JP2630118B2

JP2630118B2 - 真空処理方法及び装置

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Publication number: JP2630118B2
Application number: JP3160203A
Authority: JP
Inventors: 恒彦坪根; 直行田村; 重和加藤; 廣治西畑; 温司伊藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-07-02
Filing date: 1991-07-01
Publication date: 1997-07-16
Anticipated expiration: 2012-07-16
Also published as: JPH0549904A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理方法及び装置
に係り、特に半導体素子基板等の試料を異なる温度に制
御して真空処理するのに好適な真空処理方法及び装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、試料を異なる温度に制御して真空
処理するものとしては、特開昭５９−７６８７６号公報
に記載のような、真空容器中に配置された電極上に被エ
ッチング材（以下、「基板」と呼ぶ。）を配置し、真空
容器内に反応性ガスを導入するとともに該電極に電圧を
印加してガス放電を生じさせ、この放電ガスによって基
板をエッチングする際に、該エッチングを二つ以上の異
なる電極温度で行うようにしたものが知られている。

【０００３】上記従来技術は、MoSi₂ 膜をエッチング処
理する際に、MoSi₂ とレジストとのエッチング選択比お
よび生産性という点から考えて基板温度を上げて（本従
来技術では６０℃）エッチングを行ない、オーバーエッ
チングという点から考えて基板温度を下げて（本従来技
術では３０℃）処理するというものである。具体的手段
としては、電極を高温の電極と低温の電極とに分け、高
温の電極側で基板のエッチングを行ない、該エッチング
が終ったら、低温の電極に該基板を移し換えてオーバー
エッチングを行なう。または、電極は１つで、基板を同
一電極上に配置したまま該電極の温度を高温と低温とに
切り換え可能とし、処理時の基板温度を高くして基板の
エッチングを行ない、その後、該エッチングが終ったら
基板温度を低くして基板のオーバーエッチングを行なう
というものである。

【０００４】なお、本発明に関連するものとして、特開
昭５６−４８１３２号公報がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、基板
の温度を二つ以上の異なる温度にするまでの時間や装置
の小型化という点について配慮されていなかった。すな
わち、複数の電極とする場合は、電極数が増えて装置が
大掛りとなると共に、所定の処理条件、すなわち、所定
温度にするまでの時間が掛っていた。また、同一の電極
で電極温度を所定温度まで変化させるには、電極の熱容
量が大きいために、やはり時間を要していた。

【０００６】本発明の目的は、試料温度を異なる温度に
高速に制御することのできる真空処理方法及び装置を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、減圧下で試
料を処理する装置において、該試料の処理温度よりもさ
らに低い一定温度の冷媒で試料台を冷却する手段と、前
記試料台の試料設置面に前記試料を保持する手段と、該
試料設置面に保持された前記試料の裏面と前記試料台の
試料設置面との間に伝熱ガスを供給する手段と、該伝熱
ガス圧力をあらかじめ定められた複数の処理状態を達成
するように所定の処理温度から他の所定処理温度に合わ
せた異なる複数のガス圧力に変更・制御する手段とを具
備した装置とし、減圧下で試料を処理する方法におい
て、該試料の処理温度よりもさらに低い一定温度の冷媒
で試料台を冷却する工程と、該冷却された前記試料台の
試料設置面に前記試料を保持する工程と、該試料設置面
に保持された前記試料の裏面と前記試料台の試料設置面
との間に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧力を前記試料
の第１の処理温度に合わせた第１のガス圧力に制御する
工程と、前記第１の処理温度に制御された試料を処理す
る工程と、前記伝熱ガス圧力を前記試料の第２の処理温
度に合わせた第２のガス圧力に変更・制御する工程と、
前記第２の処理温度に制御された試料を処理する工程と
を有する方法とすることにより、達成される。

【０００８】

【作用】試料台は、処理温度よりもさらに低い所定温度
の冷媒により冷却される。試料は、冷却された試料台の
試料設置面に、例えば、静電吸着等により保持される。
このように保持された試料の温度は、次のようにして所
定の処理温度に制御される。

