KR920007190B1 - 세정공정시 건조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

세정공정시 건조방법
제1a도 내지 제1i도를 본 발명에 의한 세정공정시 건조방법을 도시한 공정순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 수중보관조 11 : 정속펌프
20 : 적외선 건조조 21 : 다른 적외선 건조조
20A : 적외선 히터 20B : 튜브
W1 : 초순수 W2 : 순수
1 : 카세트 2 : 반도체소자 혹은 실리콘소자
3 : N2혹은 Ar 개스
본 발명은 세정공정에 관한 것으로, 특히 세정공정시 건조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정이란 웨이퍼를 대상으로 하여 목적하는 바에 따라 가공 처리하는 과정으로, 집적 회로를 제조함에 있어서는 여러가지 단위공정의 반복이나 조합으로 이루어지게 된다.
이러한 여러가지 단위공정들 가운데에서도 이물질로 인한 반도체소자의 결함을 적게하기 위하여 사용되는 세정공정은, 먼저 1NH4OH : 1H2O2: 5H2O 용액 혹은 10H2O : 1HF 용액 등의 화학약품 세정을 실시하고, 이 화학약품 세정을 끝낸 반도체소자를 수중보관조내의 초순수에서 소정시간 세척한 후 스핀건조 방식으로 건조한다.
이와 같은 종래 세정공정시 스핀건조방법은, 건조 장치의 회전속도 및 건조시간등이 중요한 변수로 작용하게 되고, 또한 수중보관조에서의 세정 후 반도체소자 표면에 물방울이 남아 있는채 스핀건조를 실시할 경우 완전히 건조되지 않을 가능성도 있으며, 실제로 패턴이 형성된 반도체소자의 건조시 물기가 완전히 제거되지 않고 소자의 일정부위에 얼룩모양의 물반점이 생기기도 하는 등 소자의 신뢰성에 문제가 되는 단점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 소자를 완전히 건조시킬 수 있는 세정공정시 건조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 방법은 반도체기판을 사용하는 반도체소자의 세정공정시 건조 방법에 있어서, 상기 건조방법은 수중보관조에 설치된 정속펌프를 사용하여 일정속도로 물을 수면인하시키는 제1단계와, 적외선 건조조를 사용하여 최종적인 건조를 실시하는 제2단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다.
제1a도 내지 제1i도는 본 발명에 의한 세정공정시 건조방법을 도시한 공정순서도이다.
제1a도는 건조가 진행되기전 수중보관조(10)의 상태를 도시한 것으로, 도면과 같이 건조전에는 V형의 홈이 만들어진 수중보관조(10) 위로 초순수(W1)가 넘쳐흐르게 된다.
제1b도는 순수(W2)를 뽑아내는 과정을 도시한 것으로, 먼저 화학약품 세정을 끝낸 반도체소자 예컨대 실리콘 소자(2)가 꽂혀 있는 카세트(cassette : 1)를 상기 수중보관조(10)에 넣어 약 10초동안 제1a도의 과정을 반복하여 세정한다. 이 세정이 끝난후에 정속펌프(11)를 사용하여 수중보관조안의 순수(W2)를 뽑아낸다.
제1c도 및 제1d도는 실리콘소자(2)와 순수(W2) 사이의 계면을 도시한 것으로, 제1c도와 같이 상기 정속펌프(11)를 사용하여 수중보관조안의 순수를 계속적으로 뽑아내면, 제10도에 도시된 바와 같이 실리콘소자(2)와 순수(W2) 사이의 계면에서의 표면장력에 의해 실리콘소자(2) 표면의 물기가 제거되기 시작한다. 이때 정속펌프의 펌핑속도는 1.4∼1.6ℓ/min가 되도록 조절한다.
제1e도는 순수를 모두 뽑아내는 과정을 도시한 것으로, 제1c도 및 제1d도의 공정이후 수중보관조(10)내의 순수를 모두 뽑아내어 실리콘소자(2)의 표면을 균일하게 1차 건조시킨다. 그 다음에 카세트(1)를 빼내고, 다시 수중보관조에 초순수를 채워 이 초순수가 수중보관조 위로 넘쳐흐르게 한다.
제1f도는 적외선 건조조(20)를 도시한 것으로, 이 건조조는 상기 정속펌프를 사용하여 1차적으로 건조된 실리콘소자에 완전히 제거되지 않고 남아있는 약간의 물기를 건조시키기 위한 적외선히터(20A)와, 정전기 발생을 억제하기 위하여 N2혹은 Ar 개스를 공급하는 튜브(20B)로 구성되어 있다.
제1g도 및 제1h도는 적외선 건조조(20)를 통한 2차 건조과정을 도시한 것으로, 상기 제1f도의 적외선 건조조(20)내에 실리콘소자(2)가 꽂혀있는 카세트(1)를 넣고(제1g도), 제1h도에 도시된 바와 같이 적외선 히터(20A)를 작동함으로써 열을 발생하여 최종적으로 실리콘소자(2)를 건조시킨다. 이때 튜브(20B)를 통해 공급되는 N2혹은 Ar 개스(3)를 사용하여 상기 실리콘소자(2)의 정전기 발생을 억제할 수 있다.
제1i도는 다른 적외선 건조조(21)를 통한 2차 건조과정을 도시한 것으로, 이 건조조는 상기 제1f도의 적외선 건조조(20)와는 달리, 적외선히터(20A)를 건조조의 좌, 우측 뿐만 아니라 하단에도 설치하여, 상기 제1h도와 같은 공정을 수행하게 된다. 이때 건조조(21)의 하단에 적외선히터(20A)를 설치하는 것은, 상기 제1h도의 경우 카세트(1)에 물방울이 맺혀 건조조에 떨어지게 되면 이 물방울이 증발하여 다시 실리콘소자(2)에 흡착되는 것을 방지하기 위한 것이다.
이상과 같이 본 발명의 건조방법은 먼저 정속펌프를 사용한 수면인하 건조방법으로 세정하고자 하는 반도체 소자의 표면을 균일하게 감소시킬 수 있으며, 이 수면인하 건조방법으로 완전히 제거되지 않은 약간의 물기는 적외선 건조조를 사용하여 최종적으로 건조시킴으로써, 종래 스핀건조 방식에서 문제되었던 건조장치의 회전속도, 건조시간등을 고려하지 않고도 물기가 완전히 제거된 반도체소자를 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 건조방법은, 상술한 본 실시예의 초기 세정공정에서 뿐만 아니라, 반도체소자 제작시에 수반되는 모든 세정공정에도 적용할 수 있음은 물론이다.

