KR940027083A - SiO₂막의 에칭방법 - Google Patents
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Abstract
Si웨이퍼상에 형성된 SiO2막의 에찬트의 원료로서 NF3, H2의 혼합가스를 NF3/H2혼합비율 1 : 160으로 사용한다.
상기 혼합가스를 플라즈마화하고, F,H,N의 활성종을 다운스트림으로 공급하고, SiO2막에 흡착시킨다.
상기 혼합가스의 NF3/H2혼합비는 SiO2막에 대한 화학적 작용에 의한 에칭을 정지시키도록 설정한다. 다음에 Ar의 저에너지이온을 흡착한 활성종에 조사하여 활성종을 여기하고, SiO2막을 에칭한다. 에칭중 웨이퍼는 약 - 100℃로 유지된다. 이에 의하여, Si웨이퍼에 대한 손상이 적고 또한 고선택비의 에칭이 가능하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관계되는 에칭방법을 실시하기 위하여 사용하는 에칭장치를 개략적으로 나타내는 도면, 제2도는 Si 및 SiO2의 에칭의 온도의존성을 나타내는 그래프. 제3도는 Si 및 SiO2의 에칭의 H2/NF3혼합비 의존성을 나타내는 그래프, 제4도는 본 발명의 제2실시예와 관계된 방법의 에칭의 진행공정을 나타내는 도면, 제5도는 제2실시예의 방법에 의하여 디지탈 에칭을 할 경우의 1주기 내의 타이밍 예를 나타내는 도면.
Claims (17)
- 반도체 웨이퍼의 Si층상에 형성된 SiO2막을 에칭하는 방법으로서, 반도체 웨이퍼을 처리실(process chamber)내에 수납하는 공정과, 상기 처리실내를 진공상태로 하는 공정과, 불소 및 수소의 활성종을 혼합하여 상기 웨이퍼상에 공급하고, 이들 활성종에 의하여 SiO2막을 에칭하는 공정과, 에칭중, 상기 웨이퍼를 0℃이하의 온도로 유지하는 공정과, 를 구비하는 SiO2막의 에칭방법.
- 제1항에 있어서 상기 불소 및 수소의 활성종이, 불소를 함유하는 제1가스 및 수소를 함유하는 제2가스의 혼합가스를, 상기 처리실 밖에서 플라즈마화(be made into plasma)하고, 상기 플라즈마를 상기 처리실로 도입함으로써, 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소 및 수소의 활성종과 함께, 질소의 활성종이 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불소, 수소 및 질소의 활성종이 불소를 함유하는 제1가스, 수소를 함유하는 제2가스, 질소를 함유하는 제3가스의 혼합가스를, 상기 처리실 밖에서 플라즈마화하고, 상기 플라즈마를 상기 처리실로 도입함으로써, 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제3가스가 NF3로 이루어지고, 상기 제2가스가 H2로 이루어지고, 상기 혼합가스에 있어서의 H2/NF3혼합비가 160이하인 SiO2막의 에칭방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 Si웨이퍼로 이루어지고, 상기 Si층은 웨이퍼 자체의 일부이고, 상기 SiO2막은 상기 웨이퍼에 형성된 자연산화막인 SiO2막의 에칭방법.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 SiO2막을 에칭하는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 처리실내에 수납하는 공정과, 상기 처리실내를 진공상태로 하는 공정과, 불소 및 수소의 활성종을 혼합하여 상기 웨이퍼상에 공급하고, 상기 활성종을 상기 SiO2막상에 흡착시키는 공정과, 상기 활성종의 혼합비는 SiO2막에 대한 화학적 작용에 의한 에칭이 정지하도록 설정되는 것과, 볼활성 가스원자의 저에너지이온을 상기 흡착한 활성종에 조사하여 상기 활성종에 여기하고, 상기 SiO2막을 에칭하는 공정과, 를 구비하는 SiO2막의 에칭방법.
- 제7항에 있어서, 에칭중 상기 웨이퍼를 0℃이하의 온도로 유지하는 공정을 더욱 포함하는 SiO2막의 에칭방법.
- 제8항에 있어서, 상기 활성종의 공급과 상기 저에너지이온의 조사가, 복수회 되풀이 실시되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제9항에 있어서, 상기 불소 및 수소의 활성종이, 불소를 함유하는 제1가스 및 수소를 함유하는 제2가스의 혼합가스를, 상기 처리실내에서 플라즈마화하고, 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제9항에 있어서, 상기 불소 및 수소의 활성종과 함께, 질소의 활성종이 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제11항에 있어서, 상기 불소, 수소 및 질소의 활성종이, 불소를 함유하는 제1가스, 수소를 함유하는 제2가스, 질소를 함유하는 제3가스의 혼합가스를, 상기 처리실 내에서 플라즈마화하고, 도입함으로써, 상기 웨이퍼상에 공급되는 SiO2막의 에칭방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제3가스가 NF3로 이루어지고, 상기 제2가스가 H2로 이루어지고, 상기 혼합가스에 있어서의 H2/NF3혼합비가 160이하인 SiO2막의 에칭방법.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 SiO2막을 에칭하는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 처리실내에 수납하는 공정과, 상기 처리실내를 진공상태로 하는 공정과, 불소를 함유하는 제1가스 및 수소를 함유하는 제2가스의 혼합가스를 상기 처리실내에서 플라즈마화하고, 도입하는 공정과, 상기 플라즈마중의 불소 및 수소의 활성종을 상기 웨이퍼상에 공급하고, 상기 활성종을 상기 SiO2막상에 흡착시키는 공정과, 상기 활성종의 혼합비는 SiO2막에 대한 화학적 작용에 의한 에칭이 정지하도록 설정되는 것과, 상기 플라즈마중의 성분의 상기 저에너지 이온을 도출하고, 동저에너지이온을 상기 흡착한 활성종에 조사하여 상기 활성종을 여기하고, 상기 SiO2막을 에칭하는 공정과, 를 구비하는 SiO2막의 에칭방법.
- 제14항에 있어서, 에칭중, 상기 웨이퍼를 0℃이하의 온도로 유지하는 공정을 더욱 포함하는 SiO2막의 에칭방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1가스가 NF3로 이루어지고, 상기 제2가스가 H2로 이루어지고, 상기 혼합가스에 있어서의 H2/NF3혼합비가 160이하인 SiO2막의 에칭방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 웨이퍼상에 20eV이하의 저전압으로 고주파 전계를 형성함으로써 상기 저에너지이온을 도출하는 SiO2막의 에칭방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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