【０００９】試料台の試料設置面と試料の裏面との間
に、伝熱ガス、例えば、ヘリウムガス(ＧＨe)等の熱伝
導性の良好なガスが供給される。該ガスの供給により試
料設置面と試料の裏面との間のガスの圧力は上昇する。
該ガスの圧力は、伝熱ガスの供給量を調節して行われ、
試料温度が所定の処理温度となるようなガス圧力で安定
させる。例えば、試料の処理温度がさらに低くなる場
合、伝熱ガスの供給量をさらに増加させる。これにより
試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力は、初めの処
理温度に対応するガス圧力以上となる。これにより、熱
を伝えるガス分子の数が多くなり、より試料を冷却する
ことができる。該ガス圧力は、後の処理温度に対応する
ガス圧力に調節される。また、逆に、試料の処理温度が
高くなる場合、伝熱ガスの供給量を減少させる。これに
より試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力は、初め
の処理温度に対応するガス圧力以下となる。これによ
り、熱を伝えるガス分子の数が少なくなり、試料の冷却
を抑えることができる。該ガス圧力は、後の処理温度に
対応するガス圧力に調節される。また、この場合、試料
温度の追従性を良くするために、試料台の試料設置面と
試料の裏面との間の伝熱ガスを排気し、伝熱ガスの供給
を停止またはその供給量を減量させる。これにより試料
設置面と試料の裏面との間のガス圧力はより速く低下す
る。その後、試料設置面と試料の裏面との間の伝熱ガス
の排出は停止される。

【００１０】以上のように、試料台の試料設置面に試料
を保持した状態、つまり、試料設置面と試料の裏面との
間の隙間を小さくした状態（言い替えれば、伝熱ガスの
平均自由行程よりも該隙間を狭くした状態）で該隙間の
伝熱ガスのガス圧力を変えることで、試料と試料台との
間の熱通化率を変えることができ、試料台の温度はその
ままとし、試料の温度のみを異なる温度に高速に制御す
ることができる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を第１図および第２
図により説明する。第１図はこの場合、平行平板式のド
ライエッチング装置を示す。真空処理室１の下部には、
試料６を配置するための試料台５が設けてある。試料台
５は、絶縁部材９によって真空処理室１から電気的に絶
縁されている。試料台５の上面には、誘電体膜７が形成
されている。試料６は、図示を省略した搬送装置によっ
て試料台５に搭載または試料台５から取り除かれる。試
料６は誘電体膜７を介して試料台５上に搭載される。試
料６周辺および試料台５側面には、該部分を覆うように
絶縁リング８が設置してある。真空処理室１内には、試
料台５に対向して上部電極２が設けてある。上部電極２
には、ガス導入管３を介して真空処理室１内に処理ガス
を導入するためのガス導入路が設けてある。また、真空
処理室１には、真空処理室１内を減圧排気するための真
空排気装置（この場合、ターボ分子ポンプ26およびメカ
ニカルブースターポンプ27とから成る）が、この場合、
真空処理室１の側面部に設けた排気口４を介して接続さ
れている。

【００１２】試料台５には、整合回路11を介して高周波
電源12が接続され、また高周波遮断回路13を介して直流
電源14が接続されている。また、試料台５内には、冷媒
を循環するための流路が形成してあり、該流路には図示
を省略した温調機との間で冷媒を移送するための配管10
が接続してある。この循環される熱媒体は、一定温度に
制御されて試料台５に送られる。

【００１３】さらに試料台５には、試料台５および誘電
体膜７を貫通して伝熱ガスの流路が形成してあり、該流
路には伝熱ガス供給ライン15が接続してある。伝熱ガ
ス、例えば、Ｈeガスは、伝熱ガス供給ライン15に設け
られた流量制御器16および供給バルブ17を介して、誘電
体膜７上の試料６の裏面に供給される。試料６が配置さ
れる範囲の誘電体膜７には、伝熱ガスを通り易くした溝
が設けてある。該溝は、試料６の外周には達しない範囲
内に設けてある。これにより、試料６裏面の伝熱ガスの
圧力は、伝熱ガスライン15の圧力とほぼ同圧となるよう
にしてある。また、試料裏面の伝熱ガス圧力は真空処理
室１内の圧力よりも高くし、圧力差を設けることが望ま
しい。伝熱ガスライン15を通って供給された伝熱ガス
は、試料６と試料台５の試料設置面との間、すなわち、
試料６裏面と試料台５に形成された誘電体膜７の上との
間を通り、最終的には真空処理室１内に流出し排気され
る。

