JPH0590239A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
洗浄方法及び洗浄装置Info
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- JPH0590239A JPH0590239A JP25125791A JP25125791A JPH0590239A JP H0590239 A JPH0590239 A JP H0590239A JP 25125791 A JP25125791 A JP 25125791A JP 25125791 A JP25125791 A JP 25125791A JP H0590239 A JPH0590239 A JP H0590239A
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- Japan
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- cleaned
- hydrogen fluoride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式と乾式の洗浄を連続して行う洗浄方法及
び湿式と乾式の洗浄を連続して行うことが可能な洗浄装
置に関し、シリコン酸化膜の形成状態に無関係に一定の
エッチングレートでエッチングを行うことができ、この
工程以前に半導体基板に付着したパーティクルや汚染物
質を除去することが可能となる洗浄方法及び洗浄装置の
提供を目的とする。 【構成】 薬液を用いて被洗浄物を洗浄する湿式の薬液
洗浄工程１と、水を用いてこの被洗浄物を洗浄する水洗
工程２と、高速で回転するターンテーブル上にこの被洗
浄物を搭載して乾燥するスピン乾燥工程３と、弗化水素
の蒸気中でこの被洗浄物を洗浄する乾式の弗化水素蒸気
洗浄工程４とからなる処理工程によりこの被洗浄物を処
理するように構成する。
び湿式と乾式の洗浄を連続して行うことが可能な洗浄装
置に関し、シリコン酸化膜の形成状態に無関係に一定の
エッチングレートでエッチングを行うことができ、この
工程以前に半導体基板に付着したパーティクルや汚染物
質を除去することが可能となる洗浄方法及び洗浄装置の
提供を目的とする。 【構成】 薬液を用いて被洗浄物を洗浄する湿式の薬液
洗浄工程１と、水を用いてこの被洗浄物を洗浄する水洗
工程２と、高速で回転するターンテーブル上にこの被洗
浄物を搭載して乾燥するスピン乾燥工程３と、弗化水素
の蒸気中でこの被洗浄物を洗浄する乾式の弗化水素蒸気
洗浄工程４とからなる処理工程によりこの被洗浄物を処
理するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、湿式と乾式の洗浄を連
続して行う洗浄方法及び湿式と乾式の洗浄を連続して行
うことが可能な洗浄装置に関するものである。
続して行う洗浄方法及び湿式と乾式の洗浄を連続して行
うことが可能な洗浄装置に関するものである。
【０００２】半導体装置の高集積化に伴う微細化に対応
し、塵埃の付着が非常に少ない乾式の弗化水素蒸気洗浄
が半導体基板の洗浄に広く用いられるようになっている
が、この弗化水素蒸気洗浄工程以前に半導体基板に付着
したパーティクルや汚染物質を除去することができな
い。
し、塵埃の付着が非常に少ない乾式の弗化水素蒸気洗浄
が半導体基板の洗浄に広く用いられるようになっている
が、この弗化水素蒸気洗浄工程以前に半導体基板に付着
したパーティクルや汚染物質を除去することができな
い。
【０００３】以上のような状況から、弗化水素蒸気洗浄
工程以前に半導体基板に付着したパーティクルや汚染物
質を除去することが可能な洗浄方法及び洗浄装置が要望
されている。
工程以前に半導体基板に付着したパーティクルや汚染物
質を除去することが可能な洗浄方法及び洗浄装置が要望
されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の洗浄方法及び洗浄装置について図
４により詳細に説明する。図４は従来の洗浄装置の概略
構造を示す図である。
４により詳細に説明する。図４は従来の洗浄装置の概略
構造を示す図である。
