KR100411615B1 - 오존발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체제조처리에 사용가능한 고순도 오존가스를 생성하는 오존발생장치에 관한 것이다. 본 오존발생장치는 고전압원; 상기 고전압원으로부터 고전압을 인가하는 동안 재료가스를 공급하여 오존가스를 발생하는 오존발생조; 및 상기 발생된 오존가스를 상기 오존발생조로부터 소정의 위치에 전달하는 통로를 포함한다. 통로는 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 재료를 포함한다. 산화부동태막은 산화크롬막, 산화철막 또는 산화크롬과 산화철의 복합막을 포함한다.

Description

오존발생장치{OZONE GENERATING APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조처리 등에 사용가능한 고순도 오존가스를 생성하는 오존발생장치에 관한 것이다.
고순도 오존가스를 생성하는 종래의 오존발생장치는 발생된 오존가스와 접촉하게 되는 부분의 재료로서 스테인레스강을 사용하였다. 입자 또는 가스의 발생에 매우 민감한 반도체 제조처리의 경우, 전해 연마(electrolytic polishing)에 의해 처리된 스테인레스강이 사용되었다. 오존발생장치로는, 지금까지 방전을 이용하는 장치가 있었다. 고순도 산소가스를 재료가스로 사용하는 경우, 오존농도는 점차 저하된다. 이러한 오존농도의 저하를 방지하기 위하여, 소량의 질소가스가 산소가스와 함께 혼합된다.
오존가스와 접촉하게 되는 부분의 재료로서 스테인레스강이 사용되는 경우, 발생된 오존가스는 미량의 크롬(Cr)화합물을 함유한다. 이러한 크롬화합물은 다음의 방법으로 발생된다고 여겨진다. 즉, 질소가스(N2)가 첨가된 산소가스(O2)가 재료가스로서 사용되면, 오존발생조에 있는 질소가스로부터 질소산화물(NOx)이 발생된다. NOx는 스테인레스강의 표면에 의해 흡수된 지극히 미량의 수분과 반응하여 질산을 형성한다. 그 후, 이러한 질산은 스테인레스강과 반응하여 Cr화합물을 형성한다. 또한, 연속적인 오존가스류가 제공되면, Cr화합물의 양은 시간에 따라 감소되는 반면, 전해 연마에 의해 처리된 스테인레스강 또는 규격 스테인레스강의 경우, Cr화합물의 양을 실용적인 입장에서 문제가 되지 않는 수준으로 감소시키는데 필요한 시간이 대단히 길어진다.
또한, Cr화합물이 일단 감소되더라도, 도관의 조사 또는 정밀검사시, 스테인레스강이 대기와 접촉하게 될 때 Cr화합물이 다시 발생될 수도 있다. 그러므로, Cr화합물을 감소하기 위하여 긴 준비작업이 행해져야 한다. 더욱이, 사불화탄소(CF4), 육불화황(SF6), 또는 삼불화질소(NF3)가 산소가스에 첨가되는 경우, 황산화물(SOx) 또는 불화수소(HF)가 발생될 수 있으며, 그 결과 Cr화합물을 발생하게 된다.
미량의 Cr화합물에 의한 오존가스오염은, 오존가스가 사용되는 반도체 제조처리에서 문제를 일으키지 않았다. 오존가스에 대한 응용이 증가함에 따라, 반도체 제조처리에 사용된 오존가스내의 Cr화합물이 문제가 되었으나, 효과적인 해결수단은 제시되지 않았다.
따라서, 본 발명의 목적은, 오존가스내의 Cr화합물량을 단시간에 크게 감소시킬 수 있는 오존발생장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 고전압원; 상기 고전압원으로부터 고전압을 인가하는 동안 재료가스를 공급하여 오존가스를 발생시키는 오존발생조; 및 상기 발생된 오존가스를 상기 오존발생조로부터 소정의 위치에 전달하며, 건식공정에서 부동태화처리(passivation treatment)에 의해 형성된 부동태막(passivation film)을 갖는 재료를 포함하는 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 오존발생장치가 제공된다.