【００１４】また、伝熱ガスライン15の試料６と供給バ
ルブ17との間には、絶対圧真空計18を設けると共に、伝
熱ガス排気ライン19を接続してある。伝熱ガス排気ライ
ン19には、排気バルブ20が設けてある。伝熱ガス排気ラ
イン19は、この場合、真空処理室１内を減圧排気する真
空排気装置に接続してある。

【００１５】制御装置25は、絶対圧真空計18の圧力を常
にモニタできるように絶対圧真空計18に接続してあると
共に、流量制御弁16，供給バルブ17および排気バルブ20
を制御可能にそれぞれに接続してある。制御装置25は、
また、伝熱ガス圧力と試料温度との関係を記憶してお
り、絶対圧真空計18による伝熱ガス供給ライン15の圧力
によって流量制御器16，供給バルブ17および排気バルブ
20を制御可能となっている。制御装置25に記憶される伝
熱ガス圧力と試料温度との関係は、前もって調べておい
た値で、この場合、試料台５を所定の一定温度の冷媒で
冷却し、該冷却された試料台５上に試料６を保持させ
て、該試料裏面に伝熱ガスを供給して調べた値である。

【００１６】なお、21は流量制御器16をバイパスするバ
イパスラインで、22はバイパスライン21に設けたバルブ
で、23は伝熱ガス供給ライン15の供給バルブ17と流量制
御器16との間に接続した排気ラインで、24は排気ライン
23に設けたバルブである。バイパスライン21および排気
ライン23は、装置停止時等において、伝熱ガス供給源
（図示省略）の元バルブから供給バルブ17までの間の伝
熱ガス供給ライン15内に残留した伝熱ガスを排出するた
めのものである。

【００１７】以上のように構成した装置は、次のように
して使われる。図示を省略した搬送装置によって、試料
６は試料台５に配置される。真空処理室１内には、所定
流量の処理ガスがガス導入管３を介して供給される。ま
た、真空処理室１内は真空排気装置によって排気口４よ
り真空排気され、真空処理室１内の圧力は、真空処理室
１に設けられた絶対圧真空計（図示省略）および排気系
に設けられた制御弁（図示省略）により、所定の真空度
に制御される。その後、高周波電源12によって整合回路
11を介して高周波電力が試料台５に供給されると共に、
直流電源14によって高周波遮断回路13を介して直流電圧
が試料台５に供給される。この高周波電力の印加によっ
て真空処理室１内に放電が起こり、処理ガスがプラズマ
化されて、試料６のエッチング処理が始まる。

【００１８】また、直流電圧の印加によって静電吸着力
が発生し、試料６が誘電体膜７上に保持される。試料６
が誘電体膜７を介して試料台５に保持されると、伝熱ガ
ス供給ライン15を介して試料６裏面に伝熱ガスが供給さ
れる。一方、試料台５は一定温度の冷媒によって冷却さ
れている。これにより、プラズマ処理による試料６への
入熱は、試料６裏面の伝熱ガスおよび誘電体膜７を介し
て試料台５に伝熱し、そして試料台５に循環している冷
媒を介して、温調機（図示省略）で除去される。

【００１９】ここで、本実施例のように、試料６を静電
吸着した場合は、試料６と誘電体膜７との隙間を十分小
さくでき、試料６裏面の伝熱ガス圧力は、１Torr前後か
ら１０Torr前後の範囲で使用することができる。すなわ
ち、試料６裏面と誘電体膜７上面との隙間の大部分(溝
等を除く部分)は、伝熱ガスの平均自由行程よりも狭
く、この部分における隙間は伝熱ガスの分子流領域とな
る。このため、伝熱量は伝熱ガスの分子の数、すなわ
ち、伝熱ガスの圧力で決まり、第２図に示すように熱通
過率は、試料６裏面の伝熱ガス圧力にほぼ比例する結果
と成る。したがって、試料台の温度は温調機の性能によ
るが、温調機の最大能力で試料台５の温度を下げておけ
ば、試料６に入熱する熱量に対しては、（試料６の入熱量）＝（試料６裏面の伝熱ガスの熱通過率）× （試料６温度−試料台５温度）となる。ここで、試料台５に形成された誘電体膜７と試
料台５との温度差は無視できる程度である。