【０００５】従来の弗化水素蒸気を用いる乾式の洗浄装
置は、図４に示すように上部には洗浄ガスを導入する洗
浄ガス導入口25aを、下部には洗浄ガスを排出する排気
口25bを設けた処理室25の下部に、被洗浄物13を載置す
るターンテーブル26が設けられている。
置は、図４に示すように上部には洗浄ガスを導入する洗
浄ガス導入口25aを、下部には洗浄ガスを排出する排気
口25bを設けた処理室25の下部に、被洗浄物13を載置す
るターンテーブル26が設けられている。
【０００６】この弗化水素蒸気を用いる洗浄装置により
被洗浄物13、例えば半導体基板を洗浄するには、ターン
テーブル26の表面に被洗浄物13を搭載し、処理室25内に
窒素ガスをキャリアとする弗化水素ガスと弗化水素ガス
と水蒸気の混合ガスを導入し、被洗浄物13を洗浄する。
この際の処理室25内の圧力は50Torr〜大気圧となるよう
に排気をコントロールする。
被洗浄物13、例えば半導体基板を洗浄するには、ターン
テーブル26の表面に被洗浄物13を搭載し、処理室25内に
窒素ガスをキャリアとする弗化水素ガスと弗化水素ガス
と水蒸気の混合ガスを導入し、被洗浄物13を洗浄する。
この際の処理室25内の圧力は50Torr〜大気圧となるよう
に排気をコントロールする。
【０００７】この乾式の弗化水素蒸気による洗浄では、
半導体基板の表面に形成した直後のシリコン酸化膜の弗
化水素蒸気洗浄に要する時間と、形成後に長時間経過し
たシリコン酸化膜の弗化水素蒸気洗浄に要する時間とが
異なっているため、設定する洗浄時間を異なった時間に
しなければ、安定した洗浄を行うことができない。
半導体基板の表面に形成した直後のシリコン酸化膜の弗
化水素蒸気洗浄に要する時間と、形成後に長時間経過し
たシリコン酸化膜の弗化水素蒸気洗浄に要する時間とが
異なっているため、設定する洗浄時間を異なった時間に
しなければ、安定した洗浄を行うことができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の洗
浄装置においては、被洗浄物が表面にシリコン酸化膜が
形成されている半導体基板の場合、半導体基板の表面に
形成した直後のシリコン酸化膜の一定量をこの弗化水素
蒸気で洗浄するのに要する時間と、形成後に長時間経過
したシリコン酸化膜の上記の一定量をこの弗化水素蒸気
で洗浄するのに要する時間とが異なっているため、設定
する洗浄時間を異なった時間にしなければ安定した洗浄
を行うことができないという問題点があり、またこの乾
式の弗化水素蒸気洗浄においては、この工程以前に半導
体基板に付着したパーティクルや汚染物質を除去するこ
とができないという問題点があった。
浄装置においては、被洗浄物が表面にシリコン酸化膜が
形成されている半導体基板の場合、半導体基板の表面に
形成した直後のシリコン酸化膜の一定量をこの弗化水素
蒸気で洗浄するのに要する時間と、形成後に長時間経過
したシリコン酸化膜の上記の一定量をこの弗化水素蒸気
で洗浄するのに要する時間とが異なっているため、設定
する洗浄時間を異なった時間にしなければ安定した洗浄
を行うことができないという問題点があり、またこの乾
式の弗化水素蒸気洗浄においては、この工程以前に半導
体基板に付着したパーティクルや汚染物質を除去するこ
とができないという問題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、シリコン
酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチングレートで
エッチングを行うことができ、この工程以前に半導体基
板に付着したパーティクルや汚染物質を除去することが
可能となる洗浄方法及び洗浄装置の提供を目的としたも
のである。
酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチングレートで
エッチングを行うことができ、この工程以前に半導体基
板に付着したパーティクルや汚染物質を除去することが
可能となる洗浄方法及び洗浄装置の提供を目的としたも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、薬
液を用いて被洗浄物を洗浄する湿式の薬液洗浄工程と、
