JPH092807A - オゾン発生装置 - Google Patents
オゾン発生装置Info
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- JPH092807A JPH092807A JP11706896A JP11706896A JPH092807A JP H092807 A JPH092807 A JP H092807A JP 11706896 A JP11706896 A JP 11706896A JP 11706896 A JP11706896 A JP 11706896A JP H092807 A JPH092807 A JP H092807A
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- ozone gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発生するオゾンガス中のＣr化合物の量を短
時間で大幅に低減できるオゾン発生装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 原料ガスを供給すると共に高電圧源から
高電圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル
１１及び発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出
路を具備するオゾン発生装置１０において、オゾン発生
セル１１以降のオゾンガス送出路の少なくともオゾンガ
スと接する部分には、ドライプロセスで酸化不動態皮膜
処理された材料を使用する。
時間で大幅に低減できるオゾン発生装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 原料ガスを供給すると共に高電圧源から
高電圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル
１１及び発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出
路を具備するオゾン発生装置１０において、オゾン発生
セル１１以降のオゾンガス送出路の少なくともオゾンガ
スと接する部分には、ドライプロセスで酸化不動態皮膜
処理された材料を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造プロセス
等に使用する高純度のオゾンガスを製造するオゾン発生
装置に関するものである。
等に使用する高純度のオゾンガスを製造するオゾン発生
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高純度のオゾンガスを製
造するオゾン発生装置においては、オゾンガスと接する
部分の材料にステンレス鋼が用いられ、パーティクル
（微粒子）やアウトガス（ｏｕｔ ｇａｓ）の発生を嫌
う半導体製造プロセスでは、ステンレス鋼に電解研磨処
理を施したものを使用していた。オゾンガスを製造する
装置として、放電方式のオゾン発生装置が知られてい
る。放電方式のオゾン発生装置で原料ガスに高純度の酸
素（Ｏ2）ガスを用いると、オゾン濃度が経時的に低下
する。この現象を防止するため、窒素（Ｎ2）ガスを微
量混合することが行われている。
造するオゾン発生装置においては、オゾンガスと接する
部分の材料にステンレス鋼が用いられ、パーティクル
（微粒子）やアウトガス（ｏｕｔ ｇａｓ）の発生を嫌
う半導体製造プロセスでは、ステンレス鋼に電解研磨処
理を施したものを使用していた。オゾンガスを製造する
装置として、放電方式のオゾン発生装置が知られてい
る。放電方式のオゾン発生装置で原料ガスに高純度の酸
素（Ｏ2）ガスを用いると、オゾン濃度が経時的に低下
する。この現象を防止するため、窒素（Ｎ2）ガスを微
量混合することが行われている。
【０００３】上記のようにオゾンガス接触部の材料にス
テンレス鋼材を用いた場合、オゾンガスに微量のクロム
（Ｃr）化合物が含まれる。Ｃr化合物の発生原因として
は、前述したように、原料ガスとして酸素（Ｏ2）ガス
に窒素（Ｎ2）ガスを添加したものを用いることから、
該窒素によりオゾン発生セル内でＮＯx （窒素酸化物）
が生成され、該ＮＯx とステンレス鋼の表面にごく微量
に吸着されている水分とが反応し、硝酸となり、該硝酸
がステンレス鋼と反応してＣr 化合物が発生すると推測
される。また、オゾンガスを流しつづけると、Ｃr 化合
物は時間とともに減少していく（枯れていく）が、通常
のステンレス鋼やステンレス鋼を電解研磨処理したもの
は、Ｃr 化合物が実用上問題のないレベルにまで枯れる
のに相当長時間を要する。
テンレス鋼材を用いた場合、オゾンガスに微量のクロム
（Ｃr）化合物が含まれる。Ｃr化合物の発生原因として
は、前述したように、原料ガスとして酸素（Ｏ2）ガス
に窒素（Ｎ2）ガスを添加したものを用いることから、
該窒素によりオゾン発生セル内でＮＯx （窒素酸化物）
が生成され、該ＮＯx とステンレス鋼の表面にごく微量
