JPS6286731A - レ−ザ−ビ−ム照射Ｓｉ表面処理装置 - Google Patents
レ−ザ−ビ−ム照射Ｓｉ表面処理装置Info
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- JPS6286731A JPS6286731A JP22626185A JP22626185A JPS6286731A JP S6286731 A JPS6286731 A JP S6286731A JP 22626185 A JP22626185 A JP 22626185A JP 22626185 A JP22626185 A JP 22626185A JP S6286731 A JPS6286731 A JP S6286731A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子デバイス製造グロセスに用いるレーザー
ビーム照射Ｓｉ表面処理装置に関するものである。
ビーム照射Ｓｉ表面処理装置に関するものである。
従来のＳｌのイオンビームエツチング装置としては、第
２図に示すような、真空装置２１中のイオン源２２より
イオンビーム２３を引き出し、これを真空中またはガス
導入管から導入した活性ガス分子２４の雰囲気中で一定
時間Ｓｉ基板２６に照射することによって工、チングを
行う装置が知られている（カウフマン、ジャーナル・オ
ブ・バキューム・サイエンス・テクノロジ（Ｊ、Ｖａａ
、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、）１６巻１９７９年１７９
ページ）。
２図に示すような、真空装置２１中のイオン源２２より
イオンビーム２３を引き出し、これを真空中またはガス
導入管から導入した活性ガス分子２４の雰囲気中で一定
時間Ｓｉ基板２６に照射することによって工、チングを
行う装置が知られている（カウフマン、ジャーナル・オ
ブ・バキューム・サイエンス・テクノロジ（Ｊ、Ｖａａ
、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、）１６巻１９７９年１７９
ページ）。
ところがこのような装置においては、真空中でイオンビ
ームエツチングを行う場合には工、テングレイトが遅く
、また活性ガス雰囲気中でイオンビームエツチングを行
う場合には工、チングレイトは増加するがイオン衝撃及
び活性ガス分子吸着の相乗効果によるダメージがＳｉ表
面に形成されるという欠点があった。
ームエツチングを行う場合には工、テングレイトが遅く
、また活性ガス雰囲気中でイオンビームエツチングを行
う場合には工、チングレイトは増加するがイオン衝撃及
び活性ガス分子吸着の相乗効果によるダメージがＳｉ表
面に形成されるという欠点があった。
ま念、従来のＳｉ表面洗浄装置としては１通常、ＨＣＡ
Ｉ、Ｈ２Ｏ２，ＮＨ３０Ｈ，Ｈ２ＢＯ３などのうち数種
類を混合した溶液を加熱し、これをＳｔ基板を浸して洗
浄するクエ、ト洗浄装置が用いられている（Ｗ、Ｋｓｒ
ｎ ａｎｄＤ、Ａ、Ｐｕｏｔｉｎ＠ｎ） ＲＣＡレビ、
−（ＲＣＡ、 Ｒｅｖｉｅｗ） ６月号１９７０年１
８７ページ）。このような装置を用いた場合、ウェット
の洗浄装置であるために洗浄の基礎となる水の中の不純
物（特にバクテリア）や他の無機・有機溶媒中のゴミや
不純物によってｓｉ表面が汚染されるという欠点があっ
た。また、近年エツチングなどのプロセスがドライ化す
る中で。
Ｉ、Ｈ２Ｏ２，ＮＨ３０Ｈ，Ｈ２ＢＯ３などのうち数種
類を混合した溶液を加熱し、これをＳｔ基板を浸して洗
浄するクエ、ト洗浄装置が用いられている（Ｗ、Ｋｓｒ
ｎ ａｎｄＤ、Ａ、Ｐｕｏｔｉｎ＠ｎ） ＲＣＡレビ、
−（ＲＣＡ、 Ｒｅｖｉｅｗ） ６月号１９７０年１
８７ページ）。このような装置を用いた場合、ウェット
の洗浄装置であるために洗浄の基礎となる水の中の不純
物（特にバクテリア）や他の無機・有機溶媒中のゴミや
不純物によってｓｉ表面が汚染されるという欠点があっ
た。また、近年エツチングなどのプロセスがドライ化す
る中で。
洗浄プロセス装置がウェット式装置であることは、プロ
セスの一貫ドライ化による簡便化・清浄化を妨げるもの
であった。
セスの一貫ドライ化による簡便化・清浄化を妨げるもの
であった。
本発明は、このような従来のイオンエツチング装置・表
面洗浄装置の欠点を除去せしめて、Ｓｌのイオンエツチ
ング後の表面の清浄化・低欠陥化を含めたドライエツチ
ングを行う装置を提供するとともに、同様の装置で簡便
かつ洗浄中の逆汚染の少ないＳｔのドライ洗浄を行うＳ
ｔ表面処理装置を提供することを目的とする。
面洗浄装置の欠点を除去せしめて、Ｓｌのイオンエツチ
