JPH0859214A - オゾン発生装置 - Google Patents

オゾン発生装置

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JPH0859214A
JPH0859214A JP6224151A JP22415194A JPH0859214A JP H0859214 A JPH0859214 A JP H0859214A JP 6224151 A JP6224151 A JP 6224151A JP 22415194 A JP22415194 A JP 22415194A JP H0859214 A JPH0859214 A JP H0859214A
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JP
Japan
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ozone
ozone gas
gas
nox
generating cell
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Pending
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JP6224151A
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English (en)
Inventor
Minoru Harada
稔 原田
Ryoichi Shinjo
良一 新荘
Manabu Tsujimura
学 辻村
Renpei Nakada
錬平 中田
Kunihiro Miyazaki
邦浩 宮崎
Shigehiko Kaji
成彦 梶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to US08/518,418 priority patent/US5632868A/en
Priority to DE69535054T priority patent/DE69535054T2/de
Priority to TW084108787A priority patent/TW350832B/zh
Priority to KR1019950026263A priority patent/KR960007449A/ko
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  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】Cr化合物発生の要因となるオゾンガスに含ま
れるNOx、HF、SOxを除去し、Cr化合物に汚染
されないか、或いは高集積度の半導体製造等に問題にな
らない程度の微量な汚染で済むオゾン発生装置を提供す
ること。 【構成】 高電圧を印加しているオゾン発生セル11に
原料ガスを供給し、該オゾン発生セル11で発生したオ
ゾンガスをオゾンガス移送流路(管14,15)を通し
て送出するオゾン発生装置10において、オゾンガス移
送流路にNOx、HF、SOxのいずれか1つ又は2つ
以上を除去する除去手段(図ではNOxの除去手段)を
設け、オゾン発生セル11からのオゾンガスを除去手段
を通して、該オゾンガスに含まれるNOx、HF、SO
xのいずれか1つ又は2つ以上を除去して送出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセス等に
使用する高純度のオゾンガスを製造するオゾン発生装置
に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、この種の高純度のオゾンガスを製造
するオゾン発生装置においては、オゾンガスと接する部
分の材料にステンレス鋼が用いられ、パーティクルやア
ウトガス(OUT GAS)の発生を嫌う半導体製造プ
ロセスでは、その電解研磨処理を施したものを使用して
いた。
【0003】上記のようなオゾンガス接触部の材料にス
テンレス鋼材を用いた場合、オゾンガスに微量のクロム
(Cr)化合物が含まれる。このCr化合物の発生原因
としては、原料ガスとして酸素(O2)ガスに窒素
(N2)ガスを添加したものを用いることから、この窒
素により、オゾン発生セル内でNOxが生成され、該N
Oxとステンレス鋼の表面にごく微量に吸着されている
水分とが反応し、硝酸となり、該硝酸がステンレス鋼と
反応してCr化合物が発生するものと推測される。ま
た、原料として酸素(O2)ガスにCF4,SF6,NF3
等を添加した場合もSOxやHFの生成も予測され、C
r化合物が発生すると推測される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体製造プロ
セスにおいては、使用するオゾンガスが微量なCr化合
物で汚染されていても特に問題とならなかった。しかし
ながらオゾンガスの用途が広まっていくに伴い、半導体
製造プロセスに用いるオゾンガス中に含まれるCr化合
物が問題となってきているが、従来この問題に対処する
有効な手段は無かった。
【0005】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、Cr化合物の発生の要因となるオゾンガスに含まれ