に吸着されている水分とが反応し、硝酸となり、該硝酸
がステンレス鋼と反応してＣr 化合物が発生すると推測
される。また、オゾンガスを流しつづけると、Ｃr 化合
物は時間とともに減少していく（枯れていく）が、通常
のステンレス鋼やステンレス鋼を電解研磨処理したもの
は、Ｃr 化合物が実用上問題のないレベルにまで枯れる
のに相当長時間を要する。
【０００４】また一度枯れても、配管ラインの点検、オ
ーバーホールなどで大気にさらすと、再びＣr 化合物が
発生し、枯れるまでに長時間の枯らし運転を行わなけれ
ばならないという問題があった。また、ＮＯx以外に、
酸素（Ｏ2）ガスに四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化
イオウ（ＳＦ6 ）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）を添加した
場合でもＳＯx やフッ化水素（ＨＦ）の生成も予測さ
れ、Ｃr化合物が発生すると推測される。
ーバーホールなどで大気にさらすと、再びＣr 化合物が
発生し、枯れるまでに長時間の枯らし運転を行わなけれ
ばならないという問題があった。また、ＮＯx以外に、
酸素（Ｏ2）ガスに四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化
イオウ（ＳＦ6 ）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）を添加した
場合でもＳＯx やフッ化水素（ＨＦ）の生成も予測さ
れ、Ｃr化合物が発生すると推測される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体製造プロ
セスにおいては、使用するオゾンガスが微量なＣr 化合
物で汚染されていても特に問題とならなかった。しかし
ながらオゾンガスの用途が広まるにつれて半導体製造プ
ロセスに用いるオゾンガス中のＣr 化合物が問題となっ
てきたが、従来この問題に対処する有効な手段はなかっ
た。
セスにおいては、使用するオゾンガスが微量なＣr 化合
物で汚染されていても特に問題とならなかった。しかし
ながらオゾンガスの用途が広まるにつれて半導体製造プ
ロセスに用いるオゾンガス中のＣr 化合物が問題となっ
てきたが、従来この問題に対処する有効な手段はなかっ
た。
【０００６】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
で、発生するオゾンガス中のＣr 化合物の量を短時間で
大幅に低減できるオゾン発生装置を提供することを目的
とする。
で、発生するオゾンガス中のＣr 化合物の量を短時間で
大幅に低減できるオゾン発生装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、原料ガスを供給すると共に高電圧源から高電
圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル及び
発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を具備
するオゾン発生装置において、図１に示すように、オゾ
ン発生セル１１以降のオゾンガス送出路（管２２，２
３，ガスフィルタ１５及び管２４）の少なくともオゾン
ガスと接する部分の材料をドライプロセスで酸化不動態
皮膜処理されたステンレス鋼で構成したことを特徴とす
る。また、前記オゾンガス送出路を該ステンレス鋼とＣ
r を含まない材料、たとえばテフロンを組み合わせて使
用してもその効果が変わらないことは言うまでもない。
本発明は、原料ガスを供給すると共に高電圧源から高電
圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル及び
発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を具備
するオゾン発生装置において、図１に示すように、オゾ
ン発生セル１１以降のオゾンガス送出路（管２２，２
３，ガスフィルタ１５及び管２４）の少なくともオゾン
ガスと接する部分の材料をドライプロセスで酸化不動態
皮膜処理されたステンレス鋼で構成したことを特徴とす
る。また、前記オゾンガス送出路を該ステンレス鋼とＣ
r を含まない材料、たとえばテフロンを組み合わせて使
用してもその効果が変わらないことは言うまでもない。
【０００８】Ｃr 化合物の発生メカニズムは先にも述べ
たように、配管表面に吸着している水分または表面層に
含有されている水分が原因と考えられる。電解研磨処理
（ＥＰ処理）されたステンレス鋼は、それがウェットな
処理であるため、表面の自然酸化膜層及びその下のベー
スメタルには水分が含まれる。また、従来から用いられ
てきた硝酸溶液による酸化不動態処理もウエットな処理
であり、これも同じくその表面には水分が含まれ、オゾ
ンガスで相当長時間パージしないとそれら水分が抜けな
い。これに対しドライプロセスで酸化不動態皮膜処理さ