ング後の表面の清浄化・低欠陥化を含めたドライエツチ
ングを行う装置を提供するとともに、同様の装置で簡便
かつ洗浄中の逆汚染の少ないＳｔのドライ洗浄を行うＳ
ｔ表面処理装置を提供することを目的とする。
本発明はＳｉ基板を搭載するターゲットを内蔵した真空
装置に、フッ素ガス、塩素ガス、水素ガスを導入する導
入口と、Ｓｉ基板に外部から照射するＣＯ２レーデ光を
透過させる赤外線透過窓と、Ｓｌ基板に外部から照射す
るエキシマレーデ元又はＵＶランプ光を透過させる紫外
線透過窓とを備え、前記ターゲットにヒータを設けたこ
とを特徴とするレーザビーム照射Ｓｉ表面処理装置であ
る。
装置に、フッ素ガス、塩素ガス、水素ガスを導入する導
入口と、Ｓｉ基板に外部から照射するＣＯ２レーデ光を
透過させる赤外線透過窓と、Ｓｌ基板に外部から照射す
るエキシマレーデ元又はＵＶランプ光を透過させる紫外
線透過窓とを備え、前記ターゲットにヒータを設けたこ
とを特徴とするレーザビーム照射Ｓｉ表面処理装置であ
る。
以下に本発明の実施例を図によって示す。真空装置１１
は、排気系１２によって真空排気する。Ｓｔ基板１３を
設置するターゲット１４内にヒーター１５を設け、電流
導入端子１６を通して通電可能としている。Ｓ１ウエハ
ー１３にイオンビーム１７が照射可能な位置にイオン源
１８を設置する。また、ｓｌ基板１３にＣ０２レーザー
光１９が照射可能な位置に赤外線透過窓１１０及びＣＯ
２レーザ−１１１を設置する。さらに、Ｓｔ基板１３に
エキシマレーザー光１１２が照射可能な位置に紫外線透
過窓１１３及びエキシマレーザ−１１４を設置する。真
空装置１１には、活性ガス分子１１５を導入するために
、塩素ガス導入口１１６゜水素ガス導入口１１７、フッ
素ガス導入口１１８を設置する。
は、排気系１２によって真空排気する。Ｓｔ基板１３を
設置するターゲット１４内にヒーター１５を設け、電流
導入端子１６を通して通電可能としている。Ｓ１ウエハ
ー１３にイオンビーム１７が照射可能な位置にイオン源
１８を設置する。また、ｓｌ基板１３にＣ０２レーザー
光１９が照射可能な位置に赤外線透過窓１１０及びＣＯ
２レーザ−１１１を設置する。さらに、Ｓｔ基板１３に
エキシマレーザー光１１２が照射可能な位置に紫外線透
過窓１１３及びエキシマレーザ−１１４を設置する。真
空装置１１には、活性ガス分子１１５を導入するために
、塩素ガス導入口１１６゜水素ガス導入口１１７、フッ
素ガス導入口１１８を設置する。
まず、通常のイオンエツチングと同様にイオン源からタ
ーグツ） １４上のＳｉウエハー１３に、不活性ガス又
はフッ素ガス、塩素ガス、水素ガス、またはそれ等の混
合ガスを照射してエツチングを行う。次にＣＯ２レーザ
ー光１９をＳｔウェハー１３に照射することにより、ウ
ェハー１３がフッ素雰囲気中にある場合には５ｉ−Ｆ結
合の振動を選択的に大きく促進させ、それ以外の雰囲気
中の場合にはＳｉ表面全般を加熱してＳｉ表面でのエツ
チング及び洗浄を促進する。塩素ガスまたはフッ素ガス
または水素ガス雰囲気中及びこれらのガス充填後排気後
の真空中では、Ｓｉ基板表面にはこれらのガスが吸着し
ている。表面にｓ ｔ−ｃｔ結合、５ｔ−Ｈ結合、 Ｓ
ｉ−Ｆ結合がある場合、Ｓｉのパ、り？ンドは通常の５
ｔ−ｓｔ結合よりも弱くなっているため、昇温またはＣ
Ｏ２レーザ−ビーム１９の照射によって表面のＳｔ塩化
物またはＳｔ水素化物またはＳｉフ、化物が脱離する可
能性が大きい。この際に１表面に強く吸着していた汚染
不純物は表面ｓｉとともに離脱し、表面が清浄化される
。さらにＸｅＣＬ ｔたはＸｅＦまたはＸｅＢｒエキシ
マレーザ−光１１２、またはＵＶランプ光をＳｉウエハ
ー１３に照射することによりＳｉ表面の電子状態を励起
し、Ｓｉ表面でのエツチング効果及び洗浄効果を促進す
る。Ｓ１ウエハーが塩素雰囲気中にある場合には、エキ
シマレーザ−光マたはＵＶランプ光の照射により塩素の
電子状態を励起することができ、Ｓｉ表面でのエツチン
グ効果及び洗浄効果を促進することができる。ターゲッ
ト１４内のヒーター１５にて、Ｓｌウェハー１３を必要
に応じて加熱することにより、Ｓｉ表面でのエツチング
効果及び洗浄効果を促進することができる。イオン源１
８、ＣＯ２レーザー１１１，エキシマレーザ−１１４は
、状況に応じてその内の１つまたは２つの使用を中止し
、遅いエツチングレイトでエツチングまたは洗浄を行う
ことも可能であるのは言うまでもない。
ーグツ） １４上のＳｉウエハー１３に、不活性ガス又
はフッ素ガス、塩素ガス、水素ガス、またはそれ等の混
合ガスを照射してエツチングを行う。次にＣＯ２レーザ
ー光１９をＳｔウェハー１３に照射することにより、ウ