水を用いてこの被洗浄物を洗浄する水洗工程と、高速で
回転するターンテーブル上にこの被洗浄物を載置して乾
燥するスピン乾燥工程と、弗化水素の蒸気中で被洗浄物
を洗浄する乾式の弗化水素蒸気洗浄工程とからなる処理
工程によりこの被洗浄物を処理するように構成する。
液を用いて被洗浄物を洗浄する湿式の薬液洗浄工程と、
水を用いてこの被洗浄物を洗浄する水洗工程と、高速で
回転するターンテーブル上にこの被洗浄物を載置して乾
燥するスピン乾燥工程と、弗化水素の蒸気中で被洗浄物
を洗浄する乾式の弗化水素蒸気洗浄工程とからなる処理
工程によりこの被洗浄物を処理するように構成する。
【００１１】本発明の第１の洗浄装置は、上記の洗浄方
法によりこの被洗浄物を洗浄する洗浄装置であって、上
部に洗浄ガス導入口を、下部に排気・排液口を備えた処
理室の下部に設けたターンテーブルと、このターンテー
ブルの表面に載置した被洗浄物に噴霧状の薬液を吹きつ
けるスプレーノズルとを具備するように構成する。
法によりこの被洗浄物を洗浄する洗浄装置であって、上
部に洗浄ガス導入口を、下部に排気・排液口を備えた処
理室の下部に設けたターンテーブルと、このターンテー
ブルの表面に載置した被洗浄物に噴霧状の薬液を吹きつ
けるスプレーノズルとを具備するように構成する。
【００１２】本発明の第２の洗浄装置は、上記の洗浄方
法によりこの被洗浄物を洗浄する洗浄装置であって、中
央にウエーハステージを備え、このウエーハステージの
周囲にウエーハカセット、第１薬液洗浄部、第２薬液洗
浄部、弗化水素蒸気洗浄部を配設するように構成する。
法によりこの被洗浄物を洗浄する洗浄装置であって、中
央にウエーハステージを備え、このウエーハステージの
周囲にウエーハカセット、第１薬液洗浄部、第２薬液洗
浄部、弗化水素蒸気洗浄部を配設するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては図１及び図２に示すよう
に、ターンテーブル６の表面に搭載した被洗浄物13を、
湿式の薬液洗浄工程１においてこのターンテーブル６を
回転しながら薬液をスプレーノズル７から被洗浄物13の
表面に噴出させながら洗浄し、水洗工程２においても同
様に水をスプレーノズル７から噴出させながらこの被洗
浄物を洗浄し、スピン乾燥工程３においてターンテーブ
ル６上のこの被洗浄物を高速回転して乾燥した後、乾式
の弗化水素蒸気洗浄工程４において弗化水素の蒸気を処
理室５内に導入してこの弗化水素蒸気雰囲気中で被洗浄
物を洗浄するので、薬液洗浄工程１においてこの工程以
前に被洗浄物13に付着したパーティクルや汚染物質を除
去することが可能であり、且つ薬液洗浄を行うことによ
りシリコン酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチン
グレートで弗化水素蒸気エッチングを行うことができる
ようになり、安定な被洗浄物13の処理を行うことが可能
となる。
に、ターンテーブル６の表面に搭載した被洗浄物13を、
湿式の薬液洗浄工程１においてこのターンテーブル６を
回転しながら薬液をスプレーノズル７から被洗浄物13の
表面に噴出させながら洗浄し、水洗工程２においても同
様に水をスプレーノズル７から噴出させながらこの被洗
浄物を洗浄し、スピン乾燥工程３においてターンテーブ
ル６上のこの被洗浄物を高速回転して乾燥した後、乾式
の弗化水素蒸気洗浄工程４において弗化水素の蒸気を処
理室５内に導入してこの弗化水素蒸気雰囲気中で被洗浄
物を洗浄するので、薬液洗浄工程１においてこの工程以
前に被洗浄物13に付着したパーティクルや汚染物質を除
去することが可能であり、且つ薬液洗浄を行うことによ
りシリコン酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチン
グレートで弗化水素蒸気エッチングを行うことができる
ようになり、安定な被洗浄物13の処理を行うことが可能
となる。
【００１４】
【実施例】以下図２により本発明の第１の実施例につい
て、図３により本発明の第２の実施例について詳細に説
明する。
て、図３により本発明の第２の実施例について詳細に説
明する。
【００１５】図２は本発明による第１の実施例の洗浄装