통로용 재료는 스테인레스강을 포함할 수 있으며, 산화부동태막은 산화크롬막, 산화철막, 또는 산화크롬과 산화철의 복합막을 포함할 수도 있다.
또한, Cr을 함유하지 않은 테플론(Teflon)과 같은 다른 재료와 스테인레스강과의 화합물 재료도 본 발명의 장치의 효능을 변경하지 않으면서 사용가능하다.
앞서 설명되었듯이, 파이프설비의 표면에 의해 흡수되거나 표면층에 함유된 수분이 Cr화합물의 발생원인으로 여겨진다. 전해 연마된 스테인레스강의 경우, 전해 연마처리는 습식공정이므로, 수분은, 표면상에 자연스럽게 생성된 산화막층 및 이러한 산화막층 아래의 베이스금속에 함유된다. 또한, 질산용액을 사용하는 종래의 부동태화처리도 습식공정이므로, 수분은 파이프설비의 표면에 함유되며, 오존가스를 제거하는데 긴 퍼징(purging)작업을 요하게 된다.
대조적으로, 건식공정에서의 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 재료의 경우, 막에 함유된 수분량이 극히 적으며, 표면에 의해 흡수된 수분은, 활성 에너지가 낮으므로, 퍼징에 의해 쉽게 제거될 수 있다.
본 발명에 따라, 오존가스와 접촉하게 되는 오존발생조로부터의 오존가스 전달루트의 통로는 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강을 포함한다. 따라서, 오존가스 전달루트상의 Cr화합물의 발생은 단시간에 크게 감소될 수 있다.
본 발명의 여러 목적, 특징 및 이점들은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시한 첨부도면을 참조로 한 다음의 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
다음에, 제 1 내지 제 3도를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 오존발생 장치를 상세히 설명한다.
제 1도는 오존발생장치의 전체구조를 도시한다. 제 1도에 도시된 바와 같이, 오존발생장치(10)는 오존발생조(11), 재료가스공급시스템(12), 가스필터(15), 고주파 고전압 전원(16), 제어장치(17) 및 냉각기유닛(18)을 포함한다.
오존발생조(11)는 하나의 셀(cell) 또는 복수의 셀을 구비한다. 각각의 셀은 파이프(22)에 의해 압력조절밸브(14)에 연결된다. 압력조절밸브(14)는 파이프(23)에 의해 가스필터(15)에 연결된다. 가스필터(15)는 파이프(24)에 의해 오존가스배출부(25)에 연결된다. 또한, 커플러(22-1)는 오존발생조(11) 및 파이프(22)의 사이에 제공된다. 파이프(22), 커플러(22-1), 압력조절밸브(14), 파이프(23), 가스필터(15), 및 파이프(24)는 오존발생조(11)에 발생된 오존가스를 소정의 위치에 전달하는 오존가스 전달루트의 통로를 구성한다. 오존가스와 접촉하게 되는 통로는 건식공정에서 부동태화(passivation)처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강을 포함한다.
재료가스공급시스템(12)은 재료가스유입부(19)로부터 공급된 재료가스를 일정한 유량으로 오존발생조(11)에 공급한다. 또한, 고주파 고전압 전원(16)은 제어장치(17)의 제어하에 고주파 고전압을 오존발생조(11)의 전극에 인가하는 역할을 한다. 압력조절밸브(14)는 제어장치(17)의 제어하에 오존발생조(11)내의 압력을 소정값으로 조절하는 역할을 한다. 가스필터(15)는 오존발생조(11)로부터 공급된 오존가스에 함유된 입자를 제거하는 역할을 한다.
