KR940022731A - 반도체 장치의 제조장치 및 방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

반도체층의 표면처리 방법은 플라즈마 분위기로부터 떨어져 수소라디칼에 불소 또는 불화물을 첨가하여 반도체층의 표면으로부터 산화물을 제거하고, 그후에 혼합가스에 반도체층을 노출시켜 표면을 수소종결하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 장치의 제조장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 반도체층 표면처리 장치의 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 장치에 의해 처리된 실리콘 기판의 표면의 변화를 나타낸 단면도.

Claims (20)

  1. 가스를 활성하기 위하여 수소 가스를 도입하는 플라즈마 발생부, 적어도 불소가스 또는 불화물 가스를 도입하기 위하여 플라즈마 발생부로부터 흐르는 가스의 하류측에 배치된 가스 도입부, 및 가스 도입부로부터 흐르는 가스 하류측에 배치된 웨이퍼 설정부로 구성되는 반도체 장치의 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 가수 도입부가 플라즈마 가스가 플라즈마 발생부에 의해 발생된 영역의 바깥쪽에 있는 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 불화물가스가 NF3, CF4, SF6, CHF3, C2F6, 및 C4F8중의 하나인 제조장치.
  4. 제1항에 있어서, 웨이퍼 설정부가 반도체층을 가열하는 가열 수단으로 제공되는 제조장치.
  5. 제1항에 있어서, 자연산화층으로 피복된 실리콘층이 웨이퍼 설정부에 배치되는 제조장치.
  6. 제1항에 있어서, 산소가스와 산소원자 함유 분자가스중의 적어도 하나가 수소가스와 함께 플라즈마 발생부내에 도입되는 제조장치.
  7. 제6항에 있어서, 산소원자 함유 분자가스가 수증기인 제조장치.
  8. 플라즈마 분위기 외에 수소라디칼에 적어도 불소가스 또는 불화물 가스를 첨가하여된 혼합가스에 반도체층을 노출시켜 반도체층의 표면으로부터 산화물을 제거하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 불화물 가스가 NF3, CF4, SF6, CHF3, C2F6, 및 C4F8중의 하나인 제조방법.
  10. 활성가스를 발생시키기 위하여 적어도 수소를 플라즈마로 변환하고, 수소의 플라즈마가 가스 흐름의 하류측에 있는 영역으로부터 흐르는 가스에 적어도 불소 가스 또는 불화물 가스를 첨가하고, 반도체층의 표면으로부터 산화물을 제거하여 표면을 수소 종결처리하기 위하여, 불소 또는 불화물 가스가 가스 흐름의 하류측에 첨가되는 영역으로부터 흐르는 가스에 반도체층을 노출시키는 단계로 구성되는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 불화물 가스가 NF3, CF4, SF6, CHF3, C2F6, 및 C4F8중의 하나인 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 수소가 플라즈마로 변환되고 동시에 수소 가스와 수소원자 함유 분자 가스중의 적어도 하나가 플라즈마로 변환되는 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 산소원자 함유 분자가스가 수증기인 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 반도체층이 자연산화층으로 피복된 실리콘층인 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 반도체층의 표면을 수소 종결처리 단계 후에 60이상의 온도로 반도체층을 가열하는 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 가열이 산화가 없는 가스를 포함하는 분위기내에 반도체층을 설정하여 실행되는 제조방법.
  17. 제10항에 있어서, 반도체층의 표면이 수소종결처리 되고 그후에 반도체층이 물로 세척되는 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 용해된 산소량이 80ppb 이하인 탈이 온수가 물로 반도체층을 세척하는데 사용되는 제조방법.
  19. 제1영역을 통하여 수소가스를 흐르도록 시작하고, 수소가스가 흐르는 동안에 수소가스를 제1영역내에서 플라즈마로 변환하고, 적어도 불소가스와 불화물가스를 제1영역으로부터 흐르는 가스의 하류측의 제2영역에 첨가하고, 불소 또는 불화물 가스가 흐르는 동안에 가스를 플라즈마로 변환하기 위하여 산소가스와 산소원자 함유 분자가스중 적어도 하나를 제1영역에 흐르도록 시작하고, 반도체층의 표면으로부터 산화물을 제거하기 위하여 불소 또는 불화물 가스를 도입하는 제2영역으로부터 흐르는 가스에 반도체 층을 노출하고, 산화물 제거후 제1영역내에 도입된 산소 가스 또는 산소원자 함유 분자가스의 도입을 중단하고 나서 불소 또는 불화물 가스의 도입을 중단하고, 제1영역내의 가스가 플라즈마로의 변화를 중단하며, 제1영역내의 가스가 플라즈마로의 변화를 중단한후 수소가스의 도입을 중단하는 단계로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 불화물 가스가 NF3, CF4, SF6, CHF3, C2F6, 및 C4F8중의 하나인 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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