れたものはその膜中に含まれる水分量が極めて少なく、
表面に吸着している水分もその活性エネルギーの低さに
よってパージにより容易に脱離する。
たように、配管表面に吸着している水分または表面層に
含有されている水分が原因と考えられる。電解研磨処理
（ＥＰ処理）されたステンレス鋼は、それがウェットな
処理であるため、表面の自然酸化膜層及びその下のベー
スメタルには水分が含まれる。また、従来から用いられ
てきた硝酸溶液による酸化不動態処理もウエットな処理
であり、これも同じくその表面には水分が含まれ、オゾ
ンガスで相当長時間パージしないとそれら水分が抜けな
い。これに対しドライプロセスで酸化不動態皮膜処理さ
れたものはその膜中に含まれる水分量が極めて少なく、
表面に吸着している水分もその活性エネルギーの低さに
よってパージにより容易に脱離する。
【０００９】本発明は上記構成を採用することにより、
オゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出
路の少なくともオゾンガスと接する部分をドライプロセ
スで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で構成した
から、オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路でＣr 化
合物の発生を極く短時間で大幅に減少することができ
る。
オゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出
路の少なくともオゾンガスと接する部分をドライプロセ
スで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で構成した
から、オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路でＣr 化
合物の発生を極く短時間で大幅に減少することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図
である。図示するように、オゾン発生装置１０は、オゾ
ン発生セル１１、原料ガス系１２、ガスフィルタ１５、
高周波高電圧電源１６、制御部１７及びチラーユニット
１８を具備している。
する。図１は本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図
である。図示するように、オゾン発生装置１０は、オゾ
ン発生セル１１、原料ガス系１２、ガスフィルタ１５、
高周波高電圧電源１６、制御部１７及びチラーユニット
１８を具備している。
【００１１】オゾン発生セル１１は図示は省略するが内
部に１から複数個のセルを有し、各セルと圧力調整弁１
４は管２２で接続され、圧力調整弁１４とガスフィルタ
１５は管２３で接続され、ガスフィルタ１５とオゾンガ
ス出口２５は管２４で接続される。なお、２２−１は継
手である。管２２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管
２３、ガスフィルタ１５及び管２４は、オゾン発生セル
１１からオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を形成
し、該オゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をド
ライプロセスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼
で構成する。
部に１から複数個のセルを有し、各セルと圧力調整弁１
４は管２２で接続され、圧力調整弁１４とガスフィルタ
１５は管２３で接続され、ガスフィルタ１５とオゾンガ
ス出口２５は管２４で接続される。なお、２２−１は継
手である。管２２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管
２３、ガスフィルタ１５及び管２４は、オゾン発生セル
１１からオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を形成
し、該オゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をド
ライプロセスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼
で構成する。
【００１２】原料ガス系１２は、原料ガス入口から供給
される原料ガスをある一定の流量でオゾン発生セル１１
に供給するものである。また、高周波高電圧電源１６は
制御部１７の制御によりオゾン発生セル１１の電極に高
周波の高電圧を印加する電源である。圧力調整弁１４は
制御部１７の制御によりオゾン発生セル１１の内部圧力
を所定の値に調整する弁である。ガスフィルタ１５はオ
ゾン発生セル１１から送られてくるオゾンガスに含まれ
るパーティクル等を除去するフィルタである。
される原料ガスをある一定の流量でオゾン発生セル１１
に供給するものである。また、高周波高電圧電源１６は
