JPH0487245A - オゾンビーム発生装置 - Google Patents
オゾンビーム発生装置Info
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- JPH0487245A JPH0487245A JP2200612A JP20061290A JPH0487245A JP H0487245 A JPH0487245 A JP H0487245A JP 2200612 A JP2200612 A JP 2200612A JP 20061290 A JP20061290 A JP 20061290A JP H0487245 A JPH0487245 A JP H0487245A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は高温超電導薄膜の形成、酸化シリコン膜の形成
、半導体における絶縁膜の形成、レジストのエツチング
など、真空中でおこなわれる酸化処理プロセスに際し、
強力な酸化剤である純オゾンを、精密にかつ安全に供給
する装置に関する。
、半導体における絶縁膜の形成、レジストのエツチング
など、真空中でおこなわれる酸化処理プロセスに際し、
強力な酸化剤である純オゾンを、精密にかつ安全に供給
する装置に関する。
[従来の技術1
真空中における酸化処理には、プラズマプロセッシング
、酸素雰囲気中での高温処理、イオン銃による活性酸素
の導入、あるいは、オゾナイザ−を直接接続してオゾン
化酸素を処理装置に導入する方法などがとられている。
、酸素雰囲気中での高温処理、イオン銃による活性酸素
の導入、あるいは、オゾナイザ−を直接接続してオゾン
化酸素を処理装置に導入する方法などがとられている。
これらの方法では、酸化能力が不足したり、高温処理や
、物理スパッタなどによる欠陥の発生や不均一化などの
障害が発生していた。
、物理スパッタなどによる欠陥の発生や不均一化などの
障害が発生していた。
第2図に従来のオゾンビーム発生装置の一例を示す。こ
の装置は酸化処理槽1内の試料2にオゾンを供給する装
置である。液体窒素溜4内に収容されている石英ガラス
製のオゾンチャンバ5には、オゾナイザ−6からバルブ
7を経てオゾン含有ガスが送られ、真空ポンプ3によっ
て排気されながら、低圧にてオゾンのみが液化される。
の装置は酸化処理槽1内の試料2にオゾンを供給する装
置である。液体窒素溜4内に収容されている石英ガラス
製のオゾンチャンバ5には、オゾナイザ−6からバルブ
7を経てオゾン含有ガスが送られ、真空ポンプ3によっ
て排気されながら、低圧にてオゾンのみが液化される。
所定量のオゾンが液化されるとバルブ7および12を閉
じ、真空ポンプ15にて予め排気された酸化処理槽1と
オゾンチャンバ5の間のバルブ13を開け、温度制御装
置9を作動させ、ヒーターlOによってオゾンチャンバ
5を加熱し、オゾンを気化させる。
じ、真空ポンプ15にて予め排気された酸化処理槽1と
オゾンチャンバ5の間のバルブ13を開け、温度制御装
置9を作動させ、ヒーターlOによってオゾンチャンバ
5を加熱し、オゾンを気化させる。
オゾンチャンバ5の温度はサーモカップ11によって測
られ、温度制御装置によって所定の温度に保たれる。気
化したオゾンガスはバイブ14を経て試料2に供給され
る。このような液体窒素を用いた従来のオゾンビーム発
生装置では、温度制御を精密に行うことができず、オゾ
ンドーズ量の制御が困難であったりオゾン液化の際に酸
素の混入を防止できなかったり、爆発の危険性が多かっ
た。
られ、温度制御装置によって所定の温度に保たれる。気
化したオゾンガスはバイブ14を経て試料2に供給され
る。このような液体窒素を用いた従来のオゾンビーム発
生装置では、温度制御を精密に行うことができず、オゾ
ンドーズ量の制御が困難であったりオゾン液化の際に酸
素の混入を防止できなかったり、爆発の危険性が多かっ
た。