【００２０】このような、試料６裏面の伝熱ガス圧力と
熱通過率との関係を用いることによって、試料の温度を
適切に制御することができる。例えば、試料台５は−６
０℃の冷媒によって冷却しておき、試料６を−３０℃に
冷却して処理する場合、前もって実験により計測値また
は比例式を求め制御装置２５に記憶させておく。これに
よって、この場合、−３０℃という試料温度に対応する
伝熱ガスの圧力に、伝熱ガス供給ライン15から供給する
伝熱ガスの圧力が等しくなるように、制御装置25によっ
て絶対圧真空計18からの圧力値を読み取りながら流量制
御器16を制御し、伝熱ガス流量を調整して圧力を所定の
圧力値にする。これにより、試料６は設定された温度に
制御される。

【００２１】なお、実験によれば、第２図に示す試料裏
面の伝熱ガス圧力が１〜１０Torrの場合、熱通過率は、
５０〜５００程度で、時定数は２０〜２秒程度であっ
た。また、試料温度を変化させる場合、圧力の制御時間
＋時定数時間程度で、変化させたい温度の７０％位に達
する。したがって、試料温度を所定温度に素速く変える
方法として、まず、低い温度に調整する場合、制御装置
25によって、排気弁20を閉じ、供給弁17を開いて流量制
御器16から伝熱ガスを最大流量流し、試料６裏面の伝熱
ガスの圧力の立上がりを早くして、伝熱量を大きくす
る。（なお、通常バルブ22および24は閉じたままであ
る。）その後、伝熱ガスの圧力を所定の圧力に戻し安定
させる。これにより素速く試料温度を所定温度まで下げ
ることができる。この温度での処理後または、処理中の
ある時間で、試料６をさらに低い温度に変える場合は、
上記と同様に行ない、さらに低い温度での所定の圧力で
安定させれば良い。

【００２２】逆に、試料温度を高い温度に調整する場合
は、試料６裏面の伝熱ガスの圧力を下げる必要がある
が、静電吸着された試料６の裏面の伝熱ガス圧力は、試
料６裏面と誘電体膜７との隙間が小さくガスが逃げにく
くなっているため、伝熱ガスの供給を停止しても、圧力
降下は小さい。したがって、制御装置25によって流量制
御器16を絞り込むと共に、一旦、排気バルブ20を開にし
て伝熱ガス供給ライン15内の伝熱ガスを排気する。その
後、所定の圧力となる伝熱ガス流量を供給し、より低い
圧力で安定に保つ。これにより素速く試料温度を所定温
度まで上げることができる。なお、この場合は、試料６
への入熱を利用して温度上昇させる。

【００２３】以上の制御により、試料の処理中において
も、試料台の温度を変えることなく、試料６裏面の伝熱
ガス圧力を制御することによって、試料６の温度を任意
に、かつ高速に制御できる。これにより、処理中に試料
温度を高速に制御できるので、例えば、エッチングの終
点付近で、被エッチング材と下地との選択比を大きくす
る必要がある場合等、その時点で試料の温度を下げ選択
比を大きくできる等の効果がある。

【００２４】このような本実施例は、処理中に試料台の
温度を変化させる従来技術に比べ、十分早く試料温度を
制御できるので、低温技術を用いてより微細化された集
積回路を製作するための枚葉式ドライエッチングに好適
である。

【００２５】また、高速に温度を制御でき、温度の異な
る複数の試料台で試料を処理する必要がないため、試料
の搬送時間等が不要となりスループットが向上する。ま
た、試料台および冷却装置等が少なくて済むため、装置
が大掛かりにならず経済的である。

【００２６】なお、上記一実施例に限らず次のような場
合においても良好に適用し得る。（1）試料の温度を変更、制御して真空処理する場合。
ここで、真空処理としては、プラズマを利用して試料を
エッチング処理，ＣＶＤ処理，クリーニング処理，アッ
シング処理，防食処理およびスパッタ処理するものに限
定されず、例えば、イオン打込み処理，真空蒸着処理，
ＭＢＥ処理等のプラズマを利用しない他の真空処理も全
て含まれる。（2）処理温度が異なる試料を同一の試料台に順次設置
し連続して真空処理する場合。例えば、０℃以下の異な
る処理温度で試料をμｍオーダ以下の高精度プラズマエ
ッチング処理する場合。