るNOx、HF、SOxを除去し、Cr化合物の発生を
大幅に低減できるオゾン発生装置を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、高電圧を印加しているオゾン発生セルに原料
ガスを供給し、該オゾン発生セルで発生したオゾンガス
をオゾンガス移送流路を通して送出するオゾン発生装置
において、オゾンガス移送流路にNOx、HF、SOx
のいずれか1つ又は2つ以上を除去する除去手段を設
け、オゾン発生セルからのオゾンガスを除去手段を通し
て、該オゾンガスに含まれるNOx、HF、SOxのい
ずれか1つ又は2つ以上を除去して送出することを特徴
とする。
【0007】また、前記除去手段は内部にゼオライト材
を充填した容器であり、オゾン発生セルからのオゾンガ
スを該容器中を通すように構成したことを特徴とする。
【0008】また、前記除去手段は容器に収容した純水
を有し、オゾン発生セルからのオゾンガスは微細な気泡
として純水中に気散させて通すように構成したことを特
徴とする。
【0009】
【作用】本発明は上記のように、オゾン発生セルからの
オゾンガスを内部にゼオライト材を充填した容器中に通
すことにより、オゾンガス中のNOx、HF、SOxは
該ゼオライトに吸着され除去される。また、容器に収容
された純水中を通すことにより、オゾンガス中のNO
x、HF、SOxは純水中に溶解し除去される。従っ
て、オゾンガス中にCr化合物発生の要因となるNO
x、HF、SOxが含まれないから、移送流路のオゾン
ガスとの接触部をステンレス鋼のようなCrを含む材料
で構成しても、Cr化合物が生成されることなくオゾン
ガスはCr化合物に汚染されることはない。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図
である。図示するように、本オゾン発生装置10はオゾ
ン発生セル11、NOxの除去手段12、フィルタ13
を具備し、オゾン発生セル11とNOxの除去手段12
は少なくともオゾンガスと接触する部分はテフロン等の
構成材料にCrを含まない材料を用いた管14で接続
し、該NOxの除去手段12とフィルタ13はテフロン
又はステンレス鋼等からなる管15で接続している。
【0011】オゾン発生セル11はその電極に高周波高
電圧が印加され、無声放電等の放電が発生し、原料ガス
として酸素(O2)ガスに窒素(N2)ガスを添加したも
のを供給しオゾン(O3)ガス(8vol%)を発生さ
せるものである。このように原料ガスとして酸素
(O2)ガスに窒素(N2)ガスを添加したものを供給し
た場合は、上記のようにオゾンガス中にNOxが含まれ
る。該NOxの含むオゾンガスを管14を通してNOx
の除去手段12を通すことにより、オゾンガス中のNO
xが除去される。NOxの除去されたオゾンガスは更に
フィルタ13を通ることにより、パーティクル等が除去
され、オゾン発生装置10から次のプロセスへ送出され
る。
【0012】上記のようにオゾン発生セル11からのオ
ゾンガスはNOxの除去手段12でその中に含まれるN
Oxが除去される。従って、該除去手段12以降の管1
5等のオゾンガス移送流路のオゾンガス接触部に構成材
料にCr化合物を含む、例えばステンレス管を用いても
Cr化合物を生成する要因となるNOxがなく、オゾン
ガスはCr化合物で汚染されることはない。
【0013】図2はNOxの除去手段12の構成例を示
す図である。NOxの除去手段12は容器20にNOx
吸着剤21が充填された構造である。容器20は円筒状
の外筒22をその上下開口をフランジ23,23で閉塞
した構造で、外筒22の内側に上下に二枚のメッシュ板
25,25を所定の間隔を設けて保持リング26,26
で保持し、該メッシュ板25と25の間に前記NOx吸
着剤21を充填した構造である。なお、図2において、
24,24はフランジ23,23を外筒22に固定する
ボルト、27,27は気密を保つためのOリングであ
る。
【0014】下側のフランジ23には継手28を介して
一端が図1のオゾン発生セル11に接続された管14の
他端が接続され、上側のフランジ23には継手28を介
して一端が図1のフィルタ13に接続された管15の他
端が接続される。管14を通してオゾン発生セル11か
らのオゾンガスを外筒22内に流すと、該オゾンガスは
下側のメッシュ板25、NOx吸着剤21及び上側のメ
ッシュ板25を通って管15へと流れる。該オゾンガス
がNOx吸着剤21を通る間にその中に含まれるNOx
はNOx吸着剤21に吸着される。
【0015】上記構成のNOxの除去手段12におい
て、フランジ23、外筒22及び保持リング26は純ア
ルミニウム又はステンレス鋼にNiコーティング又はテ
フロン、メッシュ板25はテフロン、Oリング27はフ
ロロカーボンエラストマで構成した。また、NOx吸着
剤21にはゼオライトを用いる。ゼオライトはオゾンガ
スに比べて多量のNOx、HF、SOxを吸着する性質
を有している。また、オゾンガス中のNOx、HF、S
Oxは極く微量であるため、ゼオライト中にこのNO
x、HF、SOxを微量に含むオゾンガスを通すと、オ
ゾンガスは短時間で吸着平衡状態に達し、それ以上は吸
着されないが、NOx、HF、SOxは長い時間かけて
