JP3336541B2 - ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 - Google Patents
ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置Info
- Publication number
- JP3336541B2 JP3336541B2 JP21437292A JP21437292A JP3336541B2 JP 3336541 B2 JP3336541 B2 JP 3336541B2 JP 21437292 A JP21437292 A JP 21437292A JP 21437292 A JP21437292 A JP 21437292A JP 3336541 B2 JP3336541 B2 JP 3336541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- fine particle
- chamber
- pressure
- carrier gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス
循環装置に関し、更に詳しくはガス・デポジション法に
よる微粒子膜の形成時に使用される微粒子のキャリアガ
スを回収して純化および加圧して、再度使用するキャリ
アガスの循環法およびそれに用いるガス循環装置に関す
る。
を形成する装置としては、本発明者らは特許第1595
398号(特公平2−16379号)で、図5に示すよ
うな、内部に金属材料aの加熱装置bをもち、ガス供給
源cより例えばアルゴンガスをキャリアガスとして導入
されるようにした超微粒子生成室d(金属蒸気生成用容
器ともいう)と、該生成室dより導出する先端にノズル
eをもつ搬送管fと、内部に該搬送管fのノズルeの先
端部と、基板gを保持し移動自在の基板保持装置hとを
備え、超微粒子生成室dから超微粒子をキャリアガスと
共に搬送管fを介して導入されるようにした膜形成室i
(蒸着処理容器ともいう)と、該超微粒子生成室dと該
膜形成室iとに接続する真空ポンプjとから成るガス・
デポジション法による超微粒子膜の形成装置を提案し
た。尚、図中kは金属材料aの水冷銅ハース、mは加熱
装置bの直流電源、nは搬送管fの開閉弁、oは超微粒
子生成室dおよび膜形成室iと真空ポンプjとの間に配
設された排気用導管を示す。
成する場合には、先ず、超微粒子生成室c内の水冷銅ハ
ースk内に金属原料aとしてNiを供給し、該超微粒子
生成室d内を真空ポンプjで高真空に排気したのち、ガ
ス供給源cよりアルゴンガスを導入し、1atm(0.1M
Pa)の圧力に保つ。次に膜形成室i内の基板保持装置h
上に基板fをセットし、該膜形成室i内を真空ポンプj
で排出して5×10-5atm(5Pa)の圧力に保つ。直流
電源mに接続した加熱装置bのプラズマトーチに高周波
を印加し、パイロットアークを発生させたのち、プラズ
マトーチbと水冷銅ハースk間に直流電圧を印加して例
えば電圧32V電流30Aのプラズマアーク放電により
水冷銅ハースk内のNiを溶解せしめる。一方超微粒子
生成室d内には1リットル・atm/minでアルゴンガスを
流入しつづけ、真空ポンプiの調節弁を調節して常時1
atm(0.1MPa)のガス圧を保つようにする。プラズマ
アーク放電により水冷銅ハースk内で溶融せるNiはN
i超微粒子として生成され、蒸発させている。放電開始
所定時間経過後に搬送管fの開閉弁nを開き、超微粒子
生成室dからアルゴンガスと共に生成Ni超微粒子を膜
形成室i内に搬送し、ノズルeより基板g上にNi超微
粒子をアルゴンガスと共に噴射して基板g上にNi超微
粒子膜を形成する。
子生成室d内の圧力と膜形成室i内の圧力は夫々1atm
(0.1MPa)および5×10-5atm(5Pa)で平衡状態
にあり、また真空ポンプjからは1リットル・atm/min
のアルゴンガスが大気中に放出されている。
号で、図6に示すような、各粒子自体が高温超伝導材料
を構成する組成に調整された微粒子pをガス供給源に連
なるガス導入管qから導入されたキャリアガスで浮遊さ
せる浮遊槽rと、該浮遊槽rに連なり、先端にノズルs
を有し、微粒子pをキャリアガスと共に搬送する搬送管
tと、内部にノズルsの先端部と、基板uを保持し移動
自在の基板保持装置vとを備え、浮遊槽rから微粒子p
をキャリアガスと共に搬送管tを介して導入されるよう
にした膜形成室wと、膜形成室wに接続する真空ポンプ
yとから成るガス・デポジション法による微粒子膜の形
成装置を提案した。尚、図中、zはガス導入管qの閉鎖