오존발생조(11)를 냉각하는 탈이온화수는 냉각기유닛(18) 및 오존발생조(11)의 사이에서 순환된다. 냉각수는 냉각수유입부(20)로부터 유입되어 냉각수배출부(21)로 배출된다. 냉각기유닛(18)은, 탈이온화수가 냉각수에 의해 냉각되어 오존발생조(11)에 공급되도록 설계된다. 그 결과, 오존발생조(11)에서 발생하는 무음(silent)방전과 같은 방전에 의해 발생된 열이 제거된다.
이렇게 구성된 오존발생장치에서, 고주파 고전압은 제어장치(17)의 제어하에 고주파 고전압 전원(16)에 의해 오존발생조(11)에 인가되며, 재료가스는 재료가스 공급시스템(12)으로부터 오존발생조(11)에 공급된다.
오존발생조(11)에 발생된 오존가스는 파이프(22)를 통과하여, 압력조절밸브(14)를 경유하여 가스필터(15)내로 흐른다. 오존가스에 함유된 입자 등은 가스필터(15)에 의해 제거된다. 그 후, 오존가스는 파이프(24) 및 오존가스 배출부(25)를 통과하여, 반도체 제조처리와 같은 특정의 처리에 공급된다.
파이프(22), 커플러(22-1), 압력조절밸브(14), 파이프(23), 가스필터(15) 및 파이프(24)를 포함하며, 오존가스와 접촉하게 되는 오존발생조(11)의 하류측의 통로는 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강을 포함한다. 오존발생조(11)에서 발생된 오존가스가 Cr화합물을 함유하지 않으면, 오존가스배출부(25)로부터 배출되는 Cr화합물이 단시간동안 크게 감소될 수 있다. 이로써, Cr화합물에 오염되지 않은 오존가스가 반도체 제조처리와 같은 처리에 전달가능하다.
오존발생장치(10)의 파이프(22), 커플러(22-1), 압력조절밸브(14), 파이프(23), 가스필터(15), 및 파이프(24)가 다음에 설명되는 재료를 포함하는 경우, 오존가스배출부(25)로부터 배출되는 오존가스의 Cr화합물의 양은 다음에 설명되는 방법에 의해 측정된 바와 같이 1×1010atms/㎠ 이하였다.
구조재료:
커플러(22-1), 압력조절밸브(14), 파이프(22, 23, 24), 및 가스필터(15)의 케이싱은 건조상태에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강(SUS 316)으로 만들어진다. 가스필터의 내부는 테플론(PTFE 및/또는 PFA)으로 만들어진다.
건식공정에서의 부동태화처리와 같이, 전해 연마된 SUS 316L이 비활성가스 분위기에서 고온으로 베이킹된 후, 고농축 오존가스와 함께 산화되어, 스테인레스강의 표면상에 산화철 및 산화크롬의 부동태막을 형성하는 방법이 있다. 또한, CRP 또는 건식 골드 방법으로서 공지된 바와 같이, 전해 연마된 SUS 316L이 앞에서와 동일한 방식으로 비활성가스 분위기에서 고온으로 베이킹된 후, 산화가스와 함께 산화되어, 산화크롬의 부동태막 또는 산화철 및 산화크롬의 복합 부동태막을 형성하는 방법이 있다. 앞의 방법에서 얻어진 산화 부동태막에서, 막에 함유되고 막 아래의 베이스금속에 함유된 수분량은 극히 적다.
제 2도는, 오존발생조의 하류측의 통로에 상이한 재료가 사용되는 경우에 Cr오염량을 측정하는 장치를 도시한다. 제 2도에서, 오존발생조(34)를 포함하는 오존발생장치(33)가 제공된다. 고주파 고전압이 인가되는 전극을 구비한 오존발생조(34)에는, 산소가스유량제어장치(31) 및 질소가스유량제어장치(32)로부터 산소 및 질소가스가 일정한 유량으로 공급된다. 오존발생조(34)에 의해 발생된 오존가스는 테플론(Teflon)파이프(35-1, 35-2), 시료파이프(36) 및 테플론파이프(35-3)를 경유하여 테플론으로 만들어진 챔버(37)내로 도입된다. 그리고나서 챔버(37)내의 오존가스는 테플론파이프(35-4) 및 오존분해탑(39)을 통해 배출된다.