吸着され続けることになる。この原理によりオゾンガス
中のNOx、HF、SOxを効果的に除去する。
【0016】図3は本発明のオゾン発生装置の他の構成
例を示す図である。図3において、図1と同一符号を付
した部分は同一又は相当部分を示す。16はガラス又は
テフロンで構成された容器(水槽)であり内部に純水1
7が収容されている。オゾン発生セル11からのオゾン
ガスは管14を取って、水槽16の純水17の中に気散
される。純水17の中を通ったオゾンガスは水槽16の
上部から管15を通って除湿器18に導かれ、該除湿器
18でオゾンガス中に含まれる湿気を除去し、乾燥した
オゾンガスとして次のプロセスに送られる。
【0017】また、管14の先端には図示は省略する
が、オゾンガスを微細な気泡として気散させるため、例
えば孔径10〜100μmの多数の微細孔が形成された
散気部を設け、該散気部からオゾンガスを微細気泡とし
て気散させる。なお、上記除湿器18は次のプロセスが
水分を嫌う場合に用いればよく、水分を嫌わないプロセ
スの場合は必ずしも必要なものではない。上記除湿器1
8は凝縮方式又は吸着方式等が用いられる。
【0018】上記のようにオゾンガスを純水17の中に
気散させることにより、オゾンガス中に含まれるNOx
が純水17の中に溶解し除去される。また、上記例はオ
ゾン発生セル11に供給する原料ガスとして酸素
(O2)ガスに窒素(N2)ガスを添加した場合に、オゾ
ンガスに含まれるNOxを除去する例を説明したが、原
料ガスとして酸素(O2)ガスにCF4,SF6,NF3
添加したものを供給した場合はオゾンガス中にHFやS
Oxも含まれることになるが、上記のような純水17の
中にオゾンガスを気散させることにより、これらHFや
SOxも純水17の中に溶解し、除去されることにな
る。
【0019】水はオゾンガスに比べてNOx、HF、S
Oxを多量に溶解する性質を有している。また、オゾン
ガス中のNOx、HF、SOxは極く微量であるため、
純水中に該NOx、HF、SOxを微量に含むオゾンガ
スを通すとオゾンガスは短時間で溶解平衡状態に達し、
それ以上は溶解しないが、オゾンガス中のNOx、H
F、SOxは長い時間溶解し続けることになる。この原
理により、オゾンガス中のNOx、HF、SOxを効果
的に除去する。
【0020】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
オゾン発生セル以降のオゾンガス移送流路にオゾンガス
中に含まれるNOx、HF及びSOxを除去する除去手
段を設けるから、該除去手段以降のオゾンガス移送流路
のオゾンガスとの接触部の構成材料にステンレスCrを
含む材料を用いても、オゾンガスがCr化合物に汚染さ
れることが無いという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図であ
る。
【図2】本発明のオゾン発生装置に用いるNOxの除去
手段の構成例を示す図である。
【図3】本発明のオゾン発生装置の他の構成例を示す図
である。
【符号の説明】
10 オゾン発生装置 11 オゾン発生セル 12 NOxの除去手段 13 フィルタ 14 管 15 管 16 水槽 17 純水 18 除湿器 20 容器 21 NOx吸着剤 22 外筒 23 フランジ 24 ボルト 25 メッシュ板 26 保持リング 27 Oリング 28 継手
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 中田 錬平 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 宮崎 邦浩 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 梶 成彦 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高電圧を印加しているオゾン発生セルに
    原料ガスを供給し、該オゾン発生セルで発生したオゾン
    ガスをオゾンガス移送流路を通して送出するオゾン発生
    装置において、 前記オゾンガス移送流路にNOx、HF、SOxのいず
    れか1つ又は2つ以上を除去する除去手段を設け、前記
    オゾン発生セルからのオゾンガスを該除去手段を通し
    て、該オゾンガスに含まれるNOx、HF、SOxのい
    ずれか1つ又は2つ以上を除去して送出することを特徴
    とするオゾン発生装置。
  2. 【請求項2】 前記除去手段は内部にゼオライト材を充
    填した容器であり、前記オゾン発生セルからのオゾンガ
    スは該容器中を通るように構成したことを特徴とする請
    求項1に記載のオゾン発生装置。
  3. 【請求項3】 前記除去手段は容器に収容した純水を有
    し、前記オゾン発生セルからのオゾンガスを該純水中を
    通すように構成したことを特徴とする請求項1に記載の
    オゾン発生装置。
  4. 【請求項4】 前記オゾン発生セルからのオゾンガスを
    微細な気泡として前記純水中に気散させて通すことを特
    徴とする請求項3に記載のオゾン発生装置。
JP6224151A 1994-08-24 1994-08-24 オゾン発生装置 Pending JPH0859214A (ja)