した末端部に複数穿設したガスの噴出用の孔を示す。こ
の図6に示す形成装置は微粒子をキャリアガスと混合し
てエアロゾル状にし、これをガス・デポジション法で微
粒子膜を形成するものである。
を形成する場合には、先ず、浮遊槽r内に高温超伝導体
のBPSCCO系(Bi−Pb−Sr−Ca−Cu−
O)微粒子pを供給し、浮遊槽r内にガス供給源よりキ
ャリアガスとしてアルゴンガスをガス導入管qより導入
し、孔zより噴出させて微粒子pをエアロゾル状にせし
め、微粒子pをキャリアガスと共に浮遊槽r内より搬送
管tを介して真空ポンプyで高真空に排気されている膜
形成室w内に搬送し、搬送管tの先端のノズルsより基
板保持装置vに保持されている基板u上に噴射してBP
SCCO系微粒子膜を形成する。成膜中は前記図5装置
と同様にノズルsより噴射されたキャリアガスは真空ポ
ンプyにより大気中に放出されている。
示すガス・デポジション法による微粒子膜の形成装置
は、いずれも成膜中は膜材料の超微粒子あるいは微粒子
を膜形成室内に搬送したキャリアガスは真空ポンプ等よ
り大気中に放出されており、また、放出されたキャリア
ガス中にはダスト、ミスト状の油分、膜材料の微粒子の
ような不純物が含まれており、これらが飛散して大気を
汚染するばかりではなく、空気中の含有量の少ないアル
ゴン、或いはヘリウムをキャリアガスとして空気より分
留し、精選するためにコストが高く、時間ロスが大きい
等の問題がある。
たキャリアガスを真空ポンプ等で大気中に放出させるこ
となく、真空ポンプ等より排出されるキャリアガスをガ
ス循環系に回収した後、これを純化し、加圧状態で貯蔵
し、再度微粒子生成室または微粒子エアロゾル化室に還
流して使用するガス・デポジション法でのガス循環法お
よびガス・デポジション装置用のガス循環装置を提供す
ることを目的とする。
成するガス・デポジション法でのガス循環法を提案する
もので、微粒子を使用するガス・デポジション法であっ
て、膜形成室から排出されるキャリアガスを循環系に導
入し、所定の純度に純化と異物の除去を行った後、加圧
して微粒子蒸発室もしくは微粒子のエアロゾル化室に導
入することを特徴とする。
るためのガス・デポジション装置のガス循環装置を提案
するもので、基板と、該基板上にキャリアガスと共に微
粒子膜材料の微粒子を噴射するノズルとから成るガス・
デポジション法による微粒子膜の形成装置において、膜
形成室と微粒子蒸発室もしくは微粒子のエアロゾル化室
との間に膜形成室より排出されるキャリアガスの循環回
路を配設し、該循環回路内にキャリアガス中の異物を除
去する除去装置と、異物が除去されたキャリアガスを一
定圧に加圧する加圧装置を配置したことを特徴とする。
ガスは膜形成室より真空ポンプで回収されて循環回路に
導入される。循環回路に導入されたキャリアガスは循環
回路を経て微粒子蒸発室もしくはエアロゾル化室に送り
込まれる。その際、キャリアガスは循環回路内を通過中
に異物の除去と、純化処理され、所定の圧力に高められ
る。そして微粒子蒸発室もしくはエアロゾル化室に送り
込まれたガスは微粒子のキャリアガスとして使用され
る。
法並びにガス・デポジション装置用のガス循環装置の実
施例を添付図面に基づき説明する。
1〜1.0μm程度の微粒子および粒径が0.005〜
0.1μm程度の超微粒子を総称するものである。
装置を連設した1例であり、図1に示す装置では微粒子
膜の微粒子を原料を蒸発させて生成する微粒子蒸発法で
行う場合を示す。図中、1は微粒子蒸発室、2は膜形成
室、3は微粒子蒸発室1と膜形成室2の間に配設された
搬送管を示す。
5を介して接続し、該真空ポンプ4によって微粒子蒸発
室1内の真空度を調整自在とすると共に、微粒子蒸発室
1内に連通されたガス導入管6から例えばヘリウムガス
から成るキャリアガスをガス供給源7よりガス流量計8
およびバルブ9を介して導入出来るようにした。また、
該微粒子蒸発室1内の下方に加熱蒸発させる微粒子膜の
原料Mを収容する内径15mm、深さ15mmの黒鉛製ルツ
ボ10と、ルツボ10の外周にルツボ10を加熱するタ
ングステン製円筒状ヒーター11を配置し、該ヒーター
11をヒーター加熱用電源12に接続した。また、微粒
子蒸発室1内の上方に微粒子をキャリアガスと共に搬送
する内径2mmの搬送管3の一端を気密に挿入して接続
し、該搬送管3の先端側にステンレス製の内径0.6m
m、長さ35mmのノズル13を設けた。
5を介して接続し、該真空ポンプ14によって膜形成室
2内の真空度を調整自在とした。また、膜形成室2内の
下方に基板16を保持し、該基板16を水平方向(矢印
方向)に移動させる基板保持装置17を配置した。ま
た、微粒子蒸発室1に接続されている搬送管3の先端側
