2 Ｏガスが同様にマスフローコントローラＭＦＣ
とバルブＶを介して供給される。また、ダウンフロー処
理チェンバ１３０下方には、バルブＶを介して排気装置
としてターボ分子ポンプＴＭＰ、ロータリーポンプＲＰ
が接続されている。このような構成によれば、ロードロ
ックチェンバ１２０からウエハ１０４を先ずＨＦベーパ
ー処理チェンバ１２０５に搬入し、ＨＦベーパー処理に
よって自然酸化膜を除去する。自然酸化膜除去後のウエ
ハ１０４は、再びロードロックチェンバ内のウエハハン
ドリングロボット１２２により搬送し、ダウンフロー処
理チェンバ１３０に搬入する。
スとＨ2 Ｏガスが同様にマスフローコントローラＭＦＣ
とバルブＶを介して供給される。また、ダウンフロー処
理チェンバ１３０下方には、バルブＶを介して排気装置
としてターボ分子ポンプＴＭＰ、ロータリーポンプＲＰ
が接続されている。このような構成によれば、ロードロ
ックチェンバ１２０からウエハ１０４を先ずＨＦベーパ
ー処理チェンバ１２０５に搬入し、ＨＦベーパー処理に
よって自然酸化膜を除去する。自然酸化膜除去後のウエ
ハ１０４は、再びロードロックチェンバ内のウエハハン
ドリングロボット１２２により搬送し、ダウンフロー処
理チェンバ１３０に搬入する。
【００７５】ダウンフロー処理チェンバでは、Ｈ2 ＋Ｏ
2 プラズマとＮＦ3 添加ガスとの相乗効果によるドライ
処理を行ない、ウエハ表面に付着する弗素等の反応残留
物を除去する。除去後のウエハは、加熱ステージ１３１
により加熱され、さらに反応生成物を蒸発させる。その
後、ウエハ１０４は再びロードロックチェンバ１２０内
に回収される。
2 プラズマとＮＦ3 添加ガスとの相乗効果によるドライ
処理を行ない、ウエハ表面に付着する弗素等の反応残留
物を除去する。除去後のウエハは、加熱ステージ１３１
により加熱され、さらに反応生成物を蒸発させる。その
後、ウエハ１０４は再びロードロックチェンバ１２０内
に回収される。
【００７６】図１１は、上述の処理装置を成膜装置と組
み合わせた構成を示す。ロードロックチェンバ１２０に
は、ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２、ＧＶ３を介してＨＦ
ベーパー処理チェンバ１０５、ダウンフロー処理チェン
バ１３０、成膜チェンバ１４０が接続されている。
み合わせた構成を示す。ロードロックチェンバ１２０に
は、ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２、ＧＶ３を介してＨＦ
ベーパー処理チェンバ１０５、ダウンフロー処理チェン
バ１３０、成膜チェンバ１４０が接続されている。
【００７７】ウエハ１０４は、まずロードロックチェン
バに搬入され、ＨＦベーパー処理チェンバで自然酸化膜
を除去し、ダウンフロー処理チェンバ１３０で表面の残
留物を除去した後、成膜チェンバ１４０に送られてその
表面上に膜を形成する。このようにして清浄なシリコン
表面上に成膜を行うことができる。
バに搬入され、ＨＦベーパー処理チェンバで自然酸化膜
を除去し、ダウンフロー処理チェンバ１３０で表面の残
留物を除去した後、成膜チェンバ１４０に送られてその
表面上に膜を形成する。このようにして清浄なシリコン
表面上に成膜を行うことができる。
【００７８】なお、ＨＦベーパー処理と水素ラジカル処
理を組み合わせた構成を示したが、水素ラジカル処理
（ＮＦ3 添加）のみを用いて、シリコンウエハ表面上の
自然酸化膜を除去することもできる。
理を組み合わせた構成を示したが、水素ラジカル処理
（ＮＦ3 添加）のみを用いて、シリコンウエハ表面上の
自然酸化膜を除去することもできる。
【００７９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００８０】
【発明の効果】自然酸化膜除去をＨＦベーパー処理によ
って行うことができる。その後、水蒸気を添加した水素
プラズマの下流にＮＦ3 を添加し、さらに下流において
半導体基板を配置することにより、表面の反応残留物を
効率的に除去することができる。また、自然酸化膜除去
後の半導体表面を水素で終端化処理することもできる。
このような処理を行うことにより、清浄な表面を得るこ
とができる。
って行うことができる。その後、水蒸気を添加した水素
プラズマの下流にＮＦ3 を添加し、さらに下流において
半導体基板を配置することにより、表面の反応残留物を
効率的に除去することができる。また、自然酸化膜除去
後の半導体表面を水素で終端化処理することもできる。
このような処理を行うことにより、清浄な表面を得るこ
とができる。
【図１】水素プラズマダウンフロー処理装置の構成を示
す一部破断側面図である。
す一部破断側面図である。
【図２】図１に示す処理装置で処理したシリコンチップ
の構成を概略的に示す断面図である。
の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図１に示す装置の解析を行うのに用いた構成を
示す概略側面図である。
示す概略側面図である。
【図４】比較例によるシリコンチップの処理を説明する
ための概略断面図である。
ための概略断面図である。
【図５】図１に示す装置による処理と、比較例による処
理とを比較して説明するためのグラフである。
理とを比較して説明するためのグラフである。
【図６】自然酸化膜除去後のシリコン表面上の残留物