置の概略構造を示す図、図３は本発明による第２の実施
例の洗浄装置の概略構造を示す図である。図２に示す第
１の実施例の洗浄装置は従来の弗化水素蒸気を用いる乾
式の洗浄装置と同様に、上部には洗浄ガスを導入する洗
浄ガス導入口5aを、下部には洗浄ガス及び薬液を排出す
る排気・排液口5bを設けた処理室５の下部に、被洗浄物
13を搭載するターンテーブル６が設けられており、この
処理室５の側壁には湿式の洗浄に用いる薬液を供給する
スプレーノズル７が設けられている。
置の概略構造を示す図、図３は本発明による第２の実施
例の洗浄装置の概略構造を示す図である。図２に示す第
１の実施例の洗浄装置は従来の弗化水素蒸気を用いる乾
式の洗浄装置と同様に、上部には洗浄ガスを導入する洗
浄ガス導入口5aを、下部には洗浄ガス及び薬液を排出す
る排気・排液口5bを設けた処理室５の下部に、被洗浄物
13を搭載するターンテーブル６が設けられており、この
処理室５の側壁には湿式の洗浄に用いる薬液を供給する
スプレーノズル７が設けられている。
【００１６】この洗浄装置により被洗浄物13を洗浄する
には、ターンテーブル６の表面に被洗浄物13を搭載し、
まずスプレーノズル７から薬液をターンテーブル６の表
面に搭載した被洗浄物13の表面に噴出させて湿式洗浄を
行い、その後純水に切り換えて純水洗浄を行う。
には、ターンテーブル６の表面に被洗浄物13を搭載し、
まずスプレーノズル７から薬液をターンテーブル６の表
面に搭載した被洗浄物13の表面に噴出させて湿式洗浄を
行い、その後純水に切り換えて純水洗浄を行う。
【００１７】この湿式洗浄には、硫酸＋過酸化水素(10
0:2) 、アンモニア＋過酸化水素＋純水、塩酸＋過酸化
水素などの混酸や硝酸、弗酸などが用いられる。この純
水洗浄が終了すると、つぎにターンテーブル６を高速回
転するスピン乾燥を行い、被洗浄物13の表面の純水を周
囲に吹き飛ばして除去する。
0:2) 、アンモニア＋過酸化水素＋純水、塩酸＋過酸化
水素などの混酸や硝酸、弗酸などが用いられる。この純
水洗浄が終了すると、つぎにターンテーブル６を高速回
転するスピン乾燥を行い、被洗浄物13の表面の純水を周
囲に吹き飛ばして除去する。
【００１８】その後、洗浄ガス導入口5aから窒素ガスを
キャリアとする弗化水素ガスと弗化水素ガスと水蒸気の
混合ガスを処理室５内に導入して被洗浄物13を洗浄す
る。この際の処理室５内の圧力は50Torr〜大気圧となる
ように排気をコントロールする。洗浄ガスとしては弗化
水素蒸気以外の、水を含む弗化水素蒸気、窒素、水蒸気
なども用いられる。
キャリアとする弗化水素ガスと弗化水素ガスと水蒸気の
混合ガスを処理室５内に導入して被洗浄物13を洗浄す
る。この際の処理室５内の圧力は50Torr〜大気圧となる
ように排気をコントロールする。洗浄ガスとしては弗化
水素蒸気以外の、水を含む弗化水素蒸気、窒素、水蒸気
なども用いられる。
【００１９】図３に示すマルチチャンバ方式の第２の実
施例においては、中央にウエーハステージ９が設けられ
ており、このウエーハステージ９の周囲にウエーハカセ
ット８、第１薬液洗浄部10、第２薬液洗浄部11、弗化水
素蒸気洗浄部12が配設されている。
施例においては、中央にウエーハステージ９が設けられ
ており、このウエーハステージ９の周囲にウエーハカセ
ット８、第１薬液洗浄部10、第２薬液洗浄部11、弗化水
素蒸気洗浄部12が配設されている。
【００２０】この洗浄装置により被洗浄物13を洗浄する
には、ウエーハカセット８に収納されている被洗浄物1
3、例えば半導体基板を中央のウエーハステージ９上に
取り出し、まず第１薬液洗浄部10に半導体基板を送り込
むと、この第１薬液洗浄部10において第１薬液洗浄、水
洗、乾燥を連続して行い、その後ウエーハステージ９に
半導体基板を取り出す。
には、ウエーハカセット８に収納されている被洗浄物1
3、例えば半導体基板を中央のウエーハステージ９上に
取り出し、まず第１薬液洗浄部10に半導体基板を送り込
むと、この第１薬液洗浄部10において第１薬液洗浄、水
洗、乾燥を連続して行い、その後ウエーハステージ９に
半導体基板を取り出す。
【００２１】つぎに第２薬液洗浄部11に半導体基板を送
り込むと、この第２薬液洗浄部11においても同様に第２