に設けられているノズル13を膜形成室2の内部に気密
に挿入し、ノズル13の先端を膜形成室2内の基板16
と所定間隔例えば0.5mmを存して配置した。
よる膜形成装置と特に変わりはないが、本発明装置は微
粒子蒸発室1と膜形成室2との間に膜形成室2より排出
されるキャリアガスを再使用するためのガスの循環回路
18を配置したものであり、図示例では、ガス循環回路
18の始端18aを膜形成室2の真空ポンプ14に接続
し、該ガス循環回路18の終端18bを微粒子蒸発室1
のキャリアガスの導入管6に夫々接続した。
環系バルブ19を配置し、該循環系バルブ19より上流
側に排気用バルブ20を備える分岐路21を設けた。ま
た、循環系バルブ19より下流側の循環回路18内に容
量100リットルないし1000リットルのエアバック
方式の低圧容器22を設け、該低圧容器22をコンプレ
ッサー23に接続した。そして、該低圧容器22の手前
側には活性炭の充填したフィルタ46を取り付けし、真
空ポンプ14より送り込まれるキャリアガス中に混入し
ている油成分を除去するようにした。
圧容器24に高圧配管25で接続した。そして高圧容器
24は通常内側寸法直径100mm、長さ1,500mm
(内容積11.8リットル)で、逆流阻止弁26、圧力
スイッチ27により、高圧容量圧力7atm以下でコンプ
レッサー23が始動し、圧力9atmで停止するように
し、また、高圧容器24内に送り込まれたキャリアガス
は逆流阻止弁26によりコンプレッサー23側に逆流し
ないようにした。また、高圧配管25内に低温吸着トラ
ップ28を配置すると共に、該低温吸着トラップ28の
前後の夫々に停止弁29,30を配置し、該低温吸着ト
ラップ28のトラップ表面を通常30K〜100Kに冷
却して、ガス・デポジション装置で発生したキャリアガ
ス中の空気や水蒸気をトラップ表面に付着、凝縮せしめ
て除去してキャリアガスの純度を向上させるようにし
た。
8内に減圧弁31、ガス流量計32およびガス流量調節
弁33を配置すると共に、循環回路18の終端18bを
ガス導入管6に接続し、高圧容器24で加圧されたキャ
リアガスを減圧弁31で所定の圧力で減圧し、ガス停止
弁34の開弁により微粒子蒸発室1内に連通されている
ガス導入管6を介して微粒子蒸発室1内に導入出来るよ
うにした。尚、図中、35は微粒子蒸発室1に設けた圧
力計、36はコンプレッサー23と圧力スイッチ27の
電気回路を示す。
・デポジション装置用を用いてガス循環の具体例につい
て説明する。
微粒子膜の原料MとしてAgを24.5g供給し、真空
ポンプ4で微粒子蒸発室1内の空気を排気した後、ガス
供給源7よりヘリウムガスをガス導入管6を介して導入
して圧力計35の指針により微粒子蒸発室1内の圧力を
2atm(0.2MPa)に維持した。続いて、ヒーター加熱
用電源12よりヒーター11に電圧4.2V、電流32
0Aの出力を供給してヒーター11表面を1410℃に
昇温させ、該温度でルツボ10を加熱してルツボ10内
の原料Mを温度1230℃に昇温させると溶融し、溶湯
面から原料MのAgが微粒子状に蒸発し始める。
に大きさ縦25mm、横25mm、厚さ1mmのアルミナ製の
基板16を載置した。次いで、循環回路18に配置した
ガス循環系バルブ19を閉鎖すると共に、分岐路21の
真空バルブ20を開放し、膜形成室2に連なる真空ポン
プ14を作動させて膜形成室2内の空気を該分岐路21
の真空バルブ20を介して外方に排気し、内部圧力を
1.5Torr(200Pa)に維持すると、微粒子蒸発室1
と膜形成室2との差圧[この時の微粒子蒸発室1内の圧
力は2atm(0.2MPa)、膜形成室2内の圧力は1.5
Torr(200Pa)]により、微粒子蒸発室1内で蒸発し
て生成したAg微粒子は微粒子蒸発室1内に導入したヘ
リウムガスとエアロゾル状に混合し、搬送管3を通過し
てノズル13の先端から高速で基板16上に噴射され、
該基板16上に堆積する。
内へガス流量計8の調節でキャリアガス(ヘリウムガ
ス)の導入によって微粒子蒸発室1(内部圧力2atm)
と、膜形成室(内部圧力1.5Torr)は所定の圧力を保
って平衡に維持している。その後、基板保持装置17を
矢印方向に移動させると基板16上にAg微粒子が堆積
しながら所定の膜厚、幅、長さの微粒子膜Fが形成され
る。
1内へのヘリウムガスの導入と、搬送管3による微粒子
とキャリアガス(ヘリウムガス)の膜形成室2への搬送
と、真空ポンプ14によるキャリアガスの排気が定常状
態となった時点で、真空ポンプ14に連なる分岐路21
の真空バルブ20を閉鎖すると共に、ガス循環系バルブ
19を開放する。真空ポンプ14で膜形成室2内より排