실리콘웨이퍼(38)는 챔버(37) 내에 위치된다. 실리콘웨이퍼(38)의 표면에 부착되는 Cr화합물이 전반사 형광성 X선 분광기(도시생략)에 의해 분석되어 Cr오염량이 측정된다. Cr오염은 다음의 조건 아래에서 측정되었다.
시험조건 :
오존가스농도 : 8 vol%
재료가스유량 : 10 Nl/min
오존발생조내의 압력: 대기압
재료가스 : 0.8 vol%의 질소를 함유한 산소
재료가스의 순도 : O2 및 N2모두 99.9995%
오존가스 공급기간 : 10 분
실리콘웨이퍼(38)의 직경 : 6 인치
시험결과:
시험결과는 제 3도의 그래프에 도시된다. 보통의 SUS 316L EP 파이프(전해 연마된 SUS 316L 파이프)의 경우, Cr오염수준을 1×1010atms/㎠ 정도로 감소시키는데 120시간이 필요하였다. 대조적으로, 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 SUS 316L의 경우에는 Cr오염수준을 마찬가지의 1×1010atms/㎠ 정도로 감소시키는데 40시간만 필요하였다.
또한, 질소가스가 첨가된 산소가스, 또는 NO, NO2또는 N2O5와 같은 NOX가 첨가된 산소가스가 재료가스로서 사용될 수도 있다. 또한, 적어도 하나의 F2, SF6, CF6및 NF3가 첨가된 산소가스가 재료가스로서 사용되어도 좋다.
오존가스발생장치(10)에 의해 발생된 오존가스가 이용되는 처리부까지 오존가스배출부(25)로부터 연장되는 통로의 재료로서 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강을 사용함으로써, Cr오염량을 단시간에 크게 감소가능함은 물론이다.
제 1도는 본 발명의 오존발생장치의 구조적 예를 도시하지만, 다른 타입의 오존발생장치도 사용가능하다. 본 발명의 본질은, 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강이 적어도 고순도 오존가스가 발생되는 오존발생조로부터 공급된 오존가스와 접촉하게 되는 오존가스 전달루트의 통로용으로 이용되는 것이다. 따라서, 오존발생기구는 다른 타입의 구조를 가질 수 있음은 물론이다.
앞의 설명으로부터 명백하듯이, 본 발명에 따라, 적어도 오존가스와 접촉하게 되는 오존전달루트의 통로용으로 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 부동태막을 갖는 스테인레스강이 사용된다. 그 결과, 오존발생조로부터 반도체제조장치와 같은 소정의 위치까지의 오존전달루트의 통로상의 Cr화합물이 단시간에 크게 감소될 수 있다.
본 발명의 특정한 바람직한 실시예가 상세히 도시설명되었으나, 첨부된 청구범위의 범주로부터 벗어나지 않는 다양한 변형 및 수정도 가능하다.