薬液洗浄、水洗、乾燥を連続して行い、その後ウエーハ
ステージ９に半導体基板を取り出す。
り込むと、この第２薬液洗浄部11においても同様に第２
薬液洗浄、水洗、乾燥を連続して行い、その後ウエーハ
ステージ９に半導体基板を取り出す。
【００２２】最後に弗化水素蒸気洗浄部12に半導体基板
を送り込み、この弗化水素蒸気洗浄部12において乾式洗
浄を行い、その後ウエーハステージ９に半導体基板を取
り出し、半導体基板をウエーハカセット８に収納して洗
浄工程が完了する。
を送り込み、この弗化水素蒸気洗浄部12において乾式洗
浄を行い、その後ウエーハステージ９に半導体基板を取
り出し、半導体基板をウエーハカセット８に収納して洗
浄工程が完了する。
【００２３】この第１薬液洗浄部10や第２薬液洗浄部11
において行う湿式洗浄には、硫酸＋過酸化水素(100:2)
、アンモニア＋過酸化水素＋純水、塩酸＋過酸化水素
などの混酸や硝酸、弗酸などが用いられる。
において行う湿式洗浄には、硫酸＋過酸化水素(100:2)
、アンモニア＋過酸化水素＋純水、塩酸＋過酸化水素
などの混酸や硝酸、弗酸などが用いられる。
【００２４】弗化水素蒸気洗浄部12における洗浄ガスと
しては弗化水素蒸気以外の、水を含む弗化水素蒸気、窒
素、水蒸気なども用いられる。このようにまず湿式の薬
液洗浄・水洗・乾燥を行い、その後乾式の洗浄を行うの
で、以前の工程において付着しているパーティクルや汚
染物質を薬液洗浄工程において除去することが可能であ
り、且つこの薬液洗浄を行うことにより、つぎの乾式洗
浄におけるシリコン酸化膜のエッチングレートをシリコ
ン酸化膜形成直後のエッチングレートと同じ値で安定さ
せて乾式洗浄を行うことが可能となる。
しては弗化水素蒸気以外の、水を含む弗化水素蒸気、窒
素、水蒸気なども用いられる。このようにまず湿式の薬
液洗浄・水洗・乾燥を行い、その後乾式の洗浄を行うの
で、以前の工程において付着しているパーティクルや汚
染物質を薬液洗浄工程において除去することが可能であ
り、且つこの薬液洗浄を行うことにより、つぎの乾式洗
浄におけるシリコン酸化膜のエッチングレートをシリコ
ン酸化膜形成直後のエッチングレートと同じ値で安定さ
せて乾式洗浄を行うことが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば湿式の洗浄工程を付加することにより、シリコ
ン酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチングレート
でエッチングを行うことができるようになり、以前の工
程で半導体基板に付着したパーティクルや汚染物質を除
去することが可能となる等の利点があり、著しい経済的
及び信頼性向上の効果が期待できる洗浄方法及び洗浄装
置の提供が可能である。
によれば湿式の洗浄工程を付加することにより、シリコ
ン酸化膜の形成状態に無関係に一定のエッチングレート
でエッチングを行うことができるようになり、以前の工
程で半導体基板に付着したパーティクルや汚染物質を除
去することが可能となる等の利点があり、著しい経済的
及び信頼性向上の効果が期待できる洗浄方法及び洗浄装
置の提供が可能である。
【図１】 本発明の洗浄方法を工程順に示す図、
【図２】 本発明による第１の実施例の洗浄装置の概略
構造を示す図、
構造を示す図、
【図３】 本発明による第２の実施例の洗浄装置の概略
構造を示す図、
構造を示す図、
【図４】 従来の洗浄装置の概略構造を示す図、
１は薬液洗浄工程、２は水洗工程、３はスピン乾燥工
程、４は弗化水素蒸気洗浄工程、５は処理室、5aは洗浄
ガス導入口、5bは排気・排液口、６はターンテーブル、
７はスプレーノズル、８はウエーハカセット、９はウエ
ーハステージ、10は第１薬液洗浄部、11は第２薬液洗浄
部、12は弗化水素蒸気洗浄部、13は被洗浄物、
程、４は弗化水素蒸気洗浄工程、５は処理室、5aは洗浄
ガス導入口、5bは排気・排液口、６はターンテーブル、
７はスプレーノズル、８はウエーハカセット、９はウエ
ーハステージ、10は第１薬液洗浄部、11は第２薬液洗浄
部、12は弗化水素蒸気洗浄部、13は被洗浄物、
Claims (3)
- 【請求項１】 薬液を用いて被洗浄物を洗浄する湿式の
薬液洗浄工程(1) と、水を用いて前記被洗浄物を洗浄す