出されたキャリアガスは真空ポンプ14より1atmの圧
力で循環回路18内に導入され、フィルタ46(活性炭
が充填されている)によりガス中に混入している油分が
除去され、低圧容器22内に送り込まれる。低圧容器2
2はエアバック方式で構成されているから、真空ポンプ
14より送り込まれた排出ガス量に応じて100リット
ルないし1000リットルの範囲で可変的に貯蔵され
る。その能力はヘリウムガスで1g/sec(5.6リッ
トル・atm/sec)程度である。
はコンプレッサー23に送り込まれ、続いてコンプレッ
サー23の吐出側の低温吸着トラップ28に送り込ま
れ、トラップ表面が80K程度(20K程度まで下げる
場合もある)に冷却されている低温吸着トラップ28内
を通過する間にガス・でポジション装置で発生した空気
や水蒸気をトラップに付着、凝縮せしめて除去してガス
(ヘリウムガス)の純度を向上させる。
ムガス)は高圧容器24にコンプレッサー23の作動に
より加圧状態で送り込まれる。その際、高圧容器24内
の圧力は圧力スイッチ27のスイッチのオン、オフによ
ってコンプレッサー23の作動の開始、停止で7atmな
いし9atmの範囲に設定され、また、高圧容器24内の
高圧のガスは逆流阻止弁26によりコンプレッサー23
に逆流することはない。そして、純度が向上し、圧力が
高められたガス(ヘリウムガス)は減圧弁31により2
atmに減圧され、ガス流量計32、ガス流量調節弁33
および開放状態のガス停止弁34を経由してガス循環回
路18の終端18bより微粒子蒸発室1内に連通せるガ
ス導入管6内に送り込むと同時にガス導入管6のバルブ
9を閉鎖すると、循環回路18内で純度が向上し、圧力
が高められたヘリウムガスがキャリアガスとして微粒子
蒸発室1内に導入され、再び、搬送管3並びに循環回路
18内を循環する。
時には、微粒子蒸発室1内にヘリウムガスが2atmに加
圧された状態で導入され、その後はキャリアガスとして
膜形成室2内に200リットル・Torr/sec(0.26
リットル・atm/sec)で搬送されることになる。
場合、キャリアガスは膜形成室2内を排気している真空
ポンプ14により大気中に放出されるが、本発明のガス
循環装置を設置することにより、同じ真空ポンプ14で
キャリアガスが大気中に放出されることなく、ガス循環
装置に送り込まれ、貯蔵、加圧、純化を行った後、高圧
で高純度のヘリウムガスとして高圧容器24に貯蔵さ
れ、キャリアガスとして再使用される。従って、例えば
60分間のガス・デポジションの運転時間では、940
リットル・atmのヘリウムガスの大気中への放出を防止
出来ることになる。
(代表例としてヘリウムガス、アルゴンガス)の使い捨
てがなくなる。前記実施例で示した運転条件で連続運転
を行った場合、ヘリウムガスのガス源は通常7m3充填
のガスボンベが使用されるが、ガス循環法を行わない
と、そのガスボンベ中のヘリウムガスは7.5hrで消
費され、新しいガスボンベと交換の必要があるが、本発
明のガス循環法の実施によりガスボンベの交換の必要性
がなくなり、費用が節約されるばかりではなく、労力が
低減される。またガスボンベの交換遅延等による運転ミ
スを解消出来る。
高圧容器内でガス循環系で回収・加圧されたガスが常に
一定の圧力と純度で貯蔵されているので、微粒子膜の品
質の安定、向上に寄与する。また、ガス循環系の使用で
ガス・デポジション装置の運転時に真空ポンプから系外
(室内)にダストやミスト状の油の排出がないので、ガ
ス・デポジション装置の設置場所の周辺のクリーン化が
保たれる。
ス循環を長時間に亘って行う場合は、高圧配管25に配
置されている低温吸着トラップ28とは別個の低温吸着
トラップを増設する。その場合は図2に示すように増設
する低温吸着トラップ37を低温吸着トラップ28に並
列に接続し、該低温吸着トラップ37の前後の夫々に停
止弁38,39を配置し、停止弁29,30と停止弁3
8,39の切り替え操作で高圧配管25中を通過するガ
スをいずれか一方の低温吸着トラップに通過させる。ま
た、搬送される微粒子の種類、キャリアガスの種類およ
び回収されるガス中の異物等の混入状態に応じて複数の
低温吸着トラップを縦列または並列に配置してもよい。
されたガス中の空気、水蒸気等のガス状不純物の除去に
冷却トラップ(低温吸着トラップ)を使用したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、チタンワイヤーを
用いたゲッターで行うようにしてもよい。その場合は、
図3に示すようなゲッター40を高圧配管25内に低温
吸着トラップの代わりに接続し、電源41によるチタン