[発明が解決しようとする課題1
オゾンドーズ量を精密に制御し、かつ爆発の危険を防ぐ
ためには、以下の事項を解決しなければならない。
ためには、以下の事項を解決しなければならない。
1、純粋オゾンの液化あるいは固化:オゾナイザ−より
供給されるガスからオゾンのみを安定に液化または固化
すると同時に、オゾンに対して触媒作用を有する汚染の
混入を排除する必要がある。
供給されるガスからオゾンのみを安定に液化または固化
すると同時に、オゾンに対して触媒作用を有する汚染の
混入を排除する必要がある。
2、オゾン飽和蒸気圧の精密な制御ニオシン飽和蒸気圧
はオゾンの温度の関数であるが、オゾンドーズ量を精密
に制御するためには、オゾンの温度を0.IK以内で制
御する必要がある。
はオゾンの温度の関数であるが、オゾンドーズ量を精密
に制御するためには、オゾンの温度を0.IK以内で制
御する必要がある。
3、オゾン爆発に対する安全策:高濃度オゾンは不安定
な物質で、低温低圧の雰囲気でハンドリングする必要が
あるうえに、爆発の引金となりえる汚染の混入や紫外線
の照射を極力廃する必要がある。さらに、純オゾンガス
や液化オゾンや固化オゾンと接する容器の材質は、オゾ
ンに対して触媒作用のない材料を使用する必要がある。
な物質で、低温低圧の雰囲気でハンドリングする必要が
あるうえに、爆発の引金となりえる汚染の混入や紫外線
の照射を極力廃する必要がある。さらに、純オゾンガス
や液化オゾンや固化オゾンと接する容器の材質は、オゾ
ンに対して触媒作用のない材料を使用する必要がある。
また、万一爆発しても、人体や装置に障害を与えないよ
うな安全策を講する必要がある。
うな安全策を講する必要がある。
本発明はこのような課題を解決し、オゾンドーズ量を精
密に制御でき、かつ爆発の危険のないオゾンビーム発生
装置を提供することを目的とする。
密に制御でき、かつ爆発の危険のないオゾンビーム発生
装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段1
かかる目的を達成するために、本発明は酸素を含有する
ガスをオゾン化してオゾン含有ガスとするオゾン化手段
と、オゾン含有ガスよりオゾンのみを液化または固化す
るための冷凍手段と、前記液化または固化されたオゾン
を貯留する手段と、前記貯留手段の温度を制御し、前記
液化または固化されたオゾンをガス化する手段と、前記
ガス化されたオゾンを所望の装置内へ輸送するための配
管系と、前記オゾン化手段と前記貯留手段との間に設け
られた微粒子除去手段と、前記貯留手段を排気する排気
手段と、該排気手段の排気径路内に設けられオゾンを酸
素化する手段とを有することを特徴とする。
ガスをオゾン化してオゾン含有ガスとするオゾン化手段
と、オゾン含有ガスよりオゾンのみを液化または固化す
るための冷凍手段と、前記液化または固化されたオゾン
を貯留する手段と、前記貯留手段の温度を制御し、前記
液化または固化されたオゾンをガス化する手段と、前記
ガス化されたオゾンを所望の装置内へ輸送するための配
管系と、前記オゾン化手段と前記貯留手段との間に設け
られた微粒子除去手段と、前記貯留手段を排気する排気
手段と、該排気手段の排気径路内に設けられオゾンを酸
素化する手段とを有することを特徴とする。
[作 用]
本発明においては、オゾンの液化・固化・蒸発を冷凍機
とヒータを用いた温度制御システムおよび、オゾンの液
化・固化・蒸発を行うチャンバーをオゾンに対して触媒
作用のない金属を用いることで0. IK以内の均一性
、安定性、設定精度のある精密な温度制御を行うもので
ある。この精密なオゾン温度の制御により、オゾンの液
化・同化・蒸発の際に、局所的あるいは突然の温度変化
を防止できるために、熱によるオゾン爆発を防止できる
。酸化チャンバーに純オゾンを供給する際にこのような
精密な温度制御を行うことで非常に圧力変動のない安定
性に冨むオゾン供給が可能となる。