制御部１７の制御によりオゾン発生セル１１の電極に高
周波の高電圧を印加する電源である。圧力調整弁１４は
制御部１７の制御によりオゾン発生セル１１の内部圧力
を所定の値に調整する弁である。ガスフィルタ１５はオ
ゾン発生セル１１から送られてくるオゾンガスに含まれ
るパーティクル等を除去するフィルタである。
【００１３】チラーユニット１８はオゾン発生セル１１
へ冷却用の脱イオン水を循環させるもので、冷却水が冷
却水入口２０から流入し冷却水出口２１から流出するよ
うになっており、該冷却水によりオゾン発生セル１１か
らの脱イオン水を冷却してオゾン発生セル１１に送るよ
うになっている。これによりオゾン発生セル１１内で発
生する無声放電等の放電により発生する熱を冷却してい
る。
へ冷却用の脱イオン水を循環させるもので、冷却水が冷
却水入口２０から流入し冷却水出口２１から流出するよ
うになっており、該冷却水によりオゾン発生セル１１か
らの脱イオン水を冷却してオゾン発生セル１１に送るよ
うになっている。これによりオゾン発生セル１１内で発
生する無声放電等の放電により発生する熱を冷却してい
る。
【００１４】上記構成のオゾン発生装置において、制御
部１７の制御によりオゾン発生セル１１に高周波高電圧
電源１６より所定の高周波高電圧を印加し、原料ガス系
１２から原料ガスを供給することにより、オゾン発生セ
ル１１で発生したオゾンガスは管２２を通って、圧力調
整弁１４を通ってガスフィルタ１５に流入する。該ガス
フィルタ１５でオゾンガスに含まれるパーティクル等を
除去し、管２４、オゾンガス出口２５を通って、次のプ
ロセス、例えば半導体製造プロセスへと送られる。
部１７の制御によりオゾン発生セル１１に高周波高電圧
電源１６より所定の高周波高電圧を印加し、原料ガス系
１２から原料ガスを供給することにより、オゾン発生セ
ル１１で発生したオゾンガスは管２２を通って、圧力調
整弁１４を通ってガスフィルタ１５に流入する。該ガス
フィルタ１５でオゾンガスに含まれるパーティクル等を
除去し、管２４、オゾンガス出口２５を通って、次のプ
ロセス、例えば半導体製造プロセスへと送られる。
【００１５】オゾン発生セル１１で発生するオゾンガス
がＣr 化合物を含まないオゾンガスであれば、上記のよ
うにオゾン発生セル１１以降のオゾンガス送出路、即
ち、管２２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管２３、
ガスフィルタ１５及び管２４からなるガス流路のオゾン
ガス接触部はドライプロセスで酸化不動態皮膜処理され
たステンレス鋼で構成されているので、オゾンガス出口
２５からのＣr 化合物は極く短時間で大幅に減少でき、
結果としてＣr 化合物による汚染のないオゾンガスを次
のプロセスに送出できる。
がＣr 化合物を含まないオゾンガスであれば、上記のよ
うにオゾン発生セル１１以降のオゾンガス送出路、即
ち、管２２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管２３、
ガスフィルタ１５及び管２４からなるガス流路のオゾン
ガス接触部はドライプロセスで酸化不動態皮膜処理され
たステンレス鋼で構成されているので、オゾンガス出口
２５からのＣr 化合物は極く短時間で大幅に減少でき、
結果としてＣr 化合物による汚染のないオゾンガスを次
のプロセスに送出できる。
【００１６】上記構成のオゾン発生装置において、管２
２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管２３、ガスフィ
ルタ１５及び管２４を下記材料で構成した場合、オゾン
ガス出口から送出されるオゾンガスのクロム（Ｃr ）汚
染量は後述する測定方法において、１×１０10atms／cm
2 以下であった。
２、継手２２−１、圧力調整弁１４、管２３、ガスフィ
ルタ１５及び管２４を下記材料で構成した場合、オゾン
ガス出口から送出されるオゾンガスのクロム（Ｃr ）汚
染量は後述する測定方法において、１×１０10atms／cm
2 以下であった。
【００１７】構成材料 継手２２−１、圧力調整弁１４、管２２，２３，２４及
びガスフィルタ１５のケースは、ステンレス鋼（ＳＵＳ
３１６）にドライプロセスで酸化不動態皮膜処理したも
の、ガスフィルタの内部はテフロン（ＰＴＦＥ及び又は
ＰＦＡ）製のものとする。ドライプロセスで酸化不動態
皮膜処理する方法として、電解研磨処理されたＳＵＳ３
１６Ｌステンレス鋼を不活性ガスの雰囲気で高温でベー
キングした後、高濃度オゾンガスで酸化処理することに
より、その表面に酸化クロムおよび酸化鉄の不動態皮膜
を成長させる方法や、電解複合研磨処理されたＳＵＳ３
１６Ｌステンレス鋼を同じく不活性ガス雰囲気で高温で
ベーキングした後、酸化ガスで処理して酸化クロムの不
動態皮膜や、酸化クロムと酸化鉄の複合不動態皮膜処理
する、通称、ＣＲＰ、ドライゴールドと呼ばれている処
理方法がある。これらの処理によって得られた酸化不動
態皮膜は、その膜中及びその下のベースメタルに含まれ
る水分が極めて少ない。
びガスフィルタ１５のケースは、ステンレス鋼（ＳＵＳ