ワイヤーの加熱で高圧ガス中の空気、水蒸気等のガス状
不純物を除去する。
ション装置に配置する微粒子の供給装置の他の実施例で
あって、前記図1装置ではキャリアガスで搬送する微粒
子膜の微粒子を蒸発室内で蒸発させて生成する方法とし
たが、図2に示す装置は、微粒子膜の原料となる微粒子
として予めその組成割合と成るように例えばガス中蒸発
法で作成した微粒子を用い、これをエアロゾル化室内に
充填し、該エアロゾル化室内の微粒子中にキャリアガス
を直接吹き込んで該室内で微粒子とキャリアガスをエア
ロゾル状にして搬送する装置である。
て説明する。該供給装置51はエアロゾル化室(以下容
器という)52とガス供給源53と搬送管54とからな
り、容器52は例えばガラス製の内径100mm、高さ1
20mmの円筒形状であり、内径3mmのガス導入管55を
容器52の上部に設けた蓋56を気密に貫通して接続
し、該ガス導入管55の一端をキャリアガスのガス供給
源53に流量調節弁56とガス流量計57およびバルブ
58を介して接続した。更に該ガス導入管55の末端部
分59を容器52のないの下部に円形状に配置し、該末
端部分59に例えば直径1mmの孔60を複数個穿設する
と共に、末端を閉鎖した。また、容器52の上部に例え
ば平均粒径が0.7μmの膜材料の超微粒子Uをキャリ
アガスと共に搬送する内径2mmの搬送管54の一端を蓋
56から容器52内部に気密に挿入し、該搬送管54の
他端側にバルブ61を配置すると共に、搬送管54の先
端に図1装置の搬送管3と同様にノズル13を設けた。
また、キャリアガスのガス導入管55に図1装置のガス
循環回路18の終端18bを接続した。その他の構成に
っいては図1に示すガス・デポジション装置と同一構成
のため、図示およびその説明を省略する。
子を膜形成室2に搬送するには次の通りとすればよい。
先ず、容器52内に例えばガス中蒸発法によって作成さ
れた組成がBi0.7・Pb0.3・Sr1.0・Ca1.0・Cu
1.5・OxのBi系高温度超伝導体の平均粒径が0.7
μmの超微粒子Uを充填する。
鎖すると共に、ガス導入管55のバルブ58を開放して
ガス供給源53よりキャリアガス(ここではHeガスと
した)を15.6リットル/minの速度で容器52内に
導入し、孔60から噴出させてガス圧で容器52内のB
i系高温度超伝導体の超微粒子Uを舞い上がらせて超微
粒子Uとキャリアガスをエアロゾル状に混合させる。
し、容器52内のガス圧力を2atmに維持すると、容器
52と膜形成室2との差圧により容器52内の超微粒子
Uはキャリアガスと共に搬送管54および搬送管3を通
過して膜形成室2内に搬送される。
粒子膜Fの堆積、膜形成室2より排出されたガスの循環
経路18への導入、並びに循環回路18内での純化、加
圧、そして、再び容器52内へのキャリアガスとして送
り込みは前記図1装置と同様のため説明を省略する。
ャリアガスで搬送する微粒子を微粒子膜の組成に合わせ
て予め作成することが出来るから、微粒子の供給装置の
構造が簡単で、ガス循環系を含むガス・デポジション装
置全体をコンパクトとすることが出来る。
成について更に詳しく説明する。 1)低圧容器 膜形成室の真空ポンプで排出されたガスを回収し、コン
プレッサーで吸込むために貯蔵する容器内での圧力は≒
1atmに保たれている。そしてエアパック方式で通常1
00リットルないし1000リットルの範囲で必要に応
じて大きさを適宜設定する。 2)コンプレッサー 低圧容器で貯蔵されたガス(圧力1atm)を吸引し、圧
縮して2〜9atmに加圧する。 3)高圧容器 コンプレッサーで圧縮されたガス(2〜9atm)を高圧
状態で貯蔵する。 4)フィルタ ガス中の油成分、微小のダストを付着させ除去する。 5)冷却トラップ(低温吸着トラップ) ガス中の空気、水蒸気等を凝縮や吸着により除去する。
超微粒子を含む微粒子膜の形成の増加に伴い、キャリア
ガスの種類も多くなり、また使用するガスの流量は、ノ
ズル内径の増大、多数本(マルチ)化、搬送管前後の差
圧の増大で、いずれも増加の方向にあり、また、運転時
間の長時間化や連続化でキャリアガスの使用量は増加す
る。更に、使用するガスもアルゴンガスに比しヘリウム
ガスの場合は現在の価格で約3倍の単価のため、ガス・
デポジション法での運転で、たとえ実験装置でも、運転
経費の低減のために使用するガスの循環が必要である。
また、技術的な見地からも再使用するガスの純度が確実
に保証されているため、微粒子膜の品質の安定性に寄与
する。
循環法によるときは、膜形成室から排出されるキャリア
ガスを循環系に導入した後、所定の純度に純化と異物の
除去を行い、これを加圧して微粒子蒸発室もしくは微粒