ェハー１３がフッ素雰囲気中にある場合には５ｉ−Ｆ結
合の振動を選択的に大きく促進させ、それ以外の雰囲気
中の場合にはＳｉ表面全般を加熱してＳｉ表面でのエツ
チング及び洗浄を促進する。塩素ガスまたはフッ素ガス
または水素ガス雰囲気中及びこれらのガス充填後排気後
の真空中では、Ｓｉ基板表面にはこれらのガスが吸着し
ている。表面にｓ ｔ−ｃｔ結合、５ｔ−Ｈ結合、 Ｓ
ｉ−Ｆ結合がある場合、Ｓｉのパ、り？ンドは通常の５
ｔ−ｓｔ結合よりも弱くなっているため、昇温またはＣ
Ｏ２レーザ−ビーム１９の照射によって表面のＳｔ塩化
物またはＳｔ水素化物またはＳｉフ、化物が脱離する可
能性が大きい。この際に１表面に強く吸着していた汚染
不純物は表面ｓｉとともに離脱し、表面が清浄化される
。さらにＸｅＣＬ ｔたはＸｅＦまたはＸｅＢｒエキシ
マレーザ−光１１２、またはＵＶランプ光をＳｉウエハ
ー１３に照射することによりＳｉ表面の電子状態を励起
し、Ｓｉ表面でのエツチング効果及び洗浄効果を促進す
る。Ｓ１ウエハーが塩素雰囲気中にある場合には、エキ
シマレーザ−光マたはＵＶランプ光の照射により塩素の
電子状態を励起することができ、Ｓｉ表面でのエツチン
グ効果及び洗浄効果を促進することができる。ターゲッ
ト１４内のヒーター１５にて、Ｓｌウェハー１３を必要
に応じて加熱することにより、Ｓｉ表面でのエツチング
効果及び洗浄効果を促進することができる。イオン源１
８、ＣＯ２レーザー１１１，エキシマレーザ−１１４は
、状況に応じてその内の１つまたは２つの使用を中止し
、遅いエツチングレイトでエツチングまたは洗浄を行う
ことも可能であるのは言うまでもない。
第３図に、本発明の装置を用いてＣ０２レーザー１Ｘ＠
ＣＬエキシマレーザー１不活性イオンビームの同時照射
によりフッ素雰囲気中でエツチングした場合のエツチン
グ速度を、従来の方法によりエツチングした場合のエツ
チング速度とともに示す。横軸はフッ素分圧、縦軸はエ
ツチング速度で、３１が従来の装置によりエツチングし
た場合、３２が本発明の装置によりエツチングした場合
である。本発明の装置を用いた場合２従来の装置による
場合よりもエツチング速度が大幅に増加する。
ＣＬエキシマレーザー１不活性イオンビームの同時照射
によりフッ素雰囲気中でエツチングした場合のエツチン
グ速度を、従来の方法によりエツチングした場合のエツ
チング速度とともに示す。横軸はフッ素分圧、縦軸はエ
ツチング速度で、３１が従来の装置によりエツチングし
た場合、３２が本発明の装置によりエツチングした場合
である。本発明の装置を用いた場合２従来の装置による
場合よりもエツチング速度が大幅に増加する。
従来のフッ素雰囲気中におけるイオンビームエ、チング
装置によって１０００Ｘのエツチングを行ったｓｉ衣表
面Ｏ８Ｆを誘起させた場合、その密度は通常４〜７Ｘ１
０”コ／ａｎ”が観察される。これに対し、本発明の装
置で７．累算囲気中及びそれに引き続きフッ素排気後の
真空中でＣＯ２レーザー光、エキシマレーザ−光をイオ
ンビームと同時に照射した場合は、同じフッ素分圧、イ
オン電流密度の条件下でＯ８Ｆの数が１７１００以下と
なり、本装置を用いたエツチングでは表面の欠陥が減少
することがわかる。
装置によって１０００Ｘのエツチングを行ったｓｉ衣表
面Ｏ８Ｆを誘起させた場合、その密度は通常４〜７Ｘ１
０”コ／ａｎ”が観察される。これに対し、本発明の装
置で７．累算囲気中及びそれに引き続きフッ素排気後の
真空中でＣＯ２レーザー光、エキシマレーザ−光をイオ
ンビームと同時に照射した場合は、同じフッ素分圧、イ
オン電流密度の条件下でＯ８Ｆの数が１７１００以下と
なり、本装置を用いたエツチングでは表面の欠陥が減少
することがわかる。
また、第４図に本発明の装置で００２レーザー、エキシ
マレーザ−、Ａｒ、ｆｆス・水素ガス混合イオンビーム
の同時照射によつて表面洗浄した場合のＳｉ表面のオー
ジェスペクトル４１を、従来のウェット式（Ｈ２Ｏ：Ｈ
２０□：ＨＣ１＝ ６：１：１，９０℃）で洗浄した場
合のオージェスペクトル４２とともに示す。本発明の装
置によるＳｉ表面のオージェスペクトル４１の方が従来
の装置で洗浄した場合のオージェスペクトル４２よりも
Ｃ，Ｏを示すピークが小さい。
マレーザ−、Ａｒ、ｆｆス・水素ガス混合イオンビーム
の同時照射によつて表面洗浄した場合のＳｉ表面のオー
ジェスペクトル４１を、従来のウェット式（Ｈ２Ｏ：Ｈ
２０□：ＨＣ１＝ ６：１：１，９０℃）で洗浄した場
合のオージェスペクトル４２とともに示す。本発明の装
置によるＳｉ表面のオージェスペクトル４１の方が従来
の装置で洗浄した場合のオージェスペクトル４２よりも
Ｃ，Ｏを示すピークが小さい。