とヒータを用いた温度制御システムおよび、オゾンの液
化・固化・蒸発を行うチャンバーをオゾンに対して触媒
作用のない金属を用いることで0. IK以内の均一性
、安定性、設定精度のある精密な温度制御を行うもので
ある。この精密なオゾン温度の制御により、オゾンの液
化・同化・蒸発の際に、局所的あるいは突然の温度変化
を防止できるために、熱によるオゾン爆発を防止できる
。酸化チャンバーに純オゾンを供給する際にこのような
精密な温度制御を行うことで非常に圧力変動のない安定
性に冨むオゾン供給が可能となる。
また、本発明ではオゾナイザ−や真空ポンプからオゾン
の液化・固化・蒸発を行うチャンバー内にオゾンに対し
て触媒作用を有する汚染の混入を排除するために、オゾ
ナイザ−側には高性能フィルターを設ける。また、真空
ポンプ側からの、特に、炭化物の混入を防ぐために高性
能トラップをポンプ上流に設置すると同時に、オゾンキ
ラーをこのトラップのチャンバー側に設け、過剰オゾン
による真空ポンプシステムへの悪影響を除去する。
の液化・固化・蒸発を行うチャンバー内にオゾンに対し
て触媒作用を有する汚染の混入を排除するために、オゾ
ナイザ−側には高性能フィルターを設ける。また、真空
ポンプ側からの、特に、炭化物の混入を防ぐために高性
能トラップをポンプ上流に設置すると同時に、オゾンキ
ラーをこのトラップのチャンバー側に設け、過剰オゾン
による真空ポンプシステムへの悪影響を除去する。
さらに、万が−のオゾン爆発に備え、人体や各種装置へ
の被害を防止するために安全破壊板をオゾンチャンバー
に設置する。安全破壊弁により、オゾンビーム発生装置
の破裂を未然に防止することができる。また、安全破壊
板を排気ダクトに直結することでオゾン爆発による高濃
度オゾンの、作業環境への漏洩を防止できる。
の被害を防止するために安全破壊板をオゾンチャンバー
に設置する。安全破壊弁により、オゾンビーム発生装置
の破裂を未然に防止することができる。また、安全破壊
板を排気ダクトに直結することでオゾン爆発による高濃
度オゾンの、作業環境への漏洩を防止できる。
オゾンはその強力な酸化力で、薄膜製造、微粒子製造、
エツチングなど酸化処理を伴うプロセスに使用した場合
、低温かつ高真空環境においても充分な酸化を達成する
ことが可能である。しかしながら、従来のオゾンハンド
リング技術では、安定かつ安全なオゾン供給が不可能で
あった。
エツチングなど酸化処理を伴うプロセスに使用した場合
、低温かつ高真空環境においても充分な酸化を達成する
ことが可能である。しかしながら、従来のオゾンハンド
リング技術では、安定かつ安全なオゾン供給が不可能で
あった。
本発明による装置を用いることで、充分に制御されたオ
ゾンを、安全、かつ、簡単な操作で酸化チャンバーに供
給することが可能である。
ゾンを、安全、かつ、簡単な操作で酸化チャンバーに供
給することが可能である。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第1図に本発明の一実施例を酸化処理槽に接続した場合
を示す。
を示す。
J i!Llンベ21から酸素をマスフローコントロ
ラ22を介してオゾナイザ−23に送り、オゾン含有び
et6. ′″(D8V>**、?j24R2M“Iフ
ィルター24、流量調整バルブ25を経由してオゾンチ
ャンバー26に導入する。この際、オゾン含有ガスはマ
スフローコントローラ22、流量調整バルブ25および
真空ポンプ27によって所定の圧力を維持しながら所定
の流量でオゾンチャンバー26に導入される。オゾンチ
ャンバー26はコンプレッサー28によって動作する冷
凍機29のコールドヘッド3゜に熱接触しており、80
に〜100に程度の低温に維持されるJOK 〜100
K、40Torr以下の条件で、飽和蒸気圧の差によっ
てオゾンのみ液化し、酸素や窒素は真空ポンプ27によ
って排気される。この時、コンダクタンスバルブ31を
閉じ、バルブ25.32を開けてお(。オゾナイザ−か