子のエアロゾル化室に導入するようにしたので、従来は
そのまま大気中に放出していたキャリアガスを放出する
ことなく循環系に導入、回収することが出来るから、ガ
ス・デポジション法で成膜中はダストやミスト状の油分
や異物が排出されることがないので大気を汚染すること
がなく、また、高価で貴重な資源としての希ガスの使い
捨てを防止して、これを循環させて再度使用することが
出来て、ガス供給源からの新たなキャリアガスを補充す
ることなく長時間に亘ってガス・デポジション法で成膜
することが出来る等の効果がある。
のガス循環装置によるときは、膜形成室と微粒子蒸発室
もしくは微粒子のエアロゾル化室との間に膜形成室から
排出されるキャリアガスの循環回路を配設し、該循環回
路内にキャリアガス中の異物を除去する除去装置と、異
物が除去されたキャリアガスを一定圧に加圧する加圧装
置を配置したので、ガス・デポジション装置の運転稼働
中はキャリアガスを大気に放出することなく循環回路内
に回収し、それを所定の純度と圧力のキャリアガスとし
て再度微粒子蒸発室或いは微粒子のエアロゾル化室と膜
形成室との間に極めて容易に循環させることが出来るガ
ス循環装置を提供することが出来る効果がある。
の他の実施例の説明線図
の他の実施例の説明線図
施例の説明線図
線図
線図
3,54 搬送管、 16 基
板、18 循環系、循環回路、 22,28 異物
の除去装置、23 加圧装置、 5
2 エアロゾル化室、F 微粒子膜。
Claims (2)
- 【請求項1】 微粒子を使用するガス・デポジション法
であって、膜形成室から排出されるキャリアガスを循環
系に導入し、所定の純度に純化と異物の除去を行った
後、加圧して微粒子蒸発室もしくは微粒子のエアロゾル
化室に導入することを特徴とするガス・デポジション法
でのガス循環法。 - 【請求項2】 基板と、該基板上にキャリアガスと共に
微粒子膜材料の微粒子を噴射するノズルとから成るガス
・デポジション法による微粒子膜の形成装置において、
膜形成室と微粒子蒸発室もしくは微粒子のエアロゾル化
室との間に膜形成室より排出されるキャリアガスの循環
回路を配設し、該循環回路内にキャリアガス中の異物を
除去する除去装置と、異物が除去されたキャリアガスを
一定圧に加圧する加圧装置を配置したことを特徴とする
ガス・デポジション装置用のガス循環装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21437292A JP3336541B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21437292A JP3336541B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0657413A JPH0657413A (ja) | 1994-03-01 |
JP3336541B2 true JP3336541B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16654701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21437292A Expired - Fee Related JP3336541B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3336541B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH678861A5 (ja) * | 1988-08-24 | 1991-11-15 | Graf & Co Ag | |
JP3595823B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2004-12-02 | 有限会社 渕田ナノ技研 | 金属部分膜の形成装置およびその形成方法 |
US6517791B1 (en) * | 2000-12-04 | 2003-02-11 | Praxair Technology, Inc. | System and process for gas recovery |
JP2014029005A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-02-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21437292A patent/JP3336541B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0657413A (ja) | 1994-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11053584B2 (en) | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process | |