３１６）にドライプロセスで酸化不動態皮膜処理したも
の、ガスフィルタの内部はテフロン（ＰＴＦＥ及び又は
ＰＦＡ）製のものとする。ドライプロセスで酸化不動態
皮膜処理する方法として、電解研磨処理されたＳＵＳ３
１６Ｌステンレス鋼を不活性ガスの雰囲気で高温でベー
キングした後、高濃度オゾンガスで酸化処理することに
より、その表面に酸化クロムおよび酸化鉄の不動態皮膜
を成長させる方法や、電解複合研磨処理されたＳＵＳ３
１６Ｌステンレス鋼を同じく不活性ガス雰囲気で高温で
ベーキングした後、酸化ガスで処理して酸化クロムの不
動態皮膜や、酸化クロムと酸化鉄の複合不動態皮膜処理
する、通称、ＣＲＰ、ドライゴールドと呼ばれている処
理方法がある。これらの処理によって得られた酸化不動
態皮膜は、その膜中及びその下のベースメタルに含まれ
る水分が極めて少ない。
【００１８】図２はオゾン発生セル以降のオゾンガス送
出路に種々の材料を用いた場合のＣr 汚染量を検査する
ための概略構成を示す図である。図２において、３３は
オゾン発生装置、３４はオゾン発生セルである。電極に
高周波高電圧が印加されているオゾン発生セル３４に、
酸素（Ｏ2 ）ガス用のマスフローコントローラ３１及び
窒素（Ｎ2 ）ガス用のマスフローコントローラ３２から
一定流量の酸素ガス及び窒素ガスを供給している。該オ
ゾン発生セル３４で発生したオゾンガスはテフロン製の
管３５−１，３５−２、供試管３６及びテフロン製の管
３５−３を通して、テフロン製のチャンバ３７内に吹き
付け、チャンバ３７からのオゾンガスをテフロン製の管
３５−４及びオゾン分解塔３９を通して排出する。
出路に種々の材料を用いた場合のＣr 汚染量を検査する
ための概略構成を示す図である。図２において、３３は
オゾン発生装置、３４はオゾン発生セルである。電極に
高周波高電圧が印加されているオゾン発生セル３４に、
酸素（Ｏ2 ）ガス用のマスフローコントローラ３１及び
窒素（Ｎ2 ）ガス用のマスフローコントローラ３２から
一定流量の酸素ガス及び窒素ガスを供給している。該オ
ゾン発生セル３４で発生したオゾンガスはテフロン製の
管３５−１，３５−２、供試管３６及びテフロン製の管
３５−３を通して、テフロン製のチャンバ３７内に吹き
付け、チャンバ３７からのオゾンガスをテフロン製の管
３５−４及びオゾン分解塔３９を通して排出する。
【００１９】チャンバ３７内にはシリコンウエハ３８が
収容されており、該シリコンウエハ３８の表面に付着し
たＣr化合物を全反射蛍光Ｘ線分析器（図示せず）で分
析してＣrの汚染量を調べる。上記供試管３６に下記の
ものを用い、下記のテスト条件で実験した場合のＣrの
汚染量を測定した結果を下記に示す。
収容されており、該シリコンウエハ３８の表面に付着し
たＣr化合物を全反射蛍光Ｘ線分析器（図示せず）で分
析してＣrの汚染量を調べる。上記供試管３６に下記の
ものを用い、下記のテスト条件で実験した場合のＣrの
汚染量を測定した結果を下記に示す。
【００２０】テスト条件 オゾンガス濃度：８vol％ 原料ガス流量：１０Nl／min オゾン発生セル内圧力：大気圧 原料ガス：０．８vol％窒素含有酸素 原料ガス純度：酸素（Ｏ2 ）及び窒素（Ｎ2 ）共に９
９．９９９５％ オゾンガス吹き付け時間：１０min シリコンウエハ３８の径：６インチ
９．９９９５％ オゾンガス吹き付け時間：１０min シリコンウエハ３８の径：６インチ
【００２１】テスト結果 テスト結果を図３のグラフに示す。通常のＳＵＳ３１６
Ｌ ＥＰ（電解研磨処理）管の場合には、Ｃr 汚染量が
１×１０10atms／cm2 のオーダーに下がるまでに１２０
時間（ｈ）を要する。これに対し、ドライプロセスによ
り酸化不動態皮膜処理されたＳＵＳ３１６Ｌの場合は、
４０ｈで１×１０10atms／cm2 まで下がっている。
Ｌ ＥＰ（電解研磨処理）管の場合には、Ｃr 汚染量が
１×１０10atms／cm2 のオーダーに下がるまでに１２０
時間（ｈ）を要する。これに対し、ドライプロセスによ
り酸化不動態皮膜処理されたＳＵＳ３１６Ｌの場合は、
４０ｈで１×１０10atms／cm2 まで下がっている。
【００２２】また、図１のオゾン発生セル１１に供給す
る原料ガスとして、酸素ガスに窒素ガスを添加したも
の、又は酸素ガスにＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2Ｏ5等のＮＯXを添
加したものを使用することができる。また原料ガスとし
て、酸素ガスにＦ2，ＳＦ6，ＣＦ4，ＮＦ3等のうち１又
は２以上のガスを添加したものを使用することができ
る。
る原料ガスとして、酸素ガスに窒素ガスを添加したも
の、又は酸素ガスにＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2Ｏ5等のＮＯXを添
加したものを使用することができる。また原料ガスとし
て、酸素ガスにＦ2，ＳＦ6，ＣＦ4，ＮＦ3等のうち１又
は２以上のガスを添加したものを使用することができ
る。
【００２３】また、本発明のオゾン発生装置１０のオゾ
ンガス出口２５から該オゾン発生装置１０で発生するオ