【００２７】次に本発明の他の実施例を第３図および第
４図により説明する。第３図はこの場合、マイクロ波プ
ラズマエッチング装置を示す。本図において第１図と同
符号は同一部材を示し、説明を省略する。本図が第１図
と異なるところは、真空処理室内でプラズマを発生させ
るための手段にマイクロ波を用いた点と、試料温度を計
測して伝熱ガス圧力を制御するフィードバック制御とし
た点である。

【００２８】真空処理室30の上部には、試料台５に対向
して設けた絶縁窓31を介して導波管32が取り付けてあ
る。導波管32の端部には、マイクロ波を発振するための
マグネトロン33が取り付けてある。試料台５上側の真空
処理室30外周には、真空処理室30内に磁界を発生させる
ためのソレノイドコイル34が設けてある。35は真空処理
室30内に処理ガス導入するためのガス導入管である。試
料台５には、試料６裏面から試料６の温度を検出する温
度検出センサ28（例えば、熱伝対，蛍光温度検出器等）
が設けてある。温度検出センサ28は、制御装置29に接続
してある。制御装置29は、温度検出センサ28からの検出
信号を受けて、流量制御器16を制御する。その他は前記
一実施例と同じ。

【００２９】上記のように構成した装置では、マグネト
ロン33によってマイクロ波を発振させると共に、ソレノ
イドコイル34によって磁界を発生させることにより、真
空処理室30内に処理ガスのプラズマが発生する。プラズ
マ発生後は、前記一実施例と同様に試料台５に直流電圧
を印加し、試料６を静電吸着させて試料台５に保持す
る。なお、マイクロ波エッチング装置における試料台５
への高周波電力の印加は、試料６へのプラズマ中のイオ
ンの入射を制御するのに用いられる。試料台５に保持さ
れた試料６の裏面には、前記一実施例と同様に伝熱ガス
が供給される。

【００３０】制御装置29は、この場合、温度検出センサ
28によって検出した試料６の温度検出信号を入力し、試
料６の温度が所定の設定温度となるように流量制御器16
を制御して試料６裏面の伝熱ガス圧力を制御する。流量
制御器16の制御は、試料温度との関係で前記一実施例と
同様に制御される。

【００３１】例えば、第４図に示すように、試料温度を
室温に比べて低い所定温度に設定してプラズマ処理する
場合（ケースI）には、ａ−ｂ間は伝熱ガス流量を最大
にして圧力を上げ試料を速く冷却する。試料温度がほぼ
所定温度に達したｂ−ｃ間では、伝熱ガス流量を下げて
安定させる。プラズマ処理を始めたｃ−ｄ間では、プラ
ズマ処理による試料への入熱があるため、試料温度を検
出しながら伝熱ガス圧力を制御する。この場合、伝熱ガ
ス圧力は徐々に高くなる。

【００３２】次に、ケースIの処理の後、さらに低温の
所定温度で試料をプラズマ処理する場合（ケースII）に
は、前述のケースIの場合と同様に行なえば良い。ｄ−
ｅ間はａ−ｂ間と同様に、ｅ−ｆ間はｂ−ｃ間と同様
に、ｆ−ｇ間はｃ−ｄ間と同様に行なう。

【００３３】また、逆に温度を上げて試料を処理する場
合（ケースIII）には、ｇ−ｈ間は伝熱ガスの供給を止
めると共に残留伝熱ガスを排気して試料の冷却を防ぎ、
真空処理室内の輻射熱等によって試料を昇温させる。ま
た、室温よりも高い温度に設定してあるこのような場合
は、プラズマからの入熱を利用して速く昇温させる。試
料温度がほぼ所定温度に達したｈ−ｉ間では、伝熱ガス
流量を安定させる。プラズマ処理を始めたｉ−ｊ間は、
前述のｃ−ｄ間の制御と同様に行なう。プラズマ処理が
終り試料を室温に戻す必要がある場合はｊ−ｋ間のよう
に伝熱ガスの圧力を上げて試料を冷却すれば良い。

【００３４】以上本実施例によれば、前記一実施例と同
様の効果があると共に、試料温度を検出しながら伝熱ガ
ス圧力を制御しているので、さらに精度の良い温度制御
が可能となる。