Claims (5)

  1. 반도체기판을 사용하는 반도체소자의 세정공정시 건조방법에 있어서, 상기 건조방법은 수중보관조에 설치된 정속펌프를 사용하여 일정속도로 물을 수면인하시키는 제1단계와; 그리고 적외선 건조조를 사용하여 최종적인 건조를 실시하는 제2단계로 이루어짐을 특징으로 하는 세정공정시 건조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 정속펌프의 펌핑속도는, 반도체소자와 물 사이의 계면에서의 표면장력에 의해 반도체소자 표면의 물기가 제거되는 속도로 하는 것을 특징으로 하는 세정공정시 건조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 펌핑속도는 1.4∼1.6ℓ/min으로 하는 것을 특징으로 하는 세정공정시 건조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 2단계의 건조방법은 정전기 발생을 억제하기 위한 개스 분위기의 적외건 건조조내에서 적외선으로 반도체소자를 건조시키는 것을 특징으로 하는 세정공정시 건조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 정전기 발생을 억제하기 위한 개스는 N2혹은 Ar 개스임을 특징으로 하는 세정 공정시 건조방법.
KR1019890020719A 1989-12-30 1989-12-30 세정공정시 건조방법 KR920007190B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101029691B1 (ko) * 2006-01-17 2011-04-15 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

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