と、さらに処理を行ったシリコン表面のＦＴ−ＩＲスペ
クトルを示すグラフである。
と、さらに処理を行ったシリコン表面のＦＴ−ＩＲスペ
クトルを示すグラフである。
【図７】自然酸化膜除去後の処理による半導体表面のＦ
Ｔ−ＩＲスペクトルを示すグラフである。
Ｔ−ＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図８】自然酸化膜除去後の処理の１例を示す概略断面
図である。
図である。
【図９】ＨＦベーパー処理を用いたシリコンウエハ処理
装置の構成を示す概略断面図である。
装置の構成を示す概略断面図である。
【図１０】大量生産に適したシリコンウエハ表面処理装
置の概略断面図である。
置の概略断面図である。
【図１１】シリコンウエハ表面処理装置と成膜装置を組
み合わせた生産装置の構成例を示す概略ブロック図であ
る。
み合わせた生産装置の構成例を示す概略ブロック図であ
る。
１ 石英管 ２ ガス導入手段 ３ 排気手段 ４ ガス励起手段 ６ 添加ガス導入手段 ７ 処理部 ９ シリコンチップ １０ 自然酸化膜 １２ ヒータ １４ キャパシタンスマノメータ １６ 電源 １８ 熱電対 ４４ マイクロ波キャビティ ６６ 添加ガス供給用石英管 １０１ ＨＦ溶液容器 １０３ テフロン治具 １０５ 気密容器 １０６ 治具 １１０ ダウンフロー処理チェンバ １１２ サセプタ １１３ 排気手段 １２０ ロードロックチェンバ １３０ ダウンフロー処理チェンバ １３１ 加熱ステージ １３３ プラズマ発生室
Claims (16)
- 【請求項１】 （ｘ）ＨＦ蒸気およびＨ2 Ｏまたはアル
コールの蒸気で基板を処理する工程と、 （ａ）水素含有ガスの流れに励起エネルギを与え、プラ
ズマ化する工程と、 （ｂ）プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化
窒素含有ガスを添加する工程と、 （ｃ）弗化窒素含有ガスを添加されたガスの流れ下流で
前記（ｘ）工程後の基板をガスに曝して処理する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記（ｘ）工程の後、基板を酸化性雰囲
気に曝すことなく前記（ｃ）工程を行なう請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 さらに、前記（ｃ）工程の後、（ｄ1)前
記基板を１００℃以上に加熱し、表面の反応生成物を蒸
発させる工程を含む請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記（ｄ１）工程は水素、窒素、アルゴ
ン、真空のいずれかの雰囲気中で行なう請求項３記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記（ｄ１）工程は基板表面の弗素を除
去する請求項３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記弗化窒素ガスは、高エネルギ粒子
（イオン、電子）が消滅する位置より下流で添加される
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記（ｃ）工程の被処理物はシリコンの
自然酸化膜であり、前記水素含有ガスは水素ガスと酸素
を含む分子のガスとを含む混合ガスである請求項６記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記酸素を含む分子はＨ2 Ｏである請求
項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記励起エネルギはマイクロ波である請
求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記（ａ）工程および（ｂ）工程の開
始は、所定のプラズマ発生領域に水素ガスを導入し、次
にプラズマ発生領域より下流で弗化窒素ガスを添加し、
次に水素ガスに酸素を含む分子のガスを混入し、プラズ
マ発生領域に供給することを含む請求項７記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記（ｃ）工程および（ｂ）工程の終
了は、酸素を含む分子のガスの供給を停止し、次に弗化
窒素含有ガス、励起エネルギ、水素ガスを停止させるこ
とを含む請求項１０記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 さらに、前記（ｃ）工程の後、（ｄ
２）前記基板を酸素低減処理を行なった純水中に浸漬す
る工程を含む請求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 排気可能な耐酸性処理室と、 前記耐酸性処理室内へＨＦ蒸気およびＨ2 Ｏまたはアル
コールの蒸気を供給する手段と、 プラズマ発生領域とその下流に配置された添加ガス導入
領域を含み、排気可能なガス流路と、 前記ガス流路に水素含有ガスを供給する手段と、 前記ガス流路のプラズマ発生領域にプラズマ励起エネル
ギを供給する手段と、 前記ガス流路の添加ガス導入領域に弗化窒素含有ガスを
導入する手段と、 前記ガス流路下流に接続された排気可能なダウンフロー
処理室と、 前記耐酸性処理室と前記ダウンフロー処理室とを連絡す
る排気可能な搬送路とを含んでなり、 前記添加ガス導入領域は、前記プラズマ発生領域で発生