【００３５】尚、本実施例では、温度検出センサ28を用
いて、直接に試料６の温度を測定するようにしたが、例
えば、誘電体膜７の体積固有抵抗値が温度によって変化
することを利用して、高周波遮断回路13と直流電源14と
の間に電流検出器を設け、電流検出器からの検出値が所
定値になるように伝熱ガス圧力を制御する、間接的な温
度測定による制御としても良い。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、試料台の温度を変化さ
せることなく試料の温度のみを変化させることができる
ので、試料温度を異なる温度に高速に制御できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空処理装置の一実施例である平行平
板式のドライエッチング装置を示す構成図である。

【図２】静電吸着により試料を試料台に保持した場合の
伝熱ガス圧力と該伝熱ガスの熱通過率との関係および、
伝熱ガス圧力と時定数との関係を示す図である。

【図３】本発明の真空処理装置の他の実施例であるマイ
クロ波エッチング装置を示す構成図である。

【図４】第３図の装置により処理される試料温度と時間
との関係を示した図である。

【符号の説明】

１，30…真空処理室、５…試料台、６…試料、10…配
管、15…伝熱ガス供給ライン、16…流量制御器、18…絶
対圧真空計、25，29…制御装置、28…温度検出センサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西畑廣治山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者伊藤温司山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献特開平２−110925（ＪＰ，Ａ) 特開平２−110926（ＪＰ，Ａ) 特開平２−110927（ＪＰ，Ａ) 特開平２−119131（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧下で試料を処理する方法において、該
試料の処理温度よりもさらに低い一定温度の冷媒で試料
台を冷却する工程と、該冷却された前記試料台の試料設
置面に前記試料を保持する工程と、該試料設置面に保持
された前記試料の裏面と前記試料台の試料設置面との間
に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧力を前記試料の第１
の処理温度に合わせた第１のガス圧力に制御する工程
と、前記第１の処理温度に制御された試料を処理する工
程と、前記伝熱ガス圧力を前記試料の第２の処理温度に
合わせた第２のガス圧力に変更・制御する工程と、前記
第２の処理温度に制御された試料を処理する工程とを有
することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】前記伝熱ガス圧力は、予め設定された試料
の処理温度と伝熱ガス圧力との関係によって制御される
請求項１記載の真空処理方法。
【請求項３】試料を減圧下で処理し、次に該試料温度と
は異なる試料温度にして前記試料を減圧下で処理する方
法において、前記試料は１個の試料台の試料設置面に保
持され該試料台の温度を一定とし、前記試料の裏面と前
記試料設置面との間の伝熱ガス圧力を制御することで、
前記試料の温度をそれぞれ異なる温度に変更・制御して
前記試料を処理することを特徴とする試料処理方法。
【請求項４】前記試料は静電吸着により前記試料台に保
持され、前記試料の温度を異なる低い温度に変更・制御
する場合、該静電吸着された前記試料の裏面の伝熱ガス
の圧力は、伝熱ガス供給ライン内の伝熱ガスを排気した
後、所定の圧力となる伝熱ガス流量を供給しより低い圧
力で安定に保ち、前記試料の温度を所定の温度に変更す
る請求項３記載の試料処理方法。
【請求項５】減圧下で試料を処理する装置において、該
試料の処理温度よりもさらに低い一定温度の冷媒で試料
台を冷却する手段と、前記試料台の試料設置面に前記試
料を保持する手段と、該試料設置面に保持された前記試
料の裏面と前記試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを
供給する手段と、該伝熱ガス圧力をあらかじめ定められ
た複数の処理状態を達成するように所定の処理温度から
他の所定処理温度に合わせた異なる複数のガス圧力に変
更・制御する手段とを具備したことを特徴とする真空処
理装置。
【請求項６】前記制御手段は、前記伝熱ガス圧力と前記
試料温度との関係を記憶している請求項５記載の真空処
理装置。
【請求項７】前記試料台は前記試料の温度を検出する手
段を有し、前記制御手段は該検出手段からの試料温度に
よって前記伝熱ガス圧力を制御する請求項５記載の真空
処理装置。
【請求項８】前記試料台は、前記試料の配置面に絶縁膜
を有し、直流電圧が印加される請求項５記載の真空処理
装置。