る水洗工程(2) と、高速で回転するターンテーブル上に
前記被洗浄物を搭載して乾燥するスピン乾燥工程(3)
と、弗化水素の蒸気中で前記被洗浄物を洗浄する乾式の
弗化水素蒸気洗浄工程(4) とからなる処理工程により前
記被洗浄物を処理することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄方法により前記被洗
浄物を洗浄する洗浄装置であって、 上部に洗浄ガス導入口(5a)を、下部に排気・排液口(5b)
を備えた処理室(5) の下部に設けたターンテーブル(6)
と、 該ターンテーブル(6) の表面に載置した被洗浄物に噴霧
状の薬液を吹きつけるスプレーノズル(7) と、 を具備することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の洗浄方法により前記被洗
浄物を洗浄する洗浄装置であって、 中央にウエーハステージ(9) を備え、該ウエーハステー
ジ(9)の周囲にウエーハカセット(8) 、第１薬液洗浄部
(10)、第２薬液洗浄部(11)、弗化水素蒸気洗浄部(12)を
配設したことを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25125791A JPH0590239A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25125791A JPH0590239A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590239A true JPH0590239A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17220085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25125791A Withdrawn JPH0590239A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590239A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998050947A1 (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-12 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6539960B1 (en) * | 2000-05-01 | 2003-04-01 | United Microelectronics Corp. | Cleaning system for cleaning ink in a semiconductor wafer |
| US8021565B2 (en) | 2007-03-28 | 2011-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface treatment method, etching method, and method for manufacturing electronic device |
| WO2012165861A2 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Tes Co., Ltd | Substrate processing system and substrate processing method using the same |
| JP2013021208A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN109742015A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25125791A patent/JPH0590239A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
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