本発明の装置を用いたドライ洗浄の過程において。
洗浄中の洗浄物質によるＳｉ表面の逆汚染の可能性があ
る要素は装置の真空度（）’ｙり・グラウンド）の悪さ
及び使用するガスの純度の悪さである。しかし、これら
はどちらも、装置の設計・高純度ガスの選択によって回
避できる問題であり、ウェット洗浄装置の場合の洗浄物
質によるＳｉ表面逆汚染のように本質的な問題ではない
。このように、本発明によって洗浄中にＳｉ表面が汚染
される可能性は大幅に減少した。
る要素は装置の真空度（）’ｙり・グラウンド）の悪さ
及び使用するガスの純度の悪さである。しかし、これら
はどちらも、装置の設計・高純度ガスの選択によって回
避できる問題であり、ウェット洗浄装置の場合の洗浄物
質によるＳｉ表面逆汚染のように本質的な問題ではない
。このように、本発明によって洗浄中にＳｉ表面が汚染
される可能性は大幅に減少した。
また、本発明によってＳｉ表面洗浄プロセスをドライ化
することにより、洗浄装置をドライエツチング装置など
と結合させた一貫ドライプロセス装置を製作する可能性
が生まれ、よシ汚染の少ないプロセス設計に必須な一段
階が達成されたと言える。
することにより、洗浄装置をドライエツチング装置など
と結合させた一貫ドライプロセス装置を製作する可能性
が生まれ、よシ汚染の少ないプロセス設計に必須な一段
階が達成されたと言える。
〔発明の効果〕
以上詳細に述べた通り、本発明の装置によれば、Ｓｔの
エツチングをより高速に行うことができると同時に、エ
ツチング後のＳｉ表面を低損傷化・清浄化することがで
きる。本発明の装置は、エツチング及び表面清浄化のそ
れぞれについて、単機能装置としても、両用装置として
も用いることができるのは言うまでもない。このような
本発明の装置を電子デバイスプロセスに用いた場合、そ
の波及効果は多大であると言える。
エツチングをより高速に行うことができると同時に、エ
ツチング後のＳｉ表面を低損傷化・清浄化することがで
きる。本発明の装置は、エツチング及び表面清浄化のそ
れぞれについて、単機能装置としても、両用装置として
も用いることができるのは言うまでもない。このような
本発明の装置を電子デバイスプロセスに用いた場合、そ
の波及効果は多大であると言える。
第１図は本発明の実施例を示す構成図、第２図は従来の
イオンビームエツチング装置を示す図、第３図は本発明
の装置及び従来の装置でエツチングした場合のエツチン
グ速度を示す図、第４図は本発明の装置及び従来の装置
で表面洗浄した場合のＳ１表面のオージェスペクトルを
示す図である。 図において、 １１・・・真空装置、１２・・・排気系、１３・・・Ｓ
ｉ基板、１４・・・ターゲット、１５・・・ヒーター、
１６・・・電流導入端子、１７・・・イオンビーム、１
８・・・イオン源、 １９・・・Ｃｏ レーザー光、
１１０・・・赤外線透過窓、 １１１・・・ＣＯ□レ
ーザー、１１２・・・エキシマレーザ−光、１１３・・
・紫外線透過光％１１４・・・エキシマレーザ−，１１
５・・・活性ガス分子、１１６・・・塩素ガス導入口、
１１７・・・水素ガス導入口、１１８・・・フッ素ガス
導入口。 ２１：真空製Ｉ ２２：イオン源 ２３：イオンビーム ２４：活性ガス分子 ２６：ＳＬ′ｉＬ＠ 第２図 ０ ０．０５ ０Ａ Ｏ，ｊ
５ ０．２ＣＪ！、２）ｊｊ圧（Ｔｏｒｒ） 第３図
イオンビームエツチング装置を示す図、第３図は本発明
の装置及び従来の装置でエツチングした場合のエツチン
グ速度を示す図、第４図は本発明の装置及び従来の装置
で表面洗浄した場合のＳ１表面のオージェスペクトルを
示す図である。 図において、 １１・・・真空装置、１２・・・排気系、１３・・・Ｓ
ｉ基板、１４・・・ターゲット、１５・・・ヒーター、
１６・・・電流導入端子、１７・・・イオンビーム、１
８・・・イオン源、 １９・・・Ｃｏ レーザー光、
１１０・・・赤外線透過窓、 １１１・・・ＣＯ□レ
ーザー、１１２・・・エキシマレーザ−光、１１３・・
・紫外線透過光％１１４・・・エキシマレーザ−，１１
５・・・活性ガス分子、１１６・・・塩素ガス導入口、
１１７・・・水素ガス導入口、１１８・・・フッ素ガス
導入口。 ２１：真空製Ｉ ２２：イオン源 ２３：イオンビーム ２４：活性ガス分子 ２６：ＳＬ′ｉＬ＠ 第２図 ０ ０．０５ ０Ａ Ｏ，ｊ
５ ０．２ＣＪ！、２）ｊｊ圧（Ｔｏｒｒ） 第３図
Claims (1)
- （１）Ｓｉ基板を搭載するターゲットを内蔵した真空装
置に、フッ素ガス、塩素ガス、水素ガスを導入する導入
口と、Ｓｉ基板に外部から照射するＣＯ＿２レーザー光
を透過させる赤外線透過窓と、Ｓｉ基板に外部から照射
するエキシマレーザー光又はＵＶランプ光を透過させる
紫外線透過窓とを備え、前記ターゲットにヒータを設け
たことを特徴とするレーザービーム照射Ｓｉ表面処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22626185A JPS6286731A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レ−ザ−ビ−ム照射Ｓｉ表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22626185A JPS6286731A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レ−ザ−ビ−ム照射Ｓｉ表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286731A true JPS6286731A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16842427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22626185A Pending JPS6286731A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レ−ザ−ビ−ム照射Ｓｉ表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286731A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027522A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその装置 |
| JPH0281430A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の処理装置 |
| JPH03151634A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-27 | Anelva Corp | 選択タングステン成長方法および装置 |
| US5976328A (en) * | 1996-01-26 | 1999-11-02 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
| US7154147B1 (en) * | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
| JP2009088439A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置 |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22626185A patent/JPS6286731A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027522A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその装置 |
| JPH0281430A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の処理装置 |
| JPH03151634A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-27 | Anelva Corp | 選択タングステン成長方法および装置 |
| US7154147B1 (en) * | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
| US5976328A (en) * | 1996-01-26 | 1999-11-02 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
| US6344115B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-02-05 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
| JP2009088439A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置 |
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