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EP95113254A EP0703187B1 (en) 1994-08-24 1995-08-23 Method for generating ozone and methods of its use
US08/518,418 US5632868A (en) 1994-08-24 1995-08-23 Method and apparatus for generating ozone and methods of its use
DE69535054T DE69535054T2 (de) 1994-08-24 1995-08-23 Verfahren zur Ozonerzeugung und Methoden zur Benutzung der Vorrichtung
TW084108787A TW350832B (en) 1994-08-24 1995-08-23 Method for generating ozone and its use
KR1019950026263A KR960007449A (ko) 1994-08-24 1995-08-24 오존발생방법 및 장치와 그 사용방법
US08/782,390 US5792326A (en) 1994-08-24 1997-01-13 Method and apparatus for generating ozone and methods of its use

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2746385A1 (fr) * 1996-03-19 1997-09-26 Ozonia Int Sa Procede et dispositif pour eviter la corrosion dans les equipements de compression d'un gaz contenant de l'ozone
WO2005058753A1 (ja) * 2003-12-17 2005-06-30 Tokyo Electron Limited オゾン処理方法及びオゾン処理装置
JP2008297130A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Iwatani Internatl Corp オゾンガス濃縮方法
JP2013180931A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Iwatani Internatl Corp オゾンガスに含まれる窒素酸化物除去用吸着剤の前処理方法と窒素酸化物除去用吸着剤および前処理装置。
CN107648992A (zh) * 2017-10-19 2018-02-02 成都工业学院 一种景观式臭氧清除器
US10245554B2 (en) 2012-02-10 2019-04-02 Entegris, Inc. Gas purifier

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2746385A1 (fr) * 1996-03-19 1997-09-26 Ozonia Int Sa Procede et dispositif pour eviter la corrosion dans les equipements de compression d'un gaz contenant de l'ozone
WO2005058753A1 (ja) * 2003-12-17 2005-06-30 Tokyo Electron Limited オゾン処理方法及びオゾン処理装置
KR100681807B1 (ko) * 2003-12-17 2007-02-15 동경 엘렉트론 주식회사 오존 처리 방법 및 오존 처리 장치
US7767006B2 (en) 2003-12-17 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Ozone processing apparatus and ozone processing method
JP2008297130A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Iwatani Internatl Corp オゾンガス濃縮方法
US10245554B2 (en) 2012-02-10 2019-04-02 Entegris, Inc. Gas purifier
JP2013180931A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Iwatani Internatl Corp オゾンガスに含まれる窒素酸化物除去用吸着剤の前処理方法と窒素酸化物除去用吸着剤および前処理装置。
CN107648992A (zh) * 2017-10-19 2018-02-02 成都工业学院 一种景观式臭氧清除器
CN107648992B (zh) * 2017-10-19 2023-11-17 成都工业学院 一种景观式臭氧清除器

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