ゾンガスを使用するプロセスまでのオゾンガス流路の少
なくともオゾンガスと接する部分の材料に、ドライプロ
セスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼を使用す
ることにより、Ｃr 化合物を極く短時間で大幅に減少で
きるのは当然である。
ンガス出口２５から該オゾン発生装置１０で発生するオ
ゾンガスを使用するプロセスまでのオゾンガス流路の少
なくともオゾンガスと接する部分の材料に、ドライプロ
セスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼を使用す
ることにより、Ｃr 化合物を極く短時間で大幅に減少で
きるのは当然である。
【００２４】なお、図１は本発明のオゾン発生装置の一
構成例であり、本発明はこれに限定されるものではな
く、純度の高いオゾンガスを発生するオゾン発生セル以
降のオゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をドラ
イプロセスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で
構成したことが本発明の要点であり、オゾンの発生機構
等はどのような構成であってもよいことは当然である。
構成例であり、本発明はこれに限定されるものではな
く、純度の高いオゾンガスを発生するオゾン発生セル以
降のオゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をドラ
イプロセスで酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で
構成したことが本発明の要点であり、オゾンの発生機構
等はどのような構成であってもよいことは当然である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、オ
ゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路
の少なくともオゾンガスと接する部分をドライプロセス
で酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で構成したか
ら、オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路でのＣr化
合物を極く短時間で大幅に減らすことができる。
ゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路
の少なくともオゾンガスと接する部分をドライプロセス
で酸化不動態皮膜処理されたステンレス鋼で構成したか
ら、オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路でのＣr化
合物を極く短時間で大幅に減らすことができる。
【図１】本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図２】Ｃr 汚染量を検査するための概略構成を示す図
である。
である。
【図３】Ｃｒ汚染量の検査結果を示すグラフである。
１０ オゾン発生装置 １１ オゾン発生セル １２ 原料ガス系 １４ 圧力調節弁 １５ ガスフィルタ １６ 高周波高電圧電源 １７ 制御部 １８ チラーユニット １９ 原料ガス入口 ２０ 冷却水入口 ２１ 冷却水出口 ２２ 管 ２２−１ 継手 ２３ 管 ２４ 管 ２５ オゾンガス出口 ３１ 酸素ガス用のマスフローコントローラ ３２ 窒素ガス用のマスフローコントローラ ３３ オゾン発生装置 ３４ オゾン発生セル ３５−１〜４ テフロン管 ３６ 供試管 ３７ チャンバ ３８ シリコンウエハ ３９ オゾン分解塔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中田 錬平 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 原田 稔 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 新荘 良一 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 原料ガスを供給すると共に高電圧源から
高電圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル
及び発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を
具備するオゾン発生装置において、 前記オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の少なくと
もオゾンガスと接する部分には、ドライプロセスで酸化
不動態皮膜処理された材料を使用することを特徴とする
オゾン発生装置。 - 【請求項２】 ドライプロセスで酸化不動態皮膜処理す
る材料としてステンレス鋼を使用し、前記不動態皮膜は