제 1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 오존발생장치의 개략도,
제 2도는 크롬(Cr) 오염량을 측정하는 장치의 개략도,
제 3도는 Cr 오염량 측정결과를 도시한 그래프이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
10, 33 : 오존발생장치 11, 34 : 오존발생조 12 : 재료가스공급시스템
14 : 압력조절밸브 15 : 가스필터 16 : 고주파 고전압 전원
17 : 제어장치 18 : 냉각기유닛 19 : 재료가스유입부
20 : 냉각수유입부 22, 23, 24 : 파이프 22-1 : 커플러
25 : 오존가스배출부 31 : 산소가스유량제어장치
32 : 질소가스유량제어장치
35-1, 35-2, 35-3, 35-4 : 테플론파이프 36 : 시료파이프
37 : 챔버 38 : 실리콘웨이퍼 39 : 오존분해탑

Claims (5)

  1. 고전압원;
    상기 고전압원으로부터 고전압이 인가되는 동안, 재료가스가 공급되어 오존가스를 발생시키는 오존발생조; 및
    상기 발생된 오존가스를 상기 오존발생조로부터 소정의 위치에 전달하기 위하여, 건식공정에서 부동태화처리에 의해 형성된 산화크롬막, 산화철막, 및 산화크롬과 산화철과의 복합막 중의 하나를 포함하는 부동태막을 갖는 재료를 포함하는 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 오존발생장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 재료는 스테인레스강을 포함하는 것을 특징으로 하는 오존발생장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 재료가스는, 소량의 질소가스가 첨가된 산소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 오존발생장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 부동태화처리는, 전해 연마된 스테인레스강을 비활성가스 환경에서 고온으로 베이킹하고, 상기 베이킹된 스테인레스강을 고농축 오존가스와 함께 산화시킴으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 오존발생장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 부동태화처리는, 전해 연마된 스테인레스강을 비활성가스 환경에서 고온으로 베이킹하고, 상기 베이킹된 스테인레스강을 산화가스와 함께 산화시킴으로 써 행해지는 것을 특징으로 하는 오존발생장치.
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TW (1) TW368491B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481744B1 (ko) * 1995-11-07 2005-08-18 스미토모세이미쓰고교가부시키가이샤 오존기체배관에서의금속불순물감소방법
KR101668313B1 (ko) 2016-03-17 2016-10-24 (주) 이우티이씨 연결 가능한 지중선로 보호판

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700505A (en) * 1995-12-28 1997-12-23 Mei Research, Inc. Method of improving head rice yield
JP4015210B2 (ja) * 1996-05-30 2007-11-28 富士電機システムズ株式会社 オゾン発生装置
JP2787914B2 (ja) * 1996-06-27 1998-08-20 日本電気株式会社 半導体ウェーハの保管方法及び保管容器
JPH11335102A (ja) * 1998-05-22 1999-12-07 Iwatani Internatl Corp 高濃度オゾン連続発生方法及びその装置
FR2898520B1 (fr) * 2006-03-20 2008-06-27 Green Technologies Sarl Nouveau procede de depelliculage du grain de ble
KR100856863B1 (ko) * 2007-05-23 2008-09-04 조경복 오존 발생 시스템
US8987160B2 (en) 2011-03-26 2015-03-24 Honda Motor Co., Ltd. Fischer-tropsch catalysts containing iron or cobalt selective towards higher hydrocarbons
JP6615009B2 (ja) * 2016-03-04 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 金属汚染防止方法及び金属汚染防止装置、並びにこれらを用いた基板処理方法及び基板処理装置
US20200203127A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Systems and methods for storage and supply of f3no-free fno gases and f3no-free fno gas mixtures for semiconductor processes

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5843321B2 (ja) * 1976-07-29 1983-09-26 三菱電機株式会社 オゾン発生装置
JPS5565368A (en) * 1978-11-07 1980-05-16 Toshiba Corp Strengthening method for making passive state of stainless steel
JP2606910B2 (ja) * 1988-11-21 1997-05-07 神鋼パンテツク株式会社 超純水製造供給装置
EP0478777B1 (en) * 1989-06-05 1994-11-02 Sumitomo Precision Products Company Limited Coated dielectric material for an ozone generator
JPH0487245A (ja) * 1990-07-27 1992-03-19 Agency Of Ind Science & Technol オゾンビーム発生装置
US5370846A (en) * 1990-10-26 1994-12-06 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Apparatus and method for generating high concentration ozone
US5549874A (en) * 1992-04-23 1996-08-27 Ebara Corporation Discharge reactor
JPH06272054A (ja) * 1992-05-14 1994-09-27 Sony Corp 有機薄膜形成用基板及びその製造方法
JPH0859210A (ja) * 1994-08-24 1996-03-05 Ebara Corp オゾン発生装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481744B1 (ko) * 1995-11-07 2005-08-18 스미토모세이미쓰고교가부시키가이샤 오존기체배관에서의금속불순물감소방법
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