JP4769350B2 (ja) | 希ガスの回収方法及び装置 | |
US6217633B1 (en) | Method and apparatus for recovering rare gas | |
US20030036272A1 (en) | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas | |
JP2001323374A (ja) | 気相反応物を反応室内へ供給するための方法および装置 | |
KR100268525B1 (ko) | 진공 형성방법 및 진공 형성장치 | |
JP2001501693A (ja) | クライオポンプ/ゲッターポンプの組み合わせポンプとその再生方法 | |
JP3336541B2 (ja) | ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 | |
US4877640A (en) | Method of oxide removal from metallic powder | |
KR102103601B1 (ko) | 질화철 나노 분말의 제조 방법 및 제조 시스템과 이 제조 방법에 의해 제조되는 질화철 나노 분말 | |
Wang et al. | rf plasma aerosol deposition of superconductive Y1Ba2Cu3O7− δ films at atmospheric pressure | |
JPH07138009A (ja) | フラーレンの製造装置およびその回収方法 | |
JP2975145B2 (ja) | 熱プラズマ成膜方法 | |
CN114050100A (zh) | 等离子体处理系统和等离子体处理方法 | |
JPH06295870A (ja) | 化学的気相成長装置 | |
JP2623715B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP3322367B2 (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP4149595B2 (ja) | 原料ガス供給装置 | |
JPH02118075A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JPH05220322A (ja) | プラズマ溶射水素回収装置 | |
JP4268708B2 (ja) | 真空プロセスにおける希ガス中の活性ガスの除去方法並びに排気方法及び真空プロセス装置 | |
JPH06158306A (ja) | ガス・デポジション法によるスパッター用ターゲットの製造方法およびその製造装置 | |
JP2004111788A (ja) | 基板処理装置 | |
JPS624875A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
JPH0240234A (ja) | 超微粒子材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080809 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090809 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090809 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100809 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110809 Year of fee payment: 9 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110809 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110809 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120809 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |