JP2007266360A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面処理時に基板の帯電を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】フッ酸等の薬液による表面処理が行われた基板に対して酸添加水によるリンス洗浄処理を行う。酸添加水とは、純水に炭酸、フッ酸または塩酸を微量に添加した処理液である。処理槽に貯留した酸添加水に基板を浸漬することによってリンス洗浄処理を進行させる。リンス洗浄処理後、基板を処理槽から引き揚げつつ酸添加水の蒸気を吹き付けることによって乾燥処理を行う。薬液表面処理、リンス洗浄処理、乾燥処理のいずれの処理工程においても、イオン性物質が介在しているため、摩擦に起因した基板表面への帯電が防止される。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）の表面の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来より、上記基板には薬液による表面処理、純水による洗浄処理および乾燥処理が順次施されて、一連の基板処理が達成されている。このうち薬液による表面処理は、フッ酸等の薬液中に基板を浸漬してシリコン酸化膜をエッチングしたり、有機物を除去したりする処理である。薬液による処理がなされた基板を純水中に浸漬してその表面を洗浄することによって薬液を洗い流した後、純水から基板を引き揚げて乾燥する。

純水洗浄後に基板を引き揚げて乾燥させる手法としては、例えば特許文献１に開示されているように、純水表面に形成した薄いＩＰＡ（イソプロピルアルコール）層に基板を通過させることによって純水をＩＰＡに置換して乾燥するいわゆるマランゴニ乾燥が多く用いられてきた。

特開２００１−２９１６９８号公報

一方、近年、基板処理時に基板が帯電してデバイス破壊が生じることが問題となっている。すなわち、純水やＩＰＡは絶縁物であるため、基板表面との摩擦によって基板が電荷を帯びることとなり、その帯電量が大きくなると基板表面に形成されたデバイスが静電破壊されるおそれがある。今後、デバイス微細化のさらなる進展にともなって、帯電によるデバイス破壊の問題が深刻化する懸念がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、表面処理時に基板の帯電を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板表面の処理を行う基板処理装置において、基板を収容して内部を密閉空間にすることができるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽に、純水に酸を添加した酸添加水を処理液として供給する酸添加水供給手段と、前記処理槽内の浸漬位置と、前記チャンバ内における前記処理槽よりも上方の引き揚げ位置との間で基板を保持して昇降させる昇降手段と、前記引き揚げ位置に保持された基板に酸添加水の蒸気を吐出する乾燥用蒸気供給手段と、を備える。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記酸添加水を、純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものとしている。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記乾燥用蒸気供給手段が供給する酸添加水の蒸気の温度を１００℃以上３００℃以下としている。

また、請求項４の発明は、基板表面の処理を行う基板処理方法において、基板の表面を所定の薬液にて処理する薬液処理工程と、前記薬液処理の後に、前記基板の表面を純水に酸を添加した酸添加水にて洗浄する洗浄工程と、前記洗浄処理の後に、前記基板に酸添加水の蒸気を吐出して乾燥する乾燥工程と、を備える。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理方法において、前記酸添加水を、純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものとしている。

また、請求項６の発明は、請求項４または請求項５の発明に係る基板処理方法において、前記乾燥工程にて吐出する酸添加水の蒸気の温度を１００℃以上３００℃以下としている。

請求項１の発明によれば、純水に酸を添加した酸添加水による処理と酸添加水の蒸気を使用した処理とが行われるため、表面処理時にはイオン性物質が存在することとなり、表面処理時に基板の帯電を防止することができる。

また、請求項２の発明によれば、酸添加水が純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものであるため、基板の表面処理時にイオン性物質を供給することができる。

また、請求項３の発明によれば、乾燥用蒸気供給手段が供給する酸添加水の蒸気の温度が１００℃以上３００℃以下であるため、基板に熱的ダメージを与えることなく乾燥処理を行うことができる。

また、請求項４の発明によれば、基板の表面を純水に酸を添加した酸添加水にて洗浄した後、酸添加水の蒸気を吐出して乾燥しているため、洗浄および乾燥のいずれの工程においてもイオン性物質が存在することとなり、表面処理時に基板の帯電を防止することができる。

また、請求項５の発明によれば、酸添加水が純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものであるため、基板の表面処理時にイオン性物質を供給することができる。

また、請求項６の発明によれば、乾燥工程にて吐出される酸添加水の蒸気の温度が１００℃以上３００℃以下であるため、基板に熱的ダメージを与えることなく乾燥処理を行うことができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す図である。また、図２は、図１の基板処理装置の側面図である。なお、図１および図２にはそれらの方向関係を明確にするため、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

この基板処理装置１は、１つの処理槽内にて基板に薬液による表面処理とそれに続く水洗処理、およびその後の乾燥処理を行うものである。基板処理装置１は、チャンバ５の内部に、所定の処理液を貯留する処理槽１０と、基板Ｗを昇降させるリフター２０と、チャンバ５内に気体を吐出するガスノズル４０と、処理槽１０に処理液を吐出する処理液ノズル５０とを備えている。また、基板処理装置１は、チャンバ５の外部に、ガスノズル４０に窒素ガス等の気体を供給するガス供給機構６０と、処理液ノズル５０にフッ酸等の処理液を供給する処理液供給機構７０と、チャンバ５から処理液を排出する排液機構８０と、
チャンバ５内から気体を排気して減圧する減圧機構９０とを備えている。

チャンバ５は、基板Ｗを収容して処理を行うための外槽である。チャンバ５の上部には蓋６が設けられており、蓋６は図示を省略するスライド開閉機構によって開閉可能とされている。蓋６が開放された状態においては、その開放部分を介してリフター２０と装置外部の搬送ロボットとの間で基板Ｗの受け渡しを行い、チャンバ５に対する基板Ｗの搬出入を行うことができる。一方、蓋６が閉鎖された状態においては、蓋６とチャンバ５との間がＯ−リング（図示省略）によってシールされ、チャンバ５の内部を密閉空間とすることができる。この状態においては、チャンバ５内のガスが外部に漏れ出ることはなく、またチャンバ５の内部を大気圧よりも低い減圧状態にすることができる。

処理槽１０は、フッ酸等の薬液、純水または後述の酸添加水（以下、薬液、純水および酸添加水を総称して「処理液」とする）を貯留して基板Ｗに順次表面処理を行う槽であり、チャンバ５の内部に収容されている。処理槽１０には、後述の処理液ノズル５０から処理液を供給することができる。また、処理槽１０の上端周辺部には回収槽１５が付設されている。処理液ノズル５０から供給されて処理槽１０の上端から溢れ出た処理液は回収槽１５に流れ込んで回収される。

リフター２０は、リフターアーム２３、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよび昇降駆動部２２を備えている。昇降駆動部２２は、リフターアーム２３を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる機能を有している。リフターアーム２３には、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃがその長手方向が略水平（Ｙ軸方向）となるように固設されており、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定のピッチにて配列して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｘ軸方向に沿って形成された切欠状の溝である。

このような構成により、リフター２０は３本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって相互に平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽１０内に貯留されている処理液中に浸漬する浸漬位置（図１の実線位置）とチャンバ５内における処理槽１０よりも上方の引き揚げ位置（図１の二点鎖線位置）との間で昇降させることができる。また、リフター２０は、基板Ｗを引き揚げ位置よりもさらに上方の受渡位置（装置外部の搬送ロボットとの間で基板Ｗの受け渡しを行わせる位置）にまで上昇させることができる。なお、リフター２０の昇降駆動部２２には、リフターアーム２３を昇降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機構など公知の種々の機構を採用することが可能である。

ガスノズル４０は、外周面に複数の吐出孔４１を有する円筒状部材である。チャンバ５内にはこのようなガスノズル４０が２本設けられている。２本のガスノズル４０は、チャンバ５内の上部に、それぞれの長手方向をＹ軸方向に沿わすようにして相互に平行に設置されている。複数の吐出孔４１は、保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃの保持溝のピッチと同じピッチにてガスノズル４０の長手方向に沿って一列に穿設されている。また、複数の吐出孔４１は、その吐出方向がＸＺ平面と平行かつリフター２０によって引き揚げ位置に保持された基板Ｗに向かうように設けられている。そして、１本のガスノズル４０に設けられた吐出孔４１の数は保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃの保持溝の数より少なくとも１つ多く、少なくとも隣接する保持溝の中間点に対応する位置（当該中間点を含むＸＺ平面がガスノズル４０と交わる位置）に吐出孔４１が設けられている（図２参照）。従って、ガスノズル４０は、リフター２０によって引き揚げ位置に保持された隣接する基板Ｗ間のそれぞれにガスを吐出することができる。なお、リフター２０によって引き揚げ位置に保持された基板Ｗの周囲に複数個のガスノズル４０を配置するようにしてもよい。

２本のガスノズル４０に気体を供給するガス供給機構６０は、ガス配管４２、各種ガスの供給部およびバルブを備えている。２本のガスノズル４０にはガス配管４２の一端部が連通接続されている。ガス配管４２の他端は、配管４２ａ，４２ｂの２本に分岐される。配管４２ａの基端部は酸添加水蒸気供給部４４に連通接続され、その経路途中には酸添加水蒸気バルブ４３ａが設けられている。酸添加水蒸気バルブ４３ａを開放することによって、酸添加水蒸気供給部４４から２本のガスノズル４０に酸添加水の蒸気を送給して吐出孔４１から引き揚げ位置に保持された基板Ｗに酸添加水の蒸気を吐出することができる。一方、酸添加水蒸気バルブ４３ａを閉鎖すると、ガスノズル４０からの酸添加水蒸気吐出が停止される。なお、酸添加水についてはさらに後述する。

配管４２ｂの基端部は窒素ガス供給部４５に連通接続され、その経路途中には窒素ガスバルブ４３ｂが設けられている。窒素ガスバルブ４３ｂを開放することによって、窒素ガス供給部４５から２本のガスノズル４０に窒素ガスを送給して吐出孔４１からリフター２０に保持された基板Ｗに窒素ガスを吐出することができる。一方、窒素ガスバルブ４３ｂを閉鎖すると、ガスノズル４０からの窒素ガス吐出が停止される。

処理液ノズル５０は、上記ガスノズル４０と同様の外周面に複数の吐出孔５１を有する円筒状部材である。処理槽１０内にはこのような処理液ノズル５０が２本設けられている。２本の処理液ノズル５０は、処理槽１０内の底部近傍に、それぞれの長手方向をＹ軸方向に沿わすようにして相互に平行に設置されている。複数の吐出孔５１は、保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃの保持溝のピッチと同じピッチにて処理液ノズル５０の長手方向に沿って一列に穿設されている。また、複数の吐出孔５１は、その吐出方向がＸＺ平面と平行かつリフター２０によって浸漬位置に保持された基板Ｗに向かうように設けられている。そして、１本の処理液ノズル５０に設けられた吐出孔５１の数は保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃの保持溝の数より少なくとも１つ多く、少なくとも隣接する保持溝の中間点に対応する位置（当該中間点を含むＸＺ平面が処理液ノズル５０と交わる位置）に吐出孔５１が設けられている。従って、処理液ノズル５０は、リフター２０によって処理槽１０内の浸漬位置に保持された隣接する基板Ｗ間のそれぞれに処理液を吐出することができる。

２本の処理液ノズル５０に処理液を供給する処理液供給機構７０は、液配管５２、各種処理液の供給部およびバルブを備えている。２本の処理液ノズル５０には液配管５２の先端部が連通接続されている。液配管５２の他端は、配管５２ａ，５２ｂ，５２ｃの３本に分岐される。配管５２ａの基端部は薬液供給部５４に連通接続され、その経路途中には薬液バルブ５３ａが設けられている。薬液バルブ５３ａを開放することによって、薬液供給部５４から２本の処理液ノズル５０に薬液を送給して吐出孔５１から浸漬位置に保持された基板Ｗに薬液を吐出することができる。薬液供給部５４が供給する薬液は、フッ酸（ＨＦ）、アンモニア過酸化水素水混合水溶液（ＳＣ−１）、塩酸過酸化水素水混合水溶液（ＳＣ−２）等である。一方、薬液バルブ５３ａを閉鎖すると、処理液ノズル５０からの薬液吐出が停止される。

配管５２ｂの基端部は酸添加水供給部５５に連通接続され、その経路途中には酸添加水バルブ５３ｂが設けられている。酸添加水バルブ５３ｂを開放することによって、酸添加水供給部５５から２本の処理液ノズル５０に酸添加水を送給して吐出孔５１から浸漬位置に保持された基板Ｗに酸添加水を吐出することができる。一方、酸添加水バルブ５３ｂを閉鎖すると、処理液ノズル５０からの酸添加水吐出が停止される。

本実施形態において、「酸添加水」とは、純水に酸を数ｐｐｍ程度添加したものである。添加する酸としては、炭酸（Ｈ₂ＣＯ₃）、フッ酸（ＨＦ）、塩酸（Ｈｃｌ）等を用いることが可能である。また、酸の添加量は、１０ｐｐｍ以下である。これは、酸添加量が１０ｐｐｍより多いと、酸性の薬液として基板表面に作用するおそれがあるためである。酸添加水供給部５５にて酸添加水を生成する際には、例えば、所定量の純水に対して決められた添加量の酸を秤量槽にて秤量し、その秤量された酸を前記所定量の純水に投入するようにすれば良い。この「酸添加水」は、その濃度が希薄であるという点において上記の薬液とは異なるものであり、薬液は少なくとも１％以上の濃度を有している。なお、酸添加水蒸気供給部４４から供給する「酸添加水の蒸気」は、このような酸添加水を蒸発させて得られる蒸気である。

配管５２ｃの基端部は純水供給部５６に連通接続され、その経路途中には純水バルブ５３ｃが設けられている。純水バルブ５３ｃを開放することによって、純水供給部５６から２本の処理液ノズル５０に純水（deionized water）を送給して吐出孔５１から浸漬位置に保持された基板Ｗに純水を吐出することができる。一方、純水バルブ５３ｃを閉鎖すると、処理液ノズル５０からの純水吐出が停止される。

チャンバ５内を減圧する減圧機構９０は、排気管９１と排気バルブ９２と減圧ポンプ９３とを備える。排気管９１はチャンバ５の底部に連通接続されている。排気管９１の経路途中に、排気バルブ９２および減圧ポンプ９３が配設されている。蓋６を閉じてチャンバ５内を密閉空間とし、排気バルブ９２を開放して減圧ポンプ９３を作動させることによってチャンバ５内の気体を排気ドレイン９４へと排出してチャンバ５内を大気圧未満に減圧することができる。

また、処理液を排出する排液機構８０は、排液管８５と排液バルブ８６とを備える。排液管８５は、回収槽１５に連通接続されている。排液管８５の経路途中には排液バルブ８６が介挿されている。排液バルブ８６を開放することにより、処理槽１０から溢れ出て回収槽１５に流れ込んだ処理液を排液ドレイン８７へと排出することができる。排液ドレイン８７は、処理液を廃棄処理するものに限定されず、処理液を回収・浄化して再利用するものであっても良い。また、図示は省略しているが、処理槽１０内の処理液を急速に排出する機構やチャンバ５底部にこぼれた処理液を排液する機構も設けられている。

さらに、基板処理装置１には装置全体を管理するコントローラ９９が設けられている。コントローラ９９は、コンピュータを用いて構成されており、昇降駆動部２２、減圧ポンプ９３および各バルブと電気的に接続され、それらの動作を制御する。

次に、上記構成を有する基板処理装置１の動作について説明する。図３は、基板処理装置１における処理手順を示すフローチャートである。基板処理装置１において実行する処理の概略は、薬液を使用して基板の表面処理を行った後、リンス洗浄処理、乾燥処理を順に行うというものである。

まず、レジスト塗布、露光、現像等の各処理工程を経た複数の基板Ｗが基板処理装置１に搬入される（ステップＳ１）。このときには、蓋６が開放されるとともに、リフター２０が受渡位置まで上昇している。そして、装置外の搬送ロボットが予め所定ピッチにて積層配列された複数の処理対象基板Ｗを搬送してそれらを一括してリフター２０に渡す。リフター２０の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃは所定ピッチにて積層配列された複数の基板Ｗを起立姿勢にて保持する。このときに、処理槽１０内には薬液供給部５４から薬液を供給して貯留しておく。なお、本実施形態において、処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーである。また、薬液供給部５４は、薬液としてフッ酸を処理槽１０内に供給している。

次に、リフター２０が処理槽１０内の浸漬位置まで基板Ｗを下降させて基板Ｗをフッ酸中に浸漬させる。これにより、基板Ｗの表面に対するエッチング処理が進行する（ステップＳ２）。このフッ酸処理時には、薬液供給部５４から処理槽１０にフッ酸が供給され続ける。フッ酸は処理液ノズル５０から供給されて処理槽１０内に貯留され、やがて処理槽１０の上端部から溢れ出て回収槽１５に回収される。このときには、蓋６が閉鎖されてチャンバ５内が密閉空間とされ、ガスノズル４０からチャンバ５内に窒素ガスを供給してチャンバ５内を窒素ガス雰囲気にしておく。チャンバ５内を窒素ガス雰囲気にするのは、チャンバ５内の酸素濃度を低下させるためである。