らのオゾン含有ガスを、微粒子除去フィルター24、例
えば直径0.05μD以上の微粒子を99.9999%
除去するインラインガスフィルターを通過させて清浄化
する。所定量のオゾンを液化した後、バルブ25.32
を閉じ、バルブ31を開けて、オゾンチャンバー26と
酸化処理槽1とを接続する。冷凍機29と、ヒーター3
3および測温抵抗体34を具えた温度制御装置35によ
って液体オゾンの温度を80に〜100に程度において
0. IK以内の精度で制御して、所定のオゾン飽和蒸
気圧を得、純オゾンをパイプ36を介して酸化処理槽2
に導入する。圧力は真空計37によって測定される。
ラ22を介してオゾナイザ−23に送り、オゾン含有び
et6. ′″(D8V>**、?j24R2M“Iフ
ィルター24、流量調整バルブ25を経由してオゾンチ
ャンバー26に導入する。この際、オゾン含有ガスはマ
スフローコントローラ22、流量調整バルブ25および
真空ポンプ27によって所定の圧力を維持しながら所定
の流量でオゾンチャンバー26に導入される。オゾンチ
ャンバー26はコンプレッサー28によって動作する冷
凍機29のコールドヘッド3゜に熱接触しており、80
に〜100に程度の低温に維持されるJOK 〜100
K、40Torr以下の条件で、飽和蒸気圧の差によっ
てオゾンのみ液化し、酸素や窒素は真空ポンプ27によ
って排気される。この時、コンダクタンスバルブ31を
閉じ、バルブ25.32を開けてお(。オゾナイザ−か
らのオゾン含有ガスを、微粒子除去フィルター24、例
えば直径0.05μD以上の微粒子を99.9999%
除去するインラインガスフィルターを通過させて清浄化
する。所定量のオゾンを液化した後、バルブ25.32
を閉じ、バルブ31を開けて、オゾンチャンバー26と
酸化処理槽1とを接続する。冷凍機29と、ヒーター3
3および測温抵抗体34を具えた温度制御装置35によ
って液体オゾンの温度を80に〜100に程度において
0. IK以内の精度で制御して、所定のオゾン飽和蒸
気圧を得、純オゾンをパイプ36を介して酸化処理槽2
に導入する。圧力は真空計37によって測定される。
温度を0.IK以内で制御することによって、圧力変動
を1〜2%以内に抑えることができた。バルブ31を用
いて酸化処理槽2とオゾンチャンバー26の間のコンダ
クタンスを変えて、オゾンドーズ量を制御する。酸化処
理槽2内ではオゾン発生装置から酸化試料2(あるいは
基板)近傍までパイプ36を用いて輸送し、槽内の圧力
上昇を出来るだけ避けながら、実効オゾンドーズ量を大
きくしている。
を1〜2%以内に抑えることができた。バルブ31を用
いて酸化処理槽2とオゾンチャンバー26の間のコンダ
クタンスを変えて、オゾンドーズ量を制御する。酸化処
理槽2内ではオゾン発生装置から酸化試料2(あるいは
基板)近傍までパイプ36を用いて輸送し、槽内の圧力
上昇を出来るだけ避けながら、実効オゾンドーズ量を大
きくしている。
真空ポンプ27からの汚染、特に炭化物のオゾンチャン
バー26への混入をさけるために液体窒素トラップ38
を真空ポンプ27とオゾン液化・蒸発室26の間に設置
する。さらに、外部へのオゾンの排気を防ぐために、オ
ゾンキラー39を設ける。オゾンキラー39は、ステン
レス鋼製のバイブを約400℃に加熱し、オゾンを酸素
に変えるものである。熱された酸素はガス冷却器40を
とおり、真空ポンプ27によって排気される。
バー26への混入をさけるために液体窒素トラップ38
を真空ポンプ27とオゾン液化・蒸発室26の間に設置
する。さらに、外部へのオゾンの排気を防ぐために、オ
ゾンキラー39を設ける。オゾンキラー39は、ステン
レス鋼製のバイブを約400℃に加熱し、オゾンを酸素
に変えるものである。熱された酸素はガス冷却器40を
とおり、真空ポンプ27によって排気される。
さらに、万一の爆発に備え、オゾンチャンバー26の上
部に破裂弁41を設け、さらにこの弁41をドラフト4
2に接続しているので、人体や機器に打撃を与える危険
がない。
部に破裂弁41を設け、さらにこの弁41をドラフト4
2に接続しているので、人体や機器に打撃を与える危険
がない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、従来不可能であ
った安定かつ安全な純オゾンビームを酸化処理装置に供
紹することを可能である。
った安定かつ安全な純オゾンビームを酸化処理装置に供
紹することを可能である。
第1図は本発明の実施例の構成を示す図、第2図は従来
のオゾン発生装置の構成を示す図である。 1・・・酸化処理槽、 2・・・試料、 3・・・真空ポンプ、 4・・・液体窒素溜、 5・・・オゾンチャンバー 6・・・オゾナイザ− 7・・・バルブ、 8・・・真空計、 9・・・温度制御装置、 10・・・ヒーター 11・・・サーモカップル、 12・・・バルブ、 13・・・バルブ、 14・・・バイブ、 15・・・真空ポンプ、 21・・・酸素ボンベ、 22・・・マスフローコントローラ、 23・・・オゾナイザ− 24・・・微粒子除去フィルター 25・・・流量調整バルブ、 26・・・オゾンチャンバー 27・・・真空ポンプ、 28・・・コンプレッサー 29・・・冷凍様、 30・・・コールドヘッド、 31・・・コンダクタンスバルブ、 32・・・バルブ、 33・・・ヒーター 34・・・測温抵抗体、 35・・・温度制御装置、 36・・・パイプ、 37・・・真空計、 38・・・液体窒素トラップ、 39・・・オゾンキラー 40・・・ガス冷却器、 41・・・安全破裂板、 42・・・ドラフト。 指定代理人
のオゾン発生装置の構成を示す図である。 1・・・酸化処理槽、 2・・・試料、 3・・・真空ポンプ、 4・・・液体窒素溜、 5・・・オゾンチャンバー 6・・・オゾナイザ− 7・・・バルブ、 8・・・真空計、 9・・・温度制御装置、 10・・・ヒーター 11・・・サーモカップル、 12・・・バルブ、 13・・・バルブ、 14・・・バイブ、 15・・・真空ポンプ、 21・・・酸素ボンベ、 22・・・マスフローコントローラ、 23・・・オゾナイザ− 24・・・微粒子除去フィルター 25・・・流量調整バルブ、 26・・・オゾンチャンバー 27・・・真空ポンプ、 28・・・コンプレッサー 29・・・冷凍様、 30・・・コールドヘッド、 31・・・コンダクタンスバルブ、 32・・・バルブ、 33・・・ヒーター 34・・・測温抵抗体、 35・・・温度制御装置、 36・・・パイプ、 37・・・真空計、 38・・・液体窒素トラップ、 39・・・オゾンキラー 40・・・ガス冷却器、 41・・・安全破裂板、 42・・・ドラフト。 指定代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)酸素を含有するガスをオゾン化してオゾン含有ガス
とするオゾン化手段と、 オゾン含有ガスよりオゾンのみを液化または固化するた
めの冷凍手段と、 前記液化または固化されたオゾンを貯留する手段と、 前記貯留手段の温度を制御し、前記液化または固化され
たオゾンをガス化する手段と、 前記ガス化されたオゾンを所望の装置内へ輸送するため
の配管系と、 前記オゾン化手段と前記貯留手段との間に設けられた微
粒子除去手段と、 前記貯留手段を排気する排気手段と、 該排気手段の排気径路内に設けられオゾンを酸素化する
手段と を有することを特徴とするオゾンビーム発生装置。
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JP2200612A JPH0487245A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | オゾンビーム発生装置 |
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