し、前記ガス流路を流れる高エネルギ粒子（イオン、電
子）が消滅する位置より下流に配置されている 半導体装
置の製造装置。 - 【請求項１４】 前記ガス流路は石英管で形成され、前
記耐酸性処理室内面はテフロン樹脂で覆われている請求
項１３記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１５】 前記プラズマ励起エネルギ供給手段が
マイクロ波を供給する手段である請求項１３乃至１４の
いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１６】 前記ダウンフロー処理室が半導体基板
を載置するサセプタを含み、さらにサセプタ上の半導体
基板を加熱できる加熱手段を含む請求項１３乃至１５の
いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04954794A JP3328416B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
| KR1019950005335A KR0157139B1 (ko) | 1994-03-18 | 1995-03-15 | 반도체장치의 제조방법과 제조장치 |
| US08/404,735 US5620559A (en) | 1994-03-18 | 1995-03-15 | Hydrogen radical processing |
| FR9503114A FR2717503B1 (fr) | 1994-03-18 | 1995-03-17 | Procédé et appareil de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur pour retirer un film d'oxyde naturel sur la surface d'un substrat semi-conducteur. |
| GB9505459A GB2287826B (en) | 1994-03-18 | 1995-03-17 | Hydrogen radical processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04954794A JP3328416B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263416A JPH07263416A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3328416B2 true JP3328416B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=12834229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04954794A Expired - Lifetime JP3328416B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5620559A (ja) |
| JP (1) | JP3328416B2 (ja) |
| KR (1) | KR0157139B1 (ja) |
| FR (1) | FR2717503B1 (ja) |
| GB (1) | GB2287826B (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3533583B2 (ja) * | 1994-07-25 | 2004-05-31 | 富士通株式会社 | 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法 |
| JPH08176823A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Sony Corp | 高融点金属薄膜の成膜方法 |
| JPH0967138A (ja) * | 1995-06-22 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | 半導体製造用石英及びその製造装置並びに製造方法 |
| KR100232664B1 (ko) * | 1995-07-31 | 1999-12-01 | 니시무로 타이죠 | 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 |
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| JPH10321610A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-12-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10326771A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Fujitsu Ltd | 水素プラズマダウンストリーム処理装置及び水素プラズマダウンストリーム処理方法 |
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