酸化クロム、酸化鉄またはそれらの複合皮膜からなるこ
とを特徴とする請求項１のオゾン発生装置。 - 【請求項３】 前記原料ガスは、高純度の酸素ガスに微
量の窒素ガスを混合したものからなることを特徴とする
請求項１記載のオゾン発生装置。 - 【請求項４】 前記ドライプロセスでの酸化不動態皮膜
処理は、電解研磨処理されたステンレス鋼を不活性ガス
の雰囲気で高温でベーキングした後、高濃度オゾンガス
で酸化処理することによりなされることを特徴とする請
求項２記載のオゾン発生装置。 - 【請求項５】 前記ドライプロセスでの酸化不動態皮膜
処理は、電解研磨処理されたステンレス鋼を不活性ガス
の雰囲気で高温でベーキングした後、酸化ガスで酸化処
理することによりなされることを特徴とする請求項２記
載のオゾン発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11706896A JP3566453B2 (ja) | 1995-04-17 | 1996-04-15 | オゾン発生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11512895 | 1995-04-17 | ||
| JP7-115128 | 1995-04-17 | ||
| JP11706896A JP3566453B2 (ja) | 1995-04-17 | 1996-04-15 | オゾン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH092807A true JPH092807A (ja) | 1997-01-07 |
| JP3566453B2 JP3566453B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=26453714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11706896A Expired - Fee Related JP3566453B2 (ja) | 1995-04-17 | 1996-04-15 | オゾン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3566453B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001032100A (ja) * | 1999-04-06 | 2001-02-06 | Crucible Materials Corp | 不動態処理表面層を有するオーステナイト系ステンレス鋼製物品 |
| JP2009001490A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-01-08 | Meidensha Corp | 液体オゾン生成装置 |
| JP2013180931A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Iwatani Internatl Corp | オゾンガスに含まれる窒素酸化物除去用吸着剤の前処理方法と窒素酸化物除去用吸着剤および前処理装置。 |
| JP2016064386A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-28 | 株式会社荏原製作所 | ガス溶解水製造装置および製造方法 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP11706896A patent/JP3566453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001032100A (ja) * | 1999-04-06 | 2001-02-06 | Crucible Materials Corp | 不動態処理表面層を有するオーステナイト系ステンレス鋼製物品 |
| JP2009001490A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-01-08 | Meidensha Corp | 液体オゾン生成装置 |
| JP2013180931A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Iwatani Internatl Corp | オゾンガスに含まれる窒素酸化物除去用吸着剤の前処理方法と窒素酸化物除去用吸着剤および前処理装置。 |
| JP2016064386A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-28 | 株式会社荏原製作所 | ガス溶解水製造装置および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3566453B2 (ja) | 2004-09-15 |
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