所定時間のフッ酸処理の後、ステップＳ３に進み、エッチング処理後の基板Ｗのリンス洗浄処理が行われる。このときには、基板Ｗを処理槽１０内の浸漬位置に保持したまま薬液バルブ５３ａを閉鎖して薬液供給部５４からのフッ酸供給を停止するとともに、酸添加水バルブ５３ｂを開放して酸添加水供給部５５から処理槽１０への酸添加水供給を開始する。本実施形態では、酸添加水供給部５５が酸添加水として純水に塩酸を添加した液を供給している。これにより、処理槽１０内がフッ酸から徐々に酸添加水に置換され、基板Ｗの表面のエッチングが停止されるとともにエッチング残渣等の洗浄処理が行われる。なお、ステップＳ３のリンス洗浄処理時においても、ガスノズル４０からチャンバ５内に窒素ガスを供給してチャンバ５内を窒素ガス雰囲気にしておく。また、処理槽１０の上端部から溢れ出た酸添加水は回収槽１５に回収される。

所定時間のリンス洗浄処理の後、ステップＳ４に進み、酸添加水の蒸気を使用した基板Ｗの乾燥処理を行う。このときには、リフター２０が基板Ｗを引き揚げ位置まで上昇させる。そして、リフター２０が基板Ｗを引き揚げつつある時点にて、窒素ガスバルブ４３ｂを閉鎖して窒素ガス供給を停止するとともに、酸添加水蒸気バルブ４３ａを開放してガスノズル４０からチャンバ５内に酸添加水の蒸気を吐出する。本実施形態において、酸添加水蒸気供給部４４が供給する酸添加水の蒸気は純水に塩酸を添加した酸添加水を気化したものであり、その温度は１００℃以上３００℃以下である。具体的には、酸添加水蒸気供給部４４が内蔵するヒータが酸添加水の蒸気を加熱して加熱蒸気とする。

リフター２０によって引き揚げ位置にまで引き揚げられた基板Ｗに１００℃以上３００℃以下の高温の蒸気を吹き付けることによって、基板Ｗに付着していた液滴が乾燥する。ここで、酸添加水蒸気供給部４４が供給する酸添加水の蒸気の温度が１００℃未満であると蒸気温度が低いために十分な乾燥効果を得ることができない。また、酸添加水の蒸気の温度が３００℃より大きいと、基板Ｗ表面に形成されているデバイスパターンに熱的ダメージを与えるおそれがある。このため、本実施形態においては、酸添加水蒸気供給部４４から供給する酸添加水の蒸気の温度を１００℃以上３００℃以下としている。なお、ステップＳ４の時点においては、処理液ノズル５０から処理槽１０への処理液供給は停止するとともに、処理槽１０からはリンス液の急速排液を行う。

また、ガスノズル４０から酸添加水の蒸気を供給するとともに、減圧機構９０によってチャンバ５内を減圧雰囲気とするようにしても良い。具体的には、減圧ポンプ９３による排気流量よりもガスノズル４０からの酸添加水蒸気の供給流量が少なくなるようにしておく。このようにすれば、基板Ｗに高温の蒸気を供給しつつチャンバ５内を大気圧未満にすることができ、その結果基板Ｗをより迅速に乾燥することができる。

その後、減圧ポンプ９３の動作および酸添加水の蒸気の供給を停止するとともに、チャンバ５内に窒素ガスを供給して大気圧まで復圧する。続いて、蓋６が開くとともに、リフター２０が複数の基板Ｗを引き揚げ位置からさらに受渡位置まで上昇させる。そして、装置外の搬送ロボットが処理済の基板Ｗをリフター２０から受け取ってチャンバ５から搬出し、全ての処理が完了する（ステップＳ５）。

以上の一連の処理において、ステップＳ２の薬液処理は、イオン性の処理液内にて基板Ｗの処理が進行するため、基板Ｗが帯電するおそれはない。本実施形態では、フッ酸によるエッチング処理を行っているため、処理液中にＨ⁺やＦ^-のようなイオンが存在することとなり、そのようなイオンが基板Ｗの帯電を抑制する。

続くステップＳ３のリンス洗浄処理時においても、本実施形態では純水ではなく酸添加水を使用して基板Ｗの洗浄処理を行っているため、処理液中にＨ⁺やｃｌ^-のようなイオン性物質が微量ではあるが存在しており、基板Ｗの帯電は防止される。このため、リンス洗浄処理時に、アルカリ土類等のメタル成分をも確実に除去することができる。なお、基板Ｗの帯電を防止する目的のみであれば、イオン性物質が大量に処理液中に存在する必要はない。

さらに、ステップＳ４の引き揚げ乾燥処理時においても、本実施形態では酸添加水の蒸気を基板Ｗに吹き付けている。このため、乾燥用蒸気中にも微量にイオン性物質が含まれることとなり、蒸気と基板Ｗとの摩擦が防止され、その結果、基板Ｗの帯電が防止されるのである。

このように、薬液処理、リンス洗浄処理、乾燥処理のいずれの工程においても、基板Ｗの帯電が防止されるため、帯電に起因したデバイス破壊が生じるおそれはない。また、乾燥処理時にＩＰＡ等の有機溶剤を使用していないため、有機溶剤の廃棄に伴う別途の処理が不要となり、処理コスト増加を抑制することができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、薬液処理としてフッ酸によるエッチング処理を行っていたが、他の薬液、例えばＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水混合水溶液）を使用した表面洗浄処理を行うようにしても良い。この場合であっても、処理時にイオン性物質が存在するため、基板Ｗの帯電は防止される。

また、リンス洗浄処理時および乾燥処理時に使用する酸添加水は純水に塩酸を添加した液に限定されるものではなく、純水にフッ酸や炭酸を添加した液であっても良い。純水にフッ酸や炭酸を添加した酸添加水であっても、上記と同様の帯電防止効果が得られる。

また、上記実施形態においては、リンス洗浄処理時に使用する酸添加水と乾燥処理時に使用する酸添加水とが同じ種類のもの（純水に塩酸を添加した液）であったが、これを異なる種類のもの、すなわち純水に添加する酸を異なるようにしても良い。例えば、リンス洗浄処理時には純水に炭酸を添加した液を使用するとともに、乾燥処理時には純水にフッ酸を添加した液を使用するようにしても良い。

また、ガスノズル４０および処理液ノズル５０は、複数の吐出孔を有するものに限定されず、１本のスリットを有する形式のものであっても良い。

また、上記実施形態においては、リフター２０が複数の基板Ｗを直接保持するようにしていたが、リフター２０が複数の基板Ｗを収容したキャリアを保持して昇降するようにしても良い。

さらに、上記実施形態においては、基板処理装置１が複数の基板Ｗを一括して処理するいわゆるバッチ式の処理装置であったが、処理対象の基板Ｗを一枚ずつ処理するいわゆる枚葉式の基板処理装置であっても本発明に係る技術を適用することができる。すなわち、薬液処理が終了した基板Ｗを回転させつつ、その表面に酸添加水を吐出してリンス洗浄を行った後、酸添加水の蒸気を吐出して乾燥処理を行うようにしても良い。

本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す図である。 図１の基板処理装置の側面図である。 図１の基板処理装置における処理手順を示すフローチャートである。

符号の説明

１ 基板処理装置
５ チャンバ
１０ 処理槽
２０ リフター
４０ ガスノズル
４４ 酸添加水蒸気供給部
５０ 処理液ノズル
５５ 酸添加水供給部
６０ ガス供給機構
７０ 処理液供給機構
８０ 排液機構
９０ 減圧機構

Claims (6)

1. 基板表面の処理を行う基板処理装置であって、
   基板を収容して内部を密閉空間にすることができるチャンバと、
   前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽に、純水に酸を添加した酸添加水を処理液として供給する酸添加水供給手段と、
   前記処理槽内の浸漬位置と、前記チャンバ内における前記処理槽よりも上方の引き揚げ位置との間で基板を保持して昇降させる昇降手段と、
   前記引き揚げ位置に保持された基板に酸添加水の蒸気を吐出する乾燥用蒸気供給手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記酸添加水は、純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものであることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２記載の基板処理装置において、
   前記乾燥用蒸気供給手段が供給する酸添加水の蒸気の温度は１００℃以上３００℃以下であることを特徴とする基板処理装置。
4. 基板表面の処理を行う基板処理方法であって、
   基板の表面を所定の薬液にて処理する薬液処理工程と、
   前記薬液処理の後に、前記基板の表面を純水に酸を添加した酸添加水にて洗浄する洗浄工程と、
   前記洗浄処理の後に、前記基板に酸添加水の蒸気を吐出して乾燥する乾燥工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。
5. 請求項４記載の基板処理方法において、
   前記酸添加水は、純水に炭酸、フッ酸または塩酸を添加したものであることを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項４または請求項５記載の基板処理方法において、
   前記乾燥工程にて吐出する酸添加水の蒸気の温度は１００℃以上３００℃以下であることを特徴とする基板処理方法。
   

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