JPH01268030A - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH01268030A JPH01268030A JP63095601A JP9560188A JPH01268030A JP H01268030 A JPH01268030 A JP H01268030A JP 63095601 A JP63095601 A JP 63095601A JP 9560188 A JP9560188 A JP 9560188A JP H01268030 A JPH01268030 A JP H01268030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid refrigerant
- sample
- space
- sample stage
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 223
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 152
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 46
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 26
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマエツチング方法及び装置に係り、特
に半導体素子基板等の試料の温度を水温以下の低温に制
御しガスプラズマを利用してエツチング処理するプラズ
マエツチング方法及び装置に関するものである。
に半導体素子基板等の試料の温度を水温以下の低温に制
御しガスプラズマを利用してエツチング処理するプラズ
マエツチング方法及び装置に関するものである。
［従来の技術］
半導体素子基板等の試料の温度を水温以下の低温に制御
してガスプラズマを利用してエツチング処理する従来の
技術では、試料が設置される試料台内部に水温以下の温
度を有する液冷媒、例えば、液体窒素、液化フッ素系ガ
ス、液体ヘリウム等を供給して試料台を冷却し、該冷却
された試料台を介して試料は、その温度を所定の低温に
制御されている。
してガスプラズマを利用してエツチング処理する従来の
技術では、試料が設置される試料台内部に水温以下の温
度を有する液冷媒、例えば、液体窒素、液化フッ素系ガ
ス、液体ヘリウム等を供給して試料台を冷却し、該冷却
された試料台を介して試料は、その温度を所定の低温に
制御されている。
尚、この種の技術として関連するものには、例えば、特
開昭６１−２４０６３５号、実開昭６２−１０３２４９
号等が挙げられる。
開昭６１−２４０６３５号、実開昭６２−１０３２４９
号等が挙げられる。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術では、試料台からの液冷媒の回収や排出時
間については、考慮されていない、このため、液冷媒の
消費量が増大して装置運転費が増大したり、液冷媒排出
時間が増大して装置の稼働率が低下しスルーブツトが低
下するといった問題が生じる。また、低温・に冷却され
た試料台をこの状態で大気に露呈すると大気中の水分等
を、試料台が吸着して真空性能に悪影響を及ぼすといっ
た問題も生じる。
間については、考慮されていない、このため、液冷媒の
消費量が増大して装置運転費が増大したり、液冷媒排出
時間が増大して装置の稼働率が低下しスルーブツトが低
下するといった問題が生じる。また、低温・に冷却され
た試料台をこの状態で大気に露呈すると大気中の水分等
を、試料台が吸着して真空性能に悪影響を及ぼすといっ
た問題も生じる。
本発明の第１の目的は、装置運転費の増大を抑制できる
プラズマエツチング方法及び装置を提供することにある
。
プラズマエツチング方法及び装置を提供することにある
。
また、本発明の第２の目的は、装置運転費の増大とスル
ーブツトの低下とを抑制できるプラズマエツチング方法
及び装置を提供することにある。
ーブツトの低下とを抑制できるプラズマエツチング方法
及び装置を提供することにある。
さらに、本発明の第３の目的は、真空性能への悪影響を
排除できるプラズマエツチング方法及び装置を提供する
ことにある。
排除できるプラズマエツチング方法及び装置を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段１
上記第１の目的は、プラズマエツチング方法を、ガスプ
ラズマを利用してエツチング処理される試料が設置され
る試料台内部に水温以下の温度を有する液冷媒を供給す
る工程と、前記液冷媒を前記試料台内部に再供給可能に
液状態で前記試料台から回収する工程とを有する方法と
し、プラズマエツチング装置を、ガスプラズマを生成す
る手段と、前記ガスプラズマを利用してエツチングされ
る試料が設置され内部に水温以下の温度を有する液冷媒
保存空間が形成された試料台と、前記試料台の前記空間
に前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記空間
にある前記液冷媒を液状態で前記液冷媒供給手段に回収
する手段とを具備したものとすることにより、達成され
る。また、上記第２の目的は、プラズマエツチング方法
を、ガスプラズマを利用してエツチング処理される試料
が設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷
媒を提供する工程と、前記液冷媒を前記試料台外へ液状
態で強制的に排出し前記試料台内部に再供給可能に回収
する工程とを有する方法とし、プラズマエツチング装置
をガスプラズマを生成する手段と、前記ガスを利用して
エツチング処理される試料が設置され内部に水温以下の
温度を有する液冷媒保有空間が形成された試料台と、前
記試料台の前記空間に前記液冷媒を供給する手段と、前
記試料台の前記空間にある前記液冷媒を前記試料台外へ
液状態で強制的に排出し前記液冷媒供給手段に回収する
手段とを具備したものとすることにより、達成される。
ラズマを利用してエツチング処理される試料が設置され
る試料台内部に水温以下の温度を有する液冷媒を供給す
る工程と、前記液冷媒を前記試料台内部に再供給可能に
液状態で前記試料台から回収する工程とを有する方法と
し、プラズマエツチング装置を、ガスプラズマを生成す
る手段と、前記ガスプラズマを利用してエツチングされ
る試料が設置され内部に水温以下の温度を有する液冷媒
保存空間が形成された試料台と、前記試料台の前記空間
に前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記空間
にある前記液冷媒を液状態で前記液冷媒供給手段に回収
する手段とを具備したものとすることにより、達成され
る。また、上記第２の目的は、プラズマエツチング方法
を、ガスプラズマを利用してエツチング処理される試料
が設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷
媒を提供する工程と、前記液冷媒を前記試料台外へ液状
態で強制的に排出し前記試料台内部に再供給可能に回収
する工程とを有する方法とし、プラズマエツチング装置
をガスプラズマを生成する手段と、前記ガスを利用して
エツチング処理される試料が設置され内部に水温以下の
温度を有する液冷媒保有空間が形成された試料台と、前
記試料台の前記空間に前記液冷媒を供給する手段と、前
記試料台の前記空間にある前記液冷媒を前記試料台外へ
液状態で強制的に排出し前記液冷媒供給手段に回収する
手段とを具備したものとすることにより、達成される。
さらに、上記第３の目的は、プラズマエツチング方法を
、ガスプラズマを利用してエツチング処理される試料が
設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷媒
を供給する工程と、前記液冷媒を前記試料台外へ排出し
該試料台を常温に復帰させて大気に露呈する工程とを有
する方法とし、プラズマエツチング装置を、ガスプラズ
マエツチングを生成する手段と、前記ガスプラズマを利
用してエツチング処理される試料が設置されると共に大
気に露呈される内部に水温以下の温度を有する液冷媒保
有空間が形成された試料台と、前記試料台の前記空間に
前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記空間に
ある前記液冷媒を前記試料台外へ排出する手段と、前記
液冷媒が排出された前記試料台を加温し常温に復帰させ
る手段とを具備したものとすることにより、達成される
。
、ガスプラズマを利用してエツチング処理される試料が
設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷媒
を供給する工程と、前記液冷媒を前記試料台外へ排出し
該試料台を常温に復帰させて大気に露呈する工程とを有
する方法とし、プラズマエツチング装置を、ガスプラズ
マエツチングを生成する手段と、前記ガスプラズマを利
用してエツチング処理される試料が設置されると共に大
気に露呈される内部に水温以下の温度を有する液冷媒保
有空間が形成された試料台と、前記試料台の前記空間に
前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記空間に
ある前記液冷媒を前記試料台外へ排出する手段と、前記
液冷媒が排出された前記試料台を加温し常温に復帰させ
る手段とを具備したものとすることにより、達成される
。
［作 用］
試料台の内部空間に液冷媒供給手段から水温以下の温度
を有する液冷媒が供給され、これにより、試料台は、水
温以下の温度に冷却される。試料台に設定された試料は
、試料台を介して所定の水温以下の温度に冷却されて調
節される。このような試料は、ガスプラズマ生成手段で
生成されたガスプラズマを利用してエツチング処理され
る。
を有する液冷媒が供給され、これにより、試料台は、水
温以下の温度に冷却される。試料台に設定された試料は
、試料台を介して所定の水温以下の温度に冷却されて調
節される。このような試料は、ガスプラズマ生成手段で
生成されたガスプラズマを利用してエツチング処理され
る。
一方、試料台の内部空間にある液冷媒は、液冷媒回収手
段により試料台から液状態で液冷媒供給手段へ回収され
る。液冷媒供給手段に回収された液冷媒は、試料台の内
部空間に液冷媒供給手段から再供給される。従って、こ
のような場合、液冷媒は試料台外へ無駄に棄てられずに
液状態で１回収されるので、液冷媒の消費量の増大それ
による装置運転費の増大を抑制できる。また、試料台の
内部空間にある液冷媒は、液冷媒強制排水口取手段によ
り試料台外へ強制的に液状態で排出されて液冷媒供給手
段へ回収される。液冷媒供給手段に回収された液冷媒は
、試料台の内部空間に液冷媒供給手段から再供給される
。従って、このような場合、液冷媒は試料台外へ無駄に
棄てられずに液状態で回収されるので、液冷媒の消費量
の増大それによる装置運転費の増大を抑制できる。また
、これと共に、液冷媒は、試料台外へ強制的に排出され
るので、液冷媒排出時間を短縮でき装置の稼動率の低下
それによるスルーブツトの低下を抑制できる。さらに、
試料台の内部空間にある液冷媒は、液冷媒排出手段によ
り試料台外へ排出される。内部空間から液冷媒が排出さ
れた試料台は、加温手段により加温されて常温に復帰さ
せられ、その後、この試料台は大気に露呈させられる。
段により試料台から液状態で液冷媒供給手段へ回収され
る。液冷媒供給手段に回収された液冷媒は、試料台の内
部空間に液冷媒供給手段から再供給される。従って、こ
のような場合、液冷媒は試料台外へ無駄に棄てられずに
液状態で１回収されるので、液冷媒の消費量の増大それ
による装置運転費の増大を抑制できる。また、試料台の
内部空間にある液冷媒は、液冷媒強制排水口取手段によ
り試料台外へ強制的に液状態で排出されて液冷媒供給手
段へ回収される。液冷媒供給手段に回収された液冷媒は
、試料台の内部空間に液冷媒供給手段から再供給される
。従って、このような場合、液冷媒は試料台外へ無駄に
棄てられずに液状態で回収されるので、液冷媒の消費量
の増大それによる装置運転費の増大を抑制できる。また
、これと共に、液冷媒は、試料台外へ強制的に排出され
るので、液冷媒排出時間を短縮でき装置の稼動率の低下
それによるスルーブツトの低下を抑制できる。さらに、
試料台の内部空間にある液冷媒は、液冷媒排出手段によ
り試料台外へ排出される。内部空間から液冷媒が排出さ
れた試料台は、加温手段により加温されて常温に復帰さ
せられ、その後、この試料台は大気に露呈させられる。
従って、このような場合、水温以下の温度に冷却されて
いる試料台は常温に復帰させられて大気に露呈させられ
るので、大気中の水分等の試料台への吸着を防止でき真
空性能への悪影響を排除できる。
いる試料台は常温に復帰させられて大気に露呈させられ
るので、大気中の水分等の試料台への吸着を防止でき真
空性能への悪影響を排除できる。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、エツチング室ｌＯ内には、電極２０と電極３
０とが、この場合、上下方向に対向して内設されている
。エツチング室１０の、この場合、側壁には、排気口１
１が形成されている。減圧排気手段としては、真空ポン
プ（図示省略）、可変コンダクタンスパルプ（図示省略
）、排気管１５０等で構成された公知のものが採用され
る。
０とが、この場合、上下方向に対向して内設されている
。エツチング室１０の、この場合、側壁には、排気口１
１が形成されている。減圧排気手段としては、真空ポン
プ（図示省略）、可変コンダクタンスパルプ（図示省略
）、排気管１５０等で構成された公知のものが採用され
る。
排気管１５０の一端は、排気口１１に連結され、他端は
、真空ポンプの吸入口に連結されている。
、真空ポンプの吸入口に連結されている。
可変コンダクタンスパルプは、排気管１５０に設けられ
ている。エツチングガス供給手段は、この場合、エツチ
ングガス源とガス流量抑制装置とでなるガス供給装置４
０とガス供給管４１とガス供給路４２とガス供給パルプ
４３とで構成されている。ガス供給装置４０は、エツチ
ング室ｌｏ外に設置されている。ガス供給路４２は、電
極２０に形成されている。ガス供給路４２の一端とガス
供給装置４０とは、ガス供給管４１で連結されている。
ている。エツチングガス供給手段は、この場合、エツチ
ングガス源とガス流量抑制装置とでなるガス供給装置４
０とガス供給管４１とガス供給路４２とガス供給パルプ
４３とで構成されている。ガス供給装置４０は、エツチ
ング室ｌｏ外に設置されている。ガス供給路４２は、電
極２０に形成されている。ガス供給路４２の一端とガス
供給装置４０とは、ガス供給管４１で連結されている。
ガス供給パルプ４３は、ガス供給管４１に設けられてい
る。ガス供給路４２の他端は、電極３０試料設置面に向
って開口させられている。電極３０内には、空間３１が
形成されている。電極３０の底部には、液冷媒排出管５
０の一端が空間３１と連通して連結されている。空間３
１は、この場合、液冷媒排出管５０の連結部に向って傾
斜した底面を有している。この場合、エツチング室ｌＯ
の底壁は、電極３０が挿脱可能な開口１２が形成された
底壁１３と開口１２を覆う面積を有し底壁１３に気密に
着脱可能な底壁１４とで構成されている。電極３０は、
開口ｒ２に挿脱可能な位置で底壁１４に設けられている
９液冷媒排出管５゜の他端部は底壁１４を気密に挿通し
エツチング室ＩＯ外へ突出させられている。液冷媒供給
装置６０は、たとえば液冷媒源と送液ポンプとで構成さ
れている。液冷媒供給管６１の一端は、送液ポンプの吐
出口に連結されている。液冷媒供給管６１の途中部分は
、液冷媒排出管５０に水密に挿通され、その他端は、空
間３１の上面付近で開口させられている。液冷媒供給パ
ルプ６２は、空間３１、液冷媒排出管５０外で液冷媒供
給管６１に設けられている。加圧ガス供給装置７０は、
この場合、加圧ガス源である。加圧ガス供給管７１の一
端は、加圧ガス供給装置７０の加圧ガス供給口に連結さ
れ、その一端は、この場合、液冷媒供給パルプ６２の後
流側で液冷媒供給管６１に合流連結されている。加圧ガ
ス供給パルプ７２は、加圧ガス供給管７１に設けられて
いる。液冷媒回収管８０の一端は、液冷媒排出管５０の
他端に連結され、他端は、液冷媒源に連結されている。
る。ガス供給路４２の他端は、電極３０試料設置面に向
って開口させられている。電極３０内には、空間３１が
形成されている。電極３０の底部には、液冷媒排出管５
０の一端が空間３１と連通して連結されている。空間３
１は、この場合、液冷媒排出管５０の連結部に向って傾
斜した底面を有している。この場合、エツチング室ｌＯ
の底壁は、電極３０が挿脱可能な開口１２が形成された
底壁１３と開口１２を覆う面積を有し底壁１３に気密に
着脱可能な底壁１４とで構成されている。電極３０は、
開口ｒ２に挿脱可能な位置で底壁１４に設けられている
９液冷媒排出管５゜の他端部は底壁１４を気密に挿通し
エツチング室ＩＯ外へ突出させられている。液冷媒供給
装置６０は、たとえば液冷媒源と送液ポンプとで構成さ
れている。液冷媒供給管６１の一端は、送液ポンプの吐
出口に連結されている。液冷媒供給管６１の途中部分は
、液冷媒排出管５０に水密に挿通され、その他端は、空
間３１の上面付近で開口させられている。液冷媒供給パ
ルプ６２は、空間３１、液冷媒排出管５０外で液冷媒供
給管６１に設けられている。加圧ガス供給装置７０は、
この場合、加圧ガス源である。加圧ガス供給管７１の一
端は、加圧ガス供給装置７０の加圧ガス供給口に連結さ
れ、その一端は、この場合、液冷媒供給パルプ６２の後
流側で液冷媒供給管６１に合流連結されている。加圧ガ
ス供給パルプ７２は、加圧ガス供給管７１に設けられて
いる。液冷媒回収管８０の一端は、液冷媒排出管５０の
他端に連結され、他端は、液冷媒源に連結されている。
液冷媒回収パルプ８１は、液冷媒回収管８０に設けられ
ている。ガス排出管９０は、エツチング室１０内を挿通
し、その一端は、空間３１の上面付近で開口されられて
いる。ガス排出管９０の途中部は。
ている。ガス排出管９０は、エツチング室１０内を挿通
し、その一端は、空間３１の上面付近で開口されられて
いる。ガス排出管９０の途中部は。
電極３０の底部に気密、水密を保持し設けられ、他の途
中部は、底壁１４に気密に設けられている。ガス排出パ
ルプ９１は、エツチング室ＩＯ外のガス排出管９０に設
けられている。ガス排出管９０の他端は、この場合、大
気開放させられている。尚、液冷媒供給装置６０が液化
冷凍機で構成されている場合、ガス排出管９０の他端は
、液化冷凍機を構成する圧縮機の吸入口に連結される。
中部は、底壁１４に気密に設けられている。ガス排出パ
ルプ９１は、エツチング室ＩＯ外のガス排出管９０に設
けられている。ガス排出管９０の他端は、この場合、大
気開放させられている。尚、液冷媒供給装置６０が液化
冷凍機で構成されている場合、ガス排出管９０の他端は
、液化冷凍機を構成する圧縮機の吸入口に連結される。
また、このような場合、圧縮機で圧縮された昇圧ガスを
、加圧ガス供給管７１に供給可能とし、該昇圧ガスが加
圧ガスとして用いられている。この場合、電極２０は接
地され、電極３０は、電源、この場合、高周波電源１０
０に接続されている。高周波電源１００は、エツチング
室ｌＯ外に設置され高周波電源１００は、接地されてい
る。電極３０の試料設置面には、この場合、伝熱板１１
０が設けられている。伝熱板１１０は、熱伝導性の良好
な材料で形成されている。ヒータ１２０は、この場合、
空間３１の上面と伝熱板１１０が設置された面との間で
電極３０に埋設されている。ヒータ１２０の電流導入端
子は、電流調節器（図示省略）を介し電流供給源（図示
省略）に接続されている。
、加圧ガス供給管７１に供給可能とし、該昇圧ガスが加
圧ガスとして用いられている。この場合、電極２０は接
地され、電極３０は、電源、この場合、高周波電源１０
０に接続されている。高周波電源１００は、エツチング
室ｌＯ外に設置され高周波電源１００は、接地されてい
る。電極３０の試料設置面には、この場合、伝熱板１１
０が設けられている。伝熱板１１０は、熱伝導性の良好
な材料で形成されている。ヒータ１２０は、この場合、
空間３１の上面と伝熱板１１０が設置された面との間で
電極３０に埋設されている。ヒータ１２０の電流導入端
子は、電流調節器（図示省略）を介し電流供給源（図示
省略）に接続されている。
第１図で、まず、空間３１には、液冷媒はなく、常温状
態で、試料１３０も設置されていないものとする。真空
ポンプを作動させることで、１ツチング室１０内は、減
圧排気され、可変コンダクタンスパルプによりエツチン
グ室１０内は、所定圧力に調節される。一方、半導体素
子基板等の試料１３０は、公知の搬送手段（図示省略）
によりエツチング室１０内に、この場合、１個搬入され
る。搬入された試料１３０は、被エツチング面を上向き
姿勢として伝熱板１１０に設置される。
態で、試料１３０も設置されていないものとする。真空
ポンプを作動させることで、１ツチング室１０内は、減
圧排気され、可変コンダクタンスパルプによりエツチン
グ室１０内は、所定圧力に調節される。一方、半導体素
子基板等の試料１３０は、公知の搬送手段（図示省略）
によりエツチング室１０内に、この場合、１個搬入され
る。搬入された試料１３０は、被エツチング面を上向き
姿勢として伝熱板１１０に設置される。
伝熱板１１０に設置された試料１３０は、その外周辺部
を試料押え１４０で押圧されて伝熱板１１０に押し付け
られる。また、一方、送液ポンプが作動させられ、液冷
媒供給パルプ６２が開弁させられる。この場合、加圧ガ
ス供給パルプ７２、液冷媒回収パルプ８１及びガス排出
パルプ９１は閉弁させられている。これにより、液冷媒
源の水温以下の温度を有する液冷媒、例えば、液体窒素
は、液冷媒供給管６１を通って空間３１に供給される。
を試料押え１４０で押圧されて伝熱板１１０に押し付け
られる。また、一方、送液ポンプが作動させられ、液冷
媒供給パルプ６２が開弁させられる。この場合、加圧ガ
ス供給パルプ７２、液冷媒回収パルプ８１及びガス排出
パルプ９１は閉弁させられている。これにより、液冷媒
源の水温以下の温度を有する液冷媒、例えば、液体窒素
は、液冷媒供給管６１を通って空間３１に供給される。
液体窒素のこのような供給当初は、電極３０が常温のた
め液体窒素が気化し、空間３１の圧力が上昇して液体窒
素が供給できなくなるため、ガス排出パルプ９１が開弁
される。これにより、空間３１の窒素ガスは、ガス排出
管９０を通って空間３１外へ排出され空間３１の圧力上
昇が防止される。このような空間３１への液体窒素の供
給により電極３０は、液体窒素温度付近の温度に冷却さ
れ、試料１３０は、伝熱板１１０を介して冷却される。
め液体窒素が気化し、空間３１の圧力が上昇して液体窒
素が供給できなくなるため、ガス排出パルプ９１が開弁
される。これにより、空間３１の窒素ガスは、ガス排出
管９０を通って空間３１外へ排出され空間３１の圧力上
昇が防止される。このような空間３１への液体窒素の供
給により電極３０は、液体窒素温度付近の温度に冷却さ
れ、試料１３０は、伝熱板１１０を介して冷却される。
一方、ガス供給パルプ４３が開弁させられ、エツチング
室ＩＯには、ガス供給装置４０から所定のエツチングガ
スが所定流量で供給される。エツチングガスが供給され
ているエツチング室１０内の圧力は、可変コンダクタン
スパルプにより所定のエツチング圧力に調節される。こ
の状態で、電極３０には、高周波電源１００から高周波
電圧が印加され、電極２０．３０間では、グロー放電が
発生する。該グロー放電によりエツチング室１０内のエ
ツチングガスは、プラズマ化される。所定低温に冷却さ
れている試料１３０は、その被エツチング面をガスプラ
ズマを利用してエツチング処理される。該エツチングガ
スがエツチング終点に達した時点で、ガス供給パルプ４
３は閉弁され、電極３０への高周波電圧の印加が停止さ
れる。エツチング処理が終了した試料１３０は、試料押
え１４０による押圧を解除され、搬送手段に渡された後
に該搬送手段によりエツチング室１０外へ搬出される。
室ＩＯには、ガス供給装置４０から所定のエツチングガ
スが所定流量で供給される。エツチングガスが供給され
ているエツチング室１０内の圧力は、可変コンダクタン
スパルプにより所定のエツチング圧力に調節される。こ
の状態で、電極３０には、高周波電源１００から高周波
電圧が印加され、電極２０．３０間では、グロー放電が
発生する。該グロー放電によりエツチング室１０内のエ
ツチングガスは、プラズマ化される。所定低温に冷却さ
れている試料１３０は、その被エツチング面をガスプラ
ズマを利用してエツチング処理される。該エツチングガ
スがエツチング終点に達した時点で、ガス供給パルプ４
３は閉弁され、電極３０への高周波電圧の印加が停止さ
れる。エツチング処理が終了した試料１３０は、試料押
え１４０による押圧を解除され、搬送手段に渡された後
に該搬送手段によりエツチング室１０外へ搬出される。
その後、新規な試料１３０が搬送手段によりエツチング
室１０内に搬入され液体窒素温度付近の温度に冷却され
ている電極３０の伝熱板１１０上に設置される。これ以
降、上記操作が再び実施される。
室１０内に搬入され液体窒素温度付近の温度に冷却され
ている電極３０の伝熱板１１０上に設置される。これ以
降、上記操作が再び実施される。
ここで、何等かの理由で空間３１にある液体窒素を空間
３１外へ排出する必要が生じた場合、液冷媒供給装置６
０の送液ポンプの作動が停止され、液冷媒供給パルプ６
２が閉弁される。その後、加圧ガス供給装置７０の作動
が開始され、加圧ガス供給パルプ７２、液冷媒回収パル
プ８１が開弁される。これにより、空間３１への液体窒
素の供給は停止され、該空間３１には、加圧ガス、例え
ば、加圧されたドライエアーが供給される。
３１外へ排出する必要が生じた場合、液冷媒供給装置６
０の送液ポンプの作動が停止され、液冷媒供給パルプ６
２が閉弁される。その後、加圧ガス供給装置７０の作動
が開始され、加圧ガス供給パルプ７２、液冷媒回収パル
プ８１が開弁される。これにより、空間３１への液体窒
素の供給は停止され、該空間３１には、加圧ガス、例え
ば、加圧されたドライエアーが供給される。
このような加圧ガスの供給により空間３１のガス圧力が
上昇する。空間３１にある液体窒′素は、ガス圧により
強制的に急速に空間３１から液状態で排出され、排出さ
・れた液体窒素は、液冷媒排出管５０、液冷媒回収管８
０を通って液冷媒供給装置６０の液冷媒源である液体窒
素槽に回収される。
上昇する。空間３１にある液体窒′素は、ガス圧により
強制的に急速に空間３１から液状態で排出され、排出さ
・れた液体窒素は、液冷媒排出管５０、液冷媒回収管８
０を通って液冷媒供給装置６０の液冷媒源である液体窒
素槽に回収される。
このようなケースとしては、
（１）例えば、翌日の作業開始時まで装置の運転を停止
させる場合。
させる場合。
（２）装置の保守、点検時に装置の運転を停止させる場
合。
合。
（３）装置を休止させる場合。
（４）水温以上の温度でのエツチング処理、水温以下の
温度でのエツチング処理が同一試料に対して繰り返し実
施される場合。
温度でのエツチング処理が同一試料に対して繰り返し実
施される場合。
（５）同一試料に対して水温以下の温度でのエッチング
処理後、水温以上の温度でのエツチング処理が引続いて
実施される場合。
処理後、水温以上の温度でのエツチング処理が引続いて
実施される場合。
（６）試料を水温以上の温度でのエツチング処理と水温
以上でのエツチング処理といった多段エツチング処理し
、引続いて他の試料を同様の多段エツチングする場合。
以上でのエツチング処理といった多段エツチング処理し
、引続いて他の試料を同様の多段エツチングする場合。
（７）試料を水温以下の温度でエツチング処理し、引続
いて他の試料を水温以上の温度でエツチング処理する場
合。
いて他の試料を水温以上の温度でエツチング処理する場
合。
（８）装置の保守、点検により電極３０を大気に露呈さ
せる必要が生じた場合。
せる必要が生じた場合。
等が挙げられる。
上記ケース（１）〜（８）において、空間３１にある液
体窒素は気化、放出されることなく液状態で液冷媒供給
装置６０に回収されるので、液体窒素の消費量の増大を
抑制でき装置運転費の増大を抑制できる。
体窒素は気化、放出されることなく液状態で液冷媒供給
装置６０に回収されるので、液体窒素の消費量の増大を
抑制でき装置運転費の増大を抑制できる。
また、これと共に、上記ケース（４）〜（７）において
、空間３１にある液体窒素は、ガス圧力により強制的に
急速に空間３１から排出されるので、空間３１からの液
体窒素排出時間と短縮できる。従って、試料の温度制御
に要する時間を短縮でき、装置の稼動率の低下、それに
よるスルーブツトの低下を抑制できる。
、空間３１にある液体窒素は、ガス圧力により強制的に
急速に空間３１から排出されるので、空間３１からの液
体窒素排出時間と短縮できる。従って、試料の温度制御
に要する時間を短縮でき、装置の稼動率の低下、それに
よるスルーブツトの低下を抑制できる。
尚、上記ケース（８）においては、次のような操作が更
に実施される。
に実施される。
つまり、空間３１からの液体窒素の排出操作が終了した
段階で、電流供給源からヒータ１２０への電流供給が開
始され、ヒータ１２０は発熱させられる。ヒータ１２０
の発熱により電極３０、伝熱板１１０は加温されて常温
に復帰させられる。
段階で、電流供給源からヒータ１２０への電流供給が開
始され、ヒータ１２０は発熱させられる。ヒータ１２０
の発熱により電極３０、伝熱板１１０は加温されて常温
に復帰させられる。
電極３０、伝熱板１１０の常温復帰後、ヒータ１″２０
への電流供給は停止される。この状態では、伝熱板１１
０には、試料１３０は設置されていない。一方、真空ポ
ンプの作動は停止され、エツチング室１０内には、リー
クガス源（図示省略）よりリークガスが供給される。そ
の後、底壁１４は底壁１３から取外され、電極３０、電
熱板１１０等は、開口１２を通ってエツチング室ｌＯ外
へ取出されて大気に露呈される。
への電流供給は停止される。この状態では、伝熱板１１
０には、試料１３０は設置されていない。一方、真空ポ
ンプの作動は停止され、エツチング室１０内には、リー
クガス源（図示省略）よりリークガスが供給される。そ
の後、底壁１４は底壁１３から取外され、電極３０、電
熱板１１０等は、開口１２を通ってエツチング室ｌＯ外
へ取出されて大気に露呈される。
このようなケースでは、液体窒素温度付近の温度に冷却
されていた電極３０、伝熱板１１０は、Ｋｍに復帰させ
られた状態で大気に露呈されるので、大気中の水分等の
電極３０、伝熱板１１０への吸着を防止でき、真空性能
への悪影響を排出できる。また、空間３１からの液窒素
排出時間と電極３０、伝熱板１１０の常温復帰時間とを
短縮できるので、装置の保守、点検に要する時間を短縮
でき装置の稼動率の低下、それによるスルーブツトの低
下を抑制できる。尚、真空性能への悪影響の排除の観点
では、空間３１からの液体窒素の強制的な急速排出及び
空間３１からの液体窒素の回収は、必らずしも必須では
ない。
されていた電極３０、伝熱板１１０は、Ｋｍに復帰させ
られた状態で大気に露呈されるので、大気中の水分等の
電極３０、伝熱板１１０への吸着を防止でき、真空性能
への悪影響を排出できる。また、空間３１からの液窒素
排出時間と電極３０、伝熱板１１０の常温復帰時間とを
短縮できるので、装置の保守、点検に要する時間を短縮
でき装置の稼動率の低下、それによるスルーブツトの低
下を抑制できる。尚、真空性能への悪影響の排除の観点
では、空間３１からの液体窒素の強制的な急速排出及び
空間３１からの液体窒素の回収は、必らずしも必須では
ない。
尚、第１図では、他の冷媒供給系又は熱媒供給系は、図
示されていないが、上記ケース（４）〜から（７）にお
いては、当然、必要なものとなる０例えば、電極３０、
伝熱板１１０を液体窒素温度付近の温度に冷却し、また
、水冷する場合には、第１図に示した装置構成の他に冷
却水供給系が設けられる。また、同一試料のプラズマエ
ツチング処理時に該試料の温度を水温以下の温度で異な
る温度１例えば、液体窒素温度付近の温度と液化弗素系
ガス温度付近の温度に変更抑制が必要なものにおいては
、第１図の装置構成において、液化弗素系ガス供給装置
を設置される。この場合、液化弗素系ガス供給装置の液
供給口には、他の液冷媒供給管の一端が連結され、他端
は、例えば、第１図の液冷媒供給パルプ６２の後流側で
液冷媒供給管６１に合流連結される。また、液化弗素系
ガス供給装置の液回収口には、他の液冷媒回収管の一端
が連結され、他端は、例えば、第１図の液冷媒回収パル
プ８１の前流側で液冷媒回収管８０に合流連結される。
示されていないが、上記ケース（４）〜から（７）にお
いては、当然、必要なものとなる０例えば、電極３０、
伝熱板１１０を液体窒素温度付近の温度に冷却し、また
、水冷する場合には、第１図に示した装置構成の他に冷
却水供給系が設けられる。また、同一試料のプラズマエ
ツチング処理時に該試料の温度を水温以下の温度で異な
る温度１例えば、液体窒素温度付近の温度と液化弗素系
ガス温度付近の温度に変更抑制が必要なものにおいては
、第１図の装置構成において、液化弗素系ガス供給装置
を設置される。この場合、液化弗素系ガス供給装置の液
供給口には、他の液冷媒供給管の一端が連結され、他端
は、例えば、第１図の液冷媒供給パルプ６２の後流側で
液冷媒供給管６１に合流連結される。また、液化弗素系
ガス供給装置の液回収口には、他の液冷媒回収管の一端
が連結され、他端は、例えば、第１図の液冷媒回収パル
プ８１の前流側で液冷媒回収管８０に合流連結される。
このような装置構成においては、水温以下の温度の異な
る温度で同一試料をプラズマエツチング処理でき、また
、水温以下の温度の異なる温度で異なる試料をそれぞれ
プラズマエツチング処理できる。また、上記温度の変更
制御に要する時間を短縮でき、装置の稼動率の低下、そ
れによるスルーブツトの低下を抑制できる。
る温度で同一試料をプラズマエツチング処理でき、また
、水温以下の温度の異なる温度で異なる試料をそれぞれ
プラズマエツチング処理できる。また、上記温度の変更
制御に要する時間を短縮でき、装置の稼動率の低下、そ
れによるスルーブツトの低下を抑制できる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示すもので、上記一
実施例を示す第１図と異なる点は、次のとおりである。
実施例を示す第１図と異なる点は、次のとおりである。
第２図で、放電管１６０は、頂壁１７０に開口１７１が
形成された真空室１７２に開口１７１を介し真空室１７
２内に連通し気密に構設されている。放電管１６０の外
側には、放電管１６０を内部に含み導波管１８０が設け
られている。導波管１８０とマイクロ波発振器１９０と
は、この場合、導波管１８１で連結されている。導波管
１８０の外側には、磁場生成手段、例えば、ソレノイド
コイル２００が環装されている。また、ガス供給路４２
′は、放電管１６０と真空室１７２との構設部に設けら
れている。一方、真空室１７２の底壁は、試料台２１０
が挿脱可能な開口１７３が形成された底壁１７４と開口
１７３を覆う面積を有し底壁１７４に気密に着脱可能な
底壁１７５とで構成されている。試料台２１０は、開口
１７３に挿脱可能な位置で底壁１７５に設けられている
。液冷媒排出管５０の他端部は、底壁１７５を気密に挿
通し真空室１７２外へ突出させられている。ガス排出管
９０は、真空管１７２内を挿通し、その他の途中部は、
底壁１７５に気密に設けられている。尚、第２図で、そ
の他第１図と同一装置、部品等は同一符号で示し説明を
省略する。
形成された真空室１７２に開口１７１を介し真空室１７
２内に連通し気密に構設されている。放電管１６０の外
側には、放電管１６０を内部に含み導波管１８０が設け
られている。導波管１８０とマイクロ波発振器１９０と
は、この場合、導波管１８１で連結されている。導波管
１８０の外側には、磁場生成手段、例えば、ソレノイド
コイル２００が環装されている。また、ガス供給路４２
′は、放電管１６０と真空室１７２との構設部に設けら
れている。一方、真空室１７２の底壁は、試料台２１０
が挿脱可能な開口１７３が形成された底壁１７４と開口
１７３を覆う面積を有し底壁１７４に気密に着脱可能な
底壁１７５とで構成されている。試料台２１０は、開口
１７３に挿脱可能な位置で底壁１７５に設けられている
。液冷媒排出管５０の他端部は、底壁１７５を気密に挿
通し真空室１７２外へ突出させられている。ガス排出管
９０は、真空管１７２内を挿通し、その他の途中部は、
底壁１７５に気密に設けられている。尚、第２図で、そ
の他第１図と同一装置、部品等は同一符号で示し説明を
省略する。
第２図で、放電管１６０には、マイクロ波電界と磁界と
の作用より有磁場型のマイクロ波放電が発生し、放電管
１６０内のエツチングガスは、該マイクロ波放電により
プラズマ化される。試料１３０は、上記一実施例での操
作と同様にして冷却され、その被エツチング面は、ガス
プラズマを利用してエツチング処理される。この場合、
ガスプラズマ中のイオンの被エツチング面への入射エネ
ルギは電極３０に接続された電源、例えば、高周波電源
２２０でバイアス電位を調節することで制御される。尚
、その他の操作は、上記一実施例での操作と同様であり
、説明を省略する。
の作用より有磁場型のマイクロ波放電が発生し、放電管
１６０内のエツチングガスは、該マイクロ波放電により
プラズマ化される。試料１３０は、上記一実施例での操
作と同様にして冷却され、その被エツチング面は、ガス
プラズマを利用してエツチング処理される。この場合、
ガスプラズマ中のイオンの被エツチング面への入射エネ
ルギは電極３０に接続された電源、例えば、高周波電源
２２０でバイアス電位を調節することで制御される。尚
、その他の操作は、上記一実施例での操作と同様であり
、説明を省略する。
本実施例では、上記一実施例での効果と同様の効果を奏
することができる。また、本実施例での放電管、真空室
内の圧力は、上記一実施例でのエツチング室内の圧力よ
りも更に低いものとなるため、上記ケース（８）におい
ては、真空性能への悪影響の排除の点で更に有効なもの
となる。
することができる。また、本実施例での放電管、真空室
内の圧力は、上記一実施例でのエツチング室内の圧力よ
りも更に低いものとなるため、上記ケース（８）におい
ては、真空性能への悪影響の排除の点で更に有効なもの
となる。
尚、上記第２の実施例では、有磁場型のマイクロ波プラ
ズマエツチング装置に適用した場合につき説明したが、
この他に無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置
に適用しても同様の効果を得ることができる。
ズマエツチング装置に適用した場合につき説明したが、
この他に無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置
に適用しても同様の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、液冷媒の消費量の増大を抑制できるの
で、装置運転費の増大を抑制できる効果がある。また、
液冷媒の消費量の増大を抑制できると共に液冷媒排出時
間を短縮できるので、装置運転費の増大とスルーブツト
低下とを抑制できる効果がある。更に、大気中の水分等
の試料台への吸着を防止できるので、真空性能への悪影
響を排除できる効果がある。
で、装置運転費の増大を抑制できる効果がある。また、
液冷媒の消費量の増大を抑制できると共に液冷媒排出時
間を短縮できるので、装置運転費の増大とスルーブツト
低下とを抑制できる効果がある。更に、大気中の水分等
の試料台への吸着を防止できるので、真空性能への悪影
響を排除できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のプラズマエツチング装置
の装置構成図、第２図は、本発明の第２の実施例のプラ
ズマエツチング装置の装置構成図である。 １ｏ−−−−−一エッチング室、１１−−−−−一排気
口、１２、１７３−−−−一開口、１３．１４．１７４
．１７５−−−−一底壁、２０．３０−−−−−一電極
、３１−−−−−一空間、４０−−−−−−ガス供給装
置、４１−−−−−−ガス供給管、４２．４２’ −−
−−−−ガス供給路、４３−−−−−−ガス供給パルプ
、５０−−−−−一液冷媒排出管、６０−−−一−−液
冷媒供給装置、６１−−−−−一液冷媒供給管、６２−
−−一−−液冷媒供給パルプ、７０−−−−−一加圧ガ
ス供給装置、７１−−−−−一加圧ガス供給管、７２−
−−一−−加圧ガス供給パルプ、８０−−−−−一液冷
媒回収管、８１−−−一−−液冷媒回収パルプ、９０−
−−−−−ガス排出管、９１−−−−−−ガス排出パル
プ、１００−−−−一高周波電源、１１０−−−−一伝
熱板、１２０−−−−− ｔ：一タ、１３０−−−−一
試料、１５０−−−−−排気管、１６０−−−−一放電
管、１７２−−−−一真空室、１８０．１８１−−−−
一導波管、１９０−−−−− フィクロ波発振器、２０
０−−−−− ／し／イドコイル、２１０−−−−−試
料台
の装置構成図、第２図は、本発明の第２の実施例のプラ
ズマエツチング装置の装置構成図である。 １ｏ−−−−−一エッチング室、１１−−−−−一排気
口、１２、１７３−−−−一開口、１３．１４．１７４
．１７５−−−−一底壁、２０．３０−−−−−一電極
、３１−−−−−一空間、４０−−−−−−ガス供給装
置、４１−−−−−−ガス供給管、４２．４２’ −−
−−−−ガス供給路、４３−−−−−−ガス供給パルプ
、５０−−−−−一液冷媒排出管、６０−−−一−−液
冷媒供給装置、６１−−−−−一液冷媒供給管、６２−
−−一−−液冷媒供給パルプ、７０−−−−−一加圧ガ
ス供給装置、７１−−−−−一加圧ガス供給管、７２−
−−一−−加圧ガス供給パルプ、８０−−−−−一液冷
媒回収管、８１−−−一−−液冷媒回収パルプ、９０−
−−−−−ガス排出管、９１−−−−−−ガス排出パル
プ、１００−−−−一高周波電源、１１０−−−−一伝
熱板、１２０−−−−− ｔ：一タ、１３０−−−−一
試料、１５０−−−−−排気管、１６０−−−−一放電
管、１７２−−−−一真空室、１８０．１８１−−−−
一導波管、１９０−−−−− フィクロ波発振器、２０
０−−−−− ／し／イドコイル、２１０−−−−−試
料台
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガスプラズマを利用してエッチング処理される試料
が設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷
媒を供給する工程と、前記液冷媒を前記試料台内部に再
供給可能に液状態で前記試料台から回収する工程とを有
することを特徴とするプラズマエッチング方法。 ２、前記液冷媒を内部に保有する前記試料台内部に加圧
ガスを供給し、前記液冷媒を前記試料台外へ排出させる
第１請求項に記載のプラズマエッチング方法。 ３、ガスプラズマを利用してエッチング処理される試料
が設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷
媒を供給する工程と、前記液冷媒を前記試料台外へ液状
態で強制的に排出し前記試料台内部に再供給可能に回収
する工程とを有することを特徴とするプラズマエッチン
グ方法。 ４、前記液冷媒を内部に保有する前記試料台内部に加圧
ガスを供給し、前記液冷媒を前記試料台外へ排出させる
第３請求項に記載のプラズマエッチング方法。 ５、ガスプラズマを利用してエッチング処理される試料
が設置される試料台内部に水温以下の温度を有する液冷
媒を供給する工程と、前記液冷媒を前記試料台内部に再
供給可能に液状態で前記試料台かう回収する工程と、前
記試料台を常温に復帰させて大気に露呈する工程とを有
することを特徴とするプラズマエッチング方法。 ６、前記液冷媒を内部に保有する前記試料台内部に加圧
ガスを供給して前記液冷媒を前記試料台外へ排出させ、
該試料台を加温して常温に復帰させる第５請求項に記載
のプラズマエッチング方法。 ７、ガスプラズマを利用して試料をエッチング処理する
工程と、前記試料の温度を水温以上の温度と水温以下の
温度とに調節する工程と、前記試料の水温以下の温度調
節時に前記試料が設置される試料台内部に水温以下の温
度を有する液冷媒を供給する工程と、前記試料の水温以
上の温度調節時に前記液冷媒を内部に保有する前記試料
台内部に加圧ガスを供給して前記液冷媒を前記試料台外
へ排出する工程とを有することを特徴とするプラズマエ
ッチング方法。 ８、ガスプラズマを利用して試料をエッチング処理する
工程と、前記試料の温度を水温以上の温度と水温以下の
温度とに調節する工程と、前記試料の水温以下の温度調
節時に前記試料が設置される試料台内部に水温以下の温
度を有する液冷媒を供給する工程と、前記試料の水温以
上の温度調節時に前記液冷媒を内部に保有する前記試料
台内部に加圧ガスを供給して前記液冷媒を前記試料台外
へ排出し該試料台を加温する工程とを有することを特徴
とするプラズマエッチング方法。 ９、ガスプラズマを生成する手段と、前記ガスプラズマ
を利用してエッチング処理される試料が設置され内部に
水温以下の温度を有する液冷媒保有空間が形成された試
料台と、前記試料台の前記空間に前記液冷媒を供給する
手段と、前記試料台の前記空間にある前記液冷媒を液状
態で前記液冷媒供給手段に回収する手段とを具備したこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。 １０、前記液冷媒を保有する前記試料台の前記空間に加
圧ガスを供給する手段を前記液冷媒回収手段が有する第
９請求項に記載のプラズマエッチング装置。 １１、ガスプラズマを生成する手段と、前記ガスプラズ
マを利用してエッチング処理される試料が設置され内部
に水温以下の温度を有する液冷媒保有空間が形成された
試料台と、前記試料台の前記空間に前記液冷媒を供給す
る手段と、前記試料台の前記空間にある前記液冷媒を前
記試料台外へ液状態で強制的に排出し前記液冷媒供給手
段に回収する手段とを具備したことを特徴とするプラズ
マエッチング装置。 １２、ガスプラズマを生成する手段と、前記ガスプラズ
マを利用してエッチング処理される試料が設置されると
共に大気に露呈される内部に水温以下の温度を有する液
冷媒保有空間が形成された試料台と、前記試料台の前記
空間に前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記
空間にある前記液冷媒を液状態で前記液冷媒供給手段に
回収する手段と、前記試料台を加温し常温に復帰させる
手段とを具備したことを特徴とするプラズマエッチング
装置。 １３、ガスプラズマを生成する手段と、前記ガスプラズ
マを利用してエッチング処理される試料が設置されると
共に大気に露呈される内部に水温以下の温度を有する液
冷媒保有空間が形成された試料台と、前記試料台の前記
空間に前記液冷媒を供給する手段と、前記試料台の前記
空間にある前記液冷媒を前記試料台外へ排出する手段と
、前記液冷媒が排出された前記試料台を加温し常温に復
帰させる手段とを具備したことを特徴とするプラズマエ
ッチング装置。 １４、前記液冷媒排出手段を前記試料台の前記空間にあ
る前記液冷媒を液状態で前記試料台外へ排出する手段と
した第１３請求項に記載のプラズマエッチング装置。 １５、前記液冷媒排出手段が、前記液冷媒を保有する前
記試料台の前記空間に加圧ガスを供給する手段を有する
第１４請求項に記載のプラズマエッチング装置。 １６、エッチング室と、該エッチング室内を減圧排気す
る手段と、前記エッチング室内にエッチングガスを供給
する手段と、前記エッチング室に対向して内設された二
個の電極と、該電極の一方の電極に接続された電源と、
前記電極の内で試料が設置され内部に水温以下の温度を
有する液冷媒保有空間が形成された電極の前記空間に前
記液冷媒を供給する手段と、前記電極の前記空間にある
前記液冷媒を液状態で前記液冷媒供給手段に回収する手
段と、前記空間が形成された前記電極を加温し常温に復
帰させる手段とを具備したことを特徴とするプラズマエ
ッチング装置。 １７、液冷媒供給管の一端を液冷媒供給装置の液冷媒供
給口に連結し、前記液冷媒供給管の他端を前記空間内で
開口させ、前記液冷媒供給管に液冷媒供給パルプを設け
、加圧ガス供給管の一端を加圧ガス供給装置の加圧ガス
供給口に連結し、前記加圧ガス供給管の他端を前記空間
内で開口させ、前記加圧ガス供給管に加圧ガス供給パル
プを設け、ガス排出管の一端を前記空間内で開口させ、
前記ガス排出管にガス排出パルプを設け、液冷媒回収管
の一端を前記液冷媒供給装置に液冷媒回収口に連結し、
前記冷媒回収管の他端を前記空間内で開口させ、前記液
冷媒回収管に液冷媒回収パルプを設け、前記空間が形成
された前記電極にヒーターを設けた第１６請求項に記載
のプラズマエッチング装置。 １８、放電管と、マイクロ波発振器と、該マイクロ波発
振器からのマイクロ波を前記放電管に伝播させる手段と
、前記放電管に磁場を生成する手段と、前記放電管内を
減圧排気する手段と、前記放電管内にエッチングガスを
供給する手段と、前記放電管内で生成したプラズマを利
用しエッチング処理される試料が設置され内部に水温以
下の温度を有する液冷媒保有空間が形成された試料台と
、該試料台の前記空間に前記液冷媒を供給する手段と、
前記試料台の前記空間にある前記液冷媒を液状態で前記
液冷媒供給手段に回収する手段と、前記試料台を加温し
常温に復帰させる手段とを具備したことを特徴とするプ
ラズマエッチング装置。 １９、液冷媒供給管の一端を液冷媒供給装置の液冷媒供
給口に連結し、前記液冷媒供給管の他端を前記空間内で
開口させ、前記液冷媒供給管に液冷媒供給パルプを設け
、加圧ガス供給管の一端を加圧ガス供給装置の加圧ガス
供給口に連結し、前記加圧ガス供給管の他端を前記空間
内で開口させ、前記加圧ガス供給管に加圧ガス供給パル
プを設け、ガス排出管の一端を前記空間内で開口させ、
前記ガス排出管にガス排出パルプを設け、液冷媒回収管
の一端を前記液冷媒供給装置の液冷媒回収口に連結し、
前記液冷媒回収管の他端を前記空間内で開口させ、前記
液冷媒回収管に液冷媒回収パルプを設け、前記空間が形
成された前記試料台にヒーターを設けた第１８請求項に
記載のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095601A JP2512783B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | プラズマエッチング方法及び装置 |
| KR1019890004765A KR0136788B1 (ko) | 1988-04-20 | 1989-04-11 | 플라즈마 처리방법 및 장치 |
| US07/338,038 US5085750A (en) | 1988-04-20 | 1989-04-14 | Plasma treating method and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095601A JP2512783B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1221504A Division JP2574899B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268030A true JPH01268030A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2512783B2 JP2512783B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14142073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63095601A Expired - Lifetime JP2512783B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5085750A (ja) |
| JP (1) | JP2512783B2 (ja) |
| KR (1) | KR0136788B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290381A (en) * | 1990-11-28 | 1994-03-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| JP2004169933A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置用のチラー制御方法及びチラー制御装置 |
| JP2019004083A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223113A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-29 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for forming reduced pressure and for processing object |
| KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
| JP2532401Y2 (ja) * | 1991-04-16 | 1997-04-16 | ソニー株式会社 | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| JP3044824B2 (ja) * | 1991-04-27 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| TW204411B (ja) * | 1991-06-05 | 1993-04-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| EP0533254A3 (en) * | 1991-09-19 | 1993-06-23 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Method of manufacturing a semiconductor device whereby a layer comprising aluminium is deposited on a surface for a semiconductor body |
| US5447595A (en) * | 1992-02-20 | 1995-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same |
| US5282925A (en) * | 1992-11-09 | 1994-02-01 | International Business Machines Corporation | Device and method for accurate etching and removal of thin film |
| US5427670A (en) * | 1992-12-10 | 1995-06-27 | U.S. Philips Corporation | Device for the treatment of substrates at low temperature |
| JP3146112B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2001-03-12 | シャープ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US5556476A (en) * | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
| US5883016A (en) * | 1994-06-08 | 1999-03-16 | Northeastern University | Apparatus and method for hydrogenating polysilicon thin film transistors by plasma immersion ion implantation |
| US6063710A (en) * | 1996-02-26 | 2000-05-16 | Sony Corporation | Method and apparatus for dry etching with temperature control |
| US7749400B2 (en) * | 2005-12-16 | 2010-07-06 | Jason Plumhoff | Method for etching photolithographic substrates |
| JP4906425B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2012-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US20110030615A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead |
| JP6240440B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-11-29 | 東京応化工業株式会社 | チャンバー装置及び加熱方法 |
| JP6374301B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ、ステージの製造方法、熱交換器 |
| JP6018606B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
| JP7306195B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する装置及びステージをクリーニングする方法 |
| US20220223384A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025233A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Fujitsu Ltd | 真空処理方法 |
| JPS61238985A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Teru Ramu Kk | 平行平板型プラズマエツチング装置 |
| JPS62144330A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Nec Corp | 反応性スパツタエツチング方法 |
| JPS62290161A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Hitachi Ltd | 電子装置の冷却装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135730A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS59184527A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Canon Inc | 気相法装置 |
| JPS6058627A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | 電気部品用樹脂封止型パツケ−ジの製造方法 |
| US4668365A (en) * | 1984-10-25 | 1987-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
| JPH0824114B2 (ja) * | 1984-11-09 | 1996-03-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング方法 |
| JPS61222534A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Anelva Corp | 表面処理方法および装置 |
| US4689112A (en) * | 1985-05-17 | 1987-08-25 | Emergent Technologies Corporation | Method and apparatus for dry processing of substrates |
| JPS6372877A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| US4956043A (en) * | 1987-05-25 | 1990-09-11 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus |
| US4911812A (en) * | 1987-10-21 | 1990-03-27 | Hitachi, Ltd. | Plasma treating method and apparatus therefor |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63095601A patent/JP2512783B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-11 KR KR1019890004765A patent/KR0136788B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-04-14 US US07/338,038 patent/US5085750A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025233A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Fujitsu Ltd | 真空処理方法 |
| JPS61238985A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Teru Ramu Kk | 平行平板型プラズマエツチング装置 |
| JPS62144330A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Nec Corp | 反応性スパツタエツチング方法 |
| JPS62290161A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Hitachi Ltd | 電子装置の冷却装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290381A (en) * | 1990-11-28 | 1994-03-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| JP2004169933A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置用のチラー制御方法及びチラー制御装置 |
| JP2019004083A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法 |
| US10950417B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-03-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate loading mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890016622A (ko) | 1989-11-29 |
| JP2512783B2 (ja) | 1996-07-03 |
| KR0136788B1 (ko) | 1998-04-29 |
| US5085750A (en) | 1992-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01268030A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| KR0165898B1 (ko) | 진공처리방법 및 장치 | |
| KR960014435B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
| JPH06158361A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5340460A (en) | Vacuum processing equipment | |
| US5433780A (en) | Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination | |
| JP2741906B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JP2000232098A (ja) | 試料温度制御方法及び真空処理装置 | |
| JP2574899B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH07102372A (ja) | 被処理物の真空処理方法及び装置 | |
| JPH08293486A (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JP3184666B2 (ja) | プラズマ装置の運転方法 | |
| JPH0737862A (ja) | 低温処理装置 | |
| JPH09191005A (ja) | 試料温度制御方法及び真空処理装置 | |
| JP2656658B2 (ja) | 試料温度制御方法及び真空処理装置 | |
| JPS6139519A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2630118B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JP3269781B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JP3058392B2 (ja) | 低温処理装置の冷却システム | |
| JP3055847B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| JPH09126125A (ja) | クライオポンプの再生方法及びその再生装置 | |
| JP3178332B2 (ja) | プラズマ処理装置の運転方法 | |
| JPH08321492A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH01248521A (ja) | 低温ドライエッチング装置 | |